专利名称：贯通电极及其形成方法
技术领域：
本发明涉及贯通电极(through electrode)及其形成方法，以及更具体地说，涉及适合于用导电材料填充小孔的贯通电极及其形成方法。
背景技术：
具有三维结构的电子设备，诸如微电机组件和内插器被称为MEMS(微机电系统)以及利用半导体微处理技术是公知的。近年来，已经开发了用于形成将这种电子设备中的上布线图连接到下布线图的贯通电极的技术。例如，在一些内插器中，在衬底的上表面和下表面之间延伸的通孔中形成贯通电极以便提供布线图之间的电连接(见例如日本专利公开出版No.1-258457)。
该出版物公开了用于通过镀敷，用金属填充在用绝缘膜覆盖的衬底中形成的通孔的方法。根据该方法，通过溅射方法，在衬底的上表面上形成种子层。然后，将用于镀敷的电极与种子层的上表面接触以便使用电解镀方法，在种子层的表面上沉积导电金属，诸如Cu。然后，生长由导电金属形成的导体层，于是用金属填充通孔。
然而，上述方法的问题在于，因为在种子层的表面上形成的导体层是形成在通孔的内表面上并在通孔的内表面上生长，随着导体层的生长，在接近各个通孔的中心形成空隙。
特别地，在微电机组件的情况下，当通孔的直径相对于衬底的厚度很小因此纵横比(厚度/孔直径)很高时，难以在这种小的通孔中形成贯通电极。
发明内容
本发明的一般目的是提供一种贯通电极及其形成方法以便解决上述的至少一个问题。
根据本发明的一个方面，提供一种用于形成贯通电极的方法，包括在支撑体的表面上形成种子层的第一步骤；在种子层的表面上形成粘合层的第二步骤；将具有在其中形成的通孔的衬底压在粘合层上的第三步骤；去除与衬底的通孔相连的粘合层部分以便形成比通孔的下端处的通孔横截面更宽的间隙的第四步骤；用导体填充间隙和通孔以便形成覆盖通孔的下端的下端电极焊盘和填充通孔的柱状电极的第五步骤；以及从衬底去除支撑体、种子层和粘合层的第六步骤。
第五步骤最好包括在种子层的表面上形成构成下端电极焊盘的Au层的步骤；在Au层上形成Ni层的步骤；以及在Ni层上层压Cu层以便形成柱状电极的步骤。
最好在第一步骤中，将胶带加到支撑体的表面上，然后，在粘合层的粘合面上形成种子层；以及在第五步骤中形成柱状电极后，在第六步骤中，通过加热胶带而使支撑体从种子层分离。
最好在第一步骤中，在支撑体的表面上形成种子层，然后，在种子层上形成粘合层；以及在第五步骤中，在通孔内形成柱状电极，通过在第六步骤中加热粘合层而使支撑体从种子层分离。
最好粘合层包括光致抗蚀剂层；以及第四步骤包括通过显影过程，去除在与衬底的通孔相连的区域中形成的光致抗蚀剂层的步骤；以及形成比通孔下端的通孔横截面更宽的间隙的步骤。
最好将抗蚀剂层层压在衬底的上表面上，以及在抗蚀剂层中，形成比通孔上端的通孔横截面更宽的开口的步骤；用导体填充抗蚀剂层的开口以便形成延续到柱状电极上端的上端电极焊盘的步骤；以及去除环绕上端电极焊盘的抗蚀剂层的步骤。
根据本发明的另一方面，提供一种电极，插入贯穿衬底的通孔中并将在衬底的上表面上形成的导线分布图电连接到在衬底的下表面上形成的导线分布图，包括比通孔横截面更宽并被构造成密封通孔的下端开口的下端电极焊盘；以及通过在下端电极焊盘上层压导电材料，从底部到顶部形成以便填充通孔的柱状电极。
最好在柱状电极的上端形成比通孔的横截面更宽并被构造成密封通孔的上端开口的上端电极焊盘。
