压差在选择性催化还原系统中的使用的制作方法

文档序号:14943969发布日期:2018-07-17 12:11阅读:185来源:国知局

本申请要求于2015年12月1日提交的美国专利申请第14/955,465号的优先权的权益,并且该美国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

本申请总体上涉及排气后处理系统的领域。更具体地,本申请涉及用于监测排气后处理系统中的压力的系统和方法。

背景

对于内燃发动机(例如,柴油发动机),氮氧化物(nox)化合物可能在排气中被排放。为了减少nox排放物,可实施选择性催化还原(scr)过程,以借助于催化剂和还原剂将nox化合物转化成更中性的化合物,例如双原子氮、水或二氧化碳。催化剂可以被包括在排气后处理系统的催化剂室(例如,交通工具或动力生成单元的排气后处理系统的催化剂室)中。还原剂(例如,无水氨、氨水或尿素)通常在被引入催化剂室之前被引入到排气流中。为了将还原剂引入到用于scr过程的排气流中,scr系统可以通过将还原剂蒸发或喷洒到催化剂室的上游的排气后处理系统的排气管中的配给回路来配给还原剂或以其它方式引入还原剂。

概述

一种实施方式涉及用于改进压差或选择性催化还原系统的确定的系统。该系统包括耦合到选择性催化还原系统的入口的第一传感器、耦合到选择性催化还原系统的出口的第二传感器以及通信地耦合到选择性催化还原系统的控制器。控制器配置成:解译指示由第一传感器测量的选择性催化还原系统的第一压力量的第一参数;解译指示由第二传感器测量的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数;至少部分地基于对第一参数和第二参数的解译来确定多个(apluralityof)操作参数;以及至少部分地基于对多个操作参数的确定来生成选择性催化还原命令。

另一种实施方式涉及一种用于改进选择性催化还原系统的压差确定的系统。该系统包括多个选择性催化还原系统。多个选择性催化还原系统中的每一个包括:第一传感器和第二传感器,第一传感器耦合到相应的选择性催化还原系统的入口,第二传感器耦合到相应的选择性催化还原系统的出口;以及控制器,其通信地耦合到多个选择性催化还原系统,所述控制器配置成:对于每个催化还原系统,解译指示由第一传感器测量的相应的选择性催化还原系统的压力量的第一参数;解译指示由第二传感器测量的相应的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数;至少部分地基于对第一参数和第二参数的解译来确定多个操作参数;以及至少部分地基于多个操作参数的确定生成多个选择性催化还原命令。

另一种实施方式涉及一种用于改进对应于选择性催化还原系统的压差确定的方法。该方法包括:经由控制器解译指示由第一传感器测量的选择性催化还原系统的第一压力量的第一参数;经由控制器解译指示由第二传感器测量的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数;经由控制器至少部分地基于对第一参数和第二参数的解译来确定多个操作参数;以及经由控制器至少部分地基于多个操作参数的确定生成选择性催化还原命令,所述选择性催化还原命令引起对应于所述选择性催化还原系统的压差的指示。

还有的另外的实施方式涉及一种存储指令的非暂时性计算机可读介质,当指令由一个或更多个处理器执行时,使所述一个或更多个处理器执行若干操作。所述操作包括:解译指示由第一传感器测量的选择性催化还原系统的第一压力量的第一参数;解译指示由第二传感器测量的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数;至少部分地基于对第一参数和第二参数的解译来确定多个操作参数;以及至少部分地基于多个操作参数的确定生成选择性催化还原命令,所述选择性催化还原命令引起对应于选择性催化还原系统的压差的指示。

根据结合附图时进行的以下的详细描述,本文描述的实施方式的这些和其它的特征连同其组织和操作的方式将变得明显,其中在所有的下文描述的若干个附图中,相同的元件具有相同的标记。

