专利名称：：晶片结构的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种晶片结构，特别是涉及一种具有软性凸块的晶片结构。技术背景在半导体产业中，集成电路(integratedcircuits,IC)的生产主要可分为三个阶段集成电路的设计(ICdesign)、集成电路的制作(ICprocess)及集成电路的封装(ICpackage)。在集成电路的制作中，晶片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形成集成电路、电性观'H式(electricaltesting)以及切割晶圓(wafersawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(activesurface),其泛指晶圓的具有主动元件(activedevice)的表面。当晶圓内部的集成电路完成后，晶圓的主动面将配置有多个焊垫(bondingpad),以使最终由晶圆切割所形成的晶片可经由这些焊垫而向外电性连接于一承载器(carrier)。请参阅图1所示，其为现有的一种晶片结构的側视示意图。现有晶片结构100包括一基材(substrate)110、多个晶片焊垫(chipbondingpad)120、一保护层(passivationlayer)130与多个导电凸块(conductiveb卿)140。基材110具有一主动面112,而这些晶片焊垫120配置于主动面112上。保护层130覆盖主动面112，且暴露出这些晶片焊垫120。此外，这些导电凸块140分别配置于这些晶片焊垫120上，以作为电性连接至玻璃基板(glasssubstrate)(未绘示)的媒介。然而，在玻璃基板上，被设计要与这些导电凸块140对应电性连接的这些电性接点(未绘示)有时由于布线设计或其他因素而无法完全与这些导电凸块140的位置对应对齐，进而使得这些晶片焊垫120无法对应电性连接至这些电性接点。因此，对于这些晶片焊垫120作进一步的重新配置(redistribution)的处理是必要的。
发明内容本发明的目的是提供一种品片结构，其晶片焊垫可借由软性凸块与重配置导电迹线而适于对应连接至承载器的电性接点。为达上述或是其他目的，衣发明提出一种晶片结构，其包括一基材、至少一晶片焊垫、一保护层、至少一软性凸块(compliantbump)与至少一重西己置导电迹纟《(redisu;'rmlh)ncuncluctivetrace)。基才才具有一主动面，晶片焊垫配置于主动而上保护层配置于主动面上，且暴露出晶片焊垫。软性凸块具有一顶面与一侧面，其中至少部分软性凸块配置于保护层上。重配置导电迹线的一端与晶片焊垫电性连接，且重配置导电迹线的另一端覆盖于软性凸块的部分側面与至少部分顶面。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于晶片焊垫与保护层上，且软性凸块可覆盖部分晶片焊垫。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于保护层上。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块可配置于保护层上。此外，上述部分重配置导电迹线可配置于保护层上。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为矩形。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为圓形。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为规则形状。此外，上述的软性凸块的顶面可为环形。在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的顶面可为不规则形状在本发明的一实施例中，上述的软性凸块的数量可为多个。在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的数量可为多个。此外，上述这些软性凸块可排列为阵列(array)。在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的材质包括聚亚酰胺(polyimide)。在本发明之一实施例中，上述的软性凸块的厚度可大于等于5微米且可小于等于ll微米。在本发明之一实施例中，上述的位于软性凸块的顶面上的重配置导电迹线的一端的表面粗糙度可大于O微米且可小于等于1微米。在本发明的一实施例中，上述的重配置导电迹线的厚度可大于等于2微米且可小于等于6微米。在本发明的一实施例中，上述的晶片结构更包括一异方性导电膜(anisotropicconductivefilm),配置于^f立于软性凸块的顶面上的重配置导电迹线的一端上。在本发明的一实施例中，上述的保护层的材质包括聚亚酰胺或笨并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)。基于上述，当晶片结构与承栽器上的电性接点电性连接时，由于软性凸块与电性接点相对应连接，所以晶片焊垫可借由软性凸块与重配置导电迹线而电性连接至相对应的电性接点上。此外，由于软性凸块的材质较软，且软性凸块的側面的一部分是未被重配置导电迹线所覆盖而暴露在外，因此当晶片结构与承栽器彼此压合时，软性凸块可作适度的变形而仍维持晶片结构与承载器之间良好的电性连接的效能。另外，由于晶片焊垫可借由重配置导电迹线而连接至多个软性凸块，因此可增加晶片结构与承载器之间彼此电性连接的接触面积，及减少结合失败的机率。为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。图1是现有的一种晶片结构的侧视示意图。图2A是本发明一实施例的一种晶片结构的俯视示意图。图2B是图2A的晶片结构沿着线A-A的剖面示意图。图2C是图2A的晶片结构沿着线B-B的剖面示意图。