一种利用单个串联供体受体结构测量受体‑供体消光系数比值的方法与流程

技术特征：

1.一种测量ρ因子的方法，其特征在于包括如下步骤：

获得单独表达供体荧光蛋白和单独表达受体荧光蛋白的活细胞样本，使用两个波长λ¹和λ²的激发光分别激发供体样本和受体样本，同时测量它们的强度发射谱和上标i(i＝1，2)表示激发光，下标D和A分别表示供体和受体；

得到单转供体样本和单转受体样本各自在两个波长激发时的发射光谱强度的比值ν_D和v_A：

${\mathrm{\ν}}_D=\frac{F_D^{1,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}{F_D^{2,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}$

${\mathrm{\ν}}_A=\frac{F_A^{1,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}{F_A^{2,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}$

理论上，供体和受体的发射谱应选择相同的波段计算ν_D和v_A，但实际中，供体和受体的发射谱允许各自选择不同的波段计算ν_D和v_A；

计算出双波长所对应的受体-供体消光系数比的比值ρ：

$\mathrm{\ρ}=\frac{{\mathrm{\γ}}^2}{{\mathrm{\γ}}^1}=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_D^1{\mathrm{\ϵ}}_A^2}{{\mathrm{\ϵ}}_D^2{\mathrm{\ϵ}}_A^1}=\frac{F_D^{1,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}{F_D^{2,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}/\frac{F_A^{1,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}{F_A^{2,ref}\left(\mathrm{\λ}\right)}=\frac{{\mathrm{\ν}}_D}{{\mathrm{\ν}}_A}.$

2.一种利用单个串联供体受体结构测量受体-供体消光系数比值的方法，其特征在于包括以下具体步骤：

(1)测量ρ因子：按照权利要求1的方法得到；

(2)用受供体浓度比为n的串联质粒转染细胞，分别采用两个波长为λ¹和λ²的激发光激发该FRET参照样本，测量得到其发射光谱；

(3)计算受体-供体消光系数比γ¹和γ²：

γ²＝ρ·γ¹ (7)

其中，δ¹和δ²是通过分离参照样本的发射谱得到的两个波长激发光激发时的权重比，n是FRET参照样本中的总受供体浓度比；和表示供体和受体的量子产额。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述的n为0.02～50的有理数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述的n为0.1～10的有理数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述的n为0.5～3的有理数。