聚合物的制作方法

专利名称：：聚合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及半导体低聚物和聚合物，其合成和在薄膜电子与光学器件中的应用。
背景技术：
：由于半导体有机材料可根据有机材料结构选择电子性能、可加工性和宽的光谱，所以引起很多人的兴趣。这种材料的一个应用是开关器件，尤其如Adv.Mater.1998,10(5)，365-377所述的有机场效应晶体管。另一个应用是用于发光(有机发光器件或“OLED”)的使用有机半导体材料的光电器件或光电池或光电探测器(光电器件)的活性元件。这些器件基本的结构是夹在注入或接受负载荷子(电子)的阳极和注入或接受正载荷子(空穴)的阴极之间的半导体有机层。在有机电致发光器件中，将电子和空穴注入电致发光半导体材料层，在其中他们结合产生能辐射衰变的激子。空穴从阳极注入电致发光材料的最高占据分子轨道(HOMO)；电子从阴极注入电致发光材料的最低占据分子轨道(LUMO)。在WO90/13148中，有机发光材料是名为聚(对亚苯基亚乙烯基)(“PPV”)的聚合物。此类器件通常称为聚合物发光器件(PLED)。在US4,539,507中的有机发光材料是小分子材料，例如(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。PPV的一种替代品是2,7-连接的聚芴，如EP0842208所述，因为其有能溶液处理的优势，如适于喷墨印刷，所以引起广泛的注意。此外，具有合适离去基团的芴单体能进行Suzuki或Yamamoto聚合。Suzuki聚合特别能控制位置规则性并因此能控制聚合物的性能。芴重复单元因此可用作“结构单元”以产生具有很大范围电荷传输和/或发射性能的共聚物。然而，聚芴也有许多缺点，因此寻求替代的电子传输和发光单元。这些缺点包括聚芴易聚集，和当基于芴的聚合物发射蓝光时，发出的光不在人眼最敏感的电磁谱区域内。芴重复单元的一种替代为反式茚并芴重复单元(如下)，如Macromolecules2000，33(6)，2016-2020和AdvancedMaterials，2001，13，1096-1099所报道的。包含四辛基反式茚并芴单元的聚合物具有红移的发射波长，这使所发出的蓝色与人眼的灵敏度相匹配。不过，聚(反式茚并芴)比相应的聚芴导电率低。因此本发明的目的是提供具有反式茚并芴对于芴的优点并且不降低导电性的重复单元。
发明内容本发明人出人意料地发现包含顺式茚并芴重复单元的低聚物或聚合物与相应包含芴重复单元的低聚物或聚合物的导电性相当或更好。此外，本发明人还出人意料地发现，含有顺式茚并芴重复单元的低聚物或聚合物相对于相应含有反式茚并芴重复单元的低聚物或聚合物发生蓝移。因此，本发明的第一方面提供包括任选取代的通式(Ir)的第一重复单元其中，R1、R2、R3和R4可相同或不同，分别选自氢或取代基，而且R1，R2，R3和R4的两个或多个可连接形成环。不希望限于任何理论，相信，R1、R2、R3和R4位于重复单元骨架的同一侧能使含有该骨架的低聚物或聚合物密堆积，致使相对于反式茚并芴重复单元改进导电率，反式茚并芴重复单元的两个取代基在重复单元骨架的一侧，两个取代基在骨架的另一侧。此外，本发明人发现在通式(Ir)的重复单元中有小的扭曲，这可能因为基团R1，R2和基团R3与R4之间的空间相互作用。在相应的反式茚并芴重复单没有该扭曲，使通式(Ir)的顺式茚并芴单元比相应的反式茚并芴单元不易聚集。最后，扭曲使包含通式(I)重复单元的低聚物和聚合物和包括反式茚并芴重复单元的低聚物和聚合物相比，其发光颜色蓝移。