专利名称：ZnO基同质结发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管。
背景技术：
ZnO是一种理想的短波长发光器件材料，目前，ZnO基的发光二极管(LED)仅有异质结的LED。如p-SrCu2O2/n-ZnO结构的UVLED，依次由势垒层、p-SrCu-2O2薄膜层、n-ZnO、金属电极层沉积而成。
发明内容
本发明的目的是提供一种ZnO基同质结发光二极管，为发光二极管增加新品种。
发明的ZnO基同质结发光二极管是以ZnO为基，在衬底上自下而上依次由第一电极层、p-MgxZn1-xO薄膜层、ZnO基层、n-MgxZn1-xO薄膜层、第二电极层沉积而成。
本发明中，第一电极可以是掺铝的n-ZnO透明导电薄膜或金属薄膜。第二电极为铝或金。衬底可以采用硅、蓝宝石、玻璃、氮化镓、氧化锌。
ZnO基同质结发光二极管的优点是1)器件制备工艺相对异质结器件较为简单；2)ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；3)利用Mg掺杂对禁带的调节作用，可以得到3.3～4.2ev的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。
附图是本发明ZnO基同质结发光二极管的结构示意图。
具体实施例方式
本发明的ZnO基同质结发光二极管是利用激光脉冲沉积方法或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，在衬底6上自下而上依次沉积第一电极层1、p-MgxZn1-xO薄膜层2、ZnO基层3、n-MgxZn1-xO薄膜层4、第二电极层5构成。(见图1)。其中，p-MgxZn1-xO和n-MgxZn1-xO中的X值在0～1间可调，通过调节X值，改变发光波段，可得到发射紫外光、紫光、绿光或蓝光的发光二极管。
权利要求
1.ZnO基同质结发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、p-MgxZn1-xO薄膜层(2)、ZnO基层(3)、n-MgxZn1-xO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。
2.按权利要求1所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是所说的p-MgxZn1-xO和n-MgxZn1-xO中的X值为0～1。
3.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是它发射紫外光、紫光、绿光或蓝光。
4.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是衬底为硅、蓝宝石、玻璃、氮化镓、氧化锌。
5.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是第一电极为掺铝的n-ZnO透明导电薄膜或金属薄膜。
6.按权利要求1或2所述的ZnO基同质结发光二极管，其特征是第二电极为铝或金。
全文摘要
本发明的ZnO基同质结发光二极管是以ZnO为基，在衬底上自下而上依次由第一电极层、p－MgxZn
文档编号H01L33/00GK1399356SQ02136640
公开日2003年2月26日 申请日期2002年8月20日 优先权日2002年8月20日
发明者叶志镇, 吕建国, 黄靖云, 张银珠, 邹璐 申请人:浙江大学