成的火花和/或熔敷，需要使半导体装置20的端子21和触头I之间的电阻值需要为3.5πιΩ以下。图4所示半导体装置20的端子21和触头I之间的电阻的测定值包括触头I固有的电阻值和端子21与触头I的接触电阻值两部分，但因为触头I固有的电阻值同端子21与触头I的接触电阻值相比足够小，可以认为该测定值是端子21与触头I之间的接触电阻值。本实施方式的触头I通过以1.5kgf以上的负荷朝向半导体装置20的端子21进行按压，从而使上述的接触电阻在3.5mΩ以下。
[0057]并且，从图4的结果可知，现有的螺旋弹簧触头101在与本实施方式的触头I以同样负荷按压时，与本实施方式的触头I相比接触电阻要高。其结果为，使用现有的螺旋弹簧触头101进行电特性试验时，在进行试验的按压负荷范围的整个区域内，发现在螺旋弹簧触头101上有火花或者熔敷痕迹。
[0058]本实施方式的触头I的压缩量、负荷能够通过触头I的材料、变形部I的厚度、狭缝S的间隔、狭缝S的长度等进行调整。触头I的压缩量、换言之需要将触头I的弹性变形量或行程量，设定为能够吸收由半导体装置20的端子21的高度尺寸的容许范围所引起的高度偏差的量以上。在半导体装置20的一例，端子21的高度尺寸容差最大为0.7mm。因此，本实施方式的触头I如果使用行程量的范围在0.7mm以上的触头，则能够吸收该半导体装置20的端子21的高度尺寸容差。
[0059]在图5中以曲线图示出本实施方式的触头I的行程量与接触电阻值和按压负荷的关系的一例。用于测定的触头在行程量为0.2mm?1.1mm的范围稳定并显示低的电阻值。该行程量的范围是0.9mm，因为超过了上述一例的半导体装置20的端子21的高度尺寸容差的最大值0.7_，所以优选作为本实施方式的触头。应予说明，在图5中，在行程量比1.1mm大的范围，负荷的斜率变大。这是因为由于触头I的变形部Ia的弹性变形，从而狭缝宽度成为0mm。因此,用于测定的触头,不在施加的负荷使狭缝宽度成为Omm的试验中使用。
[0060]图6是本发明的另一个实施方式的半导体装置试验用触头的主视图(图6(a))以及仰视图(该图6(b))。图6的触头2具备变形部2a、具有接触面2b的接触部、和连接部2c。触头2的变形部2a、接触面2b以及连接部2c对应于图1所示的触头I的变形部la、接触面Ib以及连接部lc。触头2与触头I的区别之处在于，在触头2的变形部2a，对于与接触面2b平行地延伸的六条狭缝S21?S26，相邻的狭缝从周面上相差180度的位置沿朝向中心的方向形成。除此以外的方面，例如接触面2b和连接部2c能够具有与触头I的接触面Ib和连接部Ic相同的构成，因此在此省略重复的记载。
[0061]图6所示的本实施方式的触头2也与图1所示的触头相同，与现有的触头相比能够降低接触电阻。因此，能够抑制在试验时产生火花和/或熔敷，能够降低半导体装置的产品外观不良的产生，并且触头2的磨损进展得慢，能够延长其寿命。
[0062](实施例)
[0063]将图1所示的本实施方式的触头I安装在图3所示的半导体试验装置10来进行半导体装置的电特性试验。并且，作为比较例，将图7所示的螺旋弹簧触头101安装在图9所示的半导体试验装置110来进行半导体装置的电特性试验。螺旋弹簧触头101如图7所示，是在托1la上安装作为与端子相接的部分的环状的线圈101b。
[0064]使用本实施方式的触头I以及螺旋弹簧触头101，反复进行半导体装置的电特性试验，测定了各个触头的接触电阻值并研究其随时间的变化。其结果为，确认了本实施方式的触头I与螺旋弹簧触头101相比具有5.3倍的寿命。
[0065]以上，使用附图以及实施方式对本发明的触头以及半导体试验装置进行了具体的说明，但本发明的触头以及半导体试验装置不限于实施方式以及附图所记载的内容，在不脱离本发明主旨的范围内可以有很多的变形。
[0066]例如，在图3中将触头I以及托11配置于半导体装置20的上方，但在端子21安装在半导体装置20的侧面的情况下，触头I以及托11也配置在与半导体装置20的侧面对置的位置，能够进行使触头I与端子21接触、按压的试验。像这样，只要是在端子21安装在上方和/或侧面等的外部的情况下，就能够应用本发明。
【主权项】
1.一种与作为被试验物的半导体装置的端子接触并被按压，而使电流流过该半导体装置的半导体装置试验用的触头，其特征在于，具备: 接触部，其具有与该半导体装置的端子接触的平坦的接触面，和 变形部，其在与该半导体装置的端子接触并被按压时弹性变形。
2.根据权利要求1记载的触头，其特征在于， 在所述变形部上设有沿与所述按压方向相交的方向延长的狭缝。
3.根据权利要求2记载的触头，其特征在于， 设置有多个所述狭缝。
4.根据权利要求2或3记载的触头，其特征在于， 所述缝狭与所述接触面平行。
5.根据权利要求1或2记载的触头，其特征在于， 所述接触部和所述变形部构成为一体。
6.根据权利要求1或2记载的触头，其特征在于， 由导电性金属材料构成。
7.根据权利要求6记载的触头，其特征在于， 所述导电性金属材料从由铍铜、不锈钢、碳钢构成的群中选择的至少一种而构成。
8.根据权利要求1或2记载的触头，其特征在于， 所述接触面由导电膜覆盖。
9.根据权利要求8记载的触头，其特征在于， 所述导电膜从由金、银、白金、锡、钨、镍、钯、碳构成的群中选择的至少一种而构成。
10.一种半导体试验装置，其特征在于， 具备权利要求1或2记载的触头。
11.根据权利要求10记载的半导体试验装置，其特征在于， 使所述触头与所述半导体装置的端子接触时的电阻值在3.5mΩ以下。
12.根据权利要求10记载的半导体试验装置，其特征在于， 以1.5kgf以上的力向所述半导体装置的端子按压所述触头。
13.—种半导体试验方法,其特征在于， 使用权利要求1或2记载的触头。
14.根据权利要求13记载的半导体试验方法，其特征在于， 使所述触头与所述半导体装置的端子接触时的电阻值在3.5mΩ以下。
15.根据权利要求13记载的半导体试验方法，其特征在于， 以1.5kgf以上的力向所述半导体装置的端子按压所述触头。
【专利摘要】本发明提供一种能够降低与半导体装置的端子之间的接触电阻且寿命长的半导体装置试验用的触头，和具备该触头的半导体试验装置以及使用该触头的半导体试验方法。本发明的触头是与半导体装置(20)的端子(21)接触并被按压，而使电流流过半导体装置(20)的半导体装置试验用的触头(1)。触头(1)具备接触部，其具有与半导体装置(20)的端子(21)接触的平坦的接触面(1b)，和变形部(1a)，其在与半导体装置(20)的端子(21)接触并被按压时弹性变形。
【IPC分类】G01R1-067, G01R31-26
【公开号】CN104749512
【申请号】CN201410608511
【发明人】丸山真生, 小池幸司
【申请人】富士电机株式会社
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年11月3日