专利名称：布线基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及含树脂的布线基板。
背景技术：
布线树脂基板在它的主面上设置有用于安装例如LSI或IC芯片之类电子部件的多个焊盘形电极，并且在它的另一主面上设置有多个与母板连接的多个端子焊盘导体(或电极)和配置在端子焊盘导体上的连接端子(例如焊球)。这种类型的布线树脂基板是小尺寸的，并且需要增加连接端子的数量以增强将安装到其上的例如LSI、IC芯片或芯片电容器之类电子部件的集成度和密度。
这种布线树脂基板在它的内部结构中一般设置有具有在绝缘基板中形成的通孔中的通孔导体和填充材料的芯基板；在通孔的端面上形成的端子焊盘导体，用于配置盖形导体部分、树脂层和连接端子(例如焊球)；和埋置在树脂层中的通路导体，用于把通孔导体和端子焊盘导体导通。已知JP-A-2000-91383、JP-A-10-341080、JP-A-2000-307220( 和 段)，JP-A-2000-340951( 和 段)为背景技术。
发明内容
前面介绍的布线树脂基板在为了制造它而执行的热循环工序中将遇到以下问题。在作为布线树脂基板核心的芯基板中，在由树脂等构成的绝缘基板的预定位置形成通孔导体以把两个主面导通。由于金属和树脂具有不同的热膨胀系数，由热循环引起的在芯基板的厚度方向上的膨胀/收缩会根据位置而不同。因此，在层叠在芯基板上的层中，由芯基板的膨胀/收缩施加的力成为各向异性的。结果，在构成连接部分通路导体的接合面中或诸如此类的地方产生破裂，由此产生了一个问题从通孔导体到端子焊盘导体的电连接容易断开。该问题导致不能保持例如布线树脂基板所需的电特性之类的性能。
因此为了解决该问题，本发明的目的是提供一种具有高可靠电特性的由树脂构成的布线基板。
为了解决上述问题，按照发明，提供了一种布线树脂基板，其中在芯基板的主面上层叠含导体层和树脂层的布线层叠部分，芯基板具有在穿通其延伸的通孔中的基本上圆柱形的通孔导体和填充通孔空部分的填充材料，包括覆盖在芯基板主面上的通孔端面并连接到通孔导体的盖形导体部分；和在布线层叠部分的主面上形成的端子焊盘导体，用于配置用作与外部器件连接的连接端子，其中由埋置在树脂层中的通路导体构成连接部分把盖形连接部分和端子焊盘导体导通，且构成连接部分的通路导体避开通孔中心轴上方的位置。
这里，“中心轴(或中心轴线)”定向为与通孔延伸通过(即芯基板的厚度方向)的方向相同的方向，并通过基本上圆形的投影图像的中心位置，该投影图像是通过把通孔、通路导体和端子焊盘导体分别投影到与穿通方向垂直的平面上而形成的。
通常，树脂材料具有比金属材料热膨胀系数大的热膨胀系数。在加热布线树脂基板501(如图3A所示)的情况下，(金属材料的)基本圆筒形的通孔导体22、填充通孔导体22的中空部分的(树脂材料的)填充材料23、和(位于通孔导体22周围，具有通孔21的树脂材料的)绝缘基板材料25，所有这些构成芯基板2，在厚度方向上分别膨胀。如图3B所示，通孔导体22的膨胀小于周围的树脂材料23和25的膨胀。连接到通孔导体22的盖形导体部分24夹持填充材料23的端面周边附近，以阻碍填充材料23的膨胀。结果，填充材料23膨胀集中在通孔21的中心轴211附近以把盖形导体部分24和位于填充材料23上的树脂层3向上推。另一方面，在冷却布线树脂基板501的情况下，产生相反的现象，如图3C所示，填充材料23收缩集中在通孔21的中心轴211的附近以把上面的的盖形导体部分24和树脂层3向下拉。因此，如果通路导体75和76的中心轴756和端子焊盘导体4的中心轴411在通孔21的中心轴211的位置，那么它们易受自芯基板2的上推/下拉的影响。在盖形导体部分24和通路导体75之间、通路导体(即通路导体75和76)之间和通路导体76和端子焊盘导体4之间产生过多应力聚集以致它们易于电断开(图3C示出了这种情况，其中盖形导体部分24和通路导体75之间的连接断开。)。这里，由于通路导体布置在通孔的中心轴上方制得高密集的布线，现有技术的布线基板不能避免此问题。
