单层多晶硅非易失性存储单元的制作方法

技术特征：

技术总结
一种单层多晶硅非易失性存储单元包括耦合电容器、单元晶体管和选择晶体管。单元晶体管具有浮栅、第一源极和第一漏极。浮栅经由耦合电容器耦接到阵列控制栅极/源极线。第一源极耦接到阵列控制栅极/源极线。选择晶体管具有选择栅极、第二源极和第二漏极。选择栅极耦接到字线。第二源极耦接到第一漏极。第二漏极耦接到位线。

技术研发人员：崔光一;朴圣根;金南润
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2016.09.18
技术公布日：2017.08.25