磁盘用玻璃基板、磁盘的制作方法

文档序号:8269911阅读:383来源:国知局
磁盘用玻璃基板、磁盘的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁盘用玻璃基板和磁盘。
【背景技术】
[0002] 如今,在个人计算机或DVD(Digital Versatile Disc)记录装置等中内置有用于 记录数据的硬盘装置(HDD :Hard Disk Drive)。特别是在笔记本型个人计算机等以移动性 为前提的设备中使用的硬盘装置中,使用在玻璃基板上设置有磁记录层的磁盘,利用在磁 盘的面上方略微悬浮的磁头对磁记录层记录或读取磁记录信息。作为该磁盘的基板,由于 具有比金属基板(铝基板)等更难以发生塑性变形的性质,因而优选使用玻璃基板。
[0003] 另外,应增大硬盘装置中存储容量的要求,寻求磁记录的高密度化。例如使用垂直 磁记录方式进行磁记录信息区域(记录位(bit))的微细化,在垂直磁记录方式中,使磁记 录层中的磁化方向相对于基板的面为垂直方向。垂直磁记录方式的磁盘在金属基板或玻璃 基板上依次成膜有例如附着层、软磁性层(SUL:Soft Under Layer)、基底层、磁记录层、保 护层、润滑层等。通过采取垂直磁记录方式,可以增大1张盘片基板中的存储容量。进一 步,为了进一步增大存储容量,还进行通过使磁头的记录再现元件部更加突出,从而极大地 缩短其与磁记录层之间的距离,进一步提高信息的记录再现精度(提高S/N比)。另外,这 种磁头的记录再现元件部的控制被称作DFH(Dynamic Flying Height:动态飞行高度)控 制机构,配备该控制机构的磁头被称作DH1头。与这种DH1头组合用于HDD的磁盘用玻璃 基板为了避免与磁头或从磁头进一步突出的记录再现元件部之间的碰撞和接触,按照使基 板的表面凹凸极小的方式进行制作。
[0004] 另一方面,已知有,磁盘用玻璃基板的表面形状对在基板上成膜的磁记录层中的 磁性粒的特定的晶面,例如Co(002)面或Ru(002)面的晶体取向方差(A 0 50 ;晶体相对于 垂直方向的偏差)产生影响。A 0 50被计算为如下情况中的峰值的半值宽度,S卩,使用X-射 线衍射装置进行0/2 0的测定,从磁记录层的晶面的峰值顶起测定2 0值,将2 0固定并 进行了 0扫描。该晶体取向方差△ 0 50是表示易磁化轴的方差的指标,该值越小越优选。 通过改善A 05〇(使其接近零),能够使磁特性良好,并提高信噪比(SNR),因此,能够进一 步提高记录密度。
[0005] 关于晶体取向方差(A 0 50),在对比文件1中记载了如下的磁盘用玻璃基板:以 提高磁记录层的晶体取向方差(△ 0 50)以及提高SNR为目的,并不是以表面粗糙度Ra为 基准,而是使方均根倾斜角的值成为规定值以下(例如为5度以下,更优选为3度以下)。
[0006] 此外,在对比文件2中记载了设表面粗糙度Ra满足Ra < 0. 15nm,并且使平均倾 斜角为2度以下的磁盘用玻璃基板。通过采用该基板,能够降低A 0 50从而降低介质噪声 (使用130Gbpsi相当的TMR头,按照825kbpi的线记录密度来评价)。另外,在线记录密度 为825kbpi的情况下,记录位长度(以下,表示基于线记录密度的计算值)在30nm程度。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 【专利文献1】日本特开2009-140584号
[0010] 【专利文献2】日本特开2008-293552号

