11型、L12 型等有序结构、hep结构（六方最密堆积结构）、fee结构（面屯、立方结构）等。
[0077] 上述各磁性层具有在保存记录的温度下与磁记录层协作地保持与要记录的信息 (例如0、1的信息）对应的磁化的作用，和/或具有在记录的温度下与磁记录层协作地使记 录变得容易的作用。为了有助于该目的，能够附加上述Tc控制磁性层、Ku控制磁性层、连 续磁性层W外的磁性层。例如，也可W附加控制颠倒磁场的磁性层、控制矫顽力化的磁性 层、控制饱和磁化Ms的磁性层等控制磁特性的磁性层、面向微波辅助磁记录的控制强磁性 共振频率的磁性层等。此外，附加的磁性层可W是单层，也可W是使具有不同组成等不同的 层叠层的结构。
[007引 实施例
[0079] 按照W下流程形成具有非磁性基板、在其上方依次设置的化密合层、化衬底层、 MgO晶种层、有序合金型化Pt系磁记录层和C保护膜的垂直磁记录介质。
[0080] [实施例U
[oow] 非磁性基板使用化学强化玻璃基板（H0YA公司制造的N-10玻璃基板）。从化密 合层到C保护膜的成膜，使用无大气开放的直列式的成膜装置进行。在Ar气氛中使用纯 化祀通过DC磁控瓣射法使膜厚5nm的化密合层成膜。进而，在Ar气氛中使用纯&祀通 过DC磁控瓣射法使膜厚20皿的化衬底层成膜。接着，在将基板加热至30(TC的状态下， 使用MgO祀通过RF瓣射法使膜厚5nm的MgO晶种层成膜。在使MgO层成膜时，Ar气气氛 的压强是0. 〇2Pa，RF投入电力是200W。接着，如下所述地使化Pt-Ge〇2层成膜作为磁记录 层。具体而言，先将基板加热至450°C，再使用含有化Pt和Ge化的祀通过DC磁控瓣射法使 膜厚10皿的化Pt-Ge〇2层成膜。含有化Pt和GeO2的祀，调整为成膜时的组成是75vol% 化Pt-25vol%Ge〇2。此处，FePt成膜时的组成是50at. %化-50at. %Pt，其中vol%表示体 积百分比，at. %表示原子数百分比。只要没有特别明示，则W下也相同。使化Pt-Ge〇2层 成膜时，Ar气气氛的压强是1.OPa，DC投入电力是25W。最后，用瓣射法使膜厚3皿的C保 护膜成膜。
[00間[实施例引
[0083] 如下所述地使化Pt-C层成膜作为第一磁记录层。具体而言，先将基板加热至 450°C，再使用含有化Pt和C的祀通过DC磁控瓣射法使膜厚2皿的化Pt-C层成膜。含有 化Pt和C的祀，调整为成膜时的组成是60vol%化Pt-40vol%C。使化Pt-C层成膜时，Ar 气气氛的压强是1.OPa，DC投入电力是25W。接着，如下所述地使化Pt-Ge〇2层成膜作为第 二磁记录层。具体而言，先将基板加热至450°C，再使用含有化Pt和Ge化的祀通过DC磁控 瓣射法使膜厚7皿的化Pt-Ge〇2层成膜。含有化Pt和GeO2的祀，调整为成膜时的组成是 75vol%化Pt-25vol%Ge〇2。使化Pt-Ge〇2成膜时，Ar气气氛的压强是1. 0Pa，DC投入电力 是25W。上述W外采用与实施例1同样的方法。
[0084][实施例3]
[0085] 除实施例2的化Pt-Ge化层具有膜厚3皿W外采用与实施例2同样的方法。
[0086][比较例U
[0087] 如下所述地使化Pt-Si化层成膜代替实施例1的化Pt-GeO2层。具体而言，先将基 板加热至450°C，再使用含有化Pt和Si化的祀通过DC磁控瓣射法使膜厚lOnm的化Pt-SiO2 层成膜。含有化Pt和Si〇2的祀，调整为成膜时的组成是77vol%化Pt-23vol%SiO2。上 述W外采用与实施例1同样的方法。
[00能][比较例引
[0089] 如下所述地使化Pt-Ti〇2层成膜代替实施例1的化Pt-Ge〇2层。具体而言，先将基 板加热至450°C，再使用含有化Pt和Ti化的祀通过DC磁控瓣射法使膜厚lOnm的化Pt-TiO2 层成膜。含有化Pt和Ti〇2的祀，调整为成膜时的组成是77vol%化Pt-23vol%TiO2。上 述W外采用与实施例1同样的方法。