根据本发明，在支撑体的表面上形成种子层，以及在种子层的表面上形成的粘合层上安装衬底。不需要单独地提供用于固定衬底的粘合层，从而简化了生产过程并降低了生产成本。通过显影，去除在与衬底的通孔相连的区域中形成的粘合层以便形成比通孔下端的通孔横截面更宽的间隙。因此，可在与种子层相对的间隙中形成覆盖通孔下端的下端电极焊盘。此外，因为在下端电极焊盘上，从底部到顶部形成柱状电极，防止了在通孔的中心附近形成空隙。同样地，即使纵横比(厚度/孔直径)很高，也能稳定地形成柱状电极。
当通过插入其间的胶带而在支撑体的表面上形成种子层时，在形成贯通电极后，通过加热胶带，很容易使支撑体从种子层分离。
同时，当通过插入其间的种子层而在支撑体的表面上形成粘合层时，通过加热粘合层，很容易使支撑体从衬底分离。
图1是示例说明应用根据本发明的贯通电极的埋置及其形成方法的电子设备的垂直截面图；图2是示例说明贯通电极的放大垂直截面图；图3-14是示例说明第一实施例的过程的垂直截面图；以及图15-26是示例说明第二实施例的过程的垂直截面图。
具体实施例方式
下面的说明参考附图，提供本发明的示例性实施例。
(第一实施例)图1是应用根据本发明的贯通电极的埋置及其形成方法的电子设备10的垂直截面图。图2是示例说明贯通电极的放大的垂直截面图。
在电子设备10中，如图1所示，在由衬底12和盖(衬底)14定义的元件安装空间16中形成用作微电机部的功能元件18。当从顶部看时，衬底12、盖14和元件安装空间16的每一个具有四边形形状。根据该实施例，衬底12可以是例如硅晶片(硅衬底)或玻璃衬底。如果硅用作衬底12，则硅晶片或玻璃最好作为下述的支撑体。本实施例适用于不仅在简单衬底中形成贯通电极，而且在具有集成电路的半导体晶片中形成贯通电极。
尽管图1中未示出，除包括悬臂的功能元件18外，在衬底12的表面上形成用于操作功能元件18的电子电路。电子电路包括由铝(Al)或铜(Cu)制成的电极20。通过微机械加工方法，在衬底12的表面上形成功能元件18。
根据安装在衬底12上的功能元件18的结构，根据本实施例的电子设备10可以用作例如传感器，诸如加速计和微陀螺仪。
电子设备10包括用于电连接衬底12和盖14的超声连接部22。盖14包括由具有涂有绝缘层15的表面的Si晶片制成的衬底14a、定义元件安装空间16的凹口14b以及环绕该凹口14b的框架14c。每个超声连接部22包括电极20、在盖14中形成的贯通电极24以及由金制成的用于将贯通电极24的下端连接到电极20的凸起26。在贯通电极24的上端形成焊料凸起27。
盖14的框架14c具有通孔28，其中形成贯通电极24。通孔28具有30μm至100μm的孔径，以及150μm至500μm的高度(对应于衬底14a的厚度)。因此，本实施例的纵横比(厚度/孔直径)的范围从1.5至16.67。
如图2所示，贯通电极24整体上包括填充通孔28的柱状电极30、在柱状电极30的下端方形成并具有比通孔28的横截面更宽尺寸(水平表面区)的下端电极焊盘(electrode pad)32、以及在柱状电极30的上端方形成并具有比通孔28的横截面更宽尺寸的上端电极焊盘34。
