结型场效应晶体管的仿真模型及仿真方法与流程

技术特征：

1.一种结型场效应晶体管的仿真模型，其特征在于，包括：

核心场效应晶体管模型，其电流电压特性采用BSIM3/BSIM4的参数进行拟合；

第一二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和漏极之间；

第二二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和源极之间；

第三二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的漏极和体电极之间；

第四二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的源极和体电极之间；

所述第一二极管模型、第二二极管模型、第三二极管模型和第四二极管模型用于描述结型场效应晶体管的内部寄生二极管的电容电压特性和漏电特性。

2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管的仿真模型，其特征在于，所述核心场效应晶体管模型本身内置的二极管被关闭。

3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管的仿真模型，其特征在于，所述核心场效应晶体管模型、第一二极管模型、第二二极管模型、第三二极管模型和第四二极管模型利用如下子电路文件进行设置：

4.一种结型场效应晶体管的仿真方法，包括如下步骤：

创建核心场效应晶体管模型，并采用BSIM3/BSIM4的参数模拟所述核心场效应晶体管模型电流电压特性；

创建连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和漏极之间的第一二极管模型；

创建连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和源极之间的第二二极管模型；

创建连接于所述核心场效应晶体管模型的漏极和体电极之间的第三二极管模型；

创建连接于所述核心场效应晶体管模型的源极和体电极之间第四二极管模型；

所述第一二极管模型、第二二极管模型、第三二极管模型和第四二极管模型用于描述结型场效应晶体管的内部寄生二极管的电容电压特性和漏电特性。

5.根据权利要求4所述的结型场效应晶体管的仿真方法，其特征在于，在采用BSIM3/BSIM4的参数模拟所述核心场效应晶体管模型电流电压特性的步骤中，关闭所述核心场效应管模型本身内置的二极管。

6.根据权利要求4所述的结型场效应晶体管的仿真方法，其特征在于，所述核心场效应晶体管模型、第一二极管模型、第二二极管模型、第三二极管模型和第四二极管模型利用如下子电路文件进行设置：