专利名称：有机电子器件的阻挡层的制作方法
技术领域：
本公开内容在各种实施方案中涉及新颖的保护阻挡层组合物，该组合物用于保护有机电子器件免受不利环境影响，如对光、氧或水分或这些因素的组合的暴露。
背景技术：
薄膜晶体管(“TFT”)是电子电路的基本构造块。在结构上，TFT包括支持衬底、三个导电电极(栅极、源极和漏极)、半导体层和介电层。为了操作稳定性和延长的寿命，通常必须用保护性阻挡层保护TFT免受不利的环境影响。各种TFT构造可以在各种电子应用中达到TFT的合适功能化。例示的构造说明于图1-4。当晶体管处于它的断开状态时，当不对栅极施加偏电压时，半导体是电绝缘的。当将偏电压施加到栅极时，接通晶体管，电流在源和漏极之间通过半导体层流动。在给定的源-漏电场下，在源极-漏极之间流动的电流可以由施加到栅极的偏电压调节。
对各种环境条件的暴露可不利地影响电子器件如有机TFT(OTFT)的性能。例如，有机半导体层可能被光、氧和水分等损害，劣化它的电性能。所以，TFT需要采用保护性阻挡层或封装层保护以免受这些环境条件的影响。对于无机材料基TFT如无定形硅TFT，这在传统上由采用真空沉积的无机氧化物层(例如氮化硅)的钝化进行。对于低成本OTFT，优选可液体加工的阻挡层以降低制造成本。
现有技术OTFT阻挡层或封装层由聚合物如聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和这些聚合物的混合物组成。然而，这些聚合物具有高的氧和水渗透性并且不能起到OTFT的令人满意的阻挡层的作用。其它现有技术阻挡方法包括多层封装，该封装包含干燥剂或氧清除剂和原位聚合的聚合物层。然而，这些方法在保护OTFT抵抗环境条件中也不是非常有效。例如，干燥剂具有吸收水分的有限能力并且一旦它们由水分饱和就会停止起作用。多层阻挡层比单一阻挡层施加到OTFT的成本更大并因此较不优选。
发明内容
本公开内容涉及一类新颖的阻挡层或封装层，该阻挡层或封装层可保护OTFT免受环境光、水分和大气氧以及环境大气中存在的其它试剂的降解影响。此类阻挡层包括聚合物、抗氧剂和无机粒状材料。当所有三种组分存在时这些阻挡层在保护OTFT中有效工作，而当一种或多种组分不存在时不是有效的。
在根据本公开内容的实施方案中，无机粒状材料是改性无机氧化物。在另外的实施方案中，它是改性金属氧化物。
在根据本公开内容的另一个实施方案中，抗氧剂是2-羟基-4-辛氧基二苯酮并且金属氧化物是改性氧化铝(Al2O3)。它们分散在聚合物如PMMA中并作为保护层施加到OTFT。
以下更具体地描述本公开内容的这些和其它非限制性特征。
在图1-4中举例说明的是本公开内容的各种代表性实施方案，并且其中至少一个起保护层的作用，且其中聚噻吩可以选择作为薄膜晶体管(TFT)构造中的沟道材料。
具体实施例方式
本公开内容提供用于OTFT的新颖类别的阻挡层，该阻挡层适用于电子器件。阻挡层意味着保护电子器件免受环境光和环境成分如水、氧和空气中其它试剂的影响。
本公开内容提供具有阻挡层的电子器件，其中阻挡层包括聚合物、抗氧剂和无机粒状材料。
在实施方案中，聚合物选自聚烯烃、石蜡、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯基物、聚碳酸酯、聚砜和聚醚酮。在其它实施方案中，聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基吡啶、聚苯乙烯和聚乙烯醇缩丁醛。在其它实施方案中，聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。在其它实施方案中，聚合物占阻挡层的约5-约98wt％，基于阻挡层的总重量。在其它实施方案中，聚合物占阻挡层的约20-约90wt％，基于阻挡层的总重量。
在实施方案中，抗氧剂选自二苯酮、取代二苯酮、三嗪、取代三嗪、苯并三唑、取代苯并三唑、磷酸酯的衍生物及其混合物。在其它实施方案中，抗氧剂是取代二苯酮。在其它实施方案中，抗氧剂是2-羟基-4-辛氧基二苯酮。在其它实施方案中，抗氧剂占阻挡层的约0.1-约10wt％，基于阻挡层的总重量。在其它实施方案中，抗氧剂占阻挡层的约0.5-约5wt％，基于阻挡层的总重量。