附图简述

在附图和下面的描述中阐述了一个或更多个实施方式的细节。从描述、附图和权利要求中,本公开的其它特征、方面和优点将变得明显,其中:

图1是具有用于排气后处理系统的示例性还原剂输送系统的示例性的选择性催化还原系统的示意性框图;

图2a是根据另一个示例性实施方案的选择性催化还原系统的示意性框图;

图2b是根据示例性实施方案的多个选择性催化还原系统的示意性框图;

图3是根据示例性实施方案的被包括在图1、图2a或图2b的后处理系统中的控制器的示意性框图;

图4是改进对应于选择性催化还原系统的压差确定的示例性方法的示意性流程图;和

图5是可用作被包括在图1、图2a或图2b的后处理系统中的控制器的示例性计算设备的示意性框图。

应认识到,一些或所有图是为了说明的目的的示意性表示。为了说明一个或更多个实施方式的目的而提供附图,明确地理解附图将不用于限制权利要求的范围或含义。

详细描述

i.综述

下面是与用于监测压力的方法、装置和系统有关的各种概念和实施方式的详细描述,该压力与被包括在后处理系统中的scr系统相关联。上面介绍和下面更详细讨论的各种概念可以用很多方式中的任一种实现,因为所描述的概念不限于任何特定的实现方式。主要为了例证性目的来提供特定的实施方式和应用的示例。

总体上参考附图,本文公开的多个实施方案涉及用于改进用于选择性催化还原系统的压差确定的系统和方法。根据本公开,控制器解译指示由第一传感器测量的选择性催化还原系统的第一压力量的第一参数;解译指示由第二传感器测量的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数;至少部分地基于对第一参数和第二参数的解译来确定多个操作参数;以及至少部分地基于对多个操作参数的确定来生成选择性催化还原命令。

监测与选择性催化还原系统相关联的压力的各种常规系统利用了一种方法,通过该方法,远离后处理系统设置的压力传感器(例如,气压传感器)确定跨越选择性催化还原系统的压力。其它常规系统可以利用一种方法,通过该方法,压差传感器被用于通过设置在柴油颗粒过滤器(dpf)之前和之后的一组管来确定压力,这可能使这样的后处理系统的组装复杂化以及增加组装和/或维护成本。此外,引入压差传感器的误差量随着管的长度增加而增加。因此,这样的方法不能产生对跨越选择性催化还原系统的压差的期望确定。

上述常规系统通常没有考虑到需要对应于一个或多个选择性催化还原系统的可校准解决方案。结果,这些系统在确定每个相应的选择性催化还原系统的压差时往往不准确。

本文公开的各种实施方案包括用于改进选择性催化还原系统的压差确定的系统、方法和装置,其可提供包括例如指示scr系统阻塞、过度压力或缺失的scr系统(missingscrsystem)的益处。

下面是涉及用于改进选择性催化还原系统的压差确定的方法、装置和系统的各种概念的详细描述,以及用于改进选择性催化还原系统的压差确定的方法、装置和系统的实施方案。上面介绍和下面更详细讨论的各种概念可以用很多方式中的任一种实现,因为所描述的概念不限于任何特定的实现方式。主要为了例证性目的来提供特定的实施方式和应用的示例。

ii.选择性催化还原系统综述

图1描绘了选择性催化还原系统100,选择性催化还原系统100具有用于排气后处理系统190的示例性还原剂输送系统110。选择性催化还原系统100包括柴油颗粒过滤器(dpf)102、还原剂输送系统110、分解室或反应器104以及scr催化器106。

dpf102配置成从在排气后处理系统190中流动的排气移除颗粒物质,例如碳烟。dpf102包括入口和出口,排气在入口处被接纳,在使颗粒物质大体上从排气被过滤和/或将颗粒物质转换成二氧化碳之后排气在出口处离开。

