专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件及其制造方法，特别涉及适合薄型IC卡及IC标签等要求高可靠性的LSI芯片的半导体器件及其制造方法。
背景技术：
以下，以LSI芯片用于IC卡的情况为例说明背景技术。
关于已有的IC卡的制造方法，例如，被记载于日本专利文献特开平11-296642号公报中。图1(a)及(b)为表示已有的IC卡的构造的剖面图。
首先，在背面侧重叠加固板350，其中，该背面侧没有形成通过划片加工而从晶片上分离的半导体芯片230的元件。
接着，通过粘在作为卡片母材的聚对苯二甲酸乙二酯材料(以下简称PET材料)380上形成的银膏布线330上的各向异性导电性粘接剂310，连接在半导体芯片230上形成的凸起340和银膏布线330，来粘接固定。
上述已有的方法存在如下问题。即通过划片加工而从晶片上分离的半导体芯片的背面侧、即划片刀片收回的一侧，多发生破片(切断面端的缺损)，在此种状态下，由于进行如验证IC卡可靠性试验项目中的弯曲试验，从通过划片而发生破片的部位，产生芯片破损。
为了防止这种芯片破损，有必要使芯片230具有刚性，所以在芯片背面安装了加固板350。但是，即使构成这种装入加固板的IC卡，也由于实施弯曲试验等使得布线基板(构成卡片母材的PET材料380兼用作布线基板)接触加固板350的端部，布线基板的断线、加固板350从PET材料380飞出，从而在半导体芯片230上产生应力，发生芯片破损。
另外，由于需要使IC卡内的空间厚度增加相应于安装加固板350的量，所以材料费增加、处理工序和距离卡片制作的时间也变长，花费大。再有，由于卡片加装加固板，故存在卡片厚度被限制的问题点。
另外，对于IC标签的安装，使用通过划片加工从晶片上分离的半导体芯片，基于由划片加工所致的发生破片的芯片破损问题是共同的重要课题。
发明内容
这样，本发明的目的是解决上述已有技术的问题点(课题)，提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法，当通过划片将LSI芯片从晶片上分离之时，不会发生破片(切断面一端的缺损)，即使有也能够减低到实用中能够容许的程度。
具体地讲，在通过划片将LSI芯片从晶片上分离之时，通过抑制在LSI芯片的外周端部发生的破片，对于IC卡和LSI标签的安装，用简单构造就能够削减材料费和制作时间，特别提供一种薄型IC卡，对于IC卡的安装，即使没有加固板的构造也具有与有加固板的状态相同的高可靠性，提供一种LSI标签，对于LSI标签的安装，提供高合格率、高可靠性。
为了达到以上目的，对于本发明的半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。
另外，优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°，再有，实际应用中优选当半导体芯片四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。
就有关获得上述半导体器件的制造方法的概要进行说明。
上述半导体器件的制造方法如下当使用划片刀片沿着划片线从半导体晶片分离半导体芯片之时，以上述晶片上形成半导体元件的面的划片线为基准，使用顶端形状锐利的划片刀片，在半导体晶片的元件形成面及其背面，进行预定深度的槽加工。
然后，将顶端形状更锐利的划片刀片对准已形成的槽中央部分，分离成单个的半导体芯片。在所分离的半导体芯片表面和背面的端部，制作被倒角了的半导体芯片。半导体芯片表面和背面的端部被倒角而形成的倾斜角度，可以通过选择用于槽加工的划片刀片的刃尖的角度(顶角)θ′来进行调节。
例如，使用刃尖顶角θ′为20°～90°的划片刀片时，能够切断、分离具有倒角倾斜角θ为100°≤θ≤135°的端部的半导体芯片。这样，使用刃尖顶角θ′为90°的的划片刀片时，被分离的半导体芯片的四边的倾斜角θ各为135°。
而且，对晶片的两个面进行槽加工时，划片刀片的刃尖的角度(顶角)θ′各自使用不同的角度时，能够得到端部表面和背面处的倾斜角度不同的被倒角的半导体芯片。
在此，就获得上述半导体器件的本发明的具有代表性的制造方法的特征进行说明。
