专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件及其制造方法。
背景技术：
日本特开2003-298005号公报(P2003-298005A)所公开的现有的半导体器件中，由于在硅衬底的尺寸外也具备作为外部连接用连接端子的焊料球，所以将上表面具有多个连接焊盘(pad)的硅衬底间隔着粘接层粘接在底板的上表面，在硅衬底周围的底板的上表面设置绝缘层，在硅衬底和绝缘层的上表面设置上层绝缘膜，在上层绝缘膜的上表面设置与硅衬底的连接焊盘连接的上层布线，用最上层绝缘膜覆盖上层布线的连接焊盘除外的部分，在上层布线的连接焊盘部上设置焊料球。
但是，在上述现有的半导体器件中，由于将硅衬底间隔着粘接层粘接在底板的上表面，所以加厚了与粘接层部分相当的量，而且，在通过焊料球安装在电路板上时的回流(温度240～260℃)，粘接层中的空隙(void)和水分膨胀，带给粘接力不好的影响，在硅衬底对底板的粘接的信赖性方面存在问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，能薄型化、且能提高半导体构成体对底座部件的粘接的可靠性。
根据本发明，提供一种半导体器件，其特征在于包括由至少包括热固化性树脂的材料形成的底座部件；搭载在上述底座部件上，而且具有半导体衬底和设置在该半导体衬底上的多个外部连接用电极的至少一个半导体构成体；在上述半导体构成体周围的上述底座部件上设置的绝缘层；以及设置在上述半导体构成体和上述绝缘层上，与上述半导体构成体的外部连接用电极连接，而且具有连接焊盘部的至少一层的布线；上述半导体衬底通过上述底座部件的固着力被固着在上述底座部件上。
而且，根据本发明，提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括如下工序在由至少包括半固化状态的热固化性树脂的材料形成的底座部件形成用部件上，使各个具有半导体衬底和设置在该半导体衬底上的多个外部连接用电极的多个半导体构成相互分离来暂时固着的工序；使上述底座部件形成用部件中的热固化性树脂固化来形成底座部件，而且利用上述底座部件的固着力使上述半导体构成体固着在上述底座部件上，而且，在上述半导体构成体周围的上述底座部件上形成绝缘层的工序；在上述半导体构成体和上述绝缘层上形成至少一层的布线，使上述布线与上述半导体构成体的外部连接用电极连接的工序；以及切断上述半导体构成体间的上述绝缘层和上述底座部件，得到多个至少包含一个上述半导体构成体的半导体器件的工序。
本发明具有以下效果根据本发明，由于在由至少包括热固化性树脂的材料形成的底座部件上直接固着半导体构成体，所以，不使用现有的粘接层，能减薄与该部分相对应的量，而且，能提高半导体构成体对底座部件的粘接的可靠性。
图1是作为本发明的第1实施方式的半导体器件的剖面图。
图2是图1所示的半导体器件的制造方法的例子中，初期准备好的。
图3是接着图2的制造工序的剖面图。
图4是接着图3的制造工序的剖面图。
图5是接着图4的制造工序的剖面图。
图6是接着图5的制造工序的剖面图。
图7是接着图6的制造工序的剖面图。
图8是接着图7的制造工序的剖面图。
图9是接着图8的制造工序的剖面图。
图10是接着图9的制造工序的剖面图。
图11是接着图10的制造工序的剖面图。
图12是接着图11的制造工序的剖面图。
图13是接着图12的制造工序的剖面图。
图14是接着图13的制造工序的剖面图。
图15是接着图14的制造工序的剖面图。
图16是接着图15的制造工序的剖面图。
图17是作为本发明的第2实施方式的半导体器件的剖面图。
图18是图17所示的半导体器件的制造方法的例子中，预定的制造工序的剖面图。
图19是接着图18的制造工序的剖面图。
图20是接着图19的制造工序的剖面图。
图21是接着图20的制造工序的剖面图。
具体实施例方式
(第1实施方式)图1是表示作为本发明的第1实施方式的半导体器件的剖面图。该半导体器件具备平面方形的底板(底座部件)1。底板1是将包含加固材料的热固化性树脂固化后制成片状而成的部件。虽然不意味着限定该底板1，而是为了说明适合的例子而提及的，作为该底板1，例如使用在由玻璃等无机材料形成的纤维或芳族聚酸胺纤维等纤维状加固材料形成的基材中浸渍环氧类树脂等热固化性树脂，然后形成半固化(B阶段固化)的状态，通常被称作预浸料坯(prepreg)材的材料。