分解室104被配置成将诸如尿素、氨水或柴油机排气处理液(dieselexhaustfluid)(def)的还原剂转化成氨。分解室104包括还原剂输送系统110,还原剂输送系统110配置成将还原剂配给到分解室104中。在一些实施方式中,尿素、氨水、def在scr催化器106的上游被喷射或以其它方式引入。还原剂液滴然后经历蒸发、热解和水解的过程以在排气后处理系统190内形成气态氨。分解室104包含入口和出口,入口与dpf102流体连通以接收含有nox排放物的排气,出口用于排气、nox排放物、氨和/或剩余的还原剂以流动至scr催化器106。

scr催化器106配置成通过加速在氨和排气中的nox之间的nox还原过程使其成为双原子氮、水和/或二氧化碳来帮助nox排放物的还原。scr催化器106包括入口和出口,入口与分解室104流体连通,从分解室104接收排气和还原剂。

排气后处理系统190还可以包括与排气后处理系统190流体连通的柴油氧化催化器(doc)(例如,在scr催化器106的下游或在dpf102的上游),以氧化排气中的碳氢化合物和一氧化碳。

分解室104包括安装至分解室104的配给回路112,使得配给回路112可以将还原剂(例如,尿素、氨水或def)配给至在排气后处理系统190中流动的排气中。配给回路112可以包括隔离器114,隔离器114插入配给回路112的一部分和分解室104的用于安装配给回路112的部分之间。配给回路112流体地耦合到一个或更多个还原剂源116。在一些实施方式中,泵(未示出)可以用于给还原剂源116加压以便输送到配给回路112。

控制器120配置成执行某些操作,例如在本文关于图3-5所述的那些操作。在某些实施方案中,控制器120形成处理子系统的一部分,该处理子系统包括具有存储器、处理硬件和通信硬件的一个或更多个计算装置。控制器120可以包括微处理器、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)等或其组合。控制器120可以包括存储器,存储器可以包括但不限于能够提供具有程序指令的处理器、asic、fpga等的电子的、光学的、磁性的或任何其它存储或传输设备。存储器可包括存储器芯片、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、可擦除可编程只读存储器(eprom)、闪存或任何其它适当的存储器,控制器120可从存储器读取指令。指令可以包括来自任何适当的编程语言的代码。控制器120可以是单个设备或分布式设备,并且控制器120的功能可由硬件和/或作为非临时计算机可读存储介质上的计算机指令执行。

在某些实施方案中,控制器120包括配置成在功能上执行控制器120的操作的电路或以其它方式与配置成在功能上执行控制器120的操作的电路通信。在另外的实施方案中,控制器120可以包括用于执行参考图3-5所述的操作的压差回路。包括回路的在本文中的描述强调控制器120的多个方面的结构独立并示出控制器120的操作和职责的一个分组。应理解的是,执行类似整体操作的其它分组在本申请的范围内。回路可以在硬件中和/或作为在非临时计算机可读存储介质上的计算机指令来实现,并且这样的回路可以跨越各种硬件或基于计算机的部件分布。在参考图3-5的部分中包括控制器操作的某些实施方式的更具体的描述。

示例性和非限制性回路实现元件包括:提供本文中确定的任何值的传感器;提供作为本文中确定的值的先导的任何值的传感器;数据链和/或网络硬件,其包括通信芯片、振荡晶体、通信链路、电缆、双绞线布线、同轴布线、屏蔽布线、发射器、接收器和/或收发器;根据回路规范配置的处于特定非瞬态状态的逻辑回路、硬连接逻辑回路,可重构逻辑回路;任何致动器,其包括至少电、液压或气动致动器;螺线管;运算放大器;模拟控制元件(弹簧、过滤器、积分器、加法器、除法器、增益元件);和/或数字控制元件。