某些取代基R1，R2，R3和R4可改变重复单元的性能，并因此改变聚合物的，如溶解性、电子亲合性或玻璃化转变温度(Tg)。因此，优选每个R1、R2，、R3和R4分别选自任选取代的烷基、烷氧基、芳基、或杂芳基。更优选，R1，R2，R3和R4的至少一个是任选取代的苯基或任选取代的C1-20烷基。特别优选的取代基为C1-20烷基或烷氧基，尤其是支链烷基或正烷基，例如作为增溶取代基的正辛基；作为增加Tg取代基的任选取代的苯基或低聚苯基，尤其是未取代的苯基，烷基或烷氧基取代的苯基以改进溶解性，和氟、氟代烷基、全氟代烷基取代的苯基以增加电子亲合性；任选取代的缺电子的杂芳基，尤其是吡啶、嘧啶和三嗪，其每一个都可为非取代或被以上列出的苯的取代基取代。为最小化聚集的可能性需要聚合物不对称。因此，优选R1，R2，R3和R4的至少一个与R1，R2，R3和R4的至少另一个不同。在特别优选的实施方式中，R1与R2都是任选取代的烷基而R3与R4都是任选取代的芳基。与相应的只有两个取代位置的芴相比，适当地选择四个取代基R1，R2，R3和R4能更好地控制低聚物或聚合物的性能。通过通式(Ir)重复单元苯基的一个以上的取代可实现本发明重复单元性能的进一步改变。优选取代以通式(II)的重复单元的形式发生。其中，R7和R8的至少一个表示取代基，R7和R8一起形成环。在一个优选的实施方式中，R7和R8都为取代基，且为相同或不同的。优选的取代基R7和R8为任选取代的烷基、烷氧基、芳基或杂芳基；特别优选的取代基R7和R8如上述的R1、R2、R3和R4。如下所以，第一重复单元优选通过2和9位连接(因为这能最大化通过重复单元的共轭)。本发明的聚合物可为均聚物或共聚物。当聚合物为共聚物时，通过适当地选择共聚重复单元可得到很宽范围的性能。因此，低聚物或聚合物优选包含第二重复单元。第二重复单元优选包括直接共轭到第一重复单元的烷基。更优选，第二重复单元选自任选取代的芳基、杂芳基和三芳基胺重复单元。第二方面，本发明提供任选取代的通式(lm)的单体其中R1、R2、R3和R4可相同或不同，并分别选自氢或取代基，R1，R2，R3和R4的两个或多个可连接形成环；每个P表示可聚合的基团。有利的聚合技术包括通过“金属插入”进行的Suzuki和Yamamoto聚合，其中金属络合物催化剂的金属原子插入单体的芳基和离去基团之间。因此，每个P优选表示离去基团，该离去基团能参与由可变氧化态金属作为媒介进行的缩聚。优选，缩聚通过金属插入作为媒介机制进行。优选，每个P分别选自卤素；通式-O-SO2-Z的部分，其中Z选自任选取代的烷基和芳基；或选自硼酸、硼酯或硼烷的反应性硼基团。优选的卤素为溴，氯和碘，更优选溴。第三方面，本发明提供制备低聚物或聚合物的方法，该方法包括低聚或聚合本发明第二方面单体的步骤。第三方面第一个优选的实施方式中，每个P分别为卤素或通式-O-SO2-Z的部分，其中Z选自任选取代的烷基和芳基，而且在镍络合物催化剂的存在下低聚或聚合通式(lm)的单体。第三方面第二个优选的实施方式中，在钯络合物催化剂和碱的存在下，将通式(lm)的单体和第二芳香单体一起低聚或聚合，而且(a)每个P为相同或不同的，并包括反应性硼基团，第二单体包括两个分别选自卤素或通式-O-SO2-Z部分的反应性基团，或(b)每个P分别包括卤素或通式-O-SO2-Z部分，第二单体包括相同或不同的两个反应性硼基团。第三发明第三个优选的实施方式中，一个P为反应性硼基团而另一个P为卤素或通式-O-SO2-Z的部分。