因此，如上面介绍的发明，通过在避开通孔中心轴上方的位置布置构造连接部分的通路导体几乎不受到上述自芯基板的上推/下拉的影响。最好构成连接部分的通路导体避开在通孔导体中填充材料之上方的位置。这里，将把具有从通孔中心轴偏离的通路导体的这种模式称为发明布线树脂基板中的“第一结构模式在发明的布线树脂基板中，构成连接部分的通路导体的与盖形导体部分连接的通路导体可以是保形通路(conformal via)。作为通路导体，存在两种类型在树脂层中开口的孔中用金属材料填满来自身形成的填充通路；和通过沿孔壁布置金属材料并用树脂材料埋置其余部分形成的保形通路。如上所述，因为树脂材料具有比金属材料热膨胀系数小的热膨胀系数，所以当施加将按照芯基板或树脂层的膨胀/收缩产生的外力时，保形通路易于产生由内侧上的树脂材料的膨胀引起的斥力。因此，保形通路比整个由金属材料构成的填充通路较少受外力的影响。因此，保形通路的通过把通路导体构成为连接到在芯基板的主面上形成的盖形导体部分，可能几乎不受上述自芯基板的上推/下拉影响。这里，该模式将被称为发明布线树脂基板中的“第二结构模式其中与盖形导体部分连接的通路导体由保形通路构成。
在发明的布线树脂基板中，构成连接部分的通路导体的与端子焊盘导体连接的通路导体避开通孔上方的位置。由此，通路导体和端子焊盘导体之间的连接部分不位于通孔上方，由此能够更可靠地维持通路导体和端子焊盘导体之间的电连接。
在发明的布线树脂基板中，构成连接部分的通路导体的在端子焊盘导体侧上的通路导体比在盖形导体部分侧上的通路导体在通孔上方与通孔中心轴间隔开更远。如果在通孔上方同轴地(它们的中心轴基本上一致)布置通路导体，那么由芯基板的上推/下拉通路导体之间的接合面易于破裂。因此，在通孔上方，不是同轴地布置通路导体，而是形成为向上(即向着端子焊盘)远离通孔的中心轴，以致它们几乎不受上述芯基板的上推/下拉影响。
此外，在发明的布线树脂基板中，连接部分具有层叠通路结构，其中多个填充通路(通路导体)在除了通孔上方位置之外的位置基本上同轴地彼此相邻。由此，在避开严重受芯基板上推/下拉影响的通孔上方的位置构造连接部分。如果在这种情况中连接部分构造成层叠通路，可以在布线层叠部分中节省空间由此保留布线区。
在发明的布线树脂基板中，通孔可以在端子焊盘导体的中心轴之下的位置以外。不仅是由上述通路导体构成的连接部分，还有端子焊盘导体自身都受自芯基板的上推/下拉的影响。在这种情况中，丧失端子焊盘导体和连接部分之间的连接可靠性。此外，由于将在连接端子焊盘配置的连接端子的形成高度的不同，与外部器件的连接存在困难。因此，优选通过不在端子焊盘导体中心轴之下设置通孔而几乎不受自芯基板的上推/下拉影响。
将更详细地介绍发明的布线树脂基板中的第一结构模式。发明中，这里与外部器件的连接端子可以是由焊球构成的BGA(球栅阵列)型布线基板。使用BGA型布线基板进行以下介绍。