iii.选择性催化还原系统的示例性配置

图2a示出了根据示例性实施方案的用于后处理系统的选择性催化还原系统202的示意性框图。选择性催化还原系统202可以包括入口220和出口230,入口220与分解室104流体连通,从该分解室104接收排气和还原剂。在本示例中,第一传感器215耦合到选择性催化还原系统202的入口220。如所示出的,第二传感器225耦合到选择性催化还原系统202的出口230。如图2a中所示,第一传感器215和第二传感器225彼此相对地定位在选择性催化还原系统202的左侧202和右侧204上。在其它实施方式中,第一传感器215和第二传感器225可以相对于彼此处于其它位置。因此,可以使用第一传感器215和第二传感器225关于选择性催化还原系统202的任何其它定位。如所示出的,第一传感器215和第二传感器225可通信地耦合到控制器210,如在本文中参考图3-5所描述的。

图2b示出了根据示例性实施方案的多个选择性催化还原系统205a、205b的示意性框图。例如定位于第二选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统106b)上游的第一选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a)。在其它实施方案中,第一选择性催化还原系统205a和第二选择性催化还原系统205b可以平行布置定位。每个相应的选择性催化还原系统205a、205b可包括与分解室104流体连通的多个入口260、280,和多个出口270、290,排气和还原剂从分解室104接收。在一些实施方案中,相应的入口(例如,入口280)可与从其接收排气的相应的出口(例如,出口270)流体连通。在本示例中,第一传感器255、275耦合到相应的选择性催化还原系统205a、205b的入口260、280。在一些实施方案中,第二传感器265、285耦合到相应的选择性催化还原系统205a、205b的出口270、290。如图2b中所示,第一传感器255、275和第二传感器265、285可通信地耦合到控制器240。替代地或另外地,控制器240可以通信地耦合到多个选择性催化还原系统,如本文参考图3-5所描述的。

图3是根据一个实施方案的被包括在后处理系统中的控制器310的示意性框图。控制器可以通信地耦合到选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统202)。在一些实施方案中,控制器310可以通信地耦合到多个选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a、205b)。在本实施方案中,控制器310包括处理器320、存储器330或其它计算机可读介质,和传感器330。应理解,图3的控制器310只示出了控制器310的一个实施方式,并且能够执行本文中所描述的操作的任何其它控制器(例如,计算设备530)可以被使用。

处理器320可以包括微处理器、可编程逻辑控制器(plc)芯片、asic芯片或任何其它适当的处理器。处理器320与存储器330通信并且配置成执行存储在存储器330中的指令、算法、命令或另外的程序。

存储器330包括本文讨论的任何存储器和/或存储部件。例如,存储器330可以包括ram和/或处理器320的高速缓冲存储器。存储器330还可以包括对控制器310是本地的或远程的一个或更多个存储设备(例如,硬盘驱动器、闪存、计算机可读介质等)。存储器330配置成存储查找表、算法或指令。

控制器310包括压差回路332。压差回路332可以配置成解译指示由第一传感器(例如,第一传感器215)测量的选择性催化还原系统202的第一压力量的第一参数。第一压力量可以对应于入口压力量。替代地或另外地,第一压力量可以对应于第一入口压力量或第二入口压力量中的至少一个。为此,对于每个选择性催化还原系统205a、205b,控制器310可以配置成解译指示由第一传感器(例如,第一传感器255、275)测量的相应的选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a、205b)的压力量的第一参数。在各种实施方案中,第一传感器215、255、275可以包括电传感器(例如,排气压力传感器),电传感器配置为接收和/或解译对应于每个相应的选择性催化还原系统202、205a、205b的多个操作参数(例如,压力量、压差值或校正值)。例如,第一传感器215可以配置成解译对应于选择性催化还原系统202的第一压力量。