第1制造方法，包含通过划片加工从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，该制造方法的特征在于，在上述划片加工中具有具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的第1划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的第1槽的工序；和从上述半导体晶片的背面，使用具有预定顶角θ′的第2划片刀片，沿着上述划片线，形成第2槽的工序。
第2制造方法，具有包含划片加工的从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，其特征在于，在上述半导体芯片的切断、分离工序中具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的槽的工序；和将上述晶片翻转，从背面加压，由此在上述槽部分劈开半导体晶片进行分离的工序。
第3的制造方法，具有包含划片加工的从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，其特征在于，在上述半导体芯片的切断、分离工序中具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的槽的工序；和通过干法腐蚀分离上述槽部分的工序。
此半导体芯片，例如使用于IC芯片时，由于所制成的半导体芯片在芯片表面和背面的端部被倒角，所以即使不使用加固板，其机械的强度也好，从而能够获得可靠性高的IC卡。
另外，将此半导体芯片安装为IC标签时，能得到安装合格率高且可靠性高的IC标签。
图1为表示使用已有的半导体芯片制作IC卡的方法的说明图。
图2为使用本发明的半导体芯片制作而成的IC卡的说明图。
图3为使用本发明的半导体芯片制作IC卡的工序图。
图4为作为将半导体芯片从半导体晶片上分离的本发明的实施例的工序图。
图5为作为将半导体芯片从半导体晶片上分离的本发明的其它的实施例的工序图。
图6为作为将半导体芯片从半导体晶片上分离的本发明的其它的实施例的工序图。
图7为作为将半导体芯片从半导体晶片上分离的本发明的其它的实施例的工序图。
图8为作为将半导体芯片从半导体晶片上分离的本发明的其它的实施例的工序图。
图9为用本发明的半导体芯片制作而成的IC标签的剖面图。
图10为用本发明的半导体芯片制作而成的IC标签的剖面图。
图11为用本发明的半导体芯片制作IC标签的工序图。
图12为用本发明的半导体芯片制作而成的IC标签的特性图。
而且，以下依次进行各图面上的符号说明。
11…引线(天线)、12…杜美丝(Dumet wire)、13…玻璃管、14、31(14a、31a)…IC芯片(无线芯片)、100…半导体晶片 110…磨石、120…划片胶带、130…粘合剂、140…真空吸盘、150…晶片环、160…显微镜、170…监视器、180…校准用窗口、181…校准用窗口、190…划片刀片、200…第1槽、210…第2槽、220…第3槽、230…半导体芯片、240…保护层、250…用于干法腐蚀的气体、260…辊、270…胶带、280…工作台、290…加热器、300…控制部、310…各向异性导电性粘接剂、320…各向异性导电性粒子、330…银膏布线、340…凸起、350…加固板、360…IC卡、370…线圈、380…PET材料、390…θ(角度)。
具体实施例方式
以下，采用附图对本发明的实施例进行详细说明。
<实施例1>
图2(a)、(b)及(c)为表示根据本发明的薄型IC卡的构造的俯视图、剖面图及半导体芯片的放大图。如图中表示那样，在半导体芯片230的元件内形成的凸起340一侧及其背面的端部，形成了被倒角的形状。
如图2(c)所示，与半导体芯片230的元件形成面及其背面交叉的端部的倒角角度(倾斜角度)θ被限制在90°＜θ＜180°范围内，更好的范围为100°≤θ≤135°。此半导体芯片230通过各向异性导电性粘接剂310牢固地保持在由PET材料构成的基板380上的布线330上，相互不分离。
这样的本发明的薄型IC卡，由于在其上下的PET材料380夹着IC芯片230，并用粘合剂130进行固定，所以在PET材料380表面是没有凹凸、平坦粘接的简单构造。即使PET材料380弯曲，由于半导体芯片230的端部不会和PET材料380接触，所以粘合剂130对半导体芯片230不会有应力集中部分。这样，本发明中，由于在半导体芯片230的端部进行倒角，故不会发生破片，不需要如图1所示的已有的IC卡所必须有的加固板。
图3表示安装薄型IC卡的工序图。
