电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器领域，具体而言，涉及一种电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法。
【背景技术】
[0002]目前，定制的电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Read-OnlyMemory,简称EEPROM)芯片通常加入一些额外的功能电路来满足客户对于EEPROM芯片特殊的性能要求。对于这些功能需求，在EEPROM电路设计时，通常加入一些由测试管脚控制的开关电路来对EEPROM芯片的时间、速度等性能指标进行微调。但是随着功能的增多，测试管脚也逐步增多，不但增加EEPROM芯片整体的管脚数量，而且还增大EEPROM芯片测试时的初始化时间。由于EEPROM芯片整体的管脚数量增多，导致EEPROM芯片的使用不便。
[0003]针对现有技术中EEPROM芯片整体的管脚数量多导致EEPROM芯片使用不便的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【发明内容】
[0004]本发明的主要目的在于提供一种电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法，以解决现有技术中EEPROM芯片整体的管脚数量多导致EEPROM芯片使用不便的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种电可擦可编程只读存储器。根据本发明的电可擦可编程只读存储器包括:逻辑前置电路，用于接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值；以及内部电路，内部电路设置在电可擦可编程只读存储器上，内部电路与逻辑前置电路相连接，用于存储设定值。
[0006]进一步地，电可擦可编程只读存储器还包括安全存储区域，安全存储区域包括冗余地址，电可擦可编程只读存储器通过冗余地址读取设定值。
[0007]进一步地，电可擦可编程只读存储器还包括数据存储区域，数据存储区域的存储空间大于安全存储区域的存储空间。
[0008]进一步地，逻辑前置电路包括数据总线，数据总线用于接收写入的设定数据，并将在数据总线内写入的设定数据作为设定值。
[0009]进一步地，电可擦可编程只读存储器还包括:寄存器，与数据总线相连接，用于存储数据总线的数据。
[0010]进一步地，逻辑前置电路包括多个输出总线，多个输出总线用于将设定值拆分，并将拆分后的设定值逐一传输给内部电路。
[0011]为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种电可擦可编程只读存储器的数据处理方法。根据本发明的数据处理方法包括:逻辑前置电路接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值，其中，逻辑前置电路与电可擦可编程只读存储器的内部电路相连接；以及逻辑前置电路将设定值传输给内部电路，其中，内部电路用于存储设定值。
[0012]进一步地，在逻辑前置电路接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值之后，数据处理方法还包括:逻辑前置电路接收选区信号，选区信号用于选择电可擦可编程只读存储器的存储区域；基于选区信号选择电可擦可编程只读存储器的安全存储区域；以及通过安全存储区域的冗余地址读取设定值。
[0013]进一步地，逻辑前置电路包括多个输出总线，其中，逻辑前置电路将设定值传输给内部电路包括:逻辑前置电路对设定值进行拆分；将拆分后的设定值赋值给多个输出总线；以及通过多个输出总线将拆分后的设定值传输给内部电路。
[0014]进一步地，逻辑前置电路包括数据总线，其中，逻辑前置电路接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值包括:数据总线接收写入的设定数据，将设定数据作为设定值，在逻辑前置电路接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值之后，数据处理方法还包括:将设定数据写入寄存器。
[0015]通过本发明，采用逻辑前置电路，用于接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值；以及内部电路，内部电路设置在电可擦可编程只读存储器上，内部电路与逻辑前置电路相连接，用于存储设定值，解决现有技术中EEPROM芯片整体的管脚数量多导致EEPROM芯片使用不便的问题，进而达到了减少管脚数量的效果。
【附图说明】
[0016]构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0017]图1是根据本发明实施例的电可擦可编程只读存储器的电路图；
[0018]图2是根据本发明实施例可选的电可擦可编程只读存储器的电路图；以及