替代地或另外地,压差回路332可以配置成解译指示由第二传感器225测量的选择性催化还原系统202的第二压力量的第二参数。在一些实施方案中,控制器310可以配置成解译指示由第二传感器(例如,第二传感器265、285)测量的每个相应的选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a、205b)的第二压力量的第二参数。在各种实施方案中,第二传感器225可以包括电传感器,电传感器配置成接收和解译对应于选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统202、205a、205b)的一个或更多个操作参数。例如,第二传感器225可以配置成解译对应于选择性催化还原系统202的第二压力量。在一些示例性实施方案中,第二压力量对应于出口压力量。替代地或另外地,第二压力量可以对应于第一出口压力量或第二出口压力量中的至少一个。例如,第二压力量可以对应于与第一出口270相关联的第一出口压力量和/或与第二出口290相关联的第二出口压力量。

此外,多个操作参数(例如,压力量、压差值、校正值等)可以至少部分地基于对第一参数(例如,第一压力量)和第二参数(例如,第二压力量)的解译来确定。在一些实施方案中,压差回路332可以配置成至少部分地基于关于每个选择性催化还原系统205a、205b的第一参数和第二参数的解译来确定多个操作参数。

所述多个操作参数可以用于确定排气流率、跨过多个选择性催化还原系统的压差以及相对于每个选择性催化还原系统的校正系数。因此,压差回路332可以配置成确定排气流值(exhaustflowvalue)。排气流值可以指示排气流率。排气流率可以以各种方式推导、测量或以其它方式计算。在一些实施方案中,可以通过基于速度、进气温度、进气压力、燃料供给和环境条件的发动机测绘来推导出排气流率。替代地或另外地,可以经由物理传感器、体积效率计算等推导出排气流率。在一些实施方案中,压差值(例如,跨越选择性催化还原系统的压力)可以至少部分地基于第一参数和第二参数来确定。压差回路332可以将排气流值和/或压差值提供给校正回路334或堵塞的选择性催化还原回路(pluggedselectivecatalyticreductioncircuit)336中的至少一个。压差回路332可以使用的示例过程如下:

压差值=第一参数-第二参数

控制器310还包括校正回路334,校正回路334配置成至少部分地基于排气流值和压差值来确定校正系数。在一些实施方案中,校正回路334可以配置成至少部分地基于多个排气流值和多个压差值来确定多个校正系数。可以经由配置成确定校正系数的查找表、算法或指令来确定校正系数。校正回路334可以向堵塞的选择性催化还原回路336提供校正系数。

在另外的实施方案中,控制器310包括堵塞的选择性催化还原回路336,该堵塞的选择性催化还原回路336配置成确定预定阈值(例如,排气流率对应于未堵塞的选择性催化还原状态的最小值)或多个预定阈值。预定阈值的确定可以至少部分地基于发动机参数(例如,发动机速度、发动机载荷等)和排气流值(例如,排气流率)。在一些实施方案中,可以相对于相应的选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a、205b)中的每一个确定预定阈值。

在一些实施方案中,堵塞的选择性催化还原回路336可以配置成确定预定阈值是否超过排气流值。替代地或另外地,堵塞的选择性催化还原回路336可以配置成确定多个预定阈值是否超过多个排气流值。预定阈值可以在可校准最低值到可校准最高值的范围内。例如,对于第一发动机构造和/或调谐,可以将预定阈值设置为10kpa,而第二发动机构造和/或调谐可以具有30kpa的预定阈值。如本领域普通技术人员应理解的,对应于预定阈值的范围(例如,可校准最低值到可校准最高值)可以至少部分地基于相应的发动机构造而变化,以用于根据各种条件的可操作性。对于在对应于预定阈值的范围之外的值,在一些示例性实施方案中,可以如本文所述生成选择性催化还原命令(例如,对应于堵塞或阻塞的scr系统的故障代码)。

