技术总结
一种SRAM存储单元、形成SRAM存储单元的电路及形成方法，SRAM存储单元包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成双稳态电路；其中，第一传输晶体管、第二传输晶体管靠近源极的栅介质层具有缺陷，所述缺陷通过热载流子注入形成。在读操作时，第一传输晶体管和第二传输晶体管的饱和源漏电流值变小，提高了SRAM存储单元的读取裕度，且不会影响SRAM存储单元的写入裕度。
技术研发人员：甘正浩;冯军宏
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201210214726
技术研发日：2012.06.26
技术公布日：2017.02.22