尺寸比底板1的尺寸小某种程度的平面方形的半导体构成体2的下表面，直接固着在底板1的上表面。此时，半导体构成体2具有后述的布线10、柱状电极11和密封膜12，一般被称作CSP(Chip sizepackage)，特别由于采用了如后所述在硅晶片上形成了布线10、柱状电极11、密封膜12后通过切片得到单个的半导体构成体2的方法，所以特别指晶片级CSP(W-CSP)而言。以下，说明半导体构成体2的构成。
半导体构成体2具备硅衬底(半导体衬底)3。硅衬底3的下表面直接固着在底板1的上表面。在硅衬底3的上表面设置预定功能的集成电路(图未示出)，在上表面周边部分设有由铝类金属等形成的多个连接焊盘4，连接焊盘4与集成电路连接。在除连接焊盘4的中央部以外的硅衬底3的上表面设有由氧化硅等形成的绝缘膜5，连接焊盘4的中央部通过设置在绝缘膜5上的开口部6露出。
在绝缘膜5的上表面，设有由环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等形成的保护膜7。在与绝缘膜5的开口部6相对应的部分的保护膜7，设有开口部8。在保护膜7的上表面，设有铜等形成的基底金属层9。在基底金属层9的整个上表面，设有铜形成的布线10。包括基底金属层9的布线10的一端部，通过两开口部6、8与连接焊盘4连接。
在布线10的连接焊盘部上表面，设有铜形成的柱状电极(外部连接用电极)11。在包括布线10的保护膜7的上表面，设有由环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等形成的密封膜12，密封膜12的上表面与柱状电极11的上表面为同一面。这样，被称作W-CSP的半导体构成体2的结构包括硅衬底3、连接焊盘4和绝缘膜5，还包括绝缘膜7、布线10、柱状电极11和密封膜12。
在半导体构成体2周围的底板1的上表面，设有方形框状的绝缘层13，绝缘层13的上表面与半导体构成体2的上表面基本为同一面。绝缘层13例如由环氧类树脂或聚酰亚胺等热固化性树脂、或者在这样的热固化性树脂中混入了硅石填料(silica filler)和玻璃纤维等加固材料的材料形成。
在半导体构成体2和绝缘层13的上表面，设有第1上层绝缘膜14，使第1上层绝缘膜14的上表面平整。第1上层绝缘膜14作为积层(buildup)基板使用，通常被称作积层材，例如是由在环氧树脂类或BT(Bismaleimide Triazine)树脂等热固化性树脂中混入了由硅石或玻璃等无机材料形成的纤维等加固材料而形成的。
在柱状电极11的上表面中央部相对应的部分的第1上层绝缘膜14，设有开口部15。在第1上层绝缘膜14的上表面，设有由铜等形成的第1上层基底金属层16。在第1上层基底金属层16的整个上表面，设有由铜形成的第1上层布线17。包括第1上层基底金属16的第1上层布线17的一端部，通过第1上层绝缘膜14的开口部15与柱状电极11的上表面连接。
在包括第1上层布线17的第1上层绝缘膜14的上表面，设有由与第1上层绝缘膜14一样的材料形成的第2上层绝缘膜18。在与第1上层布线17的连接焊盘相对应的部分的第2上层绝缘膜18，设有开口部19。在第2上层绝缘膜18的上表面，设有由铜等形成的第2上层基底金属层20。在第2上层基底金属层20的整个上表面，设有铜形成的第2上层布线21。包含第2上层基底金属层20的第2上层布线21的一端部，通过第2上层绝缘膜18的开口部19与第1上层布线17的连接焊盘部连接。
在包括第2上层布线21的第2上层绝缘膜18的上表面，设有阻焊剂(solder resist)等形成的最上层绝缘膜22。在与第2上层布线21的连接焊盘部相对应的部分的最上层绝缘膜22，设有开口部23。在开口部23内及其上方，设有与第2上层布线21的连接焊盘部连接的焊料球24。多个焊料球24在最上层绝缘膜22上布置成矩阵状。
