技术特征：
技术总结
一种操作静态随机存取存储器(SRAM)存储元件的方法包括：在掉电事件之前将一值编程到该SRAM存储元件。该方法进一步包括：响应于在掉电事件之后在SRAM存储元件处的上电事件，增加SRAM存储元件的电源电压并感测SRAM存储元件的状态，以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。在一特定示例中，一种装置包括：SRAM存储元件以及耦合到该SRAM存储元件的控制电路系统。该控制电路系统可被配置成：将值编程到SRAM存储元件，增加电源电压，并感测SRAM存储元件的状态以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。
技术研发人员：陈晓楠;Z·王;X·李
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.12.02
技术公布日：2017.08.01