如图3(a)所示，通过划片从晶片分离的半导体芯片230，固定在加热器290上后，对划片胶带120加热，使粘接性下降后，用由控制部300控制的真空吸盘140吸附固定半导体芯片230的元件面。还有，关于半导体芯片230端部的倒角以及从晶片上分离的具体制造方法的例子在实施例2～6中详细叙述。
通过划片而从晶片分离的半导体芯片230能够容许的破片的大小为芯片厚度约二分之一的程度，因此使用芯片厚度为50～300μm的半导体芯片。
接着，如图3(b)所示，用另外一个真空吸盘140吸附先前吸附的半导体芯片230的背面侧，在预先被固定在PET材料380上的各向异性导电性粘接剂310上暂时粘接固定后，进行正式粘接。
接着，如图3(c)所示，将PET材料380和粘合剂130粘接固定在已被正式粘合的半导体芯片230的背面侧。其后，对卡片整体施加预定的压力而结束。
通过这样得到的IC卡构造，当通过各向异性导电性粘接剂310将半导体芯片元件面接合于银膏布线面时，即使对芯片整体施加压力，也因为半导体芯片端部进行了倒角，所以形成应力与芯片无关的构造体，从而可得到薄、强抗弯曲，机械强度好的IC卡片。
<实施例2>
图4表示通过划片将半导体芯片230从晶片分离的本发明的制造工序图。首先，如图4(a)所示，用粘合剂130将被层叠在半导体晶片100上的半导体元件表面，粘合在被安装在晶片环150上的划片胶带120上。然后，将划片胶带120吸附固定在真空吸盘140上，然后用磨石110对晶片背面进行研磨切削。
接着，如图4(b)所示，用划片胶带120将一片半导体晶片100保持在设置有校准用窗口180的真空吸盘140上，而且使该片被研磨切削的半导体晶片100吸附在真空吸盘140上。
接着，使用被安装在半导体元件形成面的上下的显微镜160，并显示在监视器170上，以预先在半导体元件表面形成的划片线为基准，在第1校准用窗口180内对准位置，然后使真空吸盘140左右移动，第2校准用窗口181也以在半导体元件表面形成的划片线为基准，一边进行半导体晶片100的平行退出，一边决定划片线。
接着，如图4(c)所示，用顶端形状锐利的第1划片刀片190，以晶片背面(没有形成半导体元件的一面)的划片线为基准进行第1槽200的加工。其后，将划片胶带120放在被设定为100℃的加热器上，然后去除划片胶带120的粘合剂130侧的粘接性，从划片胶带120上将槽加工后的半导体晶片100取下来。
接着，如图4(d)所示，再次将晶片翻转，以将已加工了第1槽200的面粘合在安装于晶片环150上的划片胶带120的粘合剂130侧，然后，用顶端形状锐利的第2划片刀片190，以没有形成半导体元件的一面的划片线为基准进行第2槽210的加工。
而且，第1以及第2的槽200、210的倾斜角度，可任意选择在槽加工中使用的第1以及第2的划片刀片190的刃尖的角度(顶角)θ′，这样能够容易地进行调节。该实施例无论第1及第2划片刀片中的任何划片刀片，都使用刃尖的顶角θ′为90°的划片刀片，所以都形成倾斜角θ＝135°的第1以及第2的槽200、210。还有，此时，第1以及第2的槽(200、210)的深度，各自为半导体晶片厚度的约1/3的程度。
接着，如图4(e)所示，用顶端形状为扁平的第3切片刀片190′，与先前已加工的第2槽210位置对准，然后采用比第2槽宽度要窄的切片刀片190形成第3槽220，分离成单独的半导体芯片230。
图4(f)表示由本工序得到的半导体芯片230的立体放大图。
上述第1槽200、第2槽210、第3槽220在一个方向形成槽后，以吸附半导体晶片100的状态，使真空吸盘140回转90°，形成另一方向的槽。
通过形成上述构造，由于被分离的半导体芯片的端部具有不会发生破片的形状，所以，能够防止由将半导体芯片安装在IC卡等上时的应力集中而引起的芯片破损，能够制造高安装合格率和高可靠性的IC卡。
<实施例3>
此实施例中从晶片分离半导体芯片的方法，基本上和先前的实施例2相同，不同之处在于第1槽200和第2槽210的顺序相反。以下，按照图5的工序图进行说明。
首先，如图5(a)所示，用粘合剂130将安装在晶片环150上的切片胶带120粘合到层叠在半导体晶片100上的半导体元件的背面侧。其后，在第1真空吸盘140上，吸附固定切片胶带120后，将顶端形状锐利的第1切片刀片190与层叠在半导体晶片100上的半导体元件内的划片线对准位置，进行第1槽200的加工。接着，将划片胶带120放在设定为100℃的加热器上后，去除划片胶带上的粘合剂130的粘接性，从划片胶带120上将槽加工后的半导体晶片100取下(未图示)。