在实施方案中，无机粒状材料是表面改性的粒状材料。在其它实施方案中，表面改性的无机粒状材料是无机氧化物。在其它实施方案中，无机氧化物是金属氧化物。在其它实施方案中，无机氧化物是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、一氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧氮化硅。在其它实施方案中，表面改性的无机粒状材料占阻挡层的约0.5-约50wt％，基于阻挡层的总重量。在其它实施方案中，表面改性的无机粒状材料占阻挡层的约0.5-约10wt％，基于阻挡层的总重量。在其它实施方案中，无机粒状材料的粒度为约1nm-500nm。
在实施方案中，表面改性的无机粒子由如下通式的硅烷试剂表面改性R-Si(X)nY3-n其中R和X各自独立地表示约1-约60个碳原子的烷基、约6-约60个碳原子的芳基、1-约60个碳原子的取代烷基、或约6-约60个碳原子的取代芳基，Y表示能够将硅烷试剂连接到金属氧化物粒子表面上的反应性基团，n表示0、1和2的整数。在其它实施方案中，所述烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基，而所述芳基选自苯基、甲苯基、二甲苯基、氯苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、氰基苯基、乙基苯基、乙氧基苯基、丙基苯基、联苯基和全氟苯基。在其它实施方案中，所述取代烷基选自氯甲基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、甲氧基丁基、甲基丁基、甲基戊基、氟甲基、二氟乙基、三氟乙基、苯基甲基、甲氧基丙基、苄基、苯基乙基、三氟丙基和十三氟-1，1，2，2-四氢辛基。在其它实施方案中，所述取代烷基是全氟烷基。在其它实施方案中，所述Y选自卤素原子、羟基和烷氧基。在其它实施方案中，所述烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基。在其它实施方案中，所述硅烷试剂选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、甲基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三氯硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、苯基乙基三氯硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三氯硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、甲苯基三氯硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基三氯硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二氯硅烷、二苯基二硅烷醇、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷及其混合物。在其它实施方案中，所述硅烷试剂选自苯基三甲氧基硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷和十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷。
在其它实施方案中，电子器件是有机薄膜晶体管。
在其它实施方案中，阻挡层的厚度是约100nm-10μm。
本公开内容提供由栅极、介电层、源极、漏极、半导体层和阻挡层构成的有机薄膜晶体管，所述阻挡层由无机粒状材料、抗氧剂和聚丙烯酸酯聚合物组成。
TFT由三个电极(栅极、源极和漏极)、介电层、半导体层、衬底和阻挡层构成，该阻挡层也可称为封装层。
在图1中图示说明由如下部分构成的TFT构造10层16，重度n-掺杂的硅晶片18，它起衬底和栅极两者的作用；热生长的氧化硅栅介电层14，在其顶部上沉积两个金属电极20和22(源极和漏极)。在金属电极20和22之上和之间的是半导体或活性层12，并且该层可以由各种合适的组分，如在此说明的聚噻吩构成。阻挡层24沉积在层12上和与层12接触。
