SRAM存储单元、形成存储单元的电路及形成方法与流程

技术特征：
1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的漏极、第二传输晶体管的源极电连接，形成第二存储节点；第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第一传输晶体管的源极电连接，形成第一存储节点；第一传输晶体管和第二传输晶体管的栅极与字线电连接；第一传输晶体管的漏极与第一位线电连接，第二传输晶体管的漏极与第二位线电连接；第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与第一电压端电连接；第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极与第二电压端电连接；其中，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管靠近源极的栅介质层具有缺陷，所述缺陷通过热载流子注入形成。2.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为NMOS晶体管。3.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为PMOS晶体管。4.如权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的结构相同，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的结构相同，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的结构相同。5.一种形成SRAM存储单元的电路，其特征在于，包括：第一电可编程熔丝、第二电可编程熔丝、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的漏极、第二传输晶体管的源极电连接，形成第二存储节点；第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第一传输晶体管的源极电连接，形成第一存储节点；第一传输晶体管和第二传输晶体管的栅极与字线电连接；第一传输晶体管的漏极与第一位线电连接，第二传输晶体管的漏极与第二位线电连接；第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与第一电压端电连接；第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极与第二电压端电连接；所述第一电可编程熔丝的一端与第一存储节点电连接，所述第一电可编程熔丝的另一端与第三电压端电连接；所述第二电可编程熔丝的一端与第二存储节点电连接，所述第二电可编程熔丝的另一端与第三电压端电连接；所述第一电可编程熔丝和第二电可编程熔丝的临界断路电压均大于所述第三电压端的电压。6.如权利要求5所述的形成SRAM存储单元的电路，其特征在于，所述电可编程熔丝的结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的绝缘层，位于所述绝缘层表面的多晶硅层，位于所述多晶硅层表面的金属硅化物层，位于所述金属硅化物层一端的第一金属互连结构和位于所述金属硅化物层另一端的第二金属互连结构，其中，所述多晶硅层和金属硅化物层的俯视形状为杠铃状。7.如权利要求5所述的形成SRAM存储单元的电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的结构相同，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的结构相同，第一传输晶体管和第二传输晶体管的结构相同，第一电可编程熔丝和第二电可编程熔丝的结构相同。8.如权利要求5所述的形成SRAM存储单元的电路，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为NMOS晶体管。9.如权利要求5所述的形成SRAM存储单元的电路，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为PMOS晶体管。10.一种利用如权利要求5所述的形成SRAM存储单元的电路的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，包括：在所述字线施加第一电压，使得所述第一传输晶体管和第二传输晶体管导通，将所述第一位线和第二位线接地，在所述第一电压端、第二电压端、第三电压端施加第二电压，使得第一传输晶体管和第二传输晶体管靠近源极的栅介质层受到热载流子注入产生缺陷；当第一传输晶体管和第二传输晶体管靠近源极的栅介质层受到热载流子注入产生缺陷后，在所述字线施加第三电压，使得第一传输晶体管和第二传输晶体管导通，将所述第一位线和第二位线接地，在所述第三电压端施加编程脉冲，使得第一电可编程熔丝和第二电可编程熔丝变成高阻态或发生断路。11.如权利要求10所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述编程脉冲的电压大于电可编程熔丝的临界断路电压。12.如权利要求11所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述编程脉冲的电压值为3.3V，所述编程脉冲的持续时间为1微秒～5微秒。13.如权利要求10所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第一电压大于等于所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的阈值电压。14.如权利要求13所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第一电压为两倍的所述SRAM存储单元的工作电压。15.如权利要求10所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第二电压大于零电压，小于电可编程熔丝的临界断路电压。16.如权利要求15所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第二电压为两倍的所述SRAM存储单元的工作电压。17.如权利要求15所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第二电压施加的时间范围为1秒～120秒。18.如权利要求10所述的SRAM存储单元形成方法，其特征在于，所述第三电压为所述SRAM存储单元的工作电压。