电子设备10具有超声连接部36，用于密封盖14的四边外围和衬底12的四边外围之间。超声连接部36通过金的凸起42连接盖14的下表面外围上所形成的四边形密封图38和衬底12的上表面外围上所形成的四边形密封图40来密封元件安装空间16。密封图38由铜制成，而密封图40由铜或铝(Al)制成。密封图38和40通过金的凸起42或金镀敷，由Au-Cu压焊整体连接。
因为贯通电极24包括安置成密封通孔28的下端开口的下端电极焊盘32和通过在下端电极焊盘32上层压铜(导电材料)而填充通孔28的柱状电极30，防止了在柱状电极30的中心形成空隙。因此，即使纵横比(厚度/孔直径)很高，也能稳定地形成柱状电极30。
下端电极焊盘32和上端电极焊盘34分别具有比通孔28的横截面更宽的尺寸，于是紧密地密封通孔28。这有助于确保元件安装空间16的气密性。下端电极焊盘32和上端电极焊盘34分别具有比通孔28的孔直径更宽的表面区。用作连接区的更宽的表面区便于与例如焊接的连接工作。
下面参考图3-14，描述用于形成贯通电极24的方法。
在图3所示的步骤1A中，通过层压方法，将膜型胶带46加至用作支撑体的Si晶片44的表面上。胶带46是在其上表面和下表面的每一个上均具有粘合层的双面胶带，紧密地粘合到Si晶片44的表面上。胶带46用来连接如下所述的光致抗蚀剂层(粘合层)52和Si晶片44。当由于在完成贯通电极24后执行的热处理中微胶囊的爆炸而减小接触面积时，胶带46变为可去除。
在图4所示的步骤2A中，在加到Si晶片44的表面上的胶带46的上表面上形成种子层48。用于形成种子层48的方法的例子包括通过真空淀积或溅射形成铜(Cu)涂层的方法以及层压金属箔诸如Cu箔的方法。
在图5所示的步骤3A中，通过层压方法或通过滚压，将干膜50加到种子层48的表面上。干膜50具有双层结构，其中，钝化膜(PET聚对苯二甲酸乙二醇酯)53连接到用作粘合层的光致抗蚀剂层52的上表面。光致抗蚀剂层52紧密地粘合到种子层48的表面上。光致抗蚀剂层52是由曝光后丧失粘性并允许通过显影剂分解和去除其未曝光部分的光致抗蚀剂有机材料制成的负性抗蚀剂膜。尽管在本实施例中，通过将干膜50加到种子层的表面上来形成光致抗蚀剂层52，光致抗蚀剂层52可以通过其他方法形成，诸如印刷，而不使用干膜50。代替使用光致抗蚀剂层52，由环氧树脂或聚酰亚胺树脂制成的粘合剂也可以用作粘合层。
在图6所示的步骤4A中，剥落干膜50的钝化膜53并从光致抗蚀剂层52分离。光致抗蚀剂层52的上表面和下表面具有粘性，以及光致抗蚀剂层52的下表面和种子层48之间的粘合强于光致抗蚀剂层52的上表面和钝化膜53之间的粘合。因此，当剥落钝化膜53时，光致抗蚀剂层52不与种子层48分离。光致抗蚀层52具有从10μm至15μm范围的厚度，其对应于如下所述的下端电极焊盘32的厚度。
在图7所示的步骤5A中，由Si晶片制成的盖14被安装在光致抗蚀剂层52的粘合表面上。如前所述，在盖14中形成在盖14的下表面的中心形成元件安装空间16的凹口14b。形成多个通孔28以便垂直地贯穿向下突出并环绕凹口14b的框架14c。盖14压在光致抗蚀剂层52上，于是将框架14c的下表面压接到光致抗蚀剂层52的粘合表面上。在步骤5A中，将盖14直接压接到光致抗蚀剂层52的表面上而不使用胶带，从而消除了应用胶带的需要并简化了生产过程。
在本实施例中，因为光致抗蚀剂层52仍然未曝光，在下述过程中，光致抗蚀剂层52继续固定到盖14上而不丧失粘性。本实施例的通孔28具有约D＝30μm至60μm的内径以及约H＝100μm至200μm的高度(对应于框架14c的厚度)。