图2图示说明由衬底36、栅极38、源极40和漏极42、栅介电层34、有机半导体层32和阻挡层35构成的另一个TFT构造30。
图3图示说明由如下部分构成的另一个TFT构造50重度n-掺杂硅晶片56，它起衬底和栅极两者的作用，热生长的氧化硅介电层54，有机半导体，如在此说明的聚噻吩，层52，在其顶部上沉积源极60和漏极62；和与层52接触的阻挡层64。
图4图示说明由如下部分构成的另一个TFT构造70衬底76、栅极78、源极80、漏极82、有机半导体层72、介电层74，并且其中层72与阻挡层86接触和由阻挡层86封装。
同样设想未公开的其它器件，特别是TFT器件，例如参考已知的TFT器件。
在实施方案中本公开内容的阻挡层包括三种组分聚合物、抗氧剂和无机粒状材料。将阻挡层作为单一层施加到有机电子器件，如OTFT。阻挡层的厚度通常为约50纳米-约50微米。在另一个的实施方案中，它的厚度为约100纳米-约10微米。
阻挡层的聚合物可以选自任何聚合物，该聚合物是机械上坚硬的并具有对表面的良好粘附性，并且可以通过液体沉积技术如旋涂、浸渍、蒸发涂覆或印刷而加工。可以使用的聚合物包括但不限于聚烯烃、石蜡、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯基物、聚酯、聚砜、聚醚酮和聚碳酸酯。在另外的实施方案中，聚合物是丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯聚合物如PMMA。聚合物通常占阻挡层的约5-约99wt％，基于阻挡层的总重量。在另外的实施方案中，它占阻挡层的约20-约95wt％，基于阻挡层的总重量。
本公开内容的抗氧剂可以选自用作氧清除剂的任何抗氧剂。选择抗氧剂以与所选的聚合物相容。抗氧剂应当容易地分散在所选的聚合物中并且不通过结晶破坏膜表面的平滑度。可以使用的抗氧剂包括但不限于二苯酮、取代二苯酮、三嗪、取代三嗪、苯并三唑、取代苯并三唑、亚磷酸酯的衍生物及其混合物。取代的二苯酮包括但不限于2-羟基-4-辛氧基二苯酮、2’，4’-二羟基-3’-丙基苯乙酮、2-羟基-4-甲氧基二苯酮。在进一步的实施方案中，抗氧剂是2-羟基-4-辛氧基二苯酮。抗氧剂通常占阻挡层的约0.1-约10wt％，基于阻挡层的总重量。在另外的实施方案中，它占阻挡层的约0.1-约5wt％，基于阻挡层的总重量。如需要可以使用多于一种抗氧剂。
本公开内容的无机粒状材料可以选自是“高密度材料”的任何无机材料。高密度材料是原子间隔足够接近使得外部物质如水的扩散受到阻碍的材料。优选的高密度材料包括无机材料如金属氧化物。通常选择无机氧化物，因为它们用作水分阻挡物。优选的金属氧化物是包括一氧化硅(SiO)和二氧化硅(SiO2)的氧化硅(SiOx)，氧氮化硅、氧化铝及其混合物。在另外的实施方案中，使用金属氧化物，因为它容易改性和因此容易分散在聚合物如PMMA中。在另外的实施方案中，使用氧化铝(Al2O3)。
在实施方案中，无机粒状材料也是表面改性的以与选择的聚合物相容。这通常由如下方式进行，但不限于如下方式采用式R-Si(X)nY3-n的硅烷偶合剂涂覆粒子，其中R和X各自表示约1-60个碳原子的烷基、约1-60个碳原子的取代烷基、或约6-60个碳原子的取代芳基。烷基或取代烷基可以选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、氯甲基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、甲氧基丁基、甲基丁基、甲基戊基、氟甲基、苯基甲基、苄基、苯基乙基、氟烷基如二氟乙基、三氟乙基、三氟丙基和十三氟-1，1，2，2-四氢辛基，而芳基可以选自苯基、甲苯基、二甲苯基、氯苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、氰基苯基、乙基苯基、乙氧基苯基、丙基苯基、联苯基和全氟苯基等。Y表示能够在金属氧化物上连接硅烷分子的活性基团。它可以是卤素原子例如氯原子、羟基原子和烷氧基。n表示0、1和2的整数。