第四方面，本发明提供包括本发明第一方面低聚物或聚合物的光学器件。优选，低聚物或聚合物位于用于注入第一类载荷子的第一电极和用于注入第二类载荷子的第二电极之间。除了它们在光学器件，如OLED或光电器件中的应用外，本发明的低聚物或聚合物可用于开关器件。因此，本发明第五方面提供包含本发明第一方面低聚物或聚合物的开关器件。在优选的实施方式中，本发明此方面提供场效应晶体管，该场效应晶体管包括具有第一侧面和第二侧面的绝缘体；位于绝缘体第一侧的栅极；位于绝缘体第二侧面的本发明第一方面的低聚物或聚合物；和位于低聚物或聚合物上的漏极和源极。第六方面，本发明提供包括本发明第五方面场效应晶体管的集成电路。第七方面，本发明提供形成任选取代的通式(1)化合物的方法；包括从任选取代的通式(lp)的化合物中消除LG-H的步骤其中每个LG为相同或不同的离去基团。合适的离去基团包括，卤素、-OR、-SR、-OSO2R和-NR2其中每个R分别表示氢或任选取代的烷基或芳基。优选每个LG为羟基。优选，在酸的存在下实现消除。优选酸是多磷酸。优选，该方法包括另外的步骤在每个通式(1)或(lp)的化合物外部苯环上，提供可聚合的基团P。发明的详细说明本发明的低聚物或聚合物在有机发光器件中，可用作能溶液处理、传输电子、传输空穴和/或发射材料。以下本文用聚合物，但很明显本文所述的特征同样可应用于低聚物。聚合物的制备可通过Suzuki聚合，如WO00/53656或WO03/048225所述，和Ymamoto聚合，如T.Yamamoto“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses”，ProgressinPolymerScience1993,17,1153-1205所述。例如，通过Yamamoto聚合合成线性聚合物时，使用具有两个反应性卤素基团P的单体。类似地，根据Suzuki聚合法，至少一个反应性基团P为反应性硼基团。Suzuki聚合使用Pd(0)或Pd(II)盐。优选Pd(0)络合物，尤其是带有至少一个膦配合体的Pd(0)络合物，如Pd(Ph3P)4。在碱的存在下实现Suzuki聚合，例如碳酸钠，或有机碱如四乙铵碳酸盐。Yamamoto聚合使用Ni(0)络合物，例如双(1,5-二环辛二烯基)镍(0)。Suzuki聚合可制备位置规则的嵌段和无规共聚物。特别是，当一个反应性基团P为卤素而另一个反应性基团P为硼衍生物基团时，可制备均聚物或无规共聚物。可选择地，当第一单体的两个反应性基团为硼衍生物而第二单体的两个反应性基团为卤素时，可制备嵌段或位置规则的，特别是AB型共聚物。本发明的单体可独自聚合成均聚物或与一个以上共聚单体形成共聚物。可能的共聚重复单元得自以下列出的这些共聚单体；应该明白每个这些共聚单元可得自包括两个可聚合基团的共聚单体，该可聚合基团分别选自卤素(优选氯、溴或碘，更优选溴)，硼酸，硼酯和硼烷。作为上述卤素的替代，可以使用例如甲苯磺酸酯、甲磺酸酯和三氟甲烷磺酸酯。当本发明的聚合物是共聚物时，一类共重复单元是亚芳基重复单元，具体地说如J.Appl.Phys.1996，79，934公开的1,4-亚苯基重复单元；EP0842208公开的芴重复单元，如Macromolecules2000，33(6)，2016-2020公开的反式茚并芴重复单元和如EP0707020公开的螺二芴重复单元。这些重复单元每个都是任选取代的。取代基的例子包括增溶基团，如C1-20烷基或烷氧基；拉电子基团如氟、硝基或氰基；用于增加聚合物玻璃化转变温度(Tg)的取代基，例如大基团，如叔丁基。