在图8所示的步骤6A中，显影剂被提供到每个通孔28中以便分解与通孔28的下开口相对的区域A中的光致抗蚀剂层52。为了将显影剂提供到通孔28中以便显影，也可以应用将安装在Si晶片44上的盖14浸入显影剂的浸渍显影系统或将显影剂从其上侧喷射到盖14上的喷射显影系统。这些显影系统均能分解与通孔28的下开口相对的区域A中的光致抗蚀剂层52，因此，当控制渗透时间时，能形成具有大于通孔28的内径D的宽度Da(＞D)的凸缘间隙54。
换句话说，显影剂在厚度方向上从与通孔28的下开口相对的区域A中的光致抗蚀剂层52的表面渗透以便分解光致抗蚀剂层52。当扩展渗透时间时，显影剂也在区域A的径向方向上渗透以便分解比通孔28的下开口更大的光致抗蚀剂层52的区域。根据随光致抗蚀剂层52的材料和显影剂的类型的组合改变的渗透速度，来设置渗透时间。
因此，执行等离子灰化以便通过利用等离子的电子碰撞离解，在区域A中的分解的光致抗蚀剂层52中生成活性氧原子。因此，从凸缘间隙54中去除光致抗蚀剂层52。等离子灰化提高了在下一步骤的镀敷过程中镀敷液的润湿效率。
在图9所示的步骤7A中，金镀敷在通孔28的底部暴露的种子层48的表面以便形成用作防止贯通电极24的扩散的阻挡金属的Au镀层56。然后，镍镀敷Au镀层56的上表面以便形成Ni镀层58。然后，通过电解镀方法在Ni镀层58上淀积铜，以便在通孔28内形成柱螺栓通孔(stud via)60的柱状部60b。通过在用作基座的Ni镀层58的表面上淀积铜，在通孔28中从底部到顶部形成柱螺栓通孔60。这防止在柱螺栓通孔60的中心附近形成空隙以及能通过将铜淀积到通孔28中而装满通孔28直到其上开口。
因为在凸缘间隙54中形成Au镀层56和Ni镀层58，Au镀层56和Ni镀层58的尺寸宽于通孔28的横截面。淀积在Ni镀层58上的柱螺栓通孔60的Cu凸缘部60a也具有宽于通孔28的横截面的尺寸。Au镀层56、Ni电锯层58以及Cu凸缘部60a构成下端电极焊盘32。淀积在Cu凸缘部60a上的Cu柱状部60b对应于柱状电极30。电极焊盘32的镀敷结构可以是镍和钯(钯在顶面上)的双层镀敷结构，或可以是镍、钯和金(金在顶面上)的三层镀敷结构。
在图10所示的步骤8A中，通过层压方法将干膜加到盖14的上表面以形成负性抗蚀剂层62。曝光和固化与柱螺栓通孔60的上端相对的区域B中的负性抗蚀剂层62，以及通过显影剂去除负性抗蚀剂层62的未曝光部分。通过该图案形成过程，分解比通孔28的上开口更宽的区域的负性抗蚀剂层部分62。因此，形成延续到柱螺栓通孔60的上端(通孔28的顶面)的凸缘间隙62a。在负性抗蚀剂层62中形成的凸缘间隙62a具有比通孔28的内径D更大的宽度Db(＞D)。
在图11所示的步骤9A中，通过电解镀，在Cu柱状部60b的上端形成Cu凸缘部60c。Cu凸缘部60c具有比通孔28的横截面更宽的区域，因为在具有比通孔28的横截面更宽的区域的凸缘间隙62a中形成Cu凸缘部60c。通过电解镀，在Cu凸缘部60c的上表面上形成Ni镀层64。然后，通过电解镀金，在Ni镀层64的上表面上形成用作阻挡金属的电解Au镀层(或Sn镀层)66。Au镀层(或Sn镀层)66、Ni镀层64和Cu凸缘部60c构成上端电极焊盘34。