具体来说，按照发明，提供了一种具有球的布线树脂基板，包括含穿通绝缘基板形成的通孔、在通孔的内周边上形成的基本上圆柱形的通孔导体、和填充通孔导体空部分的填充材料的芯基板；在芯基板的至少一个主面上并以包含通孔的端面和与通孔导体导通的形状形成的盖形导体层；在盖形导体层上形成的多层树脂层；形成在树脂层上的并具有与外部器件的连接端子连接焊球的球焊盘导体；和具有分别埋置在树脂层中的通路导体的连接部分，用于把盖形导体层与球焊盘导体导通，其中通路导体由填充通路构成，并且在通孔的穿通方向为中心轴方向的情况下，构成连接部分的通路导体和球焊盘导体的各自中心轴与通孔的中心轴不一致。
由此，与通孔穿通方向相同方向上构成连接部分的各个通路导体和球焊盘导体的的中心轴布置成避开通孔穿通方向上的中心轴，以致几乎不受上述自芯基板的上推/下拉的影响。
在发明具有球的布线树脂基板中，优选球焊盘导体的中心轴不设置在通孔上方。根据与外部器件连接的焊球的直径来设置球焊盘导体的直径(例如大约150μm)，以使它可以做得大约比高集成布线基板中的通孔直径(例如大约150μm)大大约四倍。即使球焊盘的中心轴偏离通孔的中心轴，只要它位于通孔上方就认为不能充分避免自芯基板的上推/下拉影响。如上面所介绍的，通过布置球焊盘导体，可能几乎不受那些影响。
在构成连接部分的通路导体中，优选设置在通孔上方设置的通路导体之上的通路导体的中心轴比设置在通孔之上的通路导体的中心轴距通孔的中心轴间隔开更远。如果在通孔上共轴地(中心轴一致)布置并连接通路导体，认为由芯基板的上推/下拉在通路导体之间的接合面易于破裂。因此，通路导体在通孔上方不是共轴地布置，而是对于上面的通路导体距通孔的中心轴间隔得更远，在通孔的中心轴芯基板的膨胀/收缩影响是严重的。
在发明具有球的布线树脂基板中，优选至少那些构成连接部分的将与球焊盘导体连接的通路导体不位于通孔上方。用这种结构，通路导体和球焊盘导体之间的连接部分避开通孔之上的位置，由此通路导体和球焊盘导体4(和将配置在其上的焊球)之间的电连接更可靠。
在发明的具有球的布线树脂基板中，优选构成连接部分的通路导体不存在于通孔上方。上述芯基板的上推/下拉对通孔上部施加比对芯基板的基板材料上部更严重的影响。因此，在通路导体位于通孔上方的情况下，认为不能充分避免那些影响。由此，通过制得上述结构几乎不受这些影响，其中通路导体不位于通孔上方。
在发明的具有球的布线树脂基板中，优选连接部分不位于通孔上方并且通路导体由基本上同轴相邻层叠的通路构成。除了上述效果之外，用构成层叠通路的通路导体，可以节省树脂层中的空间以保留布线区。这里，由于上述原因配置层叠通路的位置不在通孔上方。
将更详细地介绍发明布线树脂基板中的第二结构模式。发明中，这里与外部器件的连接端子可以是由焊球构成的BGA(球栅阵列)型布线基板。使用BGA型布线基板进行以下介绍。
具体来说，按照发明，提供了一种布线树脂基板，包括含穿通绝缘基板形成的通孔、在通孔的内周边上形成的基本上圆柱形的通孔导体、和填充通孔导体空部分的填充材料的芯基板；在芯基板的至少一个主面上并以包含通孔的端面和与通孔导体导通的形状形成的盖形导体层；在盖形导体层上形成的多层树脂层；形成在树脂层上的并具有与外部器件的连接端子连接焊球的球焊盘导体；和具有分别埋置在树脂层中的通路导体的连接部分，用于把盖形导体层与球焊盘导体导通，其中连接到盖形导体层的连接部分的通路导体由保形通路构成，而其余通路导体由填充通路构成，并且在通孔的穿通方向为中心轴方向的情况下，由填充通路构成的通路导体和球焊盘导体的各自中心轴与通孔的中心轴不一致。
作为通路导体，存在两种类型在树脂层中开口的孔中用金属材料填满来自身形成的填充通路；和通过沿孔壁布置金属材料并用树脂材料埋置其余部分形成的保形通路。如上所述，因为树脂材料具有比金属材料热膨胀系数小的热膨胀系数，所以当施加将按照芯基板或树脂层的膨胀/收缩产生的外力时，保形通路易于产生由内侧上的树脂材料的膨胀引起的斥力。因此，保形通路比整个由金属材料构成的填充通路较少受外力的影响。因此，保形通路的通过构成连接到在芯基板的主面上形成的盖形导体部分的通路导体，可能几乎不受上述自芯基板的上推/下拉影响。