在底板1的下表面，设有由铜等形成的下层基底金属层25。在下层基底金属层25的整个下表面，设有由铜形成的下层布线26。在包括下层布线26的底板1的下表面，设有由阻焊剂等形成的下层绝缘膜27。
包含第1上层基底金属层16的第1上层布线17的至少一部分和包含下层基底金属层25的下层布线26，通过上下导通部29连接，上下导通部29由在第1上层绝缘膜14、绝缘层13和底板1的预定部位设置的通孔28的内壁面设置的铜等形成的基底金属层29a和铜层29b形成。此时，为了使上下布线良好地电导通，在上下导通部29内填充由铜膏、银膏和导电性树脂等形成的导电材30，但也可以填充绝缘性树脂，或者也可以是空洞。
使底板1的尺寸大于半导体构成体2的尺寸某种程度，是因为与硅衬底3上的连接焊盘4的数量的增加相对应，使焊料球24的布置区域也比半导体构成体2的尺寸大某种程度，这样一来，使第2上层布线21的连接焊盘部(最上层绝缘膜22的开口部23内的部分)的尺寸和节距比柱状电极11的尺寸和节距大。
由此，布置成矩阵状的第2上层布线21的连接焊盘部不仅布置在与半导体构成体2对应的区域，而且还布置在与设置在半导体构成体2周侧面外侧的绝缘层13相对应的区域上。即，布置成矩阵状的焊料球24之中，至少最外周的焊料球24布置在比半导体构成体2还位于外侧的周围。
接着，说明该半导体器件的制造方法的一个例子，首先，说明半导体构成体2的制造方法的一个例子。此时，首先如图2所示进行准备在晶片状态的硅衬底(半导体衬底)3上，设置铝类金属等形成的连接焊盘4、氧化硅等形成的绝缘膜5、及环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等形成的保护膜7，连接焊盘4的中央部通过形成在绝缘膜5和保护膜7上的开口部6、8露出。
在上述说明中，在晶片状态的硅衬底3上，在形成各个半导体构成体的区域形成预定功能的集成电路，连接焊盘4分别与在对应的区域形成的集成电路电连接。
接着，如图3所示，在包括通过两开口部6、8露出的连接焊盘4的上表面在内的保护膜7的整个上表面，形成基底金属层9。此时，基底金属层9可以仅是通过电解电镀形成的铜层，也可以是仅通过溅射形成的铜层，还可以是在通过溅射形成的钛等薄膜层上通过溅射形成了铜层的层。
接着，在基底金属层9的上表面，图形化形成电镀阻挡膜41。此时，在与布线10形成区域相对应的部分的电镀阻挡膜41，形成开口部42。接着，以基底金属层9作为电镀电流通路进行铜的电解电镀，由此在电镀阻挡膜41的开口部41内的基底金属层9的上表面，形成布线10。接着，剥离电镀阻挡膜41。
接着，如图4所示，在包括布线10的基底金属层9的上表面，图形化形成电镀阻挡膜43。此时，在与柱状电极11形成区域相对应的部分的电镀阻挡膜43，形成开口部44。接着，以基底金属层9作为电镀电流通路进行铜的电解电镀，由此在电镀阻挡膜43的开口部44内的布线10的连接焊盘部上表面，形成柱状电极11。接着，剥离电镀阻挡膜43，然后，以布线10作为掩膜，刻蚀去除基底金属层9的不需要的部分后，如图5所示，仅在布线10下残存基底金属层9。
接着，如图6所示，利用丝网印刷法(screen printing)、旋转涂敷法(spin coating)、管芯涂敷法(die coating)等，在包括柱状电极11和布线10在内的保护膜7的整个上表面，形成由环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等形成的密封膜12，密封膜12的厚度形成得比柱状电极11的高度还厚。因此，在该状态下，由密封膜12覆盖柱状电极11的上表面。
接着，适当地研磨密封膜12和柱状电极11的上表面侧，如图7所示，使柱状电极11的上表面露出，而且，使包括该被露出的柱状电极11的上表面在内的密封膜12的上表面平整。在此，适当地研磨柱状电极11的上表面侧，是由于通过电解电镀形成的柱状电极11的高度存在偏差，消除该偏差，使柱状电极11的高度均匀。接着，将硅衬底3黏附在切片胶带(图未示出)上，在经过了图8所示的切片工序之后，从切片胶带上剥离后，得到图1所示的多个半导体构成体2。
