好的相关。然后，发现了在10?30nm的波段中能够得到更高的相关，在10? 20nm的波段中能够得到进一步高的相关。对于在10?40nm的波段中的相关，与在10? 50nm的波段中的相关等同。
[0037] 另外，能够如下计算主表面的每个波长成分的算术平均粗糙度Ra。首先，在磁盘用 玻璃基板的主表面的规定尺寸的区域中，以极小的固定间隔（例如，将1 ymXl ym的区域 内划分成512X 512的划分区域）使用AFM(原子力显微镜）对表面性状的3维数据进行测 定。对于测定出的3维数据进行2维傅立叶变换，得到2维图像。从得到的2维图像中提 取期望的波长成分（即，进行带通滤波处理）。对提取出的期望的波长成分的2维图像实施 傅立叶逆变换，生成3维数据（仅期望的波长成分的3维数据），并根据该3维数据计算算 术平均粗糙度Ra。
[0038] 根据以上的见解，关于本实施方式的磁盘用玻璃基板的主表面，波长成分在10? 50nm的算术平均粗糙度Ra优选在0. 15nm以下，波长成分在10?30nm的算术平均粗糙 度Ra更优选在0. lOnm以下，波长成分在10?20nm的算术平均粗糙度Ra进一步优选在 0? lOnm 以下。
[0039] 另外，如上所述，磁盘用玻璃基板的主表面优选构成为整个波段的算术平均粗糙 度（Ra)在0? l5nm以下。
[0040] 以下，详细说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法。
[0041] [磁盘用玻璃基板]
[0042] 作为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的材料，可以使用铝硅酸盐玻璃、碱石灰玻 璃、硼硅酸盐玻璃等。尤其是从能够实施化学强化并且能够制作主表面平坦度和基板强度 优异的磁盘用玻璃基板这些方面考虑，可以优选使用铝硅酸盐玻璃。若为非晶态的铝硅酸 盐玻璃则进一步优选。
[0043] 对本实施方式的磁盘用玻璃基板的组成不作限定，但本实施方式的玻璃基板优 选为由如下组成构成的非晶态的铝硅酸盐玻璃：换算成氧化物基准，以摩尔％表示，含有 50%?75%的510 2;1?15%的六1 203;合计为5%?35%的选自1^20、似20和1( 20中的至 少1种成分；合计为〇 %?20 %的选自MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO中的至少1种成分；以及 合计为0%?10%的选自21〇2、!10 2、1^203、￥203、了 &205、他205和11?)2中的至少1种成分。将 该组成称作"玻璃组成1"。
[0044] 本实施方式的玻璃基板优选为由如下组成构成的非晶态的铝硅酸盐玻璃：以质 量％表示，具有57?75%的Si02;5?20%的A1 203 (其中，SiOjP A1 203的合计量在74% 以上）；合计为超过0%且在6%以下的21〇2、11?)2、恥20 5、了&205、1^203、￥ 203和1102;超过1% 且在9%以下的Li20;5?18%的Na 20(其中，质量比Li20/Na20在0. 5以下）；0?6%的 K20 ;0?4%的MgO ;超过0%且在5%以下的CaO(其中，MgO和CaO的合计量在5%以下， 并且CaO的含量比MgO的含量多）；以及0?3%的SrO+BaO。
[0045] 此外，本实施方式的玻璃基板以氧化物为基准的质量％来表示，还可以是具有 Si02:45. 60 ?60 %、以及 A1 203:7 ?20 %、以及 B 203:1. 00 ?小于 8 %、以及 P 205:0. 50 ? 7%、以及Ti02:l?15%、以及R0的合计量为5?35% (其中，R是Zn以及Mg)。在该组成 中，进一步优选为采用CaO的含量在3. 00 %以下；BaO的含量在4%以下；以及不含有PbO、 As203、Sb203、Cl -、NO -、S03-、F -成分的玻璃组成（第2玻璃组成）。通过对这种玻璃 实施晶化处理，能够制成如下的晶化玻璃：作为主晶相，含有选自RAl2〇 4、R2Ti04 (其中R为 选自Zn、Mg的一种以上）的一种以上，主晶相的晶粒径在0? 5nm?20nm的范围，晶化度在 15%以下，且比重在2. 95以下。将该组成称作"玻璃组成3"。
[0046] 本实施方式的磁盘用玻璃基板的组成还可以是，作为必要成分含有选自由Si02、 Li 20、Na20、以及MgO、CaO、SrO和BaO构成的组中的一种以上的碱土金属氧化物，CaO的含 量相对于MgO、CaO、SrO和BaO的合计含量的摩尔比（Ca(V(MgO+CaO+SrO+BaO))在0. 20以 下，玻璃化温度在650°C以上。这种组成的磁盘用玻璃基板适用于在能源辅助磁记录用磁盘 中使用的磁盘用玻璃基板。将该组成称作"玻璃组成2"。
[0047] 图1示出实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状。如图1A所示，本实施方式中的 磁盘用玻璃基板为形成有内孔2的圆环状的薄板玻璃基板。磁盘用玻璃基板的尺寸虽然没 有限制，但优选为例如公称直径为2. 5英寸的磁盘用玻璃基板。