而且，在连接部分中，除了与盖形导体部分连接的那些通路导体之外的通路导体，特别是与球焊盘导体连接的通路导体由填充通路构成，由此可以维持通路导体和球焊盘导体(和将设置在其上的焊球)之间的电连接可靠性。因为填充通路比保形通路更易于受到外力的影响，所以各个填充通路不被布置成它们的中心轴位于通孔的中心轴上，在通孔的中心轴上自芯基板的上推/下拉影响是严重的。
而且，通过把它的中心轴布置成与通孔的中心轴不一致，球焊盘导体还能够几乎不受自芯基板的上推/下拉影响。
这里，“中心轴”定向为与通孔延伸穿通的方向相同的方向，并通过基本上圆形的投影图像的中心位置，圆形的投影图像是通过把通孔、通路导体和球焊盘导体分别投影到与穿通方向垂直的平面上而形成的。
在本发明具有球的布线树脂基板中，优选球焊盘导体的中心轴不设置在通孔上方。根据与外部器件连接的焊球的直径来设置球焊盘导体的直径(例如大约150μm)，以使它可以做得大约比高集成布线基板中的通孔直径(例如大约150μm)大大约四倍。即使球焊盘的中心轴偏离通孔的中心轴，只要它位于通孔上就认为不能充分避免自芯基板的上推/下拉影响。如上面所介绍的，通过布置球焊盘导体，可能几乎不受那些影响。
在构成连接部分的通路导体中，优选至少那些构成连接部分的将与球焊盘导体连接的通路导体不位于通孔上。用这种结构，通路导体和球焊盘导体之间的连接部分避开通孔之上的位置，由此使得通路导体和球焊盘导体(和将设置在其上的焊球)之间的电连接更可靠。
在发明具有球的布线树脂基板中，优选由填充通路构成的通路导体不存在于通孔上方。在由填充通路构成的通路导体位于通孔之上的情况中，认为不能充分避免自芯基板的上推/下拉影响。由此，通过不把由填充通路构成通路导体设置在通孔上方，而更加几乎不受这些影响。
在发明的布线树脂基板中，通孔的直径可以设置为大于或等于100μm且小于或等于300μm。在通孔的直径过大的情况下，在具有较小热膨胀系数的通孔导体上比通孔的中心轴附近更容易发生由于下拉引起的过多的应力聚集。因此，相反地，通路导体和端子焊盘导体(例如球焊盘导体)的中心轴与通孔的中心轴不一致是不利的。而且，还认为这种偏移对布线基板的高集成度和高密度不利。为了避免这些影响，优选通孔具有300μm或更小的直径。而且，通孔的直径没有特定的下限，按照布线基板目前的集成度在该阶段可以设置为100μm。而且，优选通孔具有大于等于150μm且小于等于300μm的直径。
而且，在通孔直径在上述特定范围内的情况下，基本上圆筒形的通孔导体的平均壁厚为大于等于10μm且小于等于30μm。如果平均壁厚过大，在通孔中填充材料的膨胀会聚集在通孔的中心轴附近。由上推容易引起过多应力聚集，导致成本损失。因此，优选上限设置在30μm。虽然没有限制，下限可以设置为10μm，因为认为过小厚度可能使导通失效。最好基本上圆筒形的通孔导体平均壁厚度为大于等于15μm且小于等于25μm。
而且，在通孔或通孔导体在上述特定范围内的情况下，通路导体的各个中心轴可以距通孔的中心轴间隔开大于等于50μm且小于等于150μm的距离。如果从通路导体中心轴到通孔中心轴的距离小于50μm，认为通路导体的中心轴过于接近通孔的中心轴位置，在通孔的中心轴位置自芯基板的上推/下拉影响是严重的，以使它易受影响。另一方面，如果距离大于150μm，认为对布线基板的高集成度和高密度不利。最好从通路导体的各个中心轴到通孔的中心轴的距离为大于等于50μm且小于等于130μm。