在一些实施方案中,堵塞的选择性催化还原回路336配置成生成选择性催化还原命令(例如,对应于堵塞或阻塞的scr系统的故障代码)。在另外的实施方案中,堵塞的选择性催化还原回路336可以配置成针对每个相应的选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统205a、205b)生成多个选择性催化还原命令。选择性催化还原命令可以至少部分地基于多个操作参数(例如,排气流值、压差值、校正系数等)的确定来生成。因此,选择性催化还原命令可以引起对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示。对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示可以例如经由显示器(例如,在下文所述的液晶显示器)输出,用于向用户传送信息。在其它实施方案中,对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示可以例如经由远程信息处理传送到远程位置。

在另外的实施方案中,选择性催化还原命令可以响应于超过排气流值的预定阈值而生成。例如,当对于给定的排气流率超过预定阈值时,堵塞的选择性催化还原回路336可以生成选择性催化还原命令,该给定的排气流率可以至少部分地基于相应的发动机构造来校准。在其它实施方案中,堵塞的选择性催化还原回路336可以配置成响应于超过多个排气流值的多个预定阈值而生成多个选择性催化还原命令。

堵塞的选择性催化还原回路336可以配置成经由选择性催化还原命令引起与选择性催化还原系统(例如,选择性催化还原系统202、205a和/或205b)相对应的压差(例如,跨越每个相应的选择性催化还原系统的压力)的指示。例如,选择性催化还原命令可以引起堵塞的选择性催化还原状态(例如,压差指示排气不在选择性催化还原系统中流动或以降低或抑制速率流动的状态)的指示。

图4是用于控制器的示例性过程400的流程图,该控制器通过本文参考图3所述的回路来控制改进对应于选择性催化还原系统的压差确定。在402处,过程400包括解译指示由第一传感器测量的选择性催化还原系统的第一压力量的第一参数。第一压力量可以对应于第一入口压力量或第二入口压力量中的至少一个。

在404处,指示由第二传感器测量的选择性催化还原系统的第二压力量的第二参数可以由控制器解译。第二压力量可以对应于第一出口压力量或第二出口压力量中的至少一个。

在406处,多个操作参数可以由控制器确定。可以至少部分地基于对第一参数(例如,第一压力量)和第二参数(例如,第二压力量)的解译来确定多个操作参数。在一些实施方案中,多个操作参数可以用于确定相对于每个选择性催化还原系统的排气流率、校正系数和压差(例如压差值)。在另外的实施方案中,可以响应于关于每个选择性催化还原系统的压差值的确定来确定层面堵塞问题(facepluggingissue)。替代地或另外地,可以响应于关于每个选择性催化还原系统的压差值的确定来确定缺失的后处理部件。

在408处,由控制器生成选择性催化还原命令。选择性催化还原命令可以至少部分地基于多个操作参数的确定来生成。为此,选择性催化还原命令可以引起对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示。对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示可以例如经由显示器(例如,如下文所述的液晶显示器)输出,用于向用户传送信息。替代地或另外地,对应于相应的选择性催化还原系统中的每一个的压差的指示可以例如经由远程信息处理传送到远程位置。

在一些实施方案中,本文所描述的控制器120或控制器210、240、310中的任何一个可以包括包含选择性催化还原系统202或205a、205b的装置或系统的系统计算机。例如,图5是根据例证性实施方案的计算设备530的框图。计算设备530可用于执行本文所述的任何方法或过程,例如方法400。在一些实施方式中,控制器120可包括计算设备530。计算设备530包括总线532或用于传递信息的其它通信部件。计算设备530还可以包括耦合到总线用于处理信息的一个或更多个处理器534或处理回路。

计算设备530还包括耦合到总线532用于存储信息和待由处理器534执行的指令的主存储器535,例如随机存取存储器(ram)或其它动态存储设备。主存储器535还可用于在由处理器534执行指令期间存储位置信息、临时变量或其它中间信息。计算设备530还可包括rom538或耦合到总线532用于存储用于处理器534的静态信息和指令的其它静态存储设备。存储设备540,例如固态设备、磁盘或光盘耦合到总线532用于持续不断地存储信息和指令。例如,用于确定第一激活时间、第一输送时间、第二插入时间和第二输送时间的指令可以存储在存储设备中。

