一种应用于高压直流场合的通断装置的制造方法_2

文档序号:10079979阅读:来源:国知局
电流。第二继电器S3、第三继电器S4不承受高压、电流,不会打火或拉弧;
[0027]3)T2?T3:第二继电器S3、第三继电器S4控制信号维持为高电平,全控型半导体器件S2控制信号维持高电平。第一继电器S1控制信号维持为高电平,第一继电器S1不承受高压、电流,不会打火或拉弧;
[0028]4)Τ3?Τ4:第二继电器S3、第三继电器S4控制信号维持为高电平,全控型半导体器件S2控制信号维持高电平。第一继电器S1断开,第一继电器S1不承受高压、电流,不会打火或拉弧;
[0029]5)Τ4?Τ5:第二继电器S3、第三继电器S4控制信号维持为高电平,第一继电器S1维持低电平,全控型半导体器件S2控制信号维持低电平。
[0030]6)Τ5?:第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3、第三继电器S4均断开,第二继电器S3、第三继电器S4不承受高压、大电流,不会打火或拉弧。
[0031]以上只介绍该直流切合装置的一种实现方式,直流通断装置中,各个开关器件的互联关系不限于此,还有多种衍生电路。
[0032]参见图3(c),开关组件用于通断高压直流输入直流正极和负极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4 ;第一继电器S1 —端与高压直流输入正极相连,另一端与直流总输出正极相连,直流总输出负极与第二继电器S3的一端相连,第二继电器S3的另一端分别与第一继电器S1和全控型半导体器件S2的一端相连,第一继电器S1和全控型半导体器件S2的另一端与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4均由微控制器控制。
[0033]参见图3 (a),开关组件用于通断高压直流输入正极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3;第一继电器S1、全控型半导体器件S2的一端分别与高压直流输入正极相连,第一继电器S1、全控型半导体器件S2的另一端与第二继电器
S3一端相连,第二继电器S3另一端与直流总输出正极相连,直流总输出负极与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3均由微控制器控制。
[0034]参见图3(b),开关组件用于通断高压直流输入负极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3 ;高压直流输入正极与直流总输出正极相连,直流总输出负极与第二继电器S3 —端相连,第二继电器S3另一端分别与第一继电器S1、全控型半导体器件S2 —端相连,第一继电器S1、全控型半导体器件S2另一端与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3均由微控制器控制。
[0035]本实用新型该装置不仅可以满足高压大电流场合的切合要求,也可以满足低压大电流应用等等场合的切合要求。可实现高压大电流直流电路的通断,装置通断不拉弧,具有成本低、可靠性高、并实现物理隔离,批量生产低成本优势更为明显。
[0036]本实用新型的应用于高压直流场合的通断装置,可以实现高压大电流、高压小电流及低压大电流的通断。具体可以实现单独高压直流输入正极切合、单独高压直流负极切合或正负均切合的功能。所述通断装置位于高压电源输出侧,能实现与电源系统的物理隔离。
【主权项】
1.一种应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,包括高压直流输入正极和负极,微控制器、用于通断高压直流输入正极和/或负极的开关组件、直流总输出正极和负极;其中,高压直流输入正极经开关组件与直流总输出正极相连,高压直流输入负极经开关组件与直流总输出负极相连;开关组件还与微控制器相连;其中,开关组件包括至少两个继电器和一个全控型半导体器件S2。2.根据权利要求1所述的应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,开关组件用于通断高压直流输入正极和负极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4 ;第一继电器S1 一端与高压直流输入正极相连,另一端与第二继电器S3 —端相连,第二继电器S3另一端与直流总输出正极相连;全控型半导体器件S2与第一继电器S1并联,且全控型半导体器件S2 —端与高压直流输入正极相连,另一端与第二继电器S3—端相连;直流总输出负极经第三继电器S4与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4均由微控制器控制。3.根据权利要求1所述的应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,开关组件用于通断高压直流输入直流正极和负极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4 ;第一继电器S1 —端与高压直流输入正极相连,另一端与直流总输出正极相连,直流总输出负极与第二继电器S3的一端相连,第二继电器S3的另一端分别与第一继电器S1和全控型半导体器件S2的一端相连,第一继电器S1和全控型半导体器件S2的另一端与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2、第二继电器S3以及第三继电器S4均由微控制器控制。4.根据权利要求1所述的应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,开关组件用于通断高压直流输入正极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3 ;第一继电器S1、全控型半导体器件S2的一端分别与高压直流输入正极相连,第一继电器S1、全控型半导体器件S2的另一端与第二继电器S3 —端相连,第二继电器S3另一端与直流总输出正极相连,直流总输出负极与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3均由微控制器控制。5.根据权利要求1所述的应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,开关组件用于通断高压直流输入负极时,开关组件包括第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3 ;高压直流输入正极与直流总输出正极相连,直流总输出负极与第二继电器S3 —端相连,第二继电器S3另一端分别与第一继电器S1、全控型半导体器件S2 —端相连,第一继电器S1、全控型半导体器件S2另一端与高压直流输入负极相连;第一继电器S1、全控型半导体器件S2和第二继电器S3均由微控制器控制。6.根据权利要求1-5中任意一项所述的应用于高压直流场合的通断装置,其特征在于,所述全控型半导体器件S2为IGBT、MOSFET或IGCT。
【专利摘要】一种应用于高压直流场合的通断装置,包括高压直流输入正极和负极,微控制器、用于通断高压直流输入正极和/或负极的开关组件、直流总输出正极和负极;其中,高压直流输入正极经开关组件与直流总输出正极相连,高压直流输入负极经开关组件与直流总输出负极相连;开关组件还与微控制器相连;其中,开关组件包括至少两个继电器和一个全控型半导体器件S2。本实用新型可以实现单独正极通断、单独单负极通断或正负极均通断的功能,不仅可以满足高压大电流场合的切合要求,也可以满足低压大电流应用等等场合的切合要求。本实用新型满足直流应用场景下的切合要求,具有低成本、高可靠性及应用范围广的特点,可满足高压直流切合的要求。
【IPC分类】G05B19/042
【公开号】CN204989899
【申请号】CN201520775080
【发明人】袁庆民
【申请人】西安特锐德智能充电科技有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月8日
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