技术总结
本发明涉及一种结型场效应晶体管的仿真模型，包括：核心场效应晶体管模型，其电流电压特性采用BSIM3/BSIM4的参数进行拟合；第一二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和漏极之间；第二二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的栅极和源极之间；第三二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的漏极和体电极之间；第四二极管模型，连接于所述核心场效应晶体管模型的源极和体电极之间；所述第一二极管模型、第二二极管模型、第三二极管模型和第四二极管模型用于描述结型场效应晶体管的内部寄生二极管的电容电压特性和漏电特性。此外还涉及一种结型场效应晶体管的仿真方法。上述结型场效应晶体管的仿真精度更高。
技术研发人员：刘新新
受保护的技术使用者：无锡华润上华半导体有限公司
文档号码：201510557715
技术研发日：2015.09.02
技术公布日：2017.03.08