7] 作为第一非磁性晶界2化使用含有C(碳）的材料。优选第一磁性晶粒25a和第 一非磁性晶界2化的组成比，是第一磁性晶粒25a;第一非磁性晶粒2化=80 ;20~50 ;50。 第一磁性晶粒25a的比率是50vol%W上并且第一非磁性晶界25b的比率是50vol%W下 时因为具有较高的磁各向异性所W优选。第一磁性晶粒25a的比率是80vol%W下并且第 一非磁性晶粒2化的比率是20vol%W上时因为磁性晶粒的分离充分进行所W优选。此外， 采用比特图案化介质炬PM)的结构而优选降低记录比特之间的磁相互作用的情况下，也能 够使第一磁性晶粒25a的比率不足50vol%。
[0化8] 第一磁记录层25的膜厚优选为1~4皿，典型为化m。第一磁记录层25的膜厚在InmW上时因为磁性晶粒的有序化充分进行所W优选。第一磁记录层25的膜厚在4nmW下 时因为不会发生磁性晶粒的再生长所W优选。特别是第一非磁性晶界25b由C构成的第一 磁记录层25因为对于其上方的含有Ge氧化物的第二磁记录层35磁性晶粒的生长连续地 进行所W优选。
[0化9] 第二磁记录层35具有包括第二磁性晶粒35a和包围第二磁性晶粒35a的第二非 磁性晶界35b的粒状结构。第二磁性晶粒35a含有有序合金，第二非磁性晶界3化含有Ge氧化物。第二磁记录层35、第二磁性晶粒35a和第二非磁性晶界35b，分别能够采用与磁记 录层15、磁性晶粒15a和非磁性晶界15b同样的结构，所W省略其说明。此外，关于第二磁 记录层35的膜厚，考虑形成第一磁记录层25,优选设定为与单层形成第二磁记录层35的情 况相比较薄。
[0060] 第一磁性晶粒25a和第二磁性晶粒35a能够采用不同的材料。例如，通过使用不 同的材料而使居里温度Tc在上下层中是不同的温度，能够在保持叠层磁记录层整体的粒 状结构和磁特性的同时，降低热辅助记录温度，并且减小记录时的颠倒磁场。此外，能够增 大颠倒磁场的梯度。例如，能够使第一磁性晶粒25a是由CoPt构成的L1。型有序合金，使第 二磁性晶粒35a是由化Pt构成的11。型有序合金。或者，能够使对各磁性晶粒添加的Ni、 Mn、&、化、Ag、Au等金属在各磁性晶粒中是不同的材料。例如，用由FePt、为了控制化Pt 的居里温度Tc的目的而添加的材料Y、和WC(碳）为主的晶界材料构成的化Pt粒状层形 成第一磁记录层25。进而，用由FePt、为了控制化Pt的居里温度Tc的目的而添加的材料 X、和主要含有Ge的氧化物构成的化Pt粒状层形成第二磁记录层35。该情况下，使添加材 料X和添加材料Y为不同材料，能够使居里温度Tc的控制效果在上下层中不同。
[0061] 此处，特别是对第二磁记录层添加Mn时，能够通过居里温度的降低而使颠倒磁场 降低，热辅助记录变得容易。目P，对磁性晶粒添加Mn并与含有Ge氧化物的非磁性晶界组合 时，颠倒磁场化W的温度依赖性在居里温度附近较大地变化，在磁头发生的记录磁场W下， 与W往相比能够在大幅降低的温度下进行热辅助记录。此外，该温度区间中颠倒磁场的温 度梯度增大，能够提高热辅助记录时的记录分辨率。
[0062] 通过对上述磁记录层15、第一磁记录层25、第二磁记录层35附加地配置其他磁性 层，能够进一步提高磁记录介质的性能。W下，将由磁记录层15、第一磁记录层25、第二磁 记录层35构成的层单纯地总称为磁记录层。
[0063] 通过进一步配置具有与磁记录层不同的居里温度Tc的Tc控制磁性层，设定与两 者的Tc相应的记录温度，能够降低记录时所需的磁记录介质整体的颠倒磁场。例如，能够 将Tc控制磁性层的居里温度设定为低于磁记录层的居里温度。如果将记录温度设定在两 者的居里温度的中间，则在记录时Tc控制磁性层的磁化消失，使记录颠倒所需的磁场降 低。该样，能够降低对磁记录头要求的记录时的发生磁场，发挥良好的磁记录性能。
