〇2、!10 2、1^203、￥203、了 &205、恥205和11?)2中的至少1种成分。
[0037] 本实施方式的玻璃基板优选为例如由如下组成构成的无定形的铝硅酸盐玻璃：以 质量％表示，含有57%~75%的Si0 2;5%~20%的A1 203(其中，Si〇dPAl203的总量为74% 以上）；合计超过0%且在6%以下的Zr0 2、Hf02、Nb205、Ta20 5、La203、Y203以及Ti0 2;超过1 % 且在9%以下的Li20 ;5%~28%的Na20(其中，质量比Li20/Na20为0. 5以下）；0%~6% 的K20 ;0 %~4%的MgO ;超过0 %且在5 %以下的CaO (其中，MgO与CaO的总量为5 %以下， 而且CaO的含量多于MgO的含量）；以及0 %~3 %的SrO+BaO。
[0038] 本实施方式的玻璃基板例如可以为下述结晶化玻璃，其特征在于，以氧化物基准 的质量％计，含有45. 60 %~60 %的Si02、7 %~20 %的A1203、1. 00 %~小于8 %的B203、 0? 50 %~7 %的P205、1 %~15 %的Ti02、和总量为5 %~35 %的R0 (其中R为Zn和Mg)的 各成分，0&0的含量为3.00%以下，1^0的含量为4%以下，不含有？130成分、48 203成分和 Sb203成分及C1 _、勵_、502_』_成分，作为主结晶相，含有选自狀1 204、1?21104、（其中1?为选自 Zn、Mg中的一种以上）中的一种以上，主结晶相的结晶粒径为0? 5nm~20nm的范围，结晶 度为15%以下，比重为2. 95以下。
[0039] 本实施方式的磁盘用玻璃基板的组成可以如下：作为必要成分，包含Si0 2、Li20、 Na20、以及选自由MgO、CaO、SrO和BaO组成的组中的一种以上的碱土金属氧化物，CaO的含 量相对于Mg0、Ca0、Sr0和BaO的总含量的摩尔比（Ca(V(Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))为0.20以下， 玻璃化转变温度为650°C以上。这种组成的磁盘用玻璃基板适合于在能量辅助磁记录用磁 盘中所用的磁盘用玻璃基板。
[0040] 本实施方式中的磁盘用玻璃基板为圆环状的薄板的玻璃基板。无论磁盘用玻璃基 板的尺寸如何，例如，作为公称直径2. 5英寸的磁盘用玻璃基板是合适的。
[0041] 图1A和图1B示出本实施方式的磁盘用玻璃基板G。图1A是磁盘用玻璃基板G的 俯视图，图1B是磁盘用玻璃基板G的板厚方向的截面图。
[0042] 磁盘用玻璃基板G具备一对主表面llp、12p、形成于外周侧端部的侧壁面llw、以 及介于侧壁面llw与主表面llp、12p之间的倒角面llc、12c。
[0043] 玻璃基板G在中心部具有圆孔。侧壁面llw包含玻璃基板G的板厚方向的中心位 置32 (参照图2)。图2是说明玻璃基板G的外周端面的圆筒度的测定方法的图，表示玻璃 基板G的外周端面的板厚方向的截面。对倒角面llc、12c相对于主表面llp、12p的倾斜角 度不作限定，例如为45°。另外，侧壁面llw和倒角面11c、12c的边界不限定为具有图示那 样的边缘的形状，也可以为光滑地连续的曲面状。
[0044] 本实施方式的磁盘用玻璃基板G中，板厚方向的中心位置32处的侧壁面llw的 正圆度为1. 5 ym以下，圆筒度为5 ym以下。图3是说明玻璃基板G的外周端面的圆筒度 的测定方法的图，示出包括上述中心位置32在内的、在板厚方向上不同的多个位置31、32、 33的侧壁面llw的多个轮廓线31a、32a、33a(参照图3)。如图3所示，圆筒度是指这些轮 廓线的内切圆C1和外切圆C2(参照图3)的半径之差R。需要说明的是，这样的半径之差 R所指的评价指标越接近零，则可以说外周端面的形状越接近几何学圆筒，因此本说明书中 将上述评价指标称为"圆筒度"。
[0045](正圆度）
[0046] 正圆度的测定方法可以为公知的方法。例如，将比玻璃基板的板厚更长的板状探 针按照与外周端面相对的方式配置于与玻璃基板的主表面垂直的方向，使玻璃基板在圆周 方向旋转，从而取得轮廓线，可以将该轮廓线的内切圆与外切圆的半径之差作为玻璃基板 的正圆度算出。需要说明的是，正圆度的测定中例如可以使用正圆度?圆筒形状测定装置。
[0047] 侧壁面llw的正圆度的调节例如通过后述说明的端面磨削加工和根据需要进行 的利用了磁性粘性流体（MagnetoRheological Fluid;下文中简称为"MRF"）的端面研磨来 进行。