另一类优选的共聚重复单元是在其重复单元骨架上包括一个或两个氨基的重复单元，例如包括三芳基胺基团的共聚重复单元，特别是如通式1-6的重复单元X和Y可为相同或不同的取代基。A、B、C和D可为相同或不同的取代基。优选X、Y、A、B、C和D的一个或多个分别选自烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、杂芳基、烷芳基和芳烷基。X、Y、A、B、C和D的一个或多个也可为氢。优选一个以上的X、Y、A、B、C和D分别为未取代的、异丁基、正烷基、正烷氧基或三氟甲基，这是因为它们有助于选择聚合物的HOMO能级和/或改进聚合物的溶解性。WO01/66618公开在此类重复单元中三氟甲基的使用。另一类共聚单元包括杂芳基重复单元，例如任选取代的2,5-噻吩基、吡啶基、二嗪、三嗪、吡咯、二唑、三唑、噁唑、噁二唑；或任选取代的通式7-19的单元其中，每个R5和R6是相同或不同独立的取代基。优选，R5或R6的一个或多个选自氢、烷基、芳基、全氟烷基、硫代烷基、氰基、烷氧基、杂芳基、烷芳基或芳烷基。由于和上述关于X、Y、A、B、C和D所讨论的相同原因优选这些基团。出于实际使用的理由，R5和R6优选相同。当用于OLED时，由本发明单体制备的聚合物具有至少一种空穴传输、电子传输和发射性能。需要超过一种的这些性能时，可由嵌段共聚物的不同片段提供不同的性能，具体地说，聚合物主链的片段公开于WO00/55927或侧基公开于WO02/26859。可选择的，如果本发明的聚合物只有空穴传输、电子传输和发射性能的一种或两种，其可与具有所需性能的一种以上其它聚合物共混，如WO99/48160所述。本发明制备的聚合物可用于任何上述光学器件中的活性材料，尤其是电致发光器件和光电器件(如，光电探测器和光电池)。这些光电器件含有带有聚合物的基质，该聚合物位于带正电荷的电极和带负电荷的电极之间。形成这些器件时，可通过包括例如旋涂、浸渍涂层、如EP0880303公开的喷墨印刷、如EP0851714公开的激光转移、胶版印刷、丝网印刷和刮刀涂敷的技术中的任何一种，从溶液中沉积聚合物。光学器件对湿气和氧气敏感。因此基质优选有好的屏障性能以阻止湿气和氧气进入器件。基质为普通玻璃，但是也可用替代的基质，特别是器件需要柔性时。例如，基质可包括塑料，如US6268695公开交替的塑料基质和屏障层，或EP0949850公开的层压的薄玻璃和塑料。尽管不必要，但在阳极上需要有机空穴注入材料层，这是因为其有助于从阳极将空穴注入到半导体聚合物层。有机空穴注入材料的例子包括如EP0901176和EP0947123公开的PEDT/PSS，或如US5723873和US5798170公开的聚苯胺。为使电子有效地注入器件而选择阴极，如包括单个导电材料如铝层的那些。可选择地，其可包含多个金属，例如WO98/10621公开的双层钙和铝，或电介质材料薄层如氟化锂以辅助电子的注入，如WO00/48258公开的。优选用封套密封器件，阻止湿气和氧气的进入。合适的封套包括玻璃片、具有合适屏障作用的膜如交替堆积的聚合物和电介质，如WO01/81649公开的，或气密性容器如WO01/19142公开的。在具体的光电子器件中，为吸收(如感光器件)或发射光(如PLED)，至少一个电极是半透明的。透明的阳极通常包括氧化铟锡。透明阴极的例子公开于，如GB2348316。当本发明的聚合物用于开关器件时，如场效应晶体管，应理解所有的电极可为不透明的。PLED可为被动矩阵或主动矩阵器件。