接着，说明使用如上所得到的半导体构成体2，制造图1所示的半导体器件的情况的一个例子。首先，如图9所示，以能采用多枚图1所示的底板1的大小，准备由平面方形的预浸料坯材形成的底板形成用片(底座部件形成用部件)1a，这里没有限定的意思。此时，构成底板形成用片1a的预浸料坯材中的由环氧类树脂等形成的热固化性树脂变成半固化状态。
接着，在底板形成用片1a的上表面的预定的多个部位，分别暂时压接(固着)半导体构成体2的硅衬底3的下表面。即，使用带加热机构的粘片(bonding)工具(图未示出)，在已预热的状态下，一边加一定的压力，一边将半导体构成体2暂时压接在底板形成用片1a的上表面的预定部位。暂时压接条件的一个例子如下温度为90～130℃，压力为0.1～1Mpa。
接着，在半导体构成体2周围的底板形成用片1a的上表面，利用如丝网印刷法或旋转涂敷法等，形成绝缘层形成层13a。绝缘层形成用层13a例如是环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等热固化性树脂、或者在这样的热固化性树脂中混入了由硅石或玻璃等无机材料形成的纤维等加固材料的层。
接着，在半导体构成体2和绝缘层形成用层13a的上表面，设置第1上层绝缘膜形成用片14a。第1上层绝缘膜形成用片14a优选片状的积层材，这没有限定的意味，该积层材是在环氧类树脂等热固化性树脂中混入硅石填料等加固材料，使热固化性树脂为半固化状态的构件。而且，第1上层绝缘膜形成用片14a可以使用在由玻璃等无机材料形成的纤维中浸渍环氧类树脂等热固化性树脂、使热固化性树脂变成半固化状态后制成片状的预浸料坯材，或者也可以使用没有混入加固材料、仅由半固化状态的热固化性树脂形成的片状的片。
接着，如图10所示，使用一对加热加压板45、46，从上下对底板形成用片1a、绝缘层形成用层13a和第1上层绝缘膜形成用片14a进行加热加压。加热加压条件因材料等而异，举一个例子，温度185～200℃(升温速度2.5～3℃/分钟)、压力30kg/cm2左右(加压时刻是温度变为90～100℃时)、时间大于等于60分钟.
另外，通过该加热加压，底板形成用片1a中的热固化性树脂固化，形成底板1，而且，在底板1的上表面直接固着半导体构成体2的硅衬底3的下表面。而且，利用该加热加压，绝缘层形成用层13a和第1上层绝缘膜形成用片14a硬化，在半导体构成体2周围的底板1的上表面形成绝缘层13，在半导体构成体2和绝缘层13的上表面形成第1上层绝缘膜14。此时，第1上层绝缘膜14的上表面被上侧的加热加压板45的下表面按压而成为平整面。因此，不需要用于平整第1上层绝缘膜14的上表面的研磨工序。
接着，如图11所示，利用照射激光束的激光加工，在与柱状电极11的上表面中央部对应的部分的第1上层绝缘膜14，形成开口部15。而且，使用机械钻孔机，在第1上层绝缘膜14、绝缘层13和底板1的预定部位形成通孔28。接着，根据需要，通过除污处理来去除开口部15内和通孔28内等产生的环氧树脂污点等。
接着，如图12所示，包括通过开口部15露出的柱状电极11的上表面在内的第1上层绝缘膜14的整个上表面、底板1的整个下表面和通孔28的内壁面，利用铜的无电解电镀，形成第1上层基底金属层16、下层基底金属层25和基底金属层29a。接着，在第1上层基底金属层16的上表面，图形化形成上层电镀阻挡膜51，还在下层基底金属层25的下表面，图形化形成上层电镀阻挡膜52。此时，在与第1上层布线17形成区域对应的部分的上层电镀阻挡膜51，形成有开口部53。而且，在与下层布线26形成区域对应的部分的下层电镀阻挡膜52，形成有开口部54。
接着，以基底金属层16、25、29a为电镀电流通路进行铜的电解电镀，由此在上层电镀阻挡膜51的开口部53内的第1上层基底金属层16的上表面形成第1上层布线17，而且，在下层电镀阻挡膜52的开口部54内的下层基底金属层25的下表面形成下层布线26，还在通孔28内的基底金属层29a的表面形成铜层29b。
接着，剥离两电镀阻挡膜51、52，继而以第1上层布线17和下层布线26为掩膜，刻蚀去除第1上层基底金属层16和下层基底金属层25的不需要的部分后，如图13所示，仅在第1上层布线17下残存第1上层基底金属层16，而且，仅在下层布线26上残存下层基底金属层25。而且，在这种状态下，在通孔28内形成由基底金属层29a和铜层29b形成的上下导通部29。