[0048] 图1B是放大示出实施方式的磁盘用玻璃基板的外周侧的端部的截面的图。如图 1B所不，磁盘用玻璃基板具有：一对主表面lp、沿着与一对主表面lp垂直的方向配置的侧 壁面It、和配置在一对主表面lp与侧壁面It之间的一对倒角面lc。虽然未图示，但是，磁 盘用玻璃基板的内周侧的端部也相同地形成有侧壁面和倒角面。另外，本实施方式的磁盘 用玻璃基板没有在主表面上实施沿圆周方向形成纹理的加工。
[0049] 另外，如上所述，从能够高精度地对主表面进行平滑化，并容易降低在主表面上大 角度的斜率的频次的方面考虑，优选将本实施方式的磁盘用玻璃基板制成非晶态玻璃。此 夕卜，通过对上述非晶态玻璃进行化学强化，能够在表层形成压缩应力层，提高磁盘用玻璃基 板的耐冲击性。
[0050] 本实施方式的磁盘用玻璃基板也可以是晶化玻璃（水晶玻璃）。通过使其为晶化 玻璃，能够提高玻璃基板的硬度从而提高耐冲击性。
[0051] 此外，本实施方式的磁盘用玻璃基板也可以是Tg在650°C以上的耐热玻璃。在该 情况下，能够形成能源辅助磁记录方式用的磁性膜，并能够进一步实现高记录密度化。
[0052] 本实施方式的磁盘用玻璃基板的主表面优选在以大概10nm的间隔取得了斜率的 采样的情况下，斜率的平方的平均值在〇. 0025以下，并且斜率的平方的值在0. 004以上的 频次在15%以下。更优选的是，斜率的平方的值在0. 004以上的频次在10%以下。通过使 主表面为这种形状，由此在主表面上形成有大斜率的部位变得极少，因此，能够防止形成在 磁盘用玻璃基板上的磁记录层的晶体取向相对于与主表面垂直的方向大幅倾斜，或者晶体 不适当生长的问题。此外，关于被高记录密度化的磁盘，虽然记录位长度变得非常地短，但 是，即便在该情况下，磁盘的再现信号的SNR也会变得良好。
[0053] 对磁盘用玻璃基板（以下，适当地仅称作"基板"。）的主表面的斜率的测定方法 进行说明。在对主表面的斜率进行测定时，使用AFM(原子力显微镜）进行。使用AFM观察 到的数据是在基板的测定面（x_y平面）等间隔排列的高度Z(x，y)的数据。
[0054] 例如，对在基板的主表面上将1 ymXl ym的测定区域沿x方向以及y方向分别分 割成512个后的位置的高度Z(x，y)的值进行测定，根据大概10nm(更正确来说，9. 76nm)间 隔的采样位置处的Z(x，y)的值，并根据下述式（1)，计算方均根斜率Sdq。上述"斜率的平 方的平均值"是取方均根斜率Sdq的平方所得的值。
[0055]【式1】
【主权项】
1. 一种磁盘用玻璃基板，其具有一对主表面，所述磁盘用玻璃基板的特征在于， 关于主表面的表面，10?50nm的波长成分的算术平均粗趟度（Ra)在0. 15nm W下。
2. -种磁盘用玻璃基板，其具有一对主表面，所述磁盘用玻璃基板的特征在于， 关于主表面的表面，10?30nm的波长成分的算术平均粗趟度（Ra)在0. lOnm W下。
3. -种磁盘用玻璃基板，其具有一对主表面，所述磁盘用玻璃基板的特征在于， 关于主表面的表面，10?20nm的波长成分的算术平均粗趟度（Ra)在0. lOnm W下。
4. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于， 关于主表面的表面，在将1 ymXl ym的区域内划分成512X512的划分区域，采用原子 力显微镜进行了测定时的算术平均粗趟度（Ra)在0. 15nm W下。
5. 根据权利要求1?4中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于， 没有对主表面实施圆周方向的加工。
6. 根据权利要求1?5中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于， 在W lOnm的间隔取得了主表面的斜率的采样的情况下，斜率的平方的平均值在 0. 0025 W下、并且斜率的平方的值在0. 004 W上的频次在15% W下。
7. -种磁盘，其特征在于， 在权利要求1?6所述的磁盘用玻璃基板的表面至少形成了磁记录层。
8. -种磁盘用玻璃基板，其具有一对平坦的主表面，所述磁盘用玻璃基板的特征在于， 关于主表面的表面，确定了算术平均粗趟度（Ra)在0. 15nm W下的波长成分，W使得在 所述主表面的上方形成磁记录层而制作出磁盘后，对该磁记录层W 2000化pi W上的线记 录密度进行了信号的写入时的再现信号的信噪比变成良好的级别。
【专利摘要】本发明的磁盘用玻璃基板具有一对主表面，关于主表面的表面，10～50nm的波长成分的算术平均粗糙度(Ra)在0.15nm以下。
【IPC分类】G11B5-73
【公开号】CN104584125
【申请号】CN201380044382
【发明人】板谷旬展, 越阪部基延
【申请人】Hoya株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年9月30日
【公告号】US20150248910, WO2014051153A1