优选的硅烷偶合试剂选自但不限于甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、甲基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三氯硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、苯基乙基三氯硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三氯硅烷、甲苯基三甲氧基硅烷、甲苯基三氯硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基三氯硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二氯硅烷、二苯基二硅烷醇及其混合物。在进一步的实施方案中，硅烷试剂选自苯基三甲氧基硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷和对甲苯基三甲氧基硅烷。在另外的实施方案中，使用苯基乙基三甲氧基硅烷。
无机粒状材料通常占阻挡层的约0.5-约50wt％，基于阻挡层的总重量。在另外的实施方案中，它占阻挡层的约0.5-约10wt％，基于阻挡层的总重量。如需要可以使用多于一种无机粒状材料。
通过在有机溶剂如甲苯、己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮中分散阻挡层的三种组分容易将它们加工成分散体。然后可以使用本领域已知的任何液体沉积方法将分散体施加到OTFT。这样的方法包括但不限于旋涂、浸涂、流延和印刷。
衬底衬底可以是不透明或基本透明的。它可包括具有必要的机械性能的任何合适有机或无机材料。它可以例如由硅晶片、玻璃板、塑料膜或片组成。对于结构柔性的器件，可以优选是塑料衬底，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺片材等。衬底的厚度可以为约10微米到大于约10毫米，例示的厚度是约50-约100微米，特别地用于柔性塑料衬底，而约1-约10毫米用于刚性衬底如玻璃板或硅晶片。
电极栅极可以是薄金属膜、导电聚合物膜、从导电油墨或糊剂制备的导电膜，或衬底自身可以是栅极，例如重度掺杂的硅。栅极材料的例子包括但不限于铝、金、铬、氧化铟锡、导电聚合物如聚苯乙烯磺酸盐掺杂的聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(PSS-PEDOT)、由在聚合物基料中炭黑/石墨或胶态银分散体组成的导电油墨/糊剂，如购自Acheson Colloids Company的ELECTRODAGTM。栅极可以由如下方式制备真空蒸镀、溅射金属或导电金属氧化物，从导电聚合物溶液或导电油墨通过旋涂、流延或印刷进行涂覆。栅极的厚度例如对于金属膜为约10-约200纳米和对于聚合物导体为约1-约10微米。
源极和漏极可以从对半导体提供低电阻欧姆接触的材料制造。适于用作源和漏极的典型材料包括栅极材料的那些如金、镍、铝、铂、导电聚合物和导电油墨。源和漏极的典型厚是约，例如约40纳米-约10微米及更具体的厚度是约100-约400纳米。
半导体适于用作有机半导体的材料包括并苯，如蒽、并四苯、并五苯、和取代并五苯、苝、富勒烯、酞菁、低聚噻吩、聚噻吩及其取代衍生物。在实施方案中，有机半导体层由可液体加工的材料形成。合适半导体材料的例子包括聚噻吩、低聚噻吩、及在美国申请系列10/042,342(该文献出版为美国专利申请2003/0160234)和美国专利6,621,099、6,774,393和6,770,904中描述的半导体聚合物，这些文献的公开内容在此全文引入作为参考。另外，合适的材料包括如下文献中公开的半导体聚合物“用于大面积电子器件的有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistors for Large Area Electronics)”，C.D.Dimitrakopoulos和P.R.L.Malenfant，Adv.Mater.，Vol.12，No.2，pp.99-117(2002)，该文献的公开内容也在此引入作为参考。
半导体层可以由任何合适的方法形成，该方法包括但不限于真空蒸镀、旋涂、溶液流延、浸涂、模版/丝网印刷、苯胺印刷、凹版印刷、胶版印刷、喷墨印刷、微接触印刷、这些工艺的组合等。在实施方案中，半导体层由液体沉积方法形成。在实施方案中，半导体层的厚度为约10纳米-约1微米。在另外的实施方案中，有机半导体层的厚度为约30-约150纳米。在其它实施方案中，半导体层的厚度为约40-约100纳米。