电极焊盘34的镀敷结构可以是镍和钯(钯在顶面)的双层镀敷结构，或可以是镍、钯和金(金在顶面)的三层镀敷结构。
在图12所示的步骤10A中，通过使用去除剂(例如碱性溶液、苛性钠等等)的膨胀，去除盖14上的负性抗蚀剂层62的曝光部分。
在图13所示的步骤11A中，在烘干过程中，将Si晶片44加热到高温以便爆炸包含在胶带46中的微胶囊。当爆炸包含在胶带46中的微胶囊时，减小了胶带46的接触区。因此，通过胶带46粘合到种子层48的Si晶片44很容易从种子层48分离。
可以使用其他方法来分离Si晶片44而不限制到上述方法。例如，可以通过抛光来去除Si晶片44。
在图14所示的步骤12A中，通过蚀刻去除种子层48。然后，通过使用去除剂(例如碱性溶液、苛性钠等等)，去除粘合到盖的下表面的光致抗蚀剂层52。用这种方法，完成具有贯通电极24的盖14。
通过上述形成方法形成的贯通电极24具有下述结构，其中整体连接填充贯穿盖14的衬底14a的通孔28的柱状电极30、在柱状电极30的下端面上形成并具有比通孔28的横截面更宽的区域的下端电极焊盘32、以及在柱状电极30的上端面上形成并具有比通孔28横截面的更宽的区域的上端电极焊盘34。因此，紧密地密封通孔28的上下端。此外，因为在下端电极焊盘32上从底部到顶部形成柱状电极30，防止了在通孔28的中心附近形成空隙。因此，即使纵横比(厚度/孔直径)很高，也能在通孔28中稳定地形成柱状电极30。
在该实施例中，通过插入其间的胶带46，在Si晶片44的表面上形成种子层48。因此，在形成贯通电极24后，可以通过加热胶带46很容易使Si晶片44从种子层48分离。这简化了生产过程，同时降低了生产成本。
(第二实施例)下面参考图15-26，描述用于形成贯通电极24的方法的第二实施例。在第二实施例中，与第一实施例中相同的元件具有相同的标记。
在图15所示的步骤1B中，准备用作支撑体的玻璃晶片70。
在图16所示的步骤2B中，在玻璃晶片70的上表面上形成种子层48。用于形成种子层48的方法的例子包括真空淀积或喷射铜或镍。
在图17所示的步骤3B中，通过层压方法将干膜50加到种子层48的表面上。
在图18所示的步骤4B中，剥落干膜50的钝化层53并从光致抗蚀剂层52分离。
在图19所示的步骤5B中，由Si晶片制成的盖14被加到光致抗蚀剂层52的粘合表面上。在盖14中，形成在盖14的下表面的中心形成元件安装空间16(见图1)的凹口14b。形成通孔28以便垂直贯穿向下突出并环绕凹口14b的框架14c。将盖14压到光致抗蚀剂层52上，使得框架14c的下表面压接到光致抗蚀剂层52的粘合表面。
在图20所示的步骤6B中，将显影剂提供到每个通孔28以便分解与通孔28的下开口相对的区域A(见图8)中的光致抗蚀剂层52。提供到通孔28中的显影剂能分解与通孔28的下开口相对的区域A中的光致抗蚀剂层52，因此，当控制渗透时间时，能形成具有大于通孔的内径D的宽度Da(＞D)(见图8)的凸缘间隙54。
然后，执行等离子灰化以便通过利用等离子的电子碰撞离解，在区域A中的分解的光致抗蚀剂层52中生成活性氧原子。因此，从凸缘间隙54去除光致抗蚀剂层52。等离子灰化提高了在下一步骤的镀敷过程中镀敷液的润湿效率。