接着，如图14所示，利用丝网印刷法，在上下导通部29内填充铜膏、银膏、导电性树脂等形成的导电材30。接着，根据需要，利用抛光(buffing)研磨等去除从上下导通部29内突出的多余的导电材30。接着，利用丝网印刷法或旋转涂敷法等，在包括下层布线26的底板1的整个下表面，形成由阻焊剂等形成的基底绝缘膜27。
接着，在包括第1上层布线17的第1上层绝缘膜14的上表面，形成由与第1上层绝缘膜14相同的材料形成的第2上层绝缘膜18。接着，利用照射激光束的激光加工，在与第1上层布线17的连接焊盘部对应的部分的的第2上层绝缘膜18，形成开口部19。接着，根据需要，利用除污处理来去除开口部19内等中产生的环氧树脂污点等。
接着，在包括通过开口部19露出的第1上层布线17的连接焊盘部在内的第2上层绝缘膜18的整个上表面，利用铜的电解电镀等，形成第2上层基底金属层20。接着，在第2上层基底金属层20的上表面，图形化形成电镀阻挡膜55。此时，在与第2上层布线21形成区域对应的部分的电镀阻挡膜55，形成开口部56。
接着，以第2上层基底金属层20为电镀电流通路进行铜的电解电镀，由此在电镀阻挡膜55的开口部56内的第2上层基底金属层20的上表面，形成第2上层布线21。接着，剥离电镀阻挡膜55，继而以第2上层布线为掩膜，刻蚀去除第2上层基底金属层20的不需要的部分后，如图15所示，仅在第2上层布线21下残存第2上层基底金属层20。
接着，如图16所示，利用丝网印刷法或旋转涂敷法等，在包含第2上层布线21的第2上层绝缘膜18的上表面，形成由阻焊剂等形成的最上层绝缘膜22。此时，在第2上层布线21的连接焊盘部相对应的部分的最上层绝缘膜22，形成开口部23。接着，在开口部23内及其上方，形成与第2上层布线21的连接焊盘部连接的焊料球24。接着，在相邻接的半导体构成体2之间，切断最上层绝缘膜22、第2上层绝缘膜18、第1上层绝缘膜14、绝缘层13、底板1和基底绝缘膜27后，得到多个图1所示的半导体器件。
在如上得到的半导体器件中，在预浸料坯材(プリプレグ)即由包括环氧类树脂等热固化性树脂的材料形成的底板1的上表面，直接固着半导体构成体2的硅衬底3的下表面，所以，没有使用现有的粘接层，能减薄与该部分相对应的量。而且，由于由预浸料坯材形成的底板1中的空隙和水分极少，而且半导体构成体2下的底板1中的空隙和水分逃到周围，所以间隔着焊料球24安装在电路板(图未示出)上时的回流(温度240～260℃)时，半导体构成体2下的底板1中的空隙和水分的膨胀现象难以产生，可以提高半导体构成体2的硅衬底3对底板1的粘接的可靠性。
但是，在上述制造方法中，在底板形成用片1a上暂时固着多个半导体构成体2，对多个半导体构成体2，一起形成第1、第2上层布线17、21、下层布线26、上下导通部29和焊料球24，然后断开而得到多个半导体器件，所以可以简化制造工序。而且，如图10所示的制造工序以后，能与底板1一起搬运多个半导体构成体2，所以由此也可以简化制造工序。
(第2实施方式)图17示出本发明的第2实施方式的半导体器件的剖面图。在该半导体器件中，与图2所示的情形的不同点在于，将包括下层基底金属层25的下层布线26，设置在于底板1的下表面设置的铜等形成的金属层(硬片)31的整个下表面，使预浸料坯材形成的底板1的厚度比图1所示的情形还薄某种程度。
在制造该第2实施方式的半导体器件时，在图10所示的工序中，如图18所示，在底板形成用片1a的下表面布置铜箔或铜板形成的金属层31，采用一对加热加压板45、46从上下进行加热加压，由此将金属层31固着在底板1的下表面。此时，金属层31具有作为对较薄的底板1进行支撑的支撑板的功能。接着，如图19所示，使用机械钻孔机，在第1上层绝缘膜14、绝缘层13、底板1和金属层21的预定部位形成通孔28。
