面图。图7B所示为沿图6B中与扫描线611平行的线S4剖开的切面示意图。如图7B所示，阵列基板600B包括衬底基板60，衬底基板60包括显示区601和非显示区602。阵列基板600B还包括在垂直于衬底基板60的方向上排列的第一金属层61、第二金属层62和TFT遮光金属层65。其中，第一金属层61用于形成阵列基板600B的扫描线611和TFT的栅极612，第二金属层62用于形成阵列基板600B的数据线621以及TFT的源极622和漏极623。显示区601内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线611的延伸方向，像素单元的列方向为数据线621的延伸方向。阵列基板600B还包括触控电极层63和与TFT遮光金属层65同层设置的触控信号线653。触控电极层63包括多个触控电极631。触控信号线653与一个触控电极631电相连，为触控电极631传输触控信号。
[0050]在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板600B还包括形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间的第三绝缘层64。第三绝缘层64上设有贯穿第三绝缘层的至少一个第三导通孔642。触控信号线653通过至少一个第三导通孔642与多个触控电极631电连接。[0051 ] 如图7A和图7B所示，第三绝缘层64可以形成于TFT遮光金属层65和触控电极层63之间。第三绝缘层可以为多个，例如当第一金属层61和第二金属层62形成于触控电极层63和TFT遮光金属层65之间时，TFT遮光金属层和第一金属层61之间、第一金属层61和第二金属层62之间、第二金属层62和触控电极层63之间均设有第三绝缘层64。在制作阵列基板时，可以沿垂直于衬底基板方向依次形成:TFT遮光金属层65、第一层第三绝缘层64、第一金属层61、第二层第三绝缘层64、第二金属层62、第三层第三绝缘层64、触控电极层63，并在第一层第三绝缘层64、第二层第三绝缘层64和第三层第三绝缘层64的相对的位置上设置有第三导通孔。触控信号线652或653形成于TFT遮光金属层65上，通过第三导通孔与触控电极631电连接。在本实施例的一些可选的实现方式中，在第三绝缘层64上可以设有多个并联的第三导通孔。多个并联的第三导通孔不仅可以进一步减小触控电极的电阻，还可以进一步增强触控信号线与触控电极的连接的稳定性。
[0052]在进一步的实现方式中，第三导通孔641或642设置于相邻的两个像素单元之间。在本实施例中，任意两个第三导通孔之间可以相隔多个像素单元的长度，多个公共电极可以共用一个第三导通孔，以提升阵列基板的开口率。
[0053]请参考图8，其示出了本申请提供的阵列基板的再一个实施例的结构示意图。如图8所示，阵列基板800包括显示区801和非显示区802。阵列基板800上设有呈阵列排布的像素单元803、沿像素单元803的行方向延伸的扫描线811以及沿像素单元803的列方向延伸的数据线821。在本实施例中，阵列基板800上还设有多个触控电极831。用于向触控电极831传输触控信号的触控信号线822与数据线821所在的第二金属层同层设置，且触控信号线822设置于非显示区802内。触控信号线822与数据线821在非显示区的部分绝缘且与任意相邻的数据线无交叉。如图8所示，数据线821在非显示区802的延伸方向与像素单元的列方向不一致。在非显示区802内，数据线821与设置于非显示区802的驱动芯片(图8中未示出)连接。驱动芯片设置于非显示区802的一个子区域8021中。数据线821在非显示区802的子区域8021中的走线可以形成一个扇形结构。图8中示出了该扇形结构的一部分区域内部分数据线821和部分触控信号线822的走线方向。触控电极831通过设置于非显示区802的触控信号线连接至驱动芯片。每条触控信号线822与其相邻的数据线821在非显示区802的走线方向近似平行，且相互绝缘。在显示时数据线821接收驱动电路输出的数据信号，此时触控信号线822作为公共电极线为公共电极传输显示所需要的公共电压。由于数据线821和触控信号线822绝缘，数据线821和触控信号线822上的信号互不干扰，避免形成寄生电容影响显示效果。
[0054]在图8所示的实施例中，触控信号线822设置于由数据线821在非显示区内的走线部分形成的扇形结构中。且触控信号线822的走线方向与显示区801内的扫描线811的走线方向形成<90°的角度。各触控信号线822之间可以互不平行。在沿着扇形结构的中心向两边方向上，各触控信号线822的走线方向与显示区801内的扫描线811的走线方向形成的夹角逐渐增大。在扇形结构的中心部分，触控信号线822的走线方向与显示区801内的数据线821方向一致。