[0019]图3是根据本发明实施例的电可擦可编程只读存储器的数据处理方法的流程图。
【具体实施方式】
[0020]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0021 ] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0022]需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0023]本发明实施例提供了一种电可擦可编程只读存储器，该电可擦可编程只读存储器可以是通过集成电路形成的EEPROM芯片。
[0024]本发明实施例的电可擦可编程只读存储器包括逻辑前置电路和内部电路。逻辑前置电路用于接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值。内部电路设置在电可擦可编程只读存储器上，该内部电路与逻辑前置电路相连接，用于存储设定值。
[0025]用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值可以是现有技术中用于输入测试管脚的设定值，可以采用寄存器存储该设定值。采用逻辑前置电路代替测试管脚，从而减少测试管脚的数量减少EEPROM芯片中测试管脚占整体管脚的数量，同时不影响原有测试管脚所控制的电路的功能。
[0026]本发明实施例中，可以将加入新的内部数据总线DBIX与原有的数据总线DBI相关联，同时结合已有的输入信号(A，SMSEL，WEN)作为逻辑电路的控制信号，来实现逻辑前置电路的功能。具体地，如图1所示，A为EEPROM芯片的地址输入信号，SMSEL为选区信号，WEN为使能信号。电可擦可编程只读存储器包括安全存储区域(Security Memory，简称SM)和数据存储区域(Data Memory，简称DM)，数据存储区域的存储空间大于安全存储区域的存储空间。安全存储区域包括冗余地址，电可擦可编程只读存储器通过冗余地址读取设定值。EEPROM芯片的储存区域分为两部分，通过SMSEL信号进行选取，Data Memory (DM)区域往往远大于Security Memory (SM)区域,这样SM区域将存在冗余地址,此次逻辑前置电路将利用SM区域的冗余地址线作为EEPROM芯片电路判断的条件，通过该冗余地址读取设定值，用于测试EEPROM芯片。由于EEPROM芯片输出位越少，所需要的地址越多，对于多位输出的EEPROM芯片(32位或36位输出)而言，一个地址所储存的数据将足以满足原有的测试管脚的数量需求。
[0027]对于32位以下输出的EEPROM芯片则将采用多个地址的协同控制电路，如图2所示，通过多组(A，SMSEL)作为控制信号进行控制。
[0028]逻辑前置电路包括数据总线，数据总线用于接收写入的设定数据，并将在数据总线内写入的设定数据作为设定值。如图所示，数据总线包括新加入的第一数据总线DBIX和第二数据总线DBI (原有的数据总线)。逻辑前置电路还包括新逻辑块NLB (New LogicBlock)。数据总线将接收到的数据传输至新逻辑块NLB。
[0029]电可擦可编程只读存储器还包括寄存器，该寄存器与数据总线相连接，用于存储数据总线的数据。本发明实施例中，对于测试管脚的写入操作基于寄存器，而非内部地址，借用内部地址(即上述中冗余地址)作为控制逻辑，同时可以调用地址读取寄存器数据。逻辑前置电路包括多个输出总线，多个输出总线用于将设定值拆分，并将拆分后的设定值逐一传输给内部电路。
[0030]具体地，DBIX数据信号的引入，更多的是为了在EEPROM芯片测试结束后，将最好的测试管脚的设定值进行存储，可以通过THC(TIE HIGH CELL)和TLC(TIE LOW CELL)元器件来完成电路内部数据(最好的测试管脚的设定值)的储存，此数据将固定于寄存器当中，同时以DBIREG的信号总线作为电路内部输出，而所有测试管脚的设定值将从信号DBIREG中分开定义，按照测试管脚的位数需求，拆分逐一赋值给需要测试管脚引导的后续连接电路CC (Connected Circuit)。DBIX的数据只受到全局重置信号RSTN的控制，在EEPROM芯片电路初始化或重置后，测试管脚的设定值将完全由内部数据信号线DBIX统筹。如果内部固定设定值不是最好的数据选择，在满足控制信号条件下，可以通过第二数据总线DBI写入，来更改测试管脚的数据设定。
[0031]DBI数据输入总线将和写使能信号WEN结合，能够使得DBI的数据作为测试管脚的数据值输入，当满足RSTN为高的条件，在WEN下降沿来临时触发，将DBI数据写入相应寄存器当中，同时此数据将作为DBIREG输出，所有测试管脚的设定值将类似于DBIX的逻辑，同样从输出信号DBIREG中分开定义，而当地址信号以及SMSEL控制信号满足相应的条件时，DBIREG的值将传递给输出数据总线DBO，作为所选取地址的数据输出。全局数据输出总线DBO可以用来描述原有的测试管脚的设定值。
[0032]DBI数据的写入将独立于EEPROM芯片内部的状态机写状态的跳转，不需要执行写的操作以及消耗写的时间，只