栅介电层分离栅极与源极和漏极并与半导体层接触的介电层通常可以是无机材料膜、有机聚合物膜、或有机-无机复合膜。介电层的厚度是例如约10纳米-约1微米，更具体的厚度是约100纳米-约500纳米。适于作为介电层的无机材料的说明性例子包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、钛酸钡、锆酸钛酸钡等；用于介电层的有机聚合物的说明性例子包括聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸酯)、聚(丙烯酸酯)、环氧树脂等；且无机-有机复合材料的说明性例子包括分散在聚合物如聚酯、聚酰亚胺、环氧树脂等中的纳米尺寸金属氧化物粒子。依赖于使用的介电材料的介电常数，绝缘介电层的厚度通常为约50纳米-约500纳米。更具体地，介电材料的介电常数为例如至少约3，因此约300纳米的合适介电层厚度可提供例如约10-9-约10-7F/cm2的所需电容。
阻挡层或封装层在此描述本公开内容的保护性阻挡层或封装层的说明性组合物和形成方法。
尽管已经描述了本公开内容的特定实施方案，但目前未预料或目前可能未预料的替代、改变、变化，改进和基本同等物是申请人或本领域技术人员想得到的。因此，本公开内容希望包括所有这样的替代、改变、变化、改进和基本同等物。
如下实施例举例说明根据本公开内容的OTFT。实施例仅是说明性的并且不拟就在此说明的材料、条件或工艺参数方面限制本公开内容。
实施例1底接触TFT采用如下方式制造。TFT由n-掺杂的硅晶片与厚度为约110纳米的热生长的氧化硅层构成。晶片用作栅极而氧化硅层用作介电层并且由电容器计测量的电容为约30纳法拉每平方厘米(nF/cm2)。将硅晶片首先采用异丙醇清洁，空气干燥，和然后在60℃下浸入辛基三氯硅烷在甲苯中的0.1M溶液20分钟。随后采用甲苯和异丙醇洗涤晶片并干燥。参考文献B.S.Ong，等人，Journal ofAmerican Chemical Society，卷126，3378-3379页(2004)，通过旋涂沉积PQT-12半导体层的30-nm薄膜，在真空烘箱中干燥，和然后在140℃下加热10-30min。由金通过阴影掩模的真空蒸镀，将膜厚度为约60nm和具有各种沟道长度和宽度的金源极-漏极对阵列随后沉积在半导体的顶部上。
阻挡层由在94wt％的PMMA中分散的1wt％的2-羟基-4-辛氧基二苯酮和5wt％的改性Al2O3粒子组成，所有的百分比基于阻挡层的重量。由如下方式改性Al2O3粒子首先在硅烷偶合剂如苯基乙基三甲氧基硅烷在有机溶剂如异丙醇(isopar)、十二烷、甲苯和氯苯中的溶液中分散。将获得的悬浮液声波处理并在约50-250℃的高温下加热。在冷却到室温之后，离心分散体和滗析溶剂。将剩余的固体采用低沸点溶剂如己烷或庚烷洗涤几次，和最终在约100℃下干燥约1-约24小时。通过在8.9mL甲苯中分散0.865克PMMA、0.008克2-羟基-4-辛氧基二苯酮和0.043克改性Al2O3粒子制备涂料分散体。通过旋涂将分散体沉积在TFT的顶部上并在约60℃下干燥约1-约3小时。阻挡层的厚度是约770纳米。
在封装之后马上和在空气中在黄色光下贮存30天之后使用Keithley 4200半导体表征系统测量TFT的输出和转移曲线而对其进行评价。
实施例1的器件在30天周期内显示非常小的性能劣化迁移率显示约10％的降低而电流开/关比保持不变。
对比例1根据实施例1的过程制造一套对比TFT，区别在于阻挡层由100％PMMA组成。将0.865克PMMA在9.0mL甲苯中的涂料溶液通过旋涂沉积在TFT上，随后在60℃下干燥约1-约3小时。获得的阻挡层的厚度为670纳米。
当与在实施例1中相似地评价时，对比例1的TFT在30天之后显示显著的性能劣化迁移率下降到它初始值的一半和电流开/关比降低大于一个数量级。
对比例2根据实施例1的过程制备另一套对比TFT，区别在于阻挡层由在95wt％PMMA中分散的5wt％改性Al2O3粒子组成而没有抗氧剂、2-羟基-4-辛氧基二苯酮。两个百分比均基于阻挡层的总重量。通过在8.9mL甲苯中分散0.865克PMMA和0.043克改性Al2O3粒子制备涂料分散体。通过旋涂将分散体沉积在TFT上和在60℃下干燥约1-约3小时。阻挡层的厚度是750纳米。