实施例单体实施例依下图制备本发明的单体单体1二烯Stl的合成向2L容器中加入1,4-二苯基-1,3-丁二烯(500g，2.42摩尔)和乙炔二羧酸甲酯(378g，2.66摩尔)。加入甲苯(750ml)并加热回流(油浴温度145℃，二烯溶解温度≥90℃)混合物。回流反应24h(过夜)然后冷却到室温。蒸去甲苯得到黄/棕色固体，二丙醇重结晶得到780g白色固体产物，产量为92.5％。GC-MS得到单峰m/z348，HPLC99.3％；1HNMR3.54(6H，s，2×CH3)，4.47(2H，s)，5.77(2H，S)，7.24-7.3(10H，m)。三苯基顺式-二甲酯St2的合成二烯(第一阶段产物，10g，28.7mmol)的甲苯(100ml)溶液中加入活性炭(1.5g，10wt.％)上10wt.％的钯。回流(油浴130℃)反应24h(过夜)。稍微冷却(80℃)并用甲苯(100ml)稀释，然后热过滤通过C矿过滤介质的垫板。用另外的500ml热甲苯洗滤饼，除去所有的产物。冷却滤液结晶得到所需的白色固体产物7.75g，78％。GC-MS≥95％，m/z346；1HNMR3.62(6H，s，2×CH3)，7.63-7.45(10H，m)，7.52(2H，s)。三苯基顺式二醇St3，St3B的合成将二酯(10g，17.56mol)的二氯甲烷(130ml)溶液逐滴加入二异丁基氢化铝(1M，在乙烷中)溶液中，1小时滴加完毕。室温下搅拌2小时，停止反应，将反应混合物倒入氯化铝饱和溶液。产物萃取进二氯甲烷(加入20mlMeOH)。干燥(MgSO4)有机层，真空蒸发得到产物6.45g(产率77％)。GC-MS证实原料的90％转化为二醇10％剩余。1HNMR2.925(2H，OH)，4.78(4H，s，CH2OH)，7.34-7.46(12H)。顺式茚并芴St5的合成将白色二苄基醇(2.65g，9.1mmol)加入到多磷酸(12g)中并加热到180℃。一旦到达PPA变成液体和白色粉末变成黄色的温度。将反应混合物冷却到室温然后用10％的NaOH溶液处理。沉淀出灰/白色固体的顺式茚并芴2.213g(产率95％)；GC-MS表明98％为需要的物质2％为成单环的(St3B)；1HNMR3.95(4H，s，CH2×2)，7.31(2H，t，J7.2)，7.39(2H，t，J7.2)，7.59(2H，d，J8.0)，7.82(2H，s)，7.83(2H，d，J7.2)；13CNMR35.738，118.954，120.167，125.374，126.746，127.089，139.593，141.057，142.307，143.306。St5的合成向冷却的(-78℃)顺式茚并芴(2g，7.9mmol)的THF(120ml)溶液中加入BuLi(2.5M，17.38mmol)。加完后在-78℃搅拌2小时然后放置到室温。然后再将反应混合物冷却到-78℃并加入辛基溴(3.26ml，18.96mmol)。反应混合物过夜放置到室温，并重复整个锂化和烷基化过程。反应倒入石油醚-Et2O混合物中并用水洗。分离有机层，干燥(MgSO4)并用Kugel蒸馏(40℃，10-2mbar)除去过量的辛基溴/辛烷。GC-MS表明81％为二烷基产物15％为三烷基化产物。分离的产物混合物(1.34g)再进行一次锂化-烷基化过程。为得到需要的四烷基化产物，另外使用5.2当量的BuLi和6当量的辛基溴重复整个试验步骤。分离出希望的物质1.069g，并直接用于下一阶段试验。