[0055]在本实施例中，将触控信号线822设置于非显示区，且与数据线互不相交，可以进一步地减少显示区的走线数量。通过采用本实施例提供的阵列基板，无需在显示区为触控信号线设置走线空间，能够进一步简化显示区内的走线设计，减小工艺复杂度。同时，将触控信号线设置于与数据线在非显示区的走线部分形成的扇形结构中，可以简化非显示区内的走线设计，减小非显示区内触控信号线所占用的空间，有利于窄边框的设计。
[0056]在现有的阵列基板的设计中，触控信号线位于显示区内，为了避免触控信号线与数据线之间产生寄生电容或发生短路影响显示效果和触摸检测精度，通常将两条数据线设置在相邻两个像素单元之间的同一刻缝内，触控信号线排布于未设置数据线的相邻两个像素单元之间的刻缝内。这样，在同一刻缝内的相邻两条数据线通过同一条连接线先后接收数据信号时，悬空的一条数据线会受到相邻的被驱动的数据线上的信号的影响。通过采用本实施例所描述的方案，将触控信号线822与第二金属层82同层设置，且设置于非显示区内，可以在任意两条相邻数据线之间设置触控信号线。则在显示区内相邻两列像素单元之间可以仅设置一条数据线。在通过同一条信号线对数据线先后驱动时悬空的数据线不会受到被驱动的数据线上的信号的影响，避免了对显示效果造成的影响。
[0057]在本实施例的一些可选的实现方式中，阵列基板还包括形成于第二金属层和触控电极层之间的第四绝缘层。第四绝缘层上设有贯穿第四绝缘层的至少一个第四导通孔841，触控信号线822通过至少一个第四导通孔841与多个触控电极电连接。
[0058]在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板800还包括多个触控电极线垫832。触控电极线垫832在触控电极层83所在平面具有正投影且正投影位于触控电极层在非显示区802的部分内。触控电极线垫832可以设置于第四绝缘层84上。触控电极线垫832上可以设有与第四导通孔841对应的过孔，触控信号线822通过第四绝缘层上的第四导通孔841以及触控电极线垫832上的过孔与触控电极831电连接。
[0059]进一步参考图9，其示出了图8所示阵列基板的局部剖面图。图9所示为沿图8中与数据线811平行线的S5剖开的切面示意图。如图9所示，阵列基板800包括衬底基板80，衬底基板80包括显不区801和非显不区802。阵列基板800还包括在垂直于衬底基板80的方向上排列的第一金属层81和第二金属层82。其中，第一金属层81用于形成阵列基板800的扫描线，第二金属层82用于形成阵列基板800的数据线821。显示区801内设有多个呈阵列排布的像素单元。像素单元的行方向为扫描线811的延伸方向，像素单元的列方向为数据线821的延伸方向。阵列基板800还包括触控电极层83和设置于非显示区802的触控信号线822。触控信号线822与第二金属层82同层设置。触控电极层83包括多个触控电极831。触控信号线822与一个触控电极831电相连，为触控电极831传输触控信号。
[0060]在本实施的一些可选的实现方式中，阵列基板800还包括形成于第二金属层82和触控电极层83之间的第四绝缘层84以及触控电极线垫832。第四绝缘层84上设有贯穿第四绝缘层的至少一个第四导通孔841。触控信号线822通过至少一个第四导通孔841与多个触控电极831电连接。触控电极线垫832上可以设有与第四导通孔841的位置对应的过孔833。触控信号线822通过第四导通孔841和过孔833与触控电极831电连接。触控信号线822走线的宽度较小，而触控电极831的面积通常较大，通过设置触控电极线垫832，可以增大触控信号线822与触控电极831的接触面积，提升触控信号线822与触控电极831之间的连接的稳定性。
[0061]在本实施例的一些可选的实现方式中，在第二绝缘层84上可以设有多个并联的第四导通孔841。多个并联的第四导通孔841可以进一步减小触控电极的电阻，还可以保证触控信号线与触控电极电连接的稳定性。
[0062]在上述实施例中，设置于触控电极层的多个触控电极彼此绝缘，可选的，触控电极在触控阶段用作触控电极，在显示阶段用作公共电极。如此一来可以将触控功能集成于显示面板当中，大大减小了显示面板的厚度，有利于显示面板的轻薄化。本实施例中触控功能的实现可以通过互容式触控，也可以通过自容式触控。对于互容式触控，包括触控驱动电极和触控检测电极，触控驱动电极被依次输入触控驱动信号，触控检测电极输出检测信号，触控驱动电极和触控检测电极形成电容，当触控显示面板上发生触控时，会影响触摸点附近触控驱动电极和触控检测电极之间的耦合，从而改变