[0048](圆筒度）
[0049] 如图2所示，侧壁面llw的圆筒度利用在侧壁面llw在板厚方向上不同的多个测 定位置31、32、33所取得的各轮廓线求出。测定位置32为玻璃基板G的板厚方向的中心位 置。测定位置31、33例如为沿板厚方向相距测定位置32为200 ym的位置。需要说明的是， 本实施方式中，侧壁面llw上的多个测定位置为3处。在板厚为0.635mm以下的情况下；及 由于倒角量大等原因，由上述测定位置的决定方法得到的测定位置31和33从侧壁面上偏 离的情况下，也可以将在板厚方向上与测定位置32分别距离100 ym的位置作为测定位置 31、33。测定位置的个数也可以多于3。
[0050] 作为用于测定各测定位置31~33处的玻璃基板G的外周端面的形状的测定装 置，使用在侧壁面llw的测定位置31~33可区别取得各轮廓线31a、32a、33a的测定装置。 测定装置可以使用与上述正圆度同样的测定装置。触针优选使用例如尖端的曲率半径为 q)0.4mm以下等的曲率半径比较小的小孔用测头。测定时，触针 3按照与玻璃基板G的测 定壁llw的各测定位置31~33相对的方式进行配置，对每一处依次进行测定。
[0051] 在与各测定位置31~33相对地配置触针3的状态下，使玻璃基板G旋转一周，由 此取得各测定位置31~33的轮廓线31a~33a。并且，基于由重叠所取得的3个轮廓线 31a~33a所得到的轮廓线、通过最小二乘法所求出的中心0,与上述正圆度时同样地决定 与最外侧接触的外切圆C2和与最内侧接触的内切圆C1。然后，将这些外切圆C2和内切圆 C1的半径之差R作为侧壁面llw的圆筒度求出。
[0052] 侧壁面llw的圆筒度例如通过后述的端面磨削加工和根据需要进行的利用了 MRF 的端面研磨来进行调节。
[0053] (形状评价值）
[0054] 参照图4和图5,对玻璃基板G的形状评价值进行说明。形状评价值是指用于评价 玻璃基板G的外周的侧壁面和倒角面的同轴程度的指标值。
[0055] 图4和图5是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板G的外周端面的形状评价值的测 定方法的图。图4示出玻璃基板G的外周端面的板厚方向的截面。对侧壁面llw的倾斜角 度不作特别限制，例如为40°~70°。另外，侧壁面llw和倒角面llc、12c的边界不限定 为具有图示那样的边缘的形状，也可以为光滑地连续的曲面状。
[0056] 关于形状评价值，分别取得在侧壁面llw上的板厚方向距离200 ym的两点位置 37、38处的圆周方向的轮廓线，将由这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆37c、38c的中 心37〇、38〇间的中点作为中点A，同时进一步在两个倒角面1 lc、12c上的板厚方向长度的中 心的位置34、35分别取得圆周方向的轮廓线，在由这些轮廓线求出的最小二乘圆34c、35c 的中心34〇、35〇中，将由一个倒角面11c求出的中心34〇作为中心B，将由另一个倒角面12c 求出的中心35〇作为中心C时，形状评价值为中点A和中心B间的距离a与中点A和中心 C间的距离b的合计。玻璃基板G的形状评价值优选为1. 0 ym以下。更优选为0. 5 ym以 下。
[0057] 侧壁面llw上的两个位置37、38例如为从玻璃基板G的板厚方向的中心位置起向 主表面lip、12p侧各距离100 ym的位置。用于取得倒角面11c、12c的轮廓线的测定位置 34、35例如为从主表面llp、12p起分别向板厚方向的中心位置侧等距离靠近的位置（例如， 在玻璃基板G的倒角面的板厚方向长度为0. 15mm的情况下，从玻璃基板G的主表面llp、 12p起向中心位置各靠近0. 075mm的位置）。
[0058] 作为用于在各测定位置37、38、34、35测定外周端面的形状的测定装置，例如可以 使用正圆度?圆筒形状测定装置。正圆度?圆筒形状测定装置的触针3可以在上下方向 (板厚方向）以微米单位移动。
[0059] 需要说明的是，在测定之前，利用千分尺预先测定玻璃基板G的板厚。另外，利用 轮廓形状测定机预先测定半径方向的截面的倒角面的形状、板厚方向和半径方向的各长 度、相对于主表面的角度、以及侧壁面的长度。关于倒角面与侧壁面的边界的位置，在任一 外形线均为直线状的情况下，利用侧壁面的延长线与倒角面的延长线的交点可确定倒角面 与侧壁面的边界的位置。在倒角面或侧壁面的外形线为圆弧状...