接着，如图5(b)所示，将晶片翻转，朝向安装在晶片环150上的划片胶带120的粘合剂130侧，粘在先前已加工的第1槽的面上，在第2的真空吸盘140上吸附固定切片胶带120后，用磨石110研磨切削晶片背面。
接着，如图5(c)所示，用切片胶带120将一片半导体晶片100保持在设置有校准用窗口的第3真空吸盘140上，将研磨切削好的半导体晶片100吸附在真空吸盘140上。然后，使用以先前已加工的第1槽200为基准被安装在半导体元件形成面上下的显微镜160，在监视器170上，以先前已加工的第1槽200为基准，在第1校准用窗口180内调整位置，然后使真空吸盘140左右移动，第2校准用窗口181也以在半导体元件表面形成的槽为基准，边进行半导体晶片100的平行移出，边确定第2槽的划片线。
接着，如图5(d)所示，再次将已加工第1槽200已加工的晶片表面，粘到被安装在晶片环上的划片胶带120的粘合剂130侧，然后用顶端形状锐利的第2划片刀片190，以半导体元件形成面的划片线为基准进行第2槽210的加工。
接着，如图5(e)所示，用顶端形状为扁平的第3切片刀片190，与先前进行了加工的第2槽210对准位置后，用比第2槽的宽度窄的第3切片刀片190形成第3槽220，分离成单独的半导体芯片230。
依据由上述工序得到的构造，不管半导体晶片的表面和背面，以任何一个面为基准，对晶片进行切割的加工都能够实现安装合格率和可靠性好的IC卡。
<实施例4>
此实施例，省略了用实施例3中所示的图5(e)的第3划片刀片190来形成第3槽220的工序，是通过用第1以及第2划片刀片190来形成第1槽200及第2槽210的工序，从晶片切断、分离半导体芯片230的方法。以下，根据图6的制造工序图加以说明。
如图6(a)所示，用粘合剂130将层叠在半导体晶片100上的半导体元件的背面侧，粘到被安装在晶片环150上的切片胶带120上。其后，在真空吸盘140上吸附固定切片胶带120后，对准层叠在半导体晶片100上的半导体元件内的划片线，用顶端形状锐利的第1切片刀片190，进行第1槽200的加工。接着，将划片胶带120放到被设定为100℃的未图示的加热器上，去除划片胶带的粘合剂130的粘接性，从划片胶带120上将已加工槽的半导体晶片100取出(a)。
接着，如图6(b)所示，将晶片翻转，将先前已进行过槽加工的一面粘合于安装在晶片环150上的划片胶带120的粘合剂130一侧，在真空吸盘140上吸附固定好切片胶带120后，用磨石110研磨切削晶片背面。
接着，如图6(c)所示，用切片胶带120将一片半导体晶片100保持在设置有校准用窗口180的真空吸盘140上，将研磨切削过的半导体晶片100吸附在真空吸盘140上，然后，以先前已加工的第1槽200为基准，使用被安装在半导体元件形成面上下的显微镜160，在监视器170上，以先前已加工的第1槽200为基准，在第1校准用窗口180内对准位置，然后使真空吸盘140左右移动，第2校准用窗口181也以半导体元件表面形成的槽为基准，一边进行半导体晶片100的平行移出，一边确定第2槽的划片线。
接着，如图6(d)所示，用顶端形状锐利的第2划片刀片190，到与先前已加工的第1槽200的槽底部相接的部位为止，进行全切划片，分离成单独的半导体芯片。
图6(e)表示由本制造工序获得的半导体芯片230的部分放大剖面图。
而且，本实施例和第1以及第2划片刀片190共同采用的刃尖的角度(顶角)θ1为60°，第1槽200的深度为晶片厚度的约一半，在第2槽210处将半导体芯片从晶片上切离。半导体芯片端部的倒角倾斜角为120°将这样得到的半导体芯片230安装到IC卡上后，即使以比通常的可靠性试验高的水平进行弯曲试验的情况下，在芯片表面和背面的端部形成的倒角线也在芯片厚度的中心为一致的形状，所以即使在向芯片施加直接压力的情况时，由于有通过倒角线而使压力分散的构造体，所以能够实现可靠性好的IC卡。另外，由于通过2次划片就能成功达到获得芯片，时间也可以削减。
<实施例5>
此实施例示出的芯片的制造方法如下，作为从晶片切断、分离半导体芯片的方法，使用刃尖具有平坦部分、且顶角限定为预定角度θ1的划片刀片，以至少超过晶片厚度的中心点的深度进行第1槽200的加工，通过干法腐蚀切离剩下的厚度部分。以下，根据图7的制造工序图进行说明。
如图7(a)所示，在层叠在半导体晶片100上的半导体元件的反面(晶片背面)上，涂敷保护层240干燥后，将半导体元件表面粘合到被安装在晶片环150上的切片胶带120的粘合剂130侧。