另一方面，在连接部分由层叠通路构成的情况下，在距通孔的外缘端大于等于50μm且小于等于150μm的距离设置层叠通路的中心轴。如上所述，由于层叠通路易受芯基板的上推/下拉影响，要受到那些影响较小，就必然要求从通孔的外缘端到层叠通路的中心轴的距离为50μm或更大。另一方面，超过150μm的情况下，认为对布线基板的高集成度和密度不利。而且，最好从通孔的外缘端到层叠通路的中心轴的距离为大于等于50μm且小于等于130μm。
图1是说明按照发明的(第一结构模式的)布线树脂基板的内部结构的示意图；图2说明在通孔直径很大的情况下芯基板的膨胀/收缩；图3A至3C是示出由芯基板膨胀/收缩施加影响的示意图；图4是列举破裂百分率的图表；图5是说明按照发明的(第二结构模式的)布线树脂基板的内部结构的示意图；图6是说明发明的布线树脂基板的另一结构模式①的示意图；图7是说明发明的布线树脂基板的另一结构模式②的示意图；图8是说明发明的布线树脂基板的另一结构模式③的示意图；图9是说明发明的布线树脂基板的另一结构模式④的示意图；图10是说明具有三层树脂层的布线树脂基板的示意图。
参考标号和标记的介绍1、101、201、501布线树脂基板2芯基板21 通孔22 通孔导体23 填充材料24 盖形导体层3树脂层4端子焊盘导体(球焊盘导体)5焊球6抗焊料层7连接部分具体实施方式
将参照附图介绍发明的由树脂构成的布线基板的实施例。这里，对具有球的布线树脂基板进行以下介绍，但是连接端子的形状不应限于此。图1是按照发明的第一结构模式具有球的布线树脂基板1的剖面图。在顶视图中该具有球的布线树脂基板1形成为矩形形状(长和宽为50mm，厚为1mm)。图1是在主面侧上部分内部结构的放大图，其具有要与外部器件例如母板的连接端子连接的多个焊球5。在另一主面侧上，虽未示出，形成有用于连接将安装的半导体集成电路元件IC的多个电极。在内部结构中，还形成有内部布线层和用于连接各个内部布线层的通路导体。
芯基板2设置有大约150μm(优选100μm至350μm)直径的通孔21，其穿通由树脂材料构成的基板材料25以大约500μm(优选200μm至800μm)的间隔形成，该树脂材料主要由BT树脂构成，基板材料具有大约0.8mm(优选0.3mm至1.2mm)的厚度；由金属材料构成的通孔导体22，其形成在通孔21的内周边上且为基本上圆筒形的形状(具有大约20μm的厚度，优选10μm至50μm)，该金属材料主要由铜构成；和填充通孔导体22的中空部分并由树脂材料构成的填充材料23，该树脂材料主要由环氧树脂、环氧丙烯酸酯树脂、丙烯酸(酯)类树脂或聚酰亚胺酯树脂构成。在芯基板2的表面上，形成有盖形导体部分24，其具有包容通孔21的端面的形状并与通孔导体22连接。盖形导体部分24形成为具有大约250μm(优选200μm至450μm)直径和大约30μm(优选15μm至150μm)厚度的圆柱形形状，并布置成使它的中心轴与通孔的穿通方向的中心轴211一致。而且，盖形导体部分24具有比通孔的直径大的直径使得它覆盖基板材料25距通孔21的外缘端超出大约100μm(优选50μm至150μm)。
