结晶装置包括3个结晶单元，每个结晶单元内均包含有一个管式结晶器I和一个中间溶液储槽2，中间溶液储槽2的液体进口连接管式结晶器液体出口1-5，中间溶液储槽2的液体出口经循环栗3连接管式结晶器的液体进口 1-3。其中，第一结晶单元内还包括配置槽4，配置槽4连接第一结晶单元和第二结晶单元的中间溶液储槽2 ;
第一结晶单元与第二结晶单元的中间溶液储槽2通过循环栗4及管道连通，第二结晶单元与第三结晶单元的中间溶液储槽2通过循环栗4及管道连通，第一结晶单元的管式结晶器的液体出口 1-5还连接第二结晶单元的中间溶液储槽2，第二结晶单元的管式结晶器的液体出口 1-3还连接第三结晶单元的中间溶液储槽2，
第三结晶单元的管式结晶器的液体出口 1-5连接熔融料外送管道，第三结晶单元的中间溶液储槽2的一个液体进口连接来溶剂管道。
[0033]提纯方法如下:
(I)结晶，在第一结晶单元的配置槽4内将粗咔唑与第二单元来的母液(主要成分是二甲苯、c9、cl0溶剂油中的任意一种)按照质量比1:7配成溶液，然后均匀分布到第一结晶单元的管式I内，并使溶液从第一结晶单元的管式结晶器I各个结晶管1-2流下；在结晶管外导热油的冷却作用下，目的物在结晶管1-2内壁结晶成晶层，所产生的母液汇集后流入中间溶液储槽2再以栗输送的方式循环至管式结晶器I顶部并在循环过程中逐渐降温，起始结晶温度在130°C，终止结晶温度在30°C，其降温速率在0.30C /min，溶液温度达到终止结晶温度后停止溶液循环，结晶完成；
第一结晶单元结晶完成后，第一结晶单元母液送去溶剂回收。第一结晶单元结晶管内的结晶用第三结晶单元的母液溶解后送入第二结晶单元结晶。第二结晶单元结晶完成后，第二单元母液去配置槽4与原料混合，第二结晶单元结晶管内结晶用回收的净溶剂溶解后送入第三结晶单元结晶，第三结晶单元为末尾单元，结晶完成后，第三结晶单元母液送去第一单元作为溶解结晶的溶剂。
[0034](2)发汗，每个单元结晶完成后多要进行发汗。通过结晶管外导热油加热结晶管1-2内表面的晶层，进行发汗操作，发汗升温速率控制在1°C /min，发汗终止温度为低于起始结晶温度20°C并在重力作用下使发汗液与结晶分离；
第三结晶单元中纯度复合要求的精咔唑在管式结晶器I内真空干燥，熔化后成液态取出。如对外观有特殊要求，精咔唑可经升华后得到外观为纯白色结晶的成品。
[0035]实施例4
采用单一管式结晶器多次循环预处理粗蒽。
[0036]采用的结晶装置与实施例1相同。
[0037]提纯方法如下:
(1)结晶，在配置槽4内将粗蒽与净溶剂(二甲苯、c9、clO溶剂油中的任意一种)按照质量比1:1配成溶液，然后均匀分布到管式结晶器I内，并使溶液从管式结晶器I各个结晶管1-2流下；在结晶管外导热油的冷却作用下，目的物在结晶管1-2内壁结晶成晶层，所产生的母液汇集后流入中间溶液储槽2再以栗输送的方式循环至管式结晶器I顶部并在循环过程中逐渐降温，起始结晶温度在170°C，终止结晶温度在40°C，其降温速率在0.2°C /min,溶液温度达到终止结晶温度后停止溶液循环，结晶完成；
(2)发汗，通过结晶管外导热油加热结晶管1-2内表面的晶层，进行发汗操作，发汗升温速率控制在0.5°C /min，发汗终止温度为低于起始结晶温度50°C并在重力作用下使发汗液与结晶分离，发汗液并入结晶步骤循环，母液去溶剂回收或者作为结晶步骤的溶剂；
结晶管表面结晶用循环套用的母液溶解后，继续结晶。每次结晶、发汗为一个工作循环，经过多次工作循环得到纯度符合要求的目的物。前几次循环采用上一循环产生的套用母液，最后一次循环采用溶剂回收系统得到的净溶剂。
[0038]纯度复合要求的半精蒽在管式结晶器I内真空干燥，熔化后成液态取出。
[0039]
实施例5
采用多个管式结晶器串联成的生产线提纯蒽。
[0040]采用的结晶装置与实施例3相同。
[0041]提纯方法如下:
(I)结晶，在第一结晶单元的配置槽4将预处理过的粗蒽与第二单元来的母液(主要成分是二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮)按照质量比1:3配成溶液，然后均匀分布到第一结晶单元的管式结晶器I内，并使溶液从第一结晶单元的管式结晶器I各个结晶管1-2流下；在结晶管外导热油的冷却作用下，目的物在结晶管1-2内壁结晶成晶层，所产生的母液汇集后流入中间溶液储槽2再以栗输送的方式循环至管式结晶器I顶部并在循环过程中逐渐降温，起始结晶温度在80°C，终止结晶温度在20°C，其降温速率在0.40C /min,溶液温度达到终止结晶温度后停止溶液循环，结晶完成；
第一结晶单元结晶完成后，第一结晶单元母液送去溶剂回收。第一结晶单元结晶管内结晶用第三结晶单元的母液溶解后送入第二结晶单元结晶。第二结晶单元结晶完成后，第二单元母液去配置槽与原料混合，第二结晶单元结晶管内结晶用回收的净溶剂溶解后送入第三结晶单元结晶，第三结晶单元为末尾单元，结晶完成后，第三结晶单元母液送去第一单元作为溶解结晶的溶剂。
[0042](2)发汗，每个单元结晶完成后多要进行发汗。通过结晶管外导热油加热结晶管1-2内表面的晶层，进行发汗操作，发汗升温速率控制在1.5°C /min，发汗终止温度为低于起始结晶温度20°C并在重力作用下使发汗液与结晶分离；
