本实用新型涉及结晶技术领域，具体来说，涉及一种结晶装置。
背景技术：
晶体在溶液中形成的过程称为结晶。结晶的方法一般有2种：一种是蒸发溶剂法，它适用于温度对溶解度影响不大的物质，沿海地区“晒盐”就是利用的这种方法，另一种是冷却热饱和溶液法，此法适用于温度升高，溶解度也增加的物质。蒸发溶剂，使溶液由不饱和变为饱和，继续蒸发，过剩的溶质就会呈晶体析出，叫蒸发结晶。
申请号为201520611294.1的专利公开出了一种太阳能加热蒸发结晶器，包括蒸发室、分离室、循环管、循环泵、加热室，所述的蒸发室下部设在分离室中，所述的循环管连接加热室、分离室和蒸发室，所述的循环泵设在循环管上，所述的分离室下部设有出料口，所述的蒸发室顶部设有蒸气出口，所述的加热室为长方体结构，所述的加热室顶部设有太阳能加热板，所述的蒸发室内部顶部设有过滤装置。这种太阳能加热蒸发结晶器在使用时，蒸发室的内壁会出现结垢的情况，时间长后清理不方便，此外，由于产品水份高，在分离室内的聚晶多时易结块，结晶颗粒小。
针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种结晶装置，以克服目前现有技术存在的上述不足。
为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种结晶装置，包括蒸发室和循环管，设置在蒸发室下端且与蒸发室相连通的分离室，所述循环管一端与蒸发室相连通，另一端与分离室相连通，所述循环管上连接有加热室和循环泵，所述加热室顶端设有太阳能加热板，所述蒸发室的顶端设有刮晶装置，所述分离室外部设有可添加晶种的晶种容器，所述晶种容器通过连接管与分离室的内部空腔相连通；所述刮晶装置包括转轴和设置在蒸发室内的连接杆，所述转轴下端伸入到蒸发室内且与蒸发室内的连接杆相连接，所述连接杆的两端设有与蒸发室内壁相接触的刮晶板。
进一步的，所述连接管上设有控制阀。
进一步的，所述分离室上设有倾斜面，且在该倾斜面上设有可视窗。
进一步的，所述蒸发室的顶端偏心设有蒸气出口管，该蒸气出口管一端伸入到蒸发室内且连接有过滤装置。
进一步的，所述刮晶装置设于分离室的顶端中心处。
进一步的，所述分离室的底部设有出料口，且该出料口处设有排料阀。
本实用新型的有益效果：通过蒸发室的顶端设置刮晶装置后，能够有效的防止蒸发室的内壁出现晶体结垢情况，通过在分离室外部设置晶种容器和连通晶种容器与分离室的连接管，控制添加晶种数量，使分离室内产生的晶体颗粒均匀，晶体的抗结块性能强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是根据本实用新型实施例所述的结晶装置的结构示意图。
图中：
1、蒸发室；2、循环管；3、分离室；4、加热室；5、循环泵；6、太阳能加热板；7、晶种容器；8、连接管；9、转轴；10、连接杆；11、刮晶板；12、控制阀；13、倾斜面；14、可视窗；15、蒸气出口管；16、过滤装置；17、出料口；18、排料阀。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，根据本实用新型的实施例所述的一种结晶装置，包括蒸发室1和循环管2，设置在蒸发室1下端且与蒸发室1相连通的分离室3，所述循环管2一端与蒸发室1相连通，另一端与分离室3相连通，所述循环管2上连接有加热室4和循环泵5，所述加热室4顶端设有太阳能加热板6，所述蒸发室1的顶端设有刮晶装置，所述分离室3外部设有可添加晶种的晶种容器7，所述晶种容器7通过连接管8与分离室3的内部空腔相连通；所述刮晶装置包括转轴9和设置在蒸发室1内的连接杆10，所述转轴9下端伸入到蒸发室1内且与蒸发室1内的连接杆10相连接，所述连接杆10的两端设有与蒸发室1内壁相接触的刮晶板11。
所述连接管8上设有控制阀12，进而能有效的控制添加量。
所述分离室3上设有倾斜面13，且在该倾斜面13上设有可视窗14，方便观察分离室3内的结晶情况。
所述蒸发室1的顶端偏心设有蒸气出口管15，该蒸气出口管15一端伸入到蒸发室1内且连接有过滤装置16。
所述刮晶装置设于分离室3的顶端中心处。
所述分离室3的底部设有出料口17，且该出料口17处设有排料阀18。
为了方便理解本实用新型的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。
在具体使用时，所述蒸发室1在工作时，所述转轴9转动，从而再通过连接杆10带动所述刮晶板11转动，可以有效的防止所述蒸发室1的内壁出现晶体结垢，同时通过所述晶种容器7向所述分离室3内加入晶种，所述分离室3内产生的晶体颗粒均匀。
综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，通过蒸发室1的顶端设置刮晶装置后，能够有效的防止蒸发室1的内壁出现晶体结垢情况，通过在分离室3外部设置晶种容器7和连通晶种容器7与分离室3的连接管8，控制添加晶种数量，使分离室3内产生的晶体颗粒均匀，晶体的抗结块性能强。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。