由此构成的芯基板2上，形成有多层树脂层3，其主要由环氧树脂、含氟树脂或BCB(环苯丁烯)(Benzo Cyclo Butene)构成，具有下侧树脂层31和上侧树脂层32两层并具有大约60μm的厚度，优选30μm至300μm(即每层大约30μm厚，优选15μm至150μm)。在这种结构模式中，由两层构成的树脂层应该不限于两层，还可以是三层或更多层。而且，在上侧树脂层32上，形成有多个导体层，其主要由圆柱形铜构成并间隔大约1.3mm(优选0.5mm至5mm)布置。用镍或金在它们的表面上电镀这些导体层以形成球焊盘导体(或端子焊盘导体)4。设置这些球焊盘导体4的尺寸为大约700μm(优选500μm至1000μm)的直径和大约15μm(优选5μm至50μm)的厚度。例如在这样的位置配置球焊盘导体4它们可以与随后介绍的连接部分7的上面填充通路72连接，且从球焊盘导体4的中心轴411到通孔21的中心轴211的距离PL设置为大约425μm(优选300μm至600μm)。而且，如图10的布线树脂基板201所示，树脂层3可以是三层或更多层。
这里，在没有布置球焊盘导体4的部分用具有大约20μm(优选5μm至50μm)厚的抗焊料层6覆盖上侧树脂层32。在这种结构模式中，该抗焊料层6形成为覆盖球焊盘导体4的上侧主面42的周边超出预定宽度，而把球焊盘导体4的上侧主面42的中心部分同轴暴露于外部。在这种结构模式中，暴露部分(也就是说抗焊料层6的开口，即球焊盘导体4的上侧主面42的没有用抗焊料层6覆盖的那部分)的直径，即球焊盘导体4的上侧主面42的焊接面的直径设置为大约530μm(优选300μm至800μm)。
在球焊盘导体4的上侧主面42上基本上同轴地配置焊料球5。同时，熔化球形焊球5以浸润并向着球焊盘导体4的上侧主面42延伸。而且，根据球焊盘导体4的直径适当地选择焊料的量。希望形成之后的焊球5距球焊盘导体4的上侧主面42具有大约600μm(优选400μm至800μm)的高度，并且焊球5的浸润范围不超过球焊盘导体4的上侧主面42的周边端。这里，所用焊料是公知的焊料(例如Pb82％/Sn10％/Sb8％，或Sn95％/Sb5％)。
在按照第一结构模式的布线树脂基板1中，如图1所示，在树脂层3的下侧树脂层31和上侧树脂层32中埋置填充通路(在下侧上的71和在上侧上的72)。通过由主要由铜构成的金属材料填充穿通树脂层形成的通孔形成这些填充通路71和72。填充通路71和72形成为具有大约75μm(优选50μm至100μm)的最大直径。
基本上同轴地连接填充通路71和72以形成连接部分(或层叠通路)7。而且，下侧填充通路71连接到下面的盖形导体部分24的上侧主面241，并且上侧填充通路72连接到上面的球焊盘导体4的下侧主面43，由此使盖形导体部分24与球焊盘导体4导通。另一方面，布置层叠通路7以使它的中心轴701布置成距通孔21的中心轴211的距离VL为大约75μm(优选50μm至300μm)，并且距通孔21的外缘端的距离SL为大约10μm(优选5μm至50μm)，由此几乎不受芯基板2的膨胀/收缩的影响。
这里将介绍按照第二结构模式具有球的布线树脂基板101。图5是按照第二结构模式具有球的布线树脂基板101的剖面图。下面将主要介绍与第一结构模式的不同之处，并通过在图5中用共同的参考标号标明它们来简化共同的部分。
在按照第二结构模式具有球的布线树脂基板101中，如图5所示，在树脂层3中，在下侧树脂层31中埋置保形通路71，并在上侧树脂层32中埋置填充通路72。保形通路72由以下构成主要由铜构成并沿穿通树脂层形成的通孔壁布置的金属材料712；埋置其余部分的由与树脂层3相同的成分构成的树脂材料713；和向着填充通路72延伸并连接到填充通路72的连接层714。另一方面，通过用主要由铜构成的金属材料填充穿通树脂层形成的通路孔来形成填充通路72。例如保形通路71和填充通路72形成为具有大约75μm(优选50μm至100μm)的最大直径。但是，由不含连接层714的部分(即通孔的内部)来调节保形通路71的直径。