接着，如图20所示，在包括通过开口部15露出的柱状电极11的上表面在内的第1上层绝缘膜14的整个上表面、底板1的整体下表面和通孔28的内壁面，通过铜的电解电镀，形成第1上层基底金属层16、下层基底金属层25和基底金属层29a。接着，以基底金属层16、25、29a为电镀电流通路进行铜的电解电路，由此在基底金属层16、25、29a的整个表面，形成上层金属17a、下层金属26a和金属29b。
接着，在上层金属17a的上表面的第1上层布线17形成区域形成上层抗蚀剂膜61，在下层金属26a的下表面的下层布线26形成区域形成下层抗蚀剂膜62。接着，以两抗蚀剂膜61、62为掩膜进行刻蚀后，如图21所示，在上层抗蚀剂膜61下，形成包括第1上层基底金属层16的第1上层布线17，而且，在下层抗蚀剂膜62上，形成包括金属层3 1和下层基底金属层25的下层布线26，进一步在通孔28内形成由基底金属层29a和金属29b形成的上下导通部29。接着，剥离两抗蚀剂膜61、62。以下工序由于与上述第1实施方式的情形相同，所以省略。
(其他实施方式)在第1实施方式中，底板1可以使用预浸料坯材等单一部件，底板也可以使用将加入玻璃纤维的环氧树脂、芳族聚酸胺材料、聚酰亚胺材料等热固化性树脂完全硬化了的硬片，以及在该硬片的上表面固着了预浸料坯材的层叠结构的部件。如上所述层叠结构的底板，也可以预先暂时粘接硬片和预浸料坯材，将半导体构成体热压接在预浸料坯材的面上进行固定。硬片也可以在切片前剥离，也可以作为制成品残留。
而且，在图1中，虽然在第1上层绝缘膜14上设置的上层布线为2层，在底板1下设置的下层布线为1层，但并不限于此，在第1上层绝缘膜14上设置的上层布线可以为1层或者大于等于3层，而且，在底板1下设置的下层布线也可以大于等于2层。而且，在将最下层的下层布线覆盖的最下绝层缘膜下，与最下层的下层布线的连接焊盘部连接地搭载芯片部件等电子部件。
而且，在上述实施方式中，在相互邻接的半导体构成体2之间进行切断，但也不限于此，也可以将2个或2个以上的半导体构成体2作为1组切断，得到多芯片模块式半导体器件。此时，用多个形成1组的半导体构成体2可以是同种类，也可以是不同种类。
而且，在上述实施方式中，半导体构成体2是具有作为外部连接用电极的柱状电极11的半导体构成体，但并不限于此，也可以是没有柱状电极，而具有具备作为外部连接用电极的连接焊盘部的布线10，而且具有对布线10的连接焊盘部以外的部分进行覆盖的涂敷膜的半导体构成体，也可以是没有柱状电极，而具有对布线10的连接焊盘部以外的部分进行覆盖的涂敷膜，而且在布线10的连接焊盘部上及其附近的涂敷膜的上表面具有作为外部连接用电极的连接焊盘的半导体构成体。
权利要求
1.一种半导体器件，其特征在于包括底座部件(1)，由至少包括热固化性树脂的材料形成；至少一个半导体构成体(2)，被搭载在上述底座部件(1)上，而且具有半导体衬底(3)和设置在该半导体衬底(3)上的多个外部连接用电极(4、11)；绝缘层(13)，被设置在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上；以及至少一层的布线(17)，被设置在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上，与上述半导体构成体(2)的外部连接用电极(4、11)连接，而且具有连接焊盘部；上述半导体衬底(3)通过上述底座部件(1)的固着力被固着在上述底座部件(1)上。
2.如权利要求1记载的半导体器件，其中，上述底座部件(1)包括加固材料。
3.如权利要求2记载的半导体器件，其中，上述加固材料由无机材料构成。
4.如权利要求2记载的半导体器件，其中，上述热固化性树脂的一部分浸渍在上述加固材料中
5.如权利要求1记载的半导体器件，其中，上述半导体构成体(2)具有作为上述外部连接用电极(4、11)的柱状电极(11)。
6.如权利要求1记载的半导体器件，其中，在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上形成有上层绝缘膜(14)，上述布线(17)包括形成在上述上层绝缘膜(14)上的部分。
7.如权利要求6记载的半导体器件，其中，上述上层绝缘膜(14)包括热固化性树脂和加固材料。