这些对比TFT在30天之后显示显著的性能劣化迁移率下降到它初始值的一半和电流开/关比降低大于一个数量级。
对比例3根据实施例1的过程制造进一步的一套对比TFT，区别在于阻挡层由在99wt％PMMA中分散的1wt％2-羟基-4-辛氧基二苯酮组成而没有改性Al2O3粒子。两个百分比均基于阻挡层的总重量。通过在9mL甲苯中分散0.865克PMMA和0.008克2-羟基-4-辛氧基二苯酮制备涂料分散体。通过旋涂将分散体沉积在TFT上和在60℃下干燥约1-约3小时。阻挡层的厚度是700纳米。
这些对比TFT在30天中也显示显著的性能劣化迁移率下降到它初始值的三分之二和电流开/关比降低大于一个数量级。
以上结果清楚地证明了根据本公开内容的阻挡层的效果。
权利要求
1.一种具有阻挡层的电子器件，其中阻挡层包括聚合物、抗氧剂和无机粒状材料。
2.权利要求1的电子器件，其中无机粒状材料是表面改性的粒状材料。
3.权利要求2的电子器件，其中表面改性的无机粒子由如下通式的硅烷试剂表面改性R-Si(X)nY3-n其中R和X各自独立地表示约1-约60个碳原子的烷基、约6-约60个碳原子的芳基、1-约60个碳原子的取代烷基、或约6-约60个碳原子的取代芳基，Y表示能够将硅烷试剂连接到金属氧化物粒子表面上的反应性基团，n表示0、1和2的整数。
4.权利要求3的电子器件，其中所述烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基，而所述芳基选自苯基、甲苯基、二甲苯基、氯苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、氰基苯基、乙基苯基、乙氧基苯基、丙基苯基、联苯基和全氟苯基。
5.权利要求3的电子器件，其中所述取代烷基选自氯甲基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、甲氧基丁基、甲基丁基、甲基戊基、氟甲基、二氟乙基、三氟乙基、苯基甲基、甲氧基丙基、苄基、苯基乙基、三氟丙基和十三氟-1，1，2，2-四氢辛基。
6.权利要求3的电子器件，其中所述取代烷基是全氟烷基。
7.权利要求3的电子器件，其中所述Y选自卤素原子、羟基和烷氧基。
8.权利要求3的电子器件，其中所述烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基。
9.权利要求3的电子器件，其中所述硅烷试剂选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三氯硅烷、甲基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三氯硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、苯基乙基三氯硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三氯硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、甲苯基三氯硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基三氯硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二氯硅烷、二苯基二硅烷醇、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷及其混合物。
10.一种有机薄膜晶体管，由栅极、介电层、源极、漏极、半导体层和阻挡层构成，该阻挡层由无机粒状材料、抗氧剂和聚丙烯酸酯聚合物构成。
全文摘要
描述了新颖的阻挡层，该阻挡层保护电子器件免受不利环境影响，如对光、氧和/或水分的暴露。阻挡层包括聚合物、抗氧剂和无机粒状材料。
文档编号H01L51/05GK1877879SQ20061008878
公开日2006年12月13日 申请日期2006年6月5日 优先权日2005年6月6日
发明者M·比劳, Y·齐, Y·吴, B·S·翁 申请人:施乐公司