[0090] 在第1表中示出了实施例1~3和比较例1、2的实验条件。对于磁各向异性 常数Ku，使用PPMS装置（Quan1:umDesi即公司制造，化ysicalPropertyMeasurement System(物理性能测量系统）），评价自发磁化的磁场施加角度依赖性，基于非专利文献1、2 计算。第1表中，M02代表Ge〇2、Si〇2、或者Ti化。化Pt-Ge化/FePt-C的描述，代表化Pt-Ge化 层是上层，化Pt-C层是下层。此外，对于实施例1~3和比较例1、2的磁记录层具有目标 的L1。有序结构，通过有无X射线衍射狂RD)的超晶格线（001)进行确认。
[0091] [表 1]
[0092]
【主权项】
1. 一种包括非磁性基板和磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构， 所述磁性晶粒含有有序合金，所述非磁性晶界含有Ge氧化物。
2. 如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述非磁性晶界还含有从由Mn氧化物、Si氧化物、A1氧化物、Zn氧化物、B氧化物和Ti氧化物构成的组中选择的至少一者。
3. 如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述磁性晶粒含有LI。型有序合金。
4. 如权利要求3所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述[^型有序合金含有Fe和Pt。
5. 如权利要求4所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述型有序合金还含有从由Ni、Mn、Cr、Cu、Ag和Au构成的组中选择的至少一者。
6. -种依次包括非磁性基板、第一磁记录层和第二磁记录层的垂直磁记录介质，其特 征在于： 所述第一磁记录层具有包括第一磁性晶粒和包围所述第一磁性晶粒的第一非磁性晶 界的粒状结构，所述第一磁性晶粒含有有序合金，所述第一非磁性晶粒含有C， 所述第二磁记录层具有包括第二磁性晶粒和包围所述第二磁性晶粒的第二非磁性晶 界的粒状结构，所述第二磁性晶粒含有有序合金，所述第二非磁性晶界含有Ge氧化物。
7. 如权利要求6所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述第二非磁性晶界含有从由Mn氧化物、Si氧化物、A1氧化物、Zn氧化物、B氧化物 和Ti氧化物构成的组中选择的至少一者。
8. 如权利要求6或7所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述第一磁性晶粒和所述第二磁性晶粒中的至少一者含有LL型有序合金。
9. 如权利要求8所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述[^型有序合金含有Fe和Pt。
10. 如权利要求9所述的垂直磁记录介质，其特征在于： 所述型有序合金还含有从由Ni、Mn、Cr、Cu、Ag和Au构成的组中选择的至少一者。
【专利摘要】本发明提供一种垂直磁记录介质，其磁性晶粒被充分有序化且晶粒分离、并且具有较高的磁各向异性常数。提供一种具有较高矫顽力的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质包括非磁性基板和磁记录层。特征在于：上述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围上述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构，上述磁性晶粒含有有序合金，上述非磁性晶界含有Ge氧化物。
【IPC分类】G11B5-65, G11B5-64
【公开号】CN104718574
【申请号】CN201380051719
【发明人】小野拓也, 岛津武仁
【申请人】富士电机株式会社
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年12月6日
【公告号】US20150213821, WO2014087665A1