设有贯穿第一绝缘层24的至少一个第一导通孔241。触控信号线212通过至少一个第一导通孔241与多个触控电极231电连接。
[0033]如图3所示，第一绝缘层24可以形成于第一金属层21和触控电极层23之间。第一绝缘层可以为多个，例如当第二金属层22形成于第一金属层21和触控电极层23之间时，第一金属层21和第二金属层22之间、以及第二金属层22和触控电极层23之间可以均设有第一绝缘层24。在制作阵列基板时，可以沿垂直于衬底基板方向依次形成:第一金属层21、第一层第一绝缘层、第二金属层22、第二层第一绝缘层、触控电极层23，并在第一层第一绝缘层和第二层第一绝缘层相对的位置上设置第一导通孔。触控信号线212形成于第一金属层21上，通过贯穿第一层第一绝缘层和第二层第一绝缘层的第一导通孔241与触控电极231电连接。
[0034]在本实施例的一些可选的实现方式中，在第一绝缘层24上可以设有多个并联的第一导通孔241。多个并联的第一导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以在触控信号线无法通过一个第一导通孔向触控电极传输信号时其他第一导通孔可以保证触控信号线与触控电极的电连接的稳定性。
[0035]在进一步的实现方式中，第一导通孔241设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，可以以一定长度间隔设置第一导通孔。任意两个第一导通孔241之间相隔多个像素单元的长度，即多个像素单元之间仅设置一个导通孔，有利于提升阵列基板的开口率。
[0036]需要说明的是，阵列基板200的非显示区202内设有栅极驱动电路、源极驱动电路以及薄膜晶体管，这些公知的结构在图2中并未示出。
[0037]请参考图4，其示出了本申请提供的阵列基板的另一个实施例的结构示意图。如图4所示，阵列基板400包括呈阵列排布的像素单元403、沿像素单元403的行方向延伸的扫描线411以及沿像素单元403的列方向延伸的数据线421。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线422与数据线421所在的第二金属层同层设置。触控信号线422设置于相邻两列像素单元403之间，与显示区内的数据线421绝缘且走线方向一致。在图4中，触控信号线422与数据线421平行。在显示阶段，数据线421接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线422作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线421和触控信号线422绝缘，数据线421和触控信号线422上的信号互不干扰，避免形成寄生电容影响显示效果。并且可以使用一道工序同时形成触控信号线422与数据线421，降低了工艺成本，也减少了显示面板的膜层数量。
[0038]在本实施例的一些可选的实现方式中，阵列基板还包括形成于第二金属层和触控电极层之间的第二绝缘层。第二绝缘层上设有贯穿第二绝缘层的至少一个第二导通孔441，触控信号线422通过至少一个第二导通孔441与多个触控电极电连接。
[0039]进一步参考图5，其示出了图4所示阵列基板的局部剖面图。图5所示为沿图4中与扫描线411平行的线S2剖开的切面示意图。如图5所示，阵列基板400包括衬底基板40，衬底基板40包括显示区401和非显示区402。阵列基板400还包括在垂直于衬底基板40的方向上排列的第一金属层41和第二金属层42。其中，第一金属层41用于形成阵列基板400的扫描线411，第二金属层42用于形成阵列基板400的数据线421。显示区401内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线411的延伸方向，像素单元的列方向为数据线421的延伸方向。阵列基板400还包括触控电极层43和触控信号线422。触控信号线422与第二金属层42同层设置。触控电极层43包括多个触控电极431。触控信号线422与一个触控电极431电相连，为触控电极431传输触控信号。
[0040]在本实施的一些可选的实现方式中，阵列400还包括形成于第二金属层42和触控电极层43之间的第二绝缘层44。第二绝缘层44上设有贯穿第二绝缘层的至少一个第二导通孔441。触控信号线422通过至少一个第二导通孔441与多个触控电极431电连接。
[0041]如图5所示，第二绝缘层44可以形成于第二金属层42和触控电极层43之间。在本实施例的一些可选的实现方式中，在第二绝缘层44上可以设有多个并联的第二导通孔441。多个并联的第一导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以保证触控信号线与触控电极的连接的稳定性。
[0042]在进一步的实现方式中，第二导通孔441设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，任意两个第二导通孔441之间可以相隔多个像素单元的长度，多个公共电极可以共用一个第二导通孔，有利于提升阵列基板的开口率。