[0064] Tc控制磁性层的配置可W在磁记录层的上下任意一方。Tc控制磁性层优选是粒 状结构。特别优选使磁记录层和Tc控制磁性层的磁性晶粒配置在大致相同的位置。通过 配置在大致相同的位置，能够提高信噪比（SNR)等性能。
[00化]构成Tc控制磁性层的磁性晶粒优选采用至少含有Co、化中的任意一种的材料， 进而优选含有Pt、PtNi、Mn、化、化、Ag、Au中的至少一种。例如，能够使用Co化系合金、 Co化Pt系合金、化Pt系合金、化Pd系合金等。磁性晶粒的晶体结构能够是L1。型、L1 1型、 L12型等有序结构、hep结构（六方最密堆积结构）、fee结构（面屯、立方结构）等。
[0066] 作为构成Tc控制磁性层的非磁性晶界的材料，能够使用上述的Ge氧化物、或者 Si化、Ti化等氧化物、SiN、TiN等氮化物、C、B等。
[0067] 作为Tc控制磁性层，也可W使用与磁记录层相同材料、不同组成的层。例如可W 采用变更了磁记录层中的Ge氧化物的比率的层、变更了对非磁性晶界添加的Mn氧化物等 材料的层、变更了对有序合金添加的Ni等元素的层等。
[0068] 为了调整磁记录层与Tc控制磁性层之间的磁交换禪合，优选在磁记录层与Tc控 制磁性层之间配置交换禪合控制层。通过调整记录温度下的磁交换禪合，能够调整颠倒磁 场。交换禪合控制层能够与要求的交换禪合相应地选择具有磁性的层、非磁性的层。为了 提高记录温度下的颠倒磁场的降低效果，优选使用非磁性层。
[0069] 通过配置具有与磁记录层不同的单轴晶体磁各向异性常数Ku的Ku控制磁性层， 在两者之间设定适当的磁交换禪合，能够提高记录保存时所需的磁记录介质整体的热稳定 性。
[0070] Ku控制磁性层的配置可W在磁记录层的上下任意一方。Ku控制磁性层优选是粒 状结构。特别优选使磁记录层和Ku控制磁性层的磁性晶粒配置在大致相同的位置，通过配 置在大致相同的位置，能够提高信噪比（SNR)等性能。
[0071] 构成Ku控制磁性层的磁性晶粒优选采用至少含有Co、化中的任意一种的材料， 进而优选含有Pt、PtNi、Mn、化、化、Ag、Au中的至少一种。例如，能够使用Co化系合金、 Co化Pt系合金、化Pt系合金、化Pd系合金等。磁性晶粒的晶体结构能够是L1。型、L1 1型、 L12型等有序结构、hep结构（六方最密堆积结构）、fee结构（面屯、立方结构）等。
[0072] 作为构成Ku控制磁性层的非磁性晶界的材料，能够使用上述的Ge氧化物、或者 Si化、Ti化等氧化物、SiN、TiN等氮化物、C、B等。
[0073] 作为Ku控制磁性层，也可W使用与磁记录层相同材料、不同组成的层。例如可W 采用变更了磁记录层中的Ge氧化物的比率的层、变更了对非磁性晶界添加的Mn氧化物等 材料的层、变更了对有序合金添加的Ni等元素的层等。
[0074] 为了调整磁记录层与Ku控制磁性层之间的磁交换禪合，优选在磁记录层与Ku控 制磁性层之间配置交换禪合控制层。通过调整记录保存时的磁交换禪合，能够调整热稳定 性。交换禪合控制层能够与要求的交换禪合相应地选择具有磁性的层、非磁性的层。为了 提高记录保存温度下的热稳定性的提高效果，优选使用非磁性层。
[0075] 作为其他磁性层，也可W配置间隙层。在磁记录层的上方或下方，能够配置在磁性 层的层内磁连续的层。通过配置该连续磁性层，能够调整磁记录介质的磁化颠倒。
[0076] 构成连续磁性层的材料优选采用至少含有Co、化中的任意一种的材料，进而优选 含有Pt、PtNi、Mn、化、化、Ag、411、稀±元素中的至少一种。例如，能够使用Co化系合金、 Co&Pt系合金、FePt系合金、FePd系合金、CoSm系合金等。连续磁性层也可W用多晶体或 非晶质中的任意一种构成。用多晶体构成的情况下的晶体结构，能够是L1。型、L