连接保形通路71和填充通路72形成连接部分7。而且，保形通路71连接到下面的盖形导体部分24的上侧主面241，并且填充通路72连接到上面的球焊盘导体4的下侧主面43，由此使盖形导体部分24与球焊盘导体4导通。另一方面，布置层叠通路72以使它的中心轴721距通孔21的中心轴211间隔开大约125μm(优选50μm至300μm)的距离VL，以致几乎不受芯基板2的膨胀/收缩的影响。这里在该结构模式中，保形通路71的中心轴711(由不含连接层714的部分调节)与通孔21的中心轴211不一致。但是，不特别限制保形通路71的配置位置，只要保形通路71可以连接到盖形导体部分24的上侧主面241。
将参照图6至8介绍发明的布线树脂基板的另一结构模式。这里，这些附图呈现包括两层树脂层的具有球的布线树脂基板，并省略了其余部件以使连接部分(因为它包含除了上述层叠通路结构部件之外的部件，所以由7’标明)和通孔21之间的位置关系清楚。
在图6中，填充通路71和72各自的中心轴711和721与通孔21的中心轴211不一致。在图7中，上侧填充通路72的中心轴721比下侧填充通路71距通孔21的中心轴211间隔开更远。在图8中，在除了通孔21上位置之外的位置布置连接到球焊盘导体4(虽未示出)的连接部分7’的上侧填充通路72。在图9中，构成连接部分7’的填充通路71和72没有布置在通孔21上。这里，在填充通路71和72没有基本上同轴地连接的结构中，下侧填充通路71由体部分712和向着上侧填充通路72延伸并连接到上侧填充通路72的连接层713构成(由体部分712调节中心轴711)。
这里，如专利公开公报3(JP-A-2000-307220，
段)或专利公开公报4(JP-A-2000-34051，
段)所介绍的，由公知的生产技术(例如差减方法、添加方法或半添加方法)制造发明具有球的布线树脂基板。
实例这里将介绍发明具有球的布线树脂基板的特定实例和它的比较例。图1的上述结构模式作为实例。在比较例中，图3A至3C中说明的由填充通路构成的通路导体和球焊盘导体被布置成它们的轴在通孔的中心轴上彼此一致。
对于实例和比较例，存在分别制备的三种样品①在热循环之前；②100个循环之后；③500个循环之后(每个循环10分钟)，每个热循环其中在-55℃至125℃的温度范围重复加热和冷却，并进行截面SEM(扫描电子显微镜)观测来评估破裂百分率。在图4中用表格列出这些评估结果。在图4中，破裂百分率的分母代表样品的总数，分子代表破裂样品数。
按照图4的评估结果，在①在热循环之前，②100个循环之后和③500个循环之后的实施例的所有样品的SEM图像中没有发现例如破裂的缺陷。相反，在比较例中，在②100个循环之后和③500个循环之后在一半或更多样品中发现了破裂。而且，发现在①在热循环之前的某些样品也是破裂的。看来是在焊球配置时由热处理产生破裂。
本申请基于2003年2月28日申请的日本专利公开公报JP2003-54201，2003年2月28日申请的日本专利公开公报JP2003-54572和2004年1月30日申请的日本专利公开公报JP2004-23494，其全部内容引证在此供参考，如果详细阐述将是相同的。
权利要求
1.一种布线基板，其中在一芯基板的主面上层叠一含一导体层和一树脂层的布线层叠部分，芯基板包含一在穿通其延伸的一通孔中的基本上圆筒形的通孔导体和填充所述通孔的中空部分的填充材料，该布线基板包括一覆盖在所述芯基板主面上的所述通孔的端面并连接到所述通孔导体上的盖形导体部分；和一在所述布线层叠部分的主面上设置的端子焊盘导体，用于配置用作与外部器件连接的连接端子，其中一由埋置在所述树脂层中的通路导体构成的连接部分把所述盖形连接部分和所述端子焊盘导体导通，且构成所述连接部分的所述通路导体不设置在所述通孔的中心轴之上方。