【发明内容】

[0011] 发明所要解决的问题
[0012] 近年来,为了实现例如2. 5英寸尺寸且600GB/P以上的高记录密度,磁头的记录再 现元件部的突出量增加,与磁盘之间的间隙变得极小,结果能够进行利用比以往更高的高 记录密度的写入。今后,认为磁盘的进一步的高记录密度化将得到发展,并认为来自被高记 录密度化的磁盘的再现信号的SNR的提高变成更重要的要素。
[0013] 因此,本发明的目的在于提供能够使比以往被更高记录密度化的磁盘的再现信号 的SNR提高的磁盘用玻璃基板和磁盘。
[0014] 用于解决问题的手段
[0015] 发明人发现了磁盘用玻璃基板的主表面的表面粗糙度中的形状波长(凹凸的周 期)的成分(波长成分)之中的特定范围的波长成分对磁性粒的晶面的取向有较大的影 响。
[0016] S卩,在主表面的形状波长相对于磁性粒的粒径足够短的情况下,在主表面上成膜 的附着层(例如,CrTi)或SUL(例如,FeCoTaZr)等非晶态金属层的形状波长也变得足够 短,但是,在该情况下,磁性粒被进行配置,而不追随非晶态金属层的形状波长短的凹凸,因 此,可认为对于磁性粒的晶面的取向的不良影响较少。另一方面,在主表面的形状波长相 对于磁性粒的粒径足够长的情况下,在主表面上成膜的附着层(例如,CrTi)或SUL(例如, FeCoTaZr)等非晶态金属层的形状波长也变得足够长,因此,非晶态金属层的表面的倾斜也 变得平缓。在该情况下,磁性粒追随非晶态金属层的表面进行配置,但是,非晶态金属层的 表面的倾斜平缓,因此,可认为对于磁性粒的晶面的取向的不良影响较少。
[0017] 因此,发明人推断在磁性盘用玻璃基板的主表面的形状波长与磁性粒的粒径相比 是特定范围的值的情况下,对配置在非晶态金属层的表面上的磁性粒的晶面的取向的影响 变大,而完成了本发明。
[0018] 根据以上的观点,本申请的发明人对磁盘用玻璃基板的主表面求出不同的波长成 分的表面粗糙度与配置在该主表面的上方的磁性粒的晶体取向方差△ 0 50之间的相关关 系,并根据该相关关系确定了对磁性粒的晶面的取向有较大影响的波长成分。然后,发现了 通过使该确定了的波长成分的表面粗糙度的值成为规定值以下,能够使磁性粒的晶体取向 方差A 0 50接近零,并能够提高磁盘的再现信号的SNR的情况,完成了本申请的发明。
[0019] 本发明的第1观点是一种具有一对主表面的磁盘用玻璃基板,该磁盘用玻璃基板 的特征在于,关于主表面的表面,10?50nm的波长成分的算术平均粗糙度(Ra)在0. 15nm 以下。
[0020] 本发明的第2观点是一种具有一对主表面的磁盘用玻璃基板,该磁盘用玻璃基板 的特征在于,关于主表面的表面,10?30nm的波长成分的算术平均粗糙度(Ra)在0. 10nm 以下。
[0021] 本发明的第3观点是一种具有一对主表面的磁盘用玻璃基板,该磁盘用玻璃基板 的特征在于,关于主表面的表面,10?20nm的波长成分的算术平均粗糙度(Ra)在0. 10nm 以下。
[0022] 上述磁盘用玻璃基板的特征在于,关于主表面的表面,将1 ymX 1 ym的区域内划 分成512X512的划分区域后,采用原子力显微镜进行测定时的算术平均粗糙度(Ra)在 0? 15nm 以下。
[0023] 上述磁盘用玻璃基板的特征在于,没有在主表面实施圆周方向的加工。
[0024] 优选为,在上述磁盘用玻璃基板中,以10nm的间隔取得了主表面的斜率的采样的 情况下,斜率的平方的平均值在〇. 0025以下、且斜率的平方的值在0. 004以上的频次在 15%以下。
[0025] 本发明的第4观点是一种磁盘,所述磁盘的特征在于,在上述磁盘用玻璃基板的 表面上至少形成了磁记录层。
[0026] 本发明的第5观点是一种具有一对平坦的主表面的磁盘用玻璃基板,所述磁盘 用玻璃基板的特征在于,关于主表面的表面,确定了算术平均粗糙度(Ra)变成0.15nm以 下的波长成分,使得在所述主表面的上方形成磁记录层而制作成磁盘后,对该磁记录层以 2000kbpi以上的线记录密度进行了信号的写入时的再现信号的信噪比变成良好的级别。另 夕卜,当确定了变成〇. l〇nm以下的波长成分时,变得更优选。
[0027] 发明的效果
[0028] 根据本发明的磁盘用玻璃基板和磁盘,能够使被高记录密度化的磁盘的再现信号 的SNR提尚。
【附图说明】
[0029] 图1A是示出实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状的图。
[0030] 图1B是示出实施方式的磁盘用玻璃基板的外周侧的端部的放大截面图。
[0031] 图2是在第1研磨工序中使用的研磨装置(双面研磨装置)的立体分解图。
[0032] 图3是在第1研磨工序中使用的研磨装置(双面研磨装置)的截面图。
【具体实施方式】
[0033] 下面,将磁盘用玻璃基板的主表面的特定范围的波长成分称作"波段"。
[0034] 发明人制作了各种各样的玻璃基板以及磁盘,并使用AFM对玻璃基板表面的各种 各样的波段的粗糙度与磁盘的再现信号的SNR之间的关系进行了调查。另外,将在1 ym见 方的区域中以512 X 512的分辨率进行测定时的表面粗糙度Ra (整个波段的表面粗糙度;称 作"Ral")全部限定在0? 15nm以下进行了调查。这是因为,在Ral大于0? 15nm的情况下得 到了与SNR的相关,但是,在0. 15nm以下的情况下没有得到相关。
[0035] 为了调查存在与SNR的相关的波段,逐渐缩小波段的上限进行了调查。这是因为 考虑到在比磁性粒尺寸长的波长成分进入到波段中的情况下,无法得到与SNR的相关。另 夕卜,最小波长是最小测定分辨率(l〇〇〇 + 512(nm))的2倍,因此,大约为4nm(之后,仅记为 "4nm")。首先,当对lOOnm以下的波段(4?lOOnm)的Ra进行了调查时,没有得到与SNR 的相关。接着,当对50nm以下的波段(4?50nm)的情况进行了调查时,虽然没有得到与 SNR的相关,但是,与lOOnm以下的情况相比,相关系数增高。于是,相反地,当对10nm以下 的波段(4?10nm)进行了调查时,完全没有发现与SNR的相关。根据该预备调查的结果, 推断出lOnm以下的波段的玻璃基板的粗糙度是使得与SNR的相关恶化的主要原因。
[0036] 因此,除了 lOnm以下的波段之外,当对10?50nm的波段进行了调查时,首次得到 了与SNR的
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