其后，将切片胶带120吸附固定在设置有校准用窗口180的真空吸盘140上后，使用被安装在半导体元件形成面上下的显微镜160，在其监视器170上，以在半导体元件表面上形成的划片线为基准，从第1校准用窗口180内对准位置后，使真空吸盘140左右移动，在另外一边的第2校准用窗口181也以在半导体元件表面形成的划片线为基准，一边进行半导体晶片100的平行移出，一边确定第1槽200的加工位置。
接着，如图7(b)所示，用具有顶端形状为凸状(平坦部分)、凸侧上成为弧形和多角的刃尖(在这里显示限制预定的顶角θ1)的切片刀片190，进行第1槽200的加工。此时，被加工的第1槽200部分的端部形状，是通过选择划片刀片的顶部形状而得到的预定的形状。
接着，如图7(c)所示，以保护层240为掩膜，用众所周知的用于干法腐蚀的气体250对先前已加工的第1槽200进行腐蚀，由此分离成单独的半导体芯片。
通过形成上述构造，由于槽加工后通过干法腐蚀能够一并实现芯片分离，由于分离时的时间减少和在被分离的芯片内不残留损伤，芯片端部不会发生破片的加工方法，所以使用此芯片制造IC卡时，能够防止安装工序中的破损，能够实现合格率高和可靠性好的IC卡。
<实施例6>
此实施例利用了结晶的劈开，来取代实施例5中采用干法腐蚀切断分离的工序。以下，根据图8的制造工序图进行说明。
首先，如图8(a)所示，将层叠在半导体晶片100上的半导体元件表面，粘合到被安装在晶片环150上的切片胶带120的粘合剂130侧。接着，将划片胶带120吸附固定在真空吸盘140上后，用磨石110研磨切削晶片背面。
接着，如图8(b)所示，用顶端形状为凸状、凸边上成为弧形和多角的切片刀片190，进行第1槽200的加工(和实施例5的图7(b)工序相同)。此时，所加工的第1槽200部分的端部形状，是根据选择划片刀片的顶部形状而得到预定形状。
接着，如图8(c)所示，从真空吸盘140取出，将晶片翻转后放置在被置于工作台280上的厚为1mm程度的胶带270上，从被粘到先前已加工槽的半导体晶片100的背面上的划片胶带120侧，与槽加工线平行，用辊260加压，由此在槽部分劈开半导体晶片100，分离成单独的半导体芯片230。
接着，如图8(d)所示，分离成单独的半导体芯片230还用粘合剂130粘附在划片胶带120上，在此状态下全体翻转，放在预先设定为100℃的加热器290上。通过加热使划片胶带120的粘合剂130性能降低，剥离半导体芯片230。
用这样的方法获得的半导体芯片，能够得到仅仅采用通常的划片加工不能得到的弯曲强度强的芯片。还有，由于半导体芯片的切断端部，为未残留损伤的构造，所以如果将此芯片安装在IC卡上，则能实现机械强度性能优良的IC卡。
使用于上述IC卡的半导体芯片的厚度，无论怎样都为50～300μm，这样能够实现薄型IC卡。
<实施例7>
此实施例为示出将使用上述实施例2～6中任意一个所获得的半导体芯片230作为IC芯片安装成半导体标签(IC标签)的例子。IC标签如众所周知的那样，是将在半导体芯片内部的存储部存储的信息，通过天线，采用非接触的方式与外部的读写器进行信息交换，识别对象物的电子装置。
图9示意性地示出IC标签的剖面构造。被安装于此IC标签中的IC芯片14是也可以被称为无线芯片的半导体芯片，在本实施例中，采用上述实施例2～6得到的半导体芯片230作为IC芯片(无线芯片)14使用。在同一图中，引线11与台座(杜美丝线)12连接为一体而形成，成为天线。
从天线获得电力而动作的IC芯片14(无线芯片)具有被杜美丝线夹持的构造。玻璃13为管状，无线芯片以及杜美丝的一部分用玻璃13密封。图9(a)中，无线芯片14的对角线的长度比杜美丝12的直径长，图9(b)中，小尺寸的无线芯片14的对角线的长度比杜美丝12的直径要小。
图10(a)以及图10(b)表示图9的IC芯片(无线芯片)14使用被薄膜化的薄型无线芯片31a的例子。
接着，按照图11的工序图说明IC标签的制造方法的概要。此例如图9(b)以及图10(b)所示，表示采用无线芯片对角线的长度比杜美丝12的直径尺寸小的芯片进行安装的情况。
如图11(a)所示，首先，连接至引线11，将垂直直立的杜美丝12的上端从玻璃管13的下部插入。接着，如图11(b)所示，在插入玻璃管13中的杜美丝12的上部，放置无线芯片14(31a)。
接着，如图11(c)所示，从玻璃管13的上部插入另外一个杜美丝12，夹住无线芯片14(31a)。此时施加在杜美丝12上的压力为5～10Mpa.通过这样，被安装在无线芯片的主面及背面上的各个电极与杜美丝12被电连接。
其后，如图11(d)所示，用高温对玻璃管13进行加热，使玻璃熔融而附着在杜美丝12上。