8.如权利要求1记载的半导体器件，其中，包括支撑上述底座部件(1)的硬片(31)。
9.如权利要求8记载的半导体器件，其中，上述硬片(31)由金属形成。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括如下工序在由至少包括半固化状态的热固化性树脂的材料形成的底座部件形成用部件(1a)上，使各个具有半导体衬底(3)和设置在该半导体衬底(3)上的多个外部连接用电极(4、11)的多个半导体构成体(2)相互分离来暂时固着的工序；使上述底座部件形成用部件(1a)中的热固化性树脂固化来形成底座部件(1)，而且利用上述底座部件(1)的固着力使上述半导体构成体(2)固着在上述底座部件(1)上，而且，在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上形成绝缘层(13)的工序；在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上形成至少一层的布线(17)，使上述布线(17)与上述半导体构成体(2)的外部连接用电极(4、11)连接的工序；以及切断上述半导体构成体(2)间的上述绝缘层(13)和上述底座部件(1)，得到多个至少包含一个上述半导体构成体(2)的半导体器件的工序。
11.如权利要求10记载的半导体器件的制造方法，其中，暂时固着上述半导体构成体(2)的工序，包括预先加热上述半导体构成体(2)，通过加热加压来暂时固着的工序。
12.如权利要求10记载的半导体器件的制造方法，其中，利用上述底座部件(1)的固着力使上述半导体构成体(2)固着在上述底座部件(1)上的工序，包括通过使用加热加压板(45、46)来加热加压上述半导体构成体(2)而使上述底座部件形成用部件(1a)中的热固化性树脂固化的工序。
13.如权利要求12记载的半导体器件的制造方法，其中，形成上述绝缘膜(13)的工序包含如下工序在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上形成由至少包括热固化性树脂的材料形成的绝缘层形成用层(13a)，通过使用上述加热加压板(45、46)加热加压上述半导体构成体(2)和上述绝缘层形成用层(13a)，来固化上述底座部件形成用部件(1a)中的热固化性树脂，利用上述底座部件(1)的固着力将上述半导体构成体(2)固着在上述底座部件(1)上，同时固化上述绝缘层形成用层(13a)中的热固化性树脂而在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上形成上述绝缘层(13)。
14.如权利要求10记载的半导体器件的制造方法，其中，形成上述底座部件(1)的工序包括准备硬片(31)、并将上述底座部件形成用部件(1a)固着在上述硬片(31)上的工序。
15.如权利要求14记载的半导体器件的制造方法，其中，上述硬片(31)由金属材料形成。
16.如权利要求10记载的半导体器件的制造方法，其中，上述底座部件形成用部件(1a)是预浸料坯材。
17.如权利要求10记载的半导体器件的制造方法，其中，上述半导体构成体(2)具有作为上述外部连接用电极(4、11)的柱状电极(11)。
全文摘要
本发明涉及半导体器件及其制造方法。对在底板(1)上设有被称作半导体构成体(2)、在半导体构成体(2)周围的底板(1)上设有绝缘层(13)、在半导体构成体(2)和绝缘层(13)上设有上层布线的半导体器件，谋求薄型化。在预浸料坯材形成的底板(1)的上表面，固着半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面。这样，与在底板(1)的上表面间隔着由接合材料等形成的粘接层来粘接半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面的情况相比较，可以减薄与粘接层的厚度相当的量。
文档编号H01L25/04GK1649139SQ20051000587
公开日2005年8月3日 申请日期2005年1月27日 优先权日2004年1月27日
发明者三原一郎 申请人:卡西欧计算机株式会社