透明导电触控薄膜制作方法及其制品的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控屏制作技术领域，特别是涉及一种透明导电触控薄膜制作方法及其制品O
【背景技术】
[0002]目前市场上触控屏幕的导电触控技术采用较多的是电容式触摸屏，电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的金屈薄膜导体层ιτο(目前的透明导电材料一一氧化铟锡)，再在导体层外加上一块非常薄的坚硬的保护玻璃(一块四层复合玻璃屏)，这层玻璃显然是不导电的，直流导电是不行了，改用高频交流信号，靠人的手指头(隔着薄玻璃)与工作面形成的耦合电容来吸走一个交流电流，这就是电容屏“电容”名字的由来:靠耦合电容来工作。电容式触摸屏在玻璃表面贴上一层透明的特殊金屈导电物质(即ΙΤ0，中文名称:氧化铟锡)。当手指触摸在金屈层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。
[0003]目前ITO膜层之电阻率一般在5*10 4(46)左右，最好可达5*10 5(45)，已接近金屈的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由Ιη203与Sn203之比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn203: In203 = I: 9，因为氧化锡之厚度超过200时，通常透明度已不够好，虽然导电性能很好。
[0004]如果是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，LI为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长度，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R = PLl/dL2式中P为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当LI = L2时，正方形膜层无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义:R □= P/d，式中R □单位为:奥姆/ □ ( Ω / □)，由此可所出方块电阻与ITO膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
[0005]目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R □可达10 Ω/ □左右，膜厚为100-200 μ m，而一般低档TN产品的ITO玻璃R □为100-300 Ω / 口，膜厚为20-30 μ m。在进行LCD走线设计时，由ITO阻计算方式，可知影响ITO阻值有如下因素:1。ITO玻璃之方块电阻；要确保走线电阻小，应该让ITO玻璃方块电阻小，因为R □ = P/d，则必须选P小，d适当大些的材料。L1/L2 ；L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在R □一定时，要保证走线电阻值小，就要让L1/L2小，当LI 一定时，只有增大L2，也说法是在设计时，走线应尽可能加宽；而当L2 —定时，LI就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。在LCD显示屏设计当中，不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响，还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响，以便选择适当方块电阻的ITO玻璃，以便设计到制作的全面控制，生产高对比的IXD产品，这时高占空比及COG产品尤为重要，如ITO膜厚的均匀性，因为ITO的耙材及工艺较为稳定，会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化，如目标值为10 Ω时，其R □范围在8-12Ω之间，所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃，以减少电阻的变化，其次为ITO玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°C *30min的环境中，会使R □增大2_3倍，而在1wt% Na0H*5min及6wt% HCL*2min(60°C )下也会增到I。I倍左右，由此可知，在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。4。由于在液晶显示器中，ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值大小直接影响电路两端电压的大小，即方块电阻越大，LCD值电压越大。有数据表明，ITO之方块电阻由100 Ω / 口降至60 Ω/口。(Cell Gap为6 μπι)左右，Vth值会降低O。03V左右。
