技术特征：
技术总结
本发明公开了一种读取方法及闪存存储器装置，读取方法应用于闪存存储器装置，闪存存储器装置包括非易失性半导体存储单元阵列，包括：判断是否读取所述非易失性半导体存储单元阵列的全部存储单元，若是，则对所述全部存储单元相应字线施加电压，以进行第一次感应操作；对在所述第一次感应操作后，判定为关态的存储单元进行第二次感应操作，其中，在所述第一次感应操作时字线上施加的电压和第二次感应操作时字线上施加的电压的差值在预设范围内，所述第二次感应操作对应感应时间不小于第一次感应操作对应感应时间。本发明提供的技术方案，能够通过两次感应操作对闪存存储器装置进行读取，以降低共源线的噪声，保证读取操作的准确率高。
技术研发人员：杜智超;付祥;王颀;霍宗亮;叶甜春
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.07.18