第三结晶单元中纯度复合要求的精蒽在管式结晶器I内真空干燥，熔化后成液态取出。
【主权项】
1.一种结晶装置，其特征在于:包括 一一管式结晶器(1)，所述的管式结晶器(I)具有壳体(1-1)，壳体(1-1)内部装有由结晶管(1-2)组成的管束，壳体顶部具有管式结晶器液体进口( 1-3)和排气口( 1-4)、底部具有管式结晶器液体出口(1-5);管束外侧的壳体(1-1)上设有导热油进口(1-6)和导热油出口( 1-7)，壳体(1-1)底部设有保温夹套(1-8); 一一中间溶液储槽(2)，中间溶液储槽(2)的液体进口连接管式结晶器液体出口(1-5 )，中间溶液储槽(2 )的液体出口经循环栗(3 )连接管式结晶器的液体进口( 1-3 )。2.根据权利要求1所示的装置，其特征在于:包括N个结晶单元，每个结晶单元内均包含有一个管式结晶器(I)和至少一个中间溶液储槽(2)，中间溶液储槽(2)的液体进口连接管式结晶器液体出口( 1-5 )，中间溶液储槽(2 )的液体出口经循环栗(3 )连接管式结晶器液体进口(1-3)； 其中，第一结晶单元内还包括配置槽(4)，配置槽(4)连接第一结晶单元和第二结晶单元的中间溶液储槽(2); 相邻单元的中间溶液储槽(2)通过循环栗(4)及管道连通，第I?(N-1)结晶单元中，每个单元内的管式结晶器液体出口(1-3)还连接后一单元的中间溶液储槽(2)， 第N结晶单元的管式结晶器液体出口( 1-5)连接熔融料外送管道，第N结晶单元的中间溶液储槽(2 )的一个液体进口连接来溶剂管道。3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于:管束的上部设液体分布器(1-9)。4.利用权利要求1或2或3所述的装置进行提纯的方法，其特征在于，包括步骤: 结晶，将含有待提纯目的物的粗目的物与溶剂配成溶液均匀分布到管式结晶器内，并从管式结晶器各个结晶管流下；在结晶管外导热油的冷却作用下，目的物在结晶管内壁结晶成晶层，所产生的母液再循环至结晶器顶部并在循环过程中逐渐降温，溶液温度达到终止结晶温度后停止溶液循环，结晶完成； 发汗，通过结晶管外导热油加热结晶管内表面的晶层，进行发汗操作，并在重力作用下使发汗液与结晶分尚; 每次结晶、发汗为一个工作循环，经过一次或多次工作循环得到纯度符合要求的目的物；有多次工作循环时，步骤(2)后用溶剂溶解结晶管表面的晶层，然后继续步骤(I); 纯度符合要求的目的物在管式结晶器内真空干燥，熔化后成液态取出。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:步骤(I)中，起始结晶温度在80-170°C，终止结晶温度在20?50°C，其降温速率在0.1°C?0.50C /min ;步骤(2)中，发汗升温速率控制在0.2?2°C /min,发汗终止温度为低于起始结晶温度5?50°C。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于:步骤(I)含粗目的物的溶液中，粗目的物与溶剂按质量比1:1-1:10配制。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于:所述的步骤(I)和溶解结晶层所用的溶剂是净溶剂或结晶过程中产生的母液。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于:所述的目的物是咔唑，净溶剂选自二甲苯、c9、clO溶剂油中的任意一种，母液的主要成分是选自二甲苯、c9、clO溶剂油中的任意一种。9.根据权利要求7所述方法，其特征在于:所述的目的物是蒽，净溶剂选自二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种，母液的主要成分是选自二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于:所述的目的物是半精蒽，净溶剂选自二甲苯、c9、clO溶剂油中的任意一种，母液的主要成分是选自二甲苯、c9、clO溶剂油中的任意一种。
【专利摘要】本发明涉及一种结晶装置和方法，结晶装置包括管式结晶器和中间溶液储槽，管式结晶器壳体内部装有由结晶管组成的管束，管束外侧的壳体上设有导热油进口和导热油出口。可以用多个管式结晶器串联形成生产线。结晶时，将含有待提纯目的物的粗目的物与溶剂配成溶液均匀分布到管式结晶器内，目的物在结晶管内壁结晶成晶层，所产生的母液再循环至管式结晶器顶部并在循环过程中逐渐降温，结晶完成后进行发汗操作，每次结晶、发汗为一个工作循环，经过一次或多次工作循环得到纯度符合要求的目的物，然后在管式结晶器内真空干燥，熔化后成液态取出。在有限次的结晶分离后得到高纯度及超高纯度产品。
【IPC分类】C07C15/28, C07D209/84, C07C7/14, B01D9/02
【公开号】CN105107223
【申请号】CN201510663689
【发明人】贺源
【申请人】贺源
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年10月15日