1HNMR0.0-1.4(30H)，2.2(2H，td，J4.412.8)，2.4(2H，td，J4.412.8)，7.26-7.33(6H，m)，7.70(2H，d，J7.6)，7.74(2H，s)；13CNMR14.29，22.84，24.30，29.68，29.82，30.32，32.05，40.88，58.24，119.05，119.130，121.78，126.79，127.24，141.16，142.30，146.49，150.98。单体1的合成向0℃的St5(1.069g)、碘(催化量的)的CH2Cl2(25ml)溶液中加入Na2CO3(0.387g)的H2O(6ml)溶液。搅拌5分钟后，逐滴加入溴(183μl)。反应混合物搅拌过夜。用10％硫代硫酸钠溶液(20ml)处理反应。取出有机层并水洗(2×20ml)。将有机层与水分开，干燥(MgSO4)并真空蒸发。己烷作淋洗剂过柱色谱得到450mg单或双溴代产物；通过GC-MS证实。该混合物再溴化一次。依下图制备茚并芴重复单元，该茚并芴重复单元中央苯环上有取代基除了在中央环上提供取代基，单体的中央环还可包括稠环，如下所示中央环为苯并噻重氮。通过起始二溴化合物和两当量苯硼酯的Suzuki偶合实现第一步。最后，如下图制备带有不同取代基R1-R4的顺式茚并芴单体。如图所示，11和12位的不对称取代基可通过以下步骤实现如Weinreb，TetrahedronLetters22(39)，3815-3818，1981所述，通过形成酰胺；酰胺和当量的第一烷基、芳基或杂芳基锂反应生成酮；然后酮和当量的第二烷基、芳基或杂芳基锂反应，第二烷基、芳基或杂芳基锂与第一烷基、芳基或杂芳基锂不同。聚合物实施例根据WO00/53656阐明的方法，通过聚合下述单体制备本发明的聚合物。根据WO00/53656阐明的方法从单体1得到硼酯。聚合物1聚合物2聚合物3聚合物4聚合物5为对比，按照聚合物5制备聚合物，除了用以下的反式茚并芴单体代替本发明的顺式茚并芴重复单元。聚合物6聚合物7聚合物8聚合物9器件实施例通过旋涂，在负载于玻璃基质的氧化铟锡(得自AppliedFilms，Colorado，USA)上沉积聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT/PSS)，聚(乙烯二氧噻吩)以BAYtronP得自Bayer。通过旋涂包括本发明聚合物5的二甲苯溶液，在PEDT/PSS层上形成电致发光层。在电致反光层上沉积双层钙/铝阴极，使用SaesGettersSpA的含有干燥剂的气密金属外壳密封器件。为对比，除了使用对比聚合物6，7，8和9代替聚合物5之外制备现同的器件。用这些材料装备的器件的性能概括于下表1。表11半衰期＝亮度降低到恒定电流的一半所用的时间。2半衰期测量并考虑横向CIEx和CIEy从起始颜色的偏移，作为下式的平方根测量(CIEx色移)2+(CIEy色移)23器件半衰期中驱动电压的变化。4Burn-in指当驱动器件随后亮度更逐渐地衰减时亮度的起始降低。从表1中可以看出，本发明的聚合物5在所测量的参数范围内性能最好；对于其它参数，没有证据表明聚合物5的性能明显比任何对比聚合物低。尽管根据具体实施方式描述了本发明，应理解对于本领域技术人员，在不脱离如权利要求所阐明的范围和精神实质的前提下，本发明公开的技术特征可进行各种改变、替换和/或组合。权利要求1.一种低聚物或聚合物，包括通式(lr)的任选取代的第一重复单元其中R1、R2、R3和R4可相同或不同，独立选自氢或取代基，而且R1、R2、R3和R4的两个或多个可连接形成环。2.如权利要求1的低聚物或聚合物，其中每个R1、R2、R3和R4分别选自任选取代的烷基、烷氧基、芳基或杂芳基。