这样获得的IC标签，其芯片14的端部被限制为一个理想的倒角角度，所以在IC芯片安装时，特别是玻璃密封时，给予芯片损伤的情况小，因此，制造合格率高，IC标签的可靠性也高。
接着，就IC标签的引线11(天线)的长度对通信距离的影响用图12进行说明。此图的横轴表示为IC标签(转发器)的引线的长度，纵轴表示为转发器和读写器之间的通信距离。
当引线的长度是所使用的载波的一半时，作为谐振的条件最合适(2.45GHz约为6cm)，通信距离大。由此随着引线的长度变小，通信距离变短，但变长的部分可能导致极端的通信距离降低。引线的长度可以采用载波波长的1/2到1个波长左右。
产业上的利用可行性如以上详细的说明一样，将在半导体芯片的两面以特定的角度进行倒角的、本发明涉及的半导体器件，例如安装于IC卡中，由于有耐机械强度的构造，故不需要加固板，能够获得高可靠性的薄型IC卡。尤其因为没有用于获得机械强度等的加固板等，也能削减制造成本。
另外，如果将本发明涉及的半导体器件用于IC标签的无线芯片，则能够得到合格率高并且器件的可靠性也高的IC标签。
权利要求
1.一种半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，使倒角倾斜角度θ为100°≤θ≤135°。
3.一种半导体器件的制造方法，包含通过划片加工从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，该制造方法的特征在于，在上述划片加工中具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的第1划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的第1槽的工序；和从上述半导体晶片的背面，使用具有预定顶角θ′的第2划片刀片，沿着上述划片线，形成第2槽的工序。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序使用顶角θ′为20°～90°的第1及第2划片刀片来切断、分离半导体芯片，该半导体芯片具有倒角倾斜角θ为100°≤θ≤135°的端部。
5.一种半导体器件的制造方法，具有包含划片加工的从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，其特征在于，在上述半导体芯片的切断、分离工序中具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的槽的工序；和将上述晶片翻转，从背面加压，由此在上述槽部分劈开半导体晶片进行分离的工序。
6.一种半导体器件的制造方法，具有包含划片加工的从半导体晶片上切断、分离半导体芯片的工序，其特征在于，在上述半导体芯片的切断、分离工序中具有以下工序从上述半导体晶片的一个面，使用具有预定顶角θ′的划片刀片，沿着划片线，形成深度至少为上述半导体芯片厚度1/2的槽的工序；和通过干法腐蚀分离上述槽部分的工序。
7.一种IC卡，其特征在于，安装了如权利要求1或2中记载的半导体器件。
8.一种IC标签，其特征在于，安装了如权利要求1或2中记载的半导体器件。
全文摘要
提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法，在通过划片将LSI芯片从晶片分离时，不发生破片(切断面断的欠缺)，即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。另外，优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°，尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明，通过划片将LSI芯片从晶片分离时，由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片，所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片，则因构造简单而能够削减材料费和制作时间，特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。
文档编号H01L21/00GK1582486SQ0182387
公开日2005年2月16日 申请日期2001年12月25日 优先权日2001年12月25日
发明者田势隆, 佐藤朗 申请人:株式会社日立制作所