计算设备530可经由总线532耦合到用于向用户显示信息的显示器544,例如液晶显示器或有源矩阵显示器。输入设备542例如键盘或字母数字小键盘可耦合到总线532用于将信息和命令选择传递到处理器534。在另一实施方式中,输入设备542具有触摸屏显示器544。

根据各种实施方式,可由计算设备530响应于处理器534执行包含在主存储器535中的指令的布置(例如方法400的操作)而实现本文所述的过程和方法。这样的指令可从另一非临时计算机可读介质例如存储设备540被读取到主存储器535内。包含在主存储器535中的指令的布置的执行使计算设备530执行本文所述的例证性过程。在多处理布置中的一个或更多个处理器也可用于执行包含在主存储器535中的指令。在替代的实施方式中,硬连线回路可以用于代替或结合软件指令来实施例证性实施方式。因此,实施方式并不限于硬件回路和软件的任何特定的组合。

尽管在图5中描述了示例性计算设备,但是在本说明书中描述的实施方案可以在其他类型的数字电子回路中或在体现在有形介质上的计算机软件、固件或硬件(包括在本说明书中公开的结构及其结构等同物)中或以它们中的一个或更多个的组合来实现。在本说明书中描述的主题可被实现为被编码在一个或更多个计算机存储介质上用于由数据处理装置执行或控制数据处理装置的操作的一个或更多个计算机程序,即计算机程序指令的一个或更多个回路。替代地或另外,程序指令可以被编码在人工生成的传播信号(例如机器生成的电、光或电磁信号)上,信号被生成以对信息编码用于传输到适当的接收器装置以由数据处理装置执行。计算机存储介质可以是计算机可读存储设备、计算机可读存储基底、随机或连续存取存储器阵列或设备或它们中的一个或更多个的组合或被包括在计算机可读存储设备、计算机可读存储基底、随机或连续存取存储器阵列或设备或它们中的一个或更多个的组合中。而且,虽然计算机存储介质不是传播信号,但计算机存储介质可以是在人工生成的传播信号中被编码的计算机程序指令的源或目的地。计算机存储介质还可以是一个或更多个单独的部件或介质(例如,多个cd、磁盘、闪存驱动器或其它存储设备)或被包括在这样的一个或更多个单独的部件或介质中。相应地,计算机存储介质是有形和非临时的。

可由数据处理装置对存储在一个或更多个计算机可读存储设备上或从其它源接收的数据执行在本说明书中描述的操作。

术语“控制器”包括用于处理数据的所有类型的装置、设备和机器,举例来说包括可编程处理器、计算机、片上系统(或多个前述项)、编程处理器的一部分或前述项的组合。装置可包括专用逻辑电路,例如fpga或asic。装置除了硬件以外还可包括为讨论中的计算机程序创建执行环境的代码,例如构成处理器固件、协议堆栈、数据库管理系统、操作系统、跨平台运行时间环境、虚拟机或它们中的一个或更多个的组合的代码。该装置和执行环境可以实现各种不同的计算模型基础设施,例如分布式计算和网格计算基础设施。

计算机程序(也称为程序、软件、软件应用、脚本或代码)可以以任何形式的编程语言(包括编译或解译语言、说明性或过程语言)编写,且计算机程序可以以任何形式部署,该形式包括:作为独立程序;或作为回路、部件、子例程、对象或适合于在计算环境中使用的其它单元。计算机程序可以但不需要对应于在文件系统中的文件。程序可以存储在保存其它程序或数据(例如,存储在标记语言文档中的一个或更多个脚本)的文件的一部分中、存储在专用于讨论中的程序的单个文件中、或者存储在多个协同文件(例如,存储一个或更多个回路、子程序或代码的部分的文件)中。