3.如权利要求1或2的低聚物或聚合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个为任选取代的苯基或任选取代的C1-20烷基。4.如权利要求3的低聚物或聚合物，其中R1、R2、R3和R4的至少一个与R1、R2、R3和R4的至少另一个不同。5.如前述权利要求任一项的低聚物或聚合物，其中第一重复单元通过2和9位连接。6.如前述权利要求任一项的低聚物或聚合物，其中低聚物或聚合物包括第二重复单元。7.如权利要求6的低聚物或聚合物，其中第二重复单元选自任选取代的芳基、杂芳基和三芳基胺重复单元。8.一种通式(lm)的任选取代的单体其中R1、R2、R3和R4可相同或不同，并分别选自氢或取代基，R1、R2、R3和R4的两个或多个可连接形成环；每个P表示可聚合的基团。9.如权利要求8的单体，其中每个P表示离去基团，该离去基团能参与由可变氧化态的金属作为媒介进行的缩聚。10.如权利要求9的单体，其中每个P分别选自卤素；通式-O-SO2-Z的部分，其中Z选自任选取代的烷基和芳基；或选自硼酸、硼酯或硼烷的反应性硼基团。11.一种制备低聚物或聚合物的方法，包括低聚或聚合权利要求8-10任一项单体的步骤。12.如从属于权利要求10的权利要求11的制备低聚物或聚合物的方法，其中每个P分别为卤素或通式-O-SO2-Z的部分，而且在镍络合物催化剂的存在下低聚或聚合通式(lm)的单体。13.如从属于权利要求10的权利要求11的制备低聚物或聚合物的方法，其中在钯络合物催化剂和碱的存在下，将通式(lm)的单体和第二芳香单体一起低聚或聚合，而且每个P为相同或不同的，并包括反应性硼基团，第二单体包括两个分别选自卤素或通式-O-SO2-Z部分的反应性基团，或每个P分别包括卤素或通式-O-SO2-Z部分，第二单体包括相同或不同的两个反应性硼基团。14.如从属于权利要求10的权利要求11的制备低聚物或聚合物的方法，其中一个P为反应性硼基团，另一个P为卤素或通式-O-SO2-Z的部分。15.一种光学器件，包括权利要求1-7任一项的低聚物或聚合物。16.如权利要求15的光学器件，其中低聚物或聚合物位于用于注入第一类载荷子的第一电极和用于注入第二类载荷子的第二电极之间。17.一种开关器件，包括权利要求1-7任一项的低聚物或聚合物。18.一种场效应晶体管，包括具有第一侧面和第二侧面的绝缘体；位于绝缘体第一侧的栅极；位于绝缘体第二侧面的如权利要求1-7任一项的低聚物或聚合物；和位于低聚物或聚合物上的漏极和源极。19.一种集成电路，包括如权利要求18的场效应晶体管。20.一种形成通式(l)的任选取代化合物的方法包括从通式(lp)的任选取代化合物中消除LG-H的步骤其中每个LG表示相同或不同的离去基团。21.如权利要求20的方法，其中每个G是羟基。22.如权利要求20或21的方法，其中在酸的存在下进行消除。23.如权利要求21的方法，其中酸为多磷酸。24.如权利要求20-23任一项的方法，包括在每个通式(l)或(lp)的化合物外部苯环上，提供可聚合基团P另外的步骤。全文摘要本发明涉及新型半导体低聚物和聚合物，其生产方法和其在薄膜电子和光学器件中的应用，例如有机发光二极管(OLED)和光电器件，如太阳能电池和光电探测器。文档编号H01L51/00GK1768090SQ200480008666公开日2006年5月3日申请日期2004年6月22日优先权日2003年6月23日发明者保罗·华莱士,托马斯·庞兹,理查德·奥德尔,卡尔·汤斯,玛丽·麦基尔南申请人:科文有机半导体有限公司