专利名称：一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件的pn结，具体说，是用于半导体器件的铟锡氧化物pn结。
背景技术：
铟锡氧化物是一种很有前途的宽禁带氧化物半导体材料，在气体传感器、透明导电膜及其他光电器件方面已经得到较多的应用。由于铟锡氧化物禁带宽度宽，在可见光波段透明，故有望制作成可在高温下工作且对可见光透明的pn结，在光电子领域有重要的应用前景。但目前报道的铟锡氧化物基本上都是n型的，即不掺杂的或掺锡的氧化铟，而要制作电子器件必须同时具有p型和n型导电的材料。在本发明作出前，还未有利用铟锡氧化物制作pn结的任何报道。经过尝试，发现铟锡氧化物的导电类型与其中的铟/锡比及热处理工艺参数有关，铟/锡比恰当，才能制作成为pn结。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结。本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01-0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01-0.3。
发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结可采用常规薄膜制备工艺的溶胶-凝胶法制备获得，其中的热处理温度为500度。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。
图1是以铟锡氧化物为pn结的半导体器件示意图；图2是以本发明铟锡氧化物构成的pn结的电流-电压特性。
具体实施例方式
参照图1，半导体器件包括上电极1、下电极4、由p型铟锡氧化物2和n型铟锡氧化物3构成的pn结，其中p型铟锡氧化物中铟/锡原子比含量为0.10，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.1。本实例中的铟锡氧化物由溶胶-凝胶法获得，其中的热处理温度为500度。以本例铟/锡含量构成的pn结半导体器件，其电流-电压特性见图2所示，从图中可以看出，由铟锡氧化物构成的pn结具有明显的单向导电性质，即整流特性。
权利要求
1.一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其特征是该pn结p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01-0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01-0.3。
全文摘要
本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01－0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01－0.3。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。
文档编号H01L29/86GK1494161SQ0315066
公开日2004年5月5日 申请日期2003年8月27日 优先权日2003年8月27日
发明者季振国, 何振杰 申请人:浙江大学