基板处理装置、掩模设置方法、膜形成装置及膜形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法，特别涉及包含具有规定的开口图案的掩模的基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法。
【背景技术】
[0002]以往，公知有包含具有规定的开口图案的掩模的基板处理装置(例如，参照专利文献I)。
[0003]在上述专利文献I中，公开了如下的电喷雾(electro-spray)装置(基板处理装置)，所述电喷雾装置具有:喷嘴，其在对有机EL器件用的溶液材料施加电压的状态(溶液材料带电的状态)下进行喷雾；基板，在该基板上堆积从喷嘴喷雾的溶液材料而形成有机发光层等有机EL器件用的薄膜；以及掩模，其配置在基板的上方并具有规定的开口图案。在该电喷雾装置中，因施加给溶液材料的电压与基板侧之间的电位差(电场)，溶液材料从喷嘴被喷雾至下方(基板侧)，并且经由掩模的开口部堆积在基板上，由此形成规定形状的薄膜。
[0004]并且，以往已知在基板的下方配置掩模并且在掩模的下方配置喷嘴的电喷雾装置。在该电喷雾装置中，溶液材料从喷嘴被喷雾至上方(基板侧)，由此经由掩模在基板上形成规定形状的薄膜。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2011-175921号公报
【发明内容】
[0008]发明要解决的课题
[0009]然而，在溶液材料从喷嘴被喷雾至上方(基板侧)的电喷雾装置中，由于掩模配置在基板的下方，因此存在掩模因自重而向下方挠曲这样的不良情况。另外，基板也因自重向下方挠曲，另一方面，一般而言由于掩模的挠曲量比基板的挠曲量大，因此会在基板与掩模之间产生间隙。因此，溶液材料会绕入基板与掩模之间的间隙，因此存在掩模的开口图案的转印性变差这样的问题点。
[0010]本发明是为了解决上述这样的课题而完成的，本发明的一个目的在于提供一种基板处理装置、掩模的设置方法、膜形成装置以及膜形成方法，能够抑制因在基板与掩模之间产生间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]为了实现上述目的，本发明的第I方面的基板处理装置基板处理装置具有掩模，掩模配置在基板的附近且具有规定的开口图案，掩模构成为:在掩模的端部附近被支承的状态下，掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
[0013]在该第I方面的基板处理装置中，如上所述在掩模的端部附近被支承的状态下，以使掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式构成掩模，由此以掩模与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，能够使掩模从具有第I挠曲变形量的状态变为具有第2挠曲变形量的状态，因此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够抑制在基板与掩模之间产生间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
[0014]在上述第I方面的基板处理装置中，优选基板处理装置还具有吸附台，吸附台具有吸附部，该吸附部对基板的与掩模相反侧的表面进行吸附，吸附台的吸附部构成为:在使基板以具有第2挠曲变形量的方式挠曲的状态下吸附并维持基板。如果以这种方式构成，则即使在基板未挠曲的情况下，也能够利用吸附台的吸附部使基板成为以具有第2挠曲变形量的方式挠曲的状态，因此能够容易地使掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
[0015]在该情况下，优选吸附台的吸附部的表面具有与基板的第2挠曲变形量对应的挠曲形状。如果以这种方式构成，则只需使基板吸附在吸附部的表面，就能够容易地使基板成为以具有第2挠曲变形量的方式进行挠曲的状态。
[0016]在上述第I方面基板处理装置中，优选掩模以如下的方式构成:当掩模在掩模的端部附近被支承的状态下以与基板紧贴的方式相对于基板相对地移动时，伴随着掩模对基板的紧贴状态的推进，掩模从具有第I挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态。如果以这种方式构成，通过使掩模相对于基板相对地移动，从而能够容易地使具有第I挠曲变形量的状态的掩模变化为具有第2挠曲变形量的状态。
[0017]本发明的第2方面的掩模的设置方法具有如下步骤:对掩模的端部附近进行支承，使具有规定的开口图案的掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小；以及在对掩模的端部附近进行支承的状态下使掩模以与基板紧贴的方式相对于基板相对地移动，使掩模从具有第I挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态。