虽然本说明书包含很多特定的实施方式细节,但是这些不应被解释为对可被要求保护的内容的范围的限制,而是更确切地应被解释为对特定的实施方式所特有的特征的描述。在本说明书中在单独的实施方式的上下文中描述的某些特征也可以组合地在单个实施方式中实施。相反,在单个实施方式的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何适当的子组合在多个实施方式中实施。此外,虽然特征在上面可被描述为以某些组合起作用且甚至最初被这样要求保护,但是来自所要求保护的组合的一个或更多个特征在一些情况下可从该组合删除,并且所要求保护的组合可以涉及子组合或子组合的变形。

类似地,虽然以特定的顺序在附图中描绘了操作,这不应被理解为要求这样的操作以所示的特定顺序或以连续的顺序被执行或所有所示的操作被执行,以实现合乎需要的结果。在某些情况下,在上面所述的实施方式中的各种系统部件的分离不应被理解为在所有实施方式中需要这样的分离,并且应理解,所述部件和系统可通常集成在单个产品中或封装到体现在有形介质上的多个产品中。

如本文所使用的,术语“近似”、“大体上”以及类似的术语意在具有与本公开的主题所属领域中的普通技术人员普遍和可接受的用法一致的广泛的意义(例如,在任何识别出的值的“+”或“-”5%的范围内)。查阅本公开的本领域的技术人员应理解,这些术语旨在允许对所描述和要求保护的某些特征的说明,而不将这些特征的范围限制到所提供的精确的数值范围。因此,这些术语应被解释为指示所描述和要求保护的主题的非实质性或无关紧要的修改或改变被认为在如所附权利要求中所述的本发明的范围内。此外,注意,在权利要求中的限制在术语“装置”不在其中被使用的情况下按照美国专利法不应被解释为构成“装置加功能”限制。本文中的任何权利要求要素都不应根据35u.s.c.§112第6段的规定来解释,除非使用短语“用于...的装置”明确地叙述该要素。

术语“耦合”、“连接”以及本文中所使用的类似术语意味着两个部件彼此直接或间接地连结。这样的连结可以是固定的(例如,永久的)或可移动的(例如,可移除的或可释放的)。通过两个部件或这两个部件和任何额外的中间部件彼此一体地形成为单个整体主体,或者通过这两个部件或这两个部件和任何额外的中间部件附接到彼此,这样的连结可以实现。

如在本文使用的术语“流体地耦合”、“流体连通”等意指两个部件或对象具有在这两个部件或对象之间形成的通路,其中流体例如水、空气、气态还原剂、气态氨等可在有居间部件或对象或者没有居间部件或对象的情况下流动。用于实现流体连通的流体耦合或配置的示例可以包括管道、通道或用于实现流体从一个部件或对象到另一部件或对象的流动的任何其它适当的部件。

重要的是,注意到在各种示例性实施方式中所示的系统的结构和布置在特性上仅仅是例证性的而不是限制性的。出现在所述实施方式的精神和/或范围内的所有变化和修改期望被保护。应理解,一些特征可能不是必要的,且缺少各种特征的实施方式可被设想为在本申请的范围内,该范围由所附权利要求限定。当语言“至少一部分”和/或“一部分”被使用时,该项可以包括一部分和/或整个项,除非特别地声明与此相反。

在上文的描述中,某些术语例如“上”、“下”、“上部”、“下部”、“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“左”、“右”及类似术语可以被使用。这些术语在适用的情况下用于提供处理相关的关系时的描述的一些清晰性。但是,这些术语并不旨在暗示绝对的关系、位置和/或取向。例如,相对于对象,简单地通过翻转对象,“上”表面可变为“下”表面。然而,它仍然是同一对象。另外,术语“包括(including)”、“包括(comprising)”、“具有(having)”以及其变型意指“包括但不限于”,除非另外明确地指定。列举的项目列表并不暗示任何项目或全部项目是互相排斥的和/或互相包含的,除非另外明确地指出。

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