专利名称：一种能够发射平行光的发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体发光二极管(LED)，特别是一种能够发射平行光或近似于平行光的发光二极管。
现有的半导体发光二极管(LED)，是由发光管管芯安装在支架上，外壳由环氧树脂塑封成型，由管芯的位置和环氧树脂的不同，决定了其发光特点，一般发光二极管由半球型元头和柱体组成，管芯处于球头焦点上方，其位置决定了发光角度和光通量，管芯距焦点越远，发光角度越大，光通量越大，侧面光通量减少，但随着与LED距离的增大，光强迅速减小(球面光)，因管芯不在LED的焦点，导致不能发射平行光或者说含有平行光的比率非常少，因为平行光可以远距离传输，如果将现有的LED直接应用于诸如矿灯、手电筒、铁路交通信号灯、飞机指示灯这些非常需要远距离传输的照明装置，显然是有严重缺陷的，即使配合良好的反射镜也难于取得好的效果。
本实用新型目的实现由以下技术方案实现本实用新型包括封装体和LED发光芯，其特征是封装体为抛物线构成的碗状，LED发光芯位于抛物线的焦点上，在封装体(1)的前端表面中心处为局部球面状(4)，LED发光芯采用高亮度LED发光芯即GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)。
本实用新型的优点是能够发射平行光或者说含有平行光的比率非常大，光的强度大。因平行光可以远距离传输，因此本实用新型可广泛应用于诸如矿灯、手电筒、铁路交通信号灯、飞机指示灯、舞台灯、建筑照明灯这些非常需要远距离传输的照明装置，使高亮度LED应用更加广泛。
本实用新型包括封装体(1)和LED发光芯(3)，封装体(1)为抛物线构成的碗状，LED发光芯(3)位于抛物线的焦点上，在封装表面(2)的中心为局部球面状(4)，LED发光芯采用高亮度LED发光芯即GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)。
本实用新型所述的抛物线符合公式y＝kx2，可根据反射碗可占体积选择相应的数值，这为同行业技术人员所容易理解。
本实用新型中的封装体(1)最好采用反射膜，抛物面反射碗采用金属冲压件或注塑件，内表面抛光或镀膜处理，以获得高的反射效率；封装体材料采用透光率高的透明材料，如透明环氧树脂。为了获得更多的平行光，可以将封装体的前端设置一局部球面，根据其焦点和发光点重合，利用几何光学知识设计球面半径，这为一般技术人员容易实现。LED发光芯采用高亮度LED发光芯，如GaN(氮化镓)、AlGaInP(叫铝嫁铟磷)等可以获得从红外到紫外的所有颜色的LED，根据不同需要，选择不同的管芯。
另，本实用新型说明书中所述的平行光并非绝对的平行，而是近似于平行光，这为同行业技术人员容易理解，或者说，采用本实用新型结构的产品达到近似于平行光即实现了本发明目的。
虽然以上已经参照附图
对按照本实用新型目的的构思和实施例作了详尽说明，但本领域普通技术人员可以认识到，在没有脱离权利要求限定范围的前提条件下，仍然可以对本实用新型作出各种改进和变换，而这种改进和变换仍然应当属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种能够发射平行光的发光二极管，包括封装体和LED发光芯，其特征是，封装体(1)为抛物线构成的碗状，LED发光芯(3)位于抛物线的焦点上。
2.根据权利要求1所述的一种能够发射平行光的发光二极管，其特征是，在封装体(1)的前端表面中心处为局部球面状(4)。
3.根据权利要求1所述的一种能够发射平行光的发光二极管，LED发光芯采用高亮度LED发光芯是指GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)。
专利摘要本实用新型涉及半导体发光二极管(LED)，特别是一种能够发射平行光的发光二极管。本实用新型包括封装体和LED发光芯，封装体为抛物线构成的碗状，LED发光芯位于抛物线的焦点上，在封装体(1)的前端表面中心处为局部球面状(4)，LED发光芯采用高亮度LED发光芯即GaN(氮化镓)、AlGaInP(铝嫁铟磷)。本实用新型的优点是能够发射平行光或者说含有平行光的比率非常大，光的强度大。因平行光可以远距离传输，因此本实用新型可广泛应用于诸如矿灯、手电筒、铁路交通信号灯、飞机指示灯、舞台灯、建筑照明灯这些非常需要远距离传输的照明装置，使高亮度LED应用更加广泛。
文档编号H01L33/00GK2570987SQ0224640
公开日2003年9月3日 申请日期2002年8月23日 优先权日2002年8月23日
发明者李桂琴, 马坤红, 郭金源 申请人:北京联发中拓科技发展有限公司