在图21所示的步骤7B中，在通孔28的底部暴露的种子层48的表面被镀金以便形成用作防止贯通电极24扩散的阻挡金属的Au镀层56。然后，Au镀层56的上表面被镀镍以便形成Ni镀层58。然后，通过电解镀方法，在Ni镀层58上淀积铜，以便在通孔28内形成柱螺栓通孔60的柱状部60b。通过在用作基座的Ni镀层58的表面上淀积铜，在通孔28中从底部到顶部形成柱螺栓通孔60。这防止了在柱螺栓通孔60的中心附近形成空隙以及能通过将铜淀积到通孔28中，装满通孔28直到其上开口。
因为在凸缘间隙54中形成Au镀层56和Ni镀层58，Au镀层56和Ni镀层58的区域宽于通孔28的横截面。淀积在Ni镀层58上的柱螺栓通孔60的Cu凸缘部60a也具有宽于通孔28的横截面的区域。
在图22所示的步骤8B中，通过层压方法，将干膜加至盖14的上表面以便形成负性抗蚀剂层62。曝光和固化与柱螺栓通孔60的上端相对的区域B中的负性抗蚀剂层62，以及通过显影剂去除负性抗蚀剂层62的未曝光部分。通过该图案形成过程，分解比通孔28的上开口更宽的区域的负性抗蚀剂层62部分。因此，形成延续到柱螺栓通孔60的上端(通孔28的顶面)的凸缘间隙62a。在负性抗蚀剂层62中形成的凸缘间隙62a具有比通孔28的内径D更大的宽度Db(＞D)。
在图23所示的步骤9B中，通过镀敷，在Cu柱状部60b的上端形成Cu凸缘部60c。因为在具有比通孔28的横截面更宽的区域的凸缘间隙62a中形成Cu凸缘部60c，Cu凸缘部60c具有比通孔28的横截面更宽的区域。通过无电镀，在Cu凸缘部60c的上表面上形成Ni镀层64。然后，通过无电镀，在Ni镀层64的上表面上形成用作阻挡金属的电解Au镀层(或Sn镀层)66。
在图24所示的步骤10B中，通过使用去除剂(例如碱性溶液、苛性钠等等)的膨胀，去除盖14上的曝光的负性抗蚀剂层62。
在图25所示的步骤11B中，在烘干过程中，从下端将玻璃晶片70加热到高温以便固化光致抗蚀剂层52。由此光致抗蚀剂层52丧失粘性，因此，光致抗蚀剂层52很容易从盖14分离。
在图26所示的步骤12B中，玻璃晶片70被分离到下侧面，于是光致抗蚀剂层52从盖14的下表面分离。用这种方式，完成具有贯通电极24的盖14。
尽管在步骤11B中加热玻璃晶片70以便分离光致抗蚀剂层52，可以应用其他方法。例如，通过研磨去除玻璃晶片70，然后通过蚀刻去除种子层48，可以使光致抗蚀剂层52从盖14的下表面分离。
通过上述形成方法形成的贯通电极24具有下述结构，其中整体连接填充贯穿盖14的衬底14a的通孔28的柱状电极30、在柱状电极30的下端面上形成并具有比通孔28的横截面更宽的区域的下端电极焊盘32、以及在柱状电极30的上端面上形成并具有比通孔28横截面的更宽的区域的上端电极焊盘34。因此，紧密地密封通孔28的上下端。此外，因为在下端电极焊盘32上，从底部到顶部形成柱状电极30，防止了在通孔28的中心附近形成空隙。因此，即使纵横比(厚度/孔直径)很高，也能在通孔28中稳定地形成柱状电极30。
在本实施例中，通过加热种子层48插入其间而在玻璃晶片70的表面上形成的光致抗蚀剂层52，使玻璃晶片70很容易从盖14分离。这简化了生产过程，并降低了生产成本。
尽管在上述实施例中，示例说明用于电子设备的微电机组件，本发明也能应用于在其他产品(例如内插器和具有用于连接上表面布线图和下表面布线图的通孔的产品)中使用的电极。
权利要求