[0043]在一些实施例中，如果阵列基板用于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶娃)屏幕，则阵列基板还可以包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)遮光金属层，用于遮挡阵列基板上与像素单元连接的TFT，避免TFT受到光照后产生漏电流影响像素单元的扫描和显示。
[0044]进一步参考图6A，其示出了本申请提供的阵列基板的又一个实施例的结构示意图。如图6A所示，阵列基板600A包括呈阵列排布的像素单元603、沿像素单元603的行方向延伸的扫描线611以及沿像素单元603的列方向延伸的数据线621JFT遮光金属层在衬底基板上具有正投影，且正投影将TFT遮挡，避免TFT受到光照。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线652与TFT遮光金属651所在的TFT遮光金属层同层设置。触控信号线652设置于相邻两行像素单元603之间，与显示区内的扫描线611绝缘且走线方向一致。在图6A中，触控信号线652与扫描线611平行。在显示阶段，扫描线611接收栅极驱动电路输出的扫描信号，此时触控信号线652作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于TFT遮光金属层仅用于遮挡薄膜晶体管，其与阵列基板上的其他导电层之间设有绝缘层，故而TFT遮光金属层与第一金属层、第二金属层、触控电极层以及其他导电层(例如像素电极层)之间彼此绝缘，与TFT遮光金属层同层设置的触控信号线652与形成于第一金属层61上的扫描线绝缘，触控信号线652与扫描线611上的信号互不干扰，从而可以避免形成寄生电容影响显示效果。另外，与TFT遮光金属层同层设置的触控信号线652与设置于其他导电层的信号线(例如数据线、栅线、源极驱动电路中的信号线、栅极驱动电路中的信号线等)之间不会发生短路，从而保证阵列基板显示效果的稳定性。
[0045]继续参考图6B，其示出了本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图。如图6B所示，阵列基板600B包括呈阵列排布的像素单元603、沿像素单元603的行方向延伸的扫描线611以及沿像素单元603的列方向延伸的数据线621JFT遮光金属层在衬底基板上的具有正投影，且正投影将TFT遮挡，避免TFT受到光照。在本实施例中，用于向触控电极传输触控信号的触控信号线653与TFT遮光金属651所在的TFT遮光金属层同层设置。触控信号线653设置于相邻两列像素单元603之间，与显示区内的数据线611绝缘且走线方向一致。在图6B中，触控信号线653与数据线621平行。在显示阶段，数据线621接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线653作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线621和触控信号线653绝缘，数据线621和触控信号线653上的信号互不干扰，从而可以避免形成寄生电容影响显示效果。
[0046]在图6A或图6B所示的实施例中，阵列基板600A或600B还可以包括形成于TFT遮光金属层和触控电极层之间的第三绝缘层。第三绝缘层上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔641或651，触控信号线通过至少一个第三导通孔641或651与多个触控电极电连接。
[0047]进一步参考图7A，其示出了图6A所示阵列基板的局部剖面图。图7A所示为沿图6A中与数据线621平行的线S3剖开的切面。如图7A所示，阵列基板600A包括衬底基板60，衬底基板60包括显示区601和非显示区602。阵列基板600A还包括在垂直于衬底基板60的方向上排列的第一金属层61、第二金属层62和TFT遮光金属层65。其中，第一金属层61用于形成阵列基板600A的扫描线611和TFT的栅极612，第二金属层62用于形成阵列基板600A的数据线621。显示区601内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线611的延伸方向，像素单元的列方向为数据线621的延伸方向。阵列基板600A还包括触控电极层63和与TFT遮光金属层65同层设置的触控信号线652。触控电极层63包括多个触控电极631。触控信号线652与一个触控电极631电相连，为触控电极631传输触控信号。
[0048]在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板600A还包括形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间的第三绝缘层64。第三绝缘层64上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔641。触控信号线652通过至少一个第三导通孔641与多个触控电极631电连接。
[0049]进一步参考图7B，其示出了图6B所示阵列基板的局部剖