2.按照权利要求1的布线基板，其中所述通路导体不设置在所述通孔导体中的所述填充材料之上方。
3.按照权利要求1的布线基板，其中所述通路导体中的与所述盖形导体部分连接的通路导体是保形通路。
4.按照权利要求1的布线基板，其中所述通路导体中的与所述端子焊盘导体连接的通路导体不设置在所述通孔上方。
5.按照权利要求1的任一个的布线基板，其中所述通路导体中的在所述端子焊盘导体侧上的通路导体比在所述盖形导体部分侧上的通路导体在所述通孔之上距所述通孔的中心轴间隔开更远。
6.按照权利要求1的布线基板，其中所述连接部分具有一层叠通路结构，其中在除了所述通孔上方的位置之外的位置，多个填充通路基本上同轴地彼此相邻。
7.按照权利要求1的布线基板，其中所述通孔在所述端子焊盘导体的中心轴之下的位置之外。
8.一种布线基板，包括一芯基板，其包括一绝缘基板、一穿通绝缘基板设置的通孔、一在所述通孔的内周边上形成的基本上圆筒形的通孔导体、和填充所述通孔导体的一中空部分的填充材料；一在所述芯基板的至少一个主面上并以包容所述通孔的端面和与所述通孔导体导通的形状设置的盖形导体层；在所述盖形导体层上设置的多层树脂层；一设置在所述树脂层上并具有要与外部器件的连接端子连接的焊球的球焊盘导体；和一连接部分，包括分别埋置在所述树脂层中的通路导体，用于把所述盖形导体层与所述球焊盘导体导通，其中所述通路导体由填充通路构成，并且在所述通孔的穿通方向为中心轴方向的情况下，构成所述连接部分的所述通路导体和所述球焊盘导体的各自中心轴与所述通孔的中心轴不在一条直线上。
9.一种布线基板，包括一芯基板，包括一绝缘基板、穿通绝缘基板设置的通孔、一在所述通孔的内周边上形成的基本上圆筒形的通孔导体、和填充所述通孔导体的中空部分的填充材料；一在所述芯基板的至少一个主面上并以包含所述通孔的端面和与所述通孔导体导通的形状设置的盖形导体层；在所述盖形导体层上设置的多层树脂层；一设置在所述树脂层上并具有要与外部器件的连接端子连接的焊球的球焊盘导体；和一连接部分，包括分别埋置在所述树脂层中的通路导体，用于把所述盖形导体层与所述球焊盘导体导通，其中连接到所述盖形导体层的所述连接部分的通路导体由保形通路构成，而其余通路导体由填充通路构成，并且在所述通孔的穿通方向为中心轴方向的情况下，由所述填充通路构成的所述通路导体和所述球焊盘导体的各自中心轴与所述通孔的中心轴不在同一直线上。
10.按照权利要求1的布线基板，其中所述通路导体的中心轴距通孔的中心轴间隔开大于或等于50μm且小于或等于300μm。
全文摘要
一种布线基板，其中在芯基板的主面上层叠含导体层和树脂层的布线层叠部分，芯基板含在穿通其延伸的通孔中的基本上圆柱形的通孔导体和填充所述通孔空部分的填充材料，包括覆盖在所述芯基板主面上的所述通孔端面并连接到所述通孔导体的盖形导体部分；和在所述布线层叠部分的主面上设置的端子焊盘导体，用于配置用作与外部器件连接的连接端子，其中由埋置在所述树脂层中的通路导体构成的连接部分把所述盖形连接部分和所述端子焊盘导体导通，且构成所述连接部分的所述通路导体不设置在所述通孔中心轴上。
文档编号H01L23/498GK1525559SQ20041000726
公开日2004年9月1日 申请日期2004年2月27日 优先权日2003年2月28日
发明者齐木一, 中田道利, 利 申请人:日本特殊陶业株式会社