1.一种用于形成贯通电极的方法，其特征在于，在支撑体的表面上形成种子层的第一步骤；在所述种子层的表面上形成粘合层的第二步骤；将具有在其中形成的通孔的衬底压到所述粘合层上的第三步骤；去除与所述衬底的通孔相连的所述粘合层部分，以便形成比所述通孔的下端处的通孔横截面更宽的间隙的第四步骤；用导体填充所述间隙和所述通孔以便形成覆盖所述通孔的下端的下端电极焊盘和填充所述通孔的柱状电极的第五步骤；以及从所述衬底去除所述支撑体、所述种子层和所述粘合层的第六步骤。
2.如权利要求1所述的用于形成贯通电极的方法，其特征在于，所述第五步骤包括在所述种子层的表面上形成构成所述下端电极焊盘的Au层的步骤；在所述Au层的表面上形成Ni层的步骤；以及在所述Ni层的表面上层压Cu层以形成柱状电极的步骤。
3.如权利要求1或权利要求2所述的用于形成贯通电极的方法，其特征在于，在所述第一步骤中，将胶带加到所述支撑体的表面上，然后，在所述粘合层的粘合面上形成所述种子层；以及在所述第五步骤中形成所述柱状电极之后，在第六步骤中，通过加热所述胶带而使所述支撑体从所述种子层分离。
4.如权利要求1或权利要求2所述的用于形成贯通电极的方法，其特征在于，在所述第一步骤中，在所述支撑体的表面上形成所述种子层，然后，在所述种子层上形成所述粘合层；以及在第五步骤中在所述通孔内形成所述柱状电极之后，在第六步骤中，通过加热所述粘合层而使所述支撑体从所述种子层分离。
5.如权利要求1至4的任何一个所述的用于形成贯通电极的方法，其特征在于，所述粘合层包括光致抗蚀剂层；以及所述第四步骤包括通过显影过程去除在与所述衬底的通孔相连的区域中形成的光致抗蚀剂层的步骤；以及形成比所述通孔下端的通孔横截面更宽的间隙的步骤。
6.如权利要求1至5的任何一个所述的用于形成贯通电极的方法，进一步特征在于，在所述衬底的上表面上层压抗蚀剂层，以及在所述抗蚀剂层中，形成比所述通孔上端的通孔横截面更宽的开口的步骤；用导体填充所述抗蚀剂层的开口以便形成延续到所述柱状电极上端的上端电极焊盘的步骤；以及去除环绕所述上端电极焊盘的抗蚀剂层的步骤。
7.一种电极，插入贯穿衬底的通孔中并将在所述衬底的上表面上形成的导线分布图电连接到在所述衬底的下表面上形成的导线分布图，其特征在于，下端电极焊盘比所述通孔的横截面宽并被构造成密封所述通孔的下端开口；以及通过在所述下端电极焊盘上层压导电材料，从底部到顶部形成柱状电极以便填充所述通孔。
8.如权利要求7所述的贯通电极，其特征在于，在所述柱状电极的上端形成比所述通孔的横截面宽并被构造成密封所述通孔的上端开口的上端电极焊盘。
全文摘要
公开了一种用于形成贯通电极的方法。贯通电极整体上包括填充通孔的柱状电极、形成在柱状电极的下端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的下端电极焊盘、以及形成在柱状电极的上端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的上端电极焊盘。将下端电极焊盘配置成封闭通孔的下端开口。柱状电极通过将铜层压在下端电极焊盘上来填充通孔。
文档编号H01L23/02GK1716558SQ20051008117
公开日2006年1月4日 申请日期2005年6月29日 优先权日2004年6月29日
发明者山野孝治, 仓嶋信幸 申请人:新光电气工业株式会社