[0006]以上为氧化铟锡(ITO)的生产工艺以及工作原理，在实际生产中氧化铟锡中的铟为稀有金屈，价格高昂且供应受限，同时由于资源稀缺性，价格不断攀高，必将导致成本不断上升；其次ITO层的脆弱和柔韧性缺乏也导致实际应用中的可拓展性较差，ITO的不可挠性，易脆，折弯后面阻值不稳定或剧烈跳升均使其应用范围受到限制；还有昂贵的层沉积复杂的工艺必须要求真空环境下完成，这些也导致生产成本增加，生产良率的下降等一系列因素的影响。
【发明内容】
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供透明导电触控薄膜制作方法及其制品，解决现有触摸显示屏制造技术中采用ITO膜所存在的问题。
[0008]为实现上述目标及其他相关目标，本发明提供一种透明导电触控薄膜制作方法，包括:提供PET原膜，所述PET原膜一面为OCA光学胶；在所述OCA光学胶所在一面的另一面印上纳米导电材料；在印有纳米导电材料的一面涂覆硅胶并覆盖PET保护膜；在PET膜的边缘处丝网印刷上靶标点；根据所述靶标点将对丝网印刷后的PET膜进行热转印印刷；根据所述靶标点通过模切机将热转印印刷后的PET膜按预定形状进行模切成型。
[0009]可选的，所述透明导电触控薄膜制作方法，还包括:将所述模切成型后的PET膜同预设产品印刷结果、外形尺寸作比对，并剔除比对不合格的PET膜。
[0010]可选的，所述透明导电触控薄膜制作方法，还包括:对所述比对合格的制品进行撕手位标签张贴。
[0011]可选的，所述PET原膜厚50 μ??，所述涂覆娃胶厚25 μπι,所述纳米导电材料厚
5-8 μ mD
[0012]可选的，所述纳米导电材料为纳米银线、ΙΤ0、或纳米碳管中的任意一种。
[0013]可选的，所述靶标点大小为3*3mm。
[0014]可选的，在所述印纳米导电材料的步骤后，还包括对PET膜进行光学处理以增加透过率
[0015]可选的，通过所述热转印将操作说明印制在PET膜表面。
[0016]为实现上述目标及其他相关目标，本发明提供一种透明导电触控薄膜，应用如前所述的透明导电触控薄膜制作方法所制得。
[0017]为实现上述目标及其他相关目标，本发明提供一种触摸显示屏制作方法，包括:如前所述的透明导电触控薄膜制作方法；所述触摸显示屏制作方法还包括:将模切成型后的PET膜转移至无尘车间进行对玻璃的真空贴合，其中，所述贴合指的是令PET膜具有OCA光学胶的一面与玻璃贴合。
[0018]可选的，所述玻璃厚度为0.2mm或0.33mm。
[0019]为实现上述目标及其他相关目标，本发明提供一种触摸显示屏，应用如前所述的触摸显示屏制作方法所制得。
[0020]如上所述，本发明提供的透明导电触控薄膜制作方法及其制品，是通过提供PET原膜，PET原膜一面为OCA光学胶；在所述OCA光学胶所在一面的另一面印上纳米导电材料；在印有纳米导电材料的一面涂覆硅胶并覆盖PET保护膜；在PET膜的边缘处丝网印刷上靶标点；根据靶标点将对丝网印刷后的PET膜进行热转印印刷；根据靶标点通过模切机将热转印印刷后的PET膜按预定形状进行模切成型，尔后贴合PET膜和玻璃以配合完成触摸显示屏的制作，优点如下:
[0021]1、本发明产品的生产环境可在无尘净化环境下完成，且在透明导电触控薄膜制作方法中的无尘级别不低于I万级；
[0022]2、本发明提供的触控感测材料为银，触控感测线路形式为纳米银丝，触控感测厚度为0.1-1.0μπι，而较易控制的厚度使整体制造技术难度下降，成品良率大幅提升；
[0023]2、本发明提供产品面阻抗值可以做到< 50ο μπι/sq ;
[0024]3、本发明替代基膜为PET膜，其和纳米导电材料结合后的触控表面可挠性优良，弯曲后面阻抗值无任何影响；本发明使用材料之基材稳定性较高，面阻值不会受任何影响。
[0025]4、本发明的生产工艺与传统制作工艺不同，采用一种新的制作工艺方法对智能导电触控薄膜进行生产加工，本发明工艺结构简单，操作方便，科学先进，经济实用，生产工艺中环节较易控制，整体投入成本对比传统ITO生产工艺大幅降低，而产品良率和稳定性提升较高。
【附图说明】
[0026]图1显示为本发明一实施例中透明导电触控薄膜制作方法的流程示意图。
[0027]图2显示为本发明一实施例中触摸显示屏制作方法的流程示意图。
[0028]图3显示为本发明一实施例中触摸显示屏制作方法的流程示意图。
[0029]图4显示为本发明一实施例中触摸显示屏制作方法的流程示意图。
[0030]元件标号说明
[0031]SI?S9方法步骤
【具体实施方式】
[0032]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0033]如图1所示，本发明提供一种透明导电触控薄膜制作方法，包括:
[0034]步骤S1:提供PET原膜，所述PET原膜一面为OCA光学胶。
[0035]在一实施例中，本发明采用PET膜(polyester film，聚