[0018]在该第2方面的掩模的设置方法中，如上所述具有如下步骤:对具有规定的开口图案的掩模的端部附近进行支承，使所述掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小，由此，通过在对掩模的端部附近进行支承的状态下以与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，使掩模从具有第I挠曲变形量的状态变化到具有第2挠曲变形量的状态，由此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够提供一种掩模的设置方法，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
[0019]本发明的第3方面的膜形成装置具有:喷嘴，其在对溶液材料施加了规定的电压的状态下进行喷雾而在位于上方的挠曲变形后的基板上堆积薄膜；以及掩模，其配置在喷嘴与基板之间且配置在基板的附近，并具有规定的开口图案，掩模构成为:在掩模的端部附近被支承的状态下，掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。
[0020]在该第3方面的膜形成装置中，如上所述，在对掩模的端部附近进行支承的状态下，以使掩模向下方的第I挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式构成掩模，由此以掩模与基板紧贴的方式使掩模相对于基板相对地移动，由此能够使掩模从具有第I挠曲变形量的状态变为具有第2挠曲变形量的状态，因此能够在掩模与基板之间不存在间隙的状态下紧贴掩模与基板。其结果为，能够提供一种膜形成装置，能够抑制因在基板与掩模之间形成间隙而引起掩模的开口图案的转印性变差的情况。
[0021]本发明的第4方面的膜形成装置具有对挠曲变形后的状态的基板涂布涂布液的喷嘴，喷嘴构成为:按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以与基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于基板相对地移动而进行涂布动作。
[0022]在该第4方面的膜形成装置中，如上所述，通过将喷嘴构成为按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以与基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于基板相对地移动而进行涂布动作，从而即使在基板未挠曲的状态的情况下，由于能够一边将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，因此能够对基板均匀地涂布涂布液。
[0023]在上述第4方面的膜形成装置中，优选喷嘴构成为:该喷嘴一边按照沿着基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以相对于基板大致垂直的方式改变角度，一边相对于基板相对地移动。如果以这种方式构成，不仅将喷嘴相对于基板的距离保持恒定，而且能够一边将喷嘴相对于基板上被涂布涂布液的涂布位置的表面的角度保持为大致垂直，一边使喷嘴相对于基板相对地移动而进行涂布动作，因此能够更有效、更均匀地对基板涂布涂布液。
[0024]在上述第4方面的膜形成装置中，优选膜形成装置还具有包含吸附部的吸附台，吸附部对基板的与被涂布涂布液的一侧相反侧的表面进行吸附，并且该吸附部将基板维持为规定的挠曲变形形状，喷嘴构成为:在基板被吸附台的吸附部吸附的状态下，该喷嘴按照沿着基板的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台相对地移动而进行涂布动作。如果以这种方式构成，由于能够一边使基板吸附于吸附台的吸附部的表面来维持基板的挠曲形状，一边进行涂布动作，因此能够容易地使喷嘴按照沿着基板被维持的挠曲变形形状的轨迹相对于吸附台相对地移动。由此，由于能够一边容易地将基板上被涂布涂布液的涂布位置与喷嘴之间的距离保持恒定，一边进行涂布动作，因此能够容易地对基板均匀地涂布涂布液。
[0025]在该情况下，优选吸附台的吸附部的表面具有与基板的规定的挠曲变形形状对应的挠曲形状，喷嘴构成为:在基板被吸附于吸附台的吸附部的状态下，该喷嘴按照沿着挠曲形状的轨迹相对于吸附台相对地移动而进行涂布动作。如果以这种方式构成，由于能够利用吸附台的吸附部的表面容易地将基板维持规定的挠曲变形形状，因此通过使喷嘴按照沿着吸附台的吸附部的挠曲形状的轨迹相对于吸附台相对地移动，能够容易地将喷嘴与基板上被涂布涂布液的涂布位