1.一种金刚线切割的晶体硅片的脱胶方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)预清洗：将所述晶体硅片进行预清洗，除去切割过程中形成的松散硅粉；
(2)一次超声清洗：将晶体硅片置于第一超声水槽中，进行超声清洗；
(3)超声脱胶：将晶体硅片置于含有脱胶剂的第二超声水槽中，进行超声脱胶；
(4)超声漂洗：将晶体硅片置于第三超声水槽中，进行超声漂洗；
所述第一超声水槽、第二超声水槽、第三超声水槽中形成的超声波分别独立地至少具有第一超声传播方向，与第一超声传播方向相反的第二超声传播方向，以及与第一超声传播方向和第二超声传播方向均垂直的第三超声传播方向。
2.如权利要求1所述的脱胶方法，其特征在于，所述第一超声水槽、第二超声水槽、第三超声水槽均具有垂直于第一超声传播方向的第一震板，具有垂直于第二超声传播方向的第二震板，以及垂直于第三超声传播方向的第三震板；
优选地，所述第一超声水槽、第二超声水槽、第三超声水槽为长方体水槽，所述第一震板和第二震板分别固定于所述长方体水槽长度较长的两个侧面上，第三震板固定于所述长方体水槽的底面上；
优选地，所述第一超声水槽、第二超声水槽、第三超声水槽中，每个超声传播方向的超声源的超声功率均各自独立地选自800～1500W。
3.如权利要求1或2所述的脱胶方法，其特征在于，所述脱胶剂包括乳酸和/或柠檬酸；
优选地，所述第二超声水槽中，脱胶剂的浓度为60～80wt％；
优选地，所述第二超声水槽的水温为60～75℃。
4.如权利要求1～3之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述第二超声水槽为长方体水槽，其中第一震板、第二震板和第三震板的超声功率均为1000W；
优选地，所述晶体硅片在第二超声水槽中的超声时间为500～700s。
5.如权利要求1～4之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述第一超声水槽为长方体水槽，其中第一震板、第二震板和第三震板的超声功率均为1000W；
优选地，所述晶体硅片在第一超声水槽中的超声时间为300～500s；
优选地，所述第一超声水槽的水温为35～45℃。
6.如权利要求1～5之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述第三超声水槽为长方体水槽，其中第一震板、第二震板和第三震板的超声功率均为1000W；
优选地，所述晶体硅片在第三超声水槽中的超声时间为200～300s；
优选地，所述第三超声水槽的水温为35～45℃。
7.如权利要求1～6之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述预清洗包括至少一次喷淋预清洗和至少一次超声预清洗，优选包括依次进行的第一次喷淋预清洗、第一次超声预清洗和第二次喷淋预清洗；
优选地，所述第一次喷淋预清洗、第一次超声预清洗和第二次喷淋预清洗的温度为20～30℃，优选25℃；
优选地，所述第一次喷淋预清洗时间为100～300s；
优选地，所述第一次超声预清洗时间为100～300s；
优选地，所述第二次喷淋预清洗时间为100～300s。
8.如权利要求1～7之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述脱胶方法中，相邻的水槽间的温差在25℃以下。
9.如权利要求1～8之一所述的脱胶方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)预清洗：将所述晶体硅片依次进行25℃下的第一次喷淋预清洗100～300s，25℃下的第一次超声预清洗100～300s和25℃下的第二次喷淋预清洗100～300s；
(2)一次超声清洗：将晶体硅片置于35～45℃的第一超声水槽中，进行超声清洗300～500s，所述第一超声水槽具有分别在第一超声传播方向、第二超声传播方向和第三超声传播方向上1000W的超声功率；
(3)超声脱胶：将晶体硅片置于含有脱胶剂的60～75℃的第二超声水槽中，进行超声脱胶500～700s，所述第二超声水槽具有分别在第一超声传播方向、第二超声传播方向和第三超声传播方向上1000W的超声功率；
(4)超声漂洗：将晶体硅片置于35～45℃的第三超声水槽中，进行超声漂洗200～300s，所述第二超声水槽具有分别在第一超声传播方向、第二超声传播方向和第三超声传播方向上1000W的超声功率。
10.一种用于金刚线切割的晶体硅片脱胶方法的超声水槽，其特征在于，所述超声水槽形成的超声波至少具有第一超声传播方向，与第一超声传播方向相反的第二超声传播方向，以及与第一超声传播方向和第二超声传播方向均垂直的第三超声传播方向；
优选地，所述超声水槽具有垂直于第一超声传播方向的第一震板，具有垂直于第二超声传播方向的第二震板，以及垂直于第三超声传播方向的第三震板；
优选地，所述超声水槽为长方体水槽，所述第一震板和第二震板分别固定于所述长方体水槽长度较长的两个侧面上，第三震板固定于所述长方体水槽的底面上；
优选地，所述超声水槽中，每个超声传播方向的超声源的超声功率均各自独立地选自800～1500W；
优选地，所述超声水槽用于如权利要求1所述的金刚线切割的晶体硅片脱胶方法。