专利名称：一种三极管表面处理液及其制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体塑封三极管表面处理化工技术领域，尤指一种三极管表面处理液及其制备方法
背景技术：
三极管封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片贴装到相应的引线框架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线连接到基板的相应引脚，构成所要求的电路，然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。目前中国已经成为全球增长最快和使用量最大的三极管市场之一，典型的三极管封装工艺流程为检片、粘片、键合、塑封、电镀、打印、切筋、测试和包装，随着科技的发展和技术要求的提高，传统的三极管镀镍引线框架正逐渐被裸铜引线框架和半裸铜引线框架所替代，后者具有明显的性能优势，三极管裸铜引线框架还具有较强的价格优势，三极管半裸铜引线框架是指部分电镀了的引线框架，尤其是镀银三极管半裸铜引线框架，性能更优。与传统三极管镀镍引线框架相比，由于缺少了镀镍层的保护，裸铜引线框架和半裸引线铜框架塑封后，三极管的三个管脚和背部散热片难免被氧化和被部分溢料污染，从而影响其下一步的电镀质量，电镀质量的好坏有影响着三极管可焊性、外表美观和散热性，因此，在裸铜引线框架和半裸铜引线框架三极管电镀镀锡前，需要对其表面进行处理，尤其是对铜氧化物的处理，是与传统镀镍引线框架三极管最明显的区别。
发明内容
本发明一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征在于，克服现有技术的不足，制备一种可去除三极管金属表面氧化物和油污及溢料的表面处理液，其使用方便、处理快捷，并且能够提高塑封晶体管电镀质量和封装良品率。为了实现上述目的，本发明一种三极管表面处理液及其制备方法，该表面处理液的组分及质量百分含量为
A组分0% 80%
B组分0% 80%
C组分2% 10%
D组分5% 10%
E组分O. 5% 1%
F组分O. 1% I. 5%
G组分O 2%
H组分10% 30%
其中，A组分是至少一种具有通式结构的亚砜化合物，
权利要求
1.本发明一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征是该表面处理液的组分及质量百分含量为 A组分0% 80% B组分0% 80% C组分2% 10% D组分5% 10% E组分O. 5% 1% F组分O. 1% I. 5% G组分O 2% H组分10% 30%。
2.根据权利要求I所述的一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征是:A组分是至少一种具有通式结构的亚砜化合物，
3.根据权利要求I所述的一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征是B组分是通式为C4H8O2S的环丁砜化合物。
4.根据权利要求I所述的一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征是所述的制备方法为将上述组分原料C组分、D组分、E组分、F组分和G组分，在30 50°C温度下加热溶解于H组分去离子水中，再加入A组分和B组分，使其全部溶解，可得到均匀透明的液体，罐装即为成品。
全文摘要
本发明涉及半导体塑封三极管表面处理化工技术领域，尤指一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征在于，克服现有技术的不足，制备一种可去除三极管金属表面氧化物和油污及溢料的表面处理液，其使用方便、处理快捷，并且能够提高塑封晶体管电镀质量和封装良品率。
文档编号C25D5/34GK102618900SQ20121010842
公开日2012年8月1日 申请日期2012年4月14日 优先权日2012年4月14日
发明者修建东 申请人:修建东