<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>T2:重配置导电迹线的厚度具体实施方式图2A是本发明一实施例的一种晶片结构的俯视示意图，图2B是图2A的晶片结构沿着线A-A的剖面示意图，而图2C是图2A的晶片结构沿着线B-B的剖面示意图。请参阅图2A、图2B与图2C所示，本实施例的晶片结构200包括一基材210、至少一晶片焊垫220(图2A示意地绘示6个)、一保护层230、至少一软性凸块240(图2A示意地绘示15个)与至少一重配置导电迹线250(图2A示意地绘示6条)。基材210具有一主动面212，这些晶片焊垫220配置于主动面212上。保护层230配置于主动面212上，且暴露出这些晶片焊垫220。此外，各个软性凸块240具有一顶面242与一侧面244，其中各个软性凸块240至少部分地配置于保护层230上。另外，各个重配置导电迹线250的一端对应与这些晶片焊垫220的其中之一电性连接，且各个重配置导电迹线250的另一端对应覆盖各个软性凸块240的部分侧面244与至少部分顶面242。详言之，各个软性凸块240的侧面244有一部分是未被重配置导电迹线250所覆盖而暴露在外，且在本实施例中，这些重配置导电迹线250可依照设计需求部分地或完全地覆盖对应的这些软性凸块240的顶面242当晶片结构200与承栽器(carrier)(例如是玻璃基板，但未绘示)上的多个电性接点(未绘示)电性连接时，由于这些软性凸块240与这些电性接点相对应连接，所以这些晶片焊垫220可借由这些软性凸块240与这些重配置导电迹线250而电性连接至相对应的这些电性接点上。因此，本实施例的晶片结构200可避免现有的晶片结构IOO(见图1)的这些晶片焊垫120与承栽器的这些电性接点之间无法完全对应电性连接的缺点。此外，由于这些软性凸块240的材质较软(flexible)，且各个软性凸块240的側面244有一部分是未被重配置导电迹线250所覆盖而暴露在外，因此当晶片结构200与承载器(carrier)彼此压合时，各个软性凸块240可作适度的变形而仍维持晶片结构200与承栽器之间良好的电性连接的效能。请参阅图2A所示，在本实施例中，各个软性凸块240的顶面242的外型可为衫L则形状，例如为矩形或环形。然而，各个软性凸块240的顶面242的外型亦可为圓形、其他规则形状或不规则形状。此外，就图2A的相对位置而言，在最下方的重配置导电迹线250的一端可覆盖多个软性凸块240，且这些软性凸块240可排列为阵列。在此必须说明的是，这些软性凸块240的顶面242的外型、这些软性凸块240的数量与排列方式可依照设计者的需求而改变，本实施例是用以举例而非限定本发明。请参阅图2B所示，在本实施例中，有些软性凸块240可完全配置于保护层230上，且图2B中的重配置导电迹线250的一部份可配置于保护层230上，而保护层230的材质包括聚亚酰胺或笨并环丁烯。然而，请参阅图2C所示，在本实施例中，有一软性凸块240亦可配置于晶片焊垫220与保护层230上，且此软性凸块240可覆盖部分晶片焊垫220。请参阅图2A、图2B与图2C所示，在本实施例中，这些软性凸块240的材质包括聚亚酰胺，且各个软性凸块240的厚度Tl(亦即各个软性凸块240的顶面242与保护层230之间的距离)可大于等于5微米且可小于等于11微米，若用数学式表示则为5jam^T1^11jLtm。在此必须说明的是，实际上，这些软性凸块240的厚度T1可能有些许不同，亦即这些软性凸块240有高有低，但是各个软性凸块240的厚度T1仍可位于上述的范围之内。此外，请再参阅图2B与图2C所示，在本实施例中，位于这些软性凸块240的顶面242上的这些重配置导电迹线250的一端的表面粗糙度(即最大高度粗糙度)可大于O微米且可小于等于1微米。各个重配置导电迹线250的厚度T2可大于等于2微米且可小于等于6微米。另外，本实施例的晶片结构200更包括一异方性导电膜260(图2A省略绘示)，其配置于位于这些软性凸块240的顶面242上的这些重配置导电迹线250的一端上。异方性导电膜260用以将位于这些软性凸块240的顶面242上的这些重配置导电迹线250的一端对应黏接与电性连接至承栽器(未绘示)的这些电性接点(未绘示)。综上所述，本发明的晶片结构至少具有下列优点一、当晶片结构与承载器上的多个电性接点(未绘示)电性连接时，由于这些软性凸块与这些电性接点相对应连接，所以这些晶片焊垫可借由这些软性凸块与这些重配置导电迹线而电性连接至相对应的这些电性接点上。二、由于这些软性凸块的材质较软，且各个软性凸块的侧面的一部分是未被重配置导电迹线所覆盖而暴露于外，因此当晶片结构与承栽器彼此压合时，各个软性凸块可作适度的变形而仍维持晶片结构与承载器之间良好的电性连接的效能。三、由于这些晶片焊垫的其中之一可借由这些重配置导电迹线的其中之一而连接至多个软性凸块，因此可增加晶片结构与承载器之间彼此电性连接的接触面积，及减少结合失败的机率。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。权利要求1.一种晶片结构，其特征在于其包括一基材，具有一主动面；至少一晶片焊垫，配置于该主动面上；一保护层，配置于该主动面上，且暴露出该晶片焊垫；至少一软性凸块，具有一顶面与一侧面，其中至少部分该软性凸块配置于该保护层上；以及至少一重配置导电迹线，其中该重配置导电迹线的一端与该晶片焊垫电性连接，且该重配置导电迹线的另一端覆盖于该软性凸块的部分该侧面与至少部分该顶面。2.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的软性凸块配置于该晶片焊垫与该保护层上，且该软性凸块覆盖部分该晶片焊垫。3.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的软性凸块配置于该保护层上。4.根据权利要求3所述的晶片结构，其特征在于其中所述的部分该重配置导电迹线配置于该保护层上。5.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的软性凸块的数量为多个。6.根据权利要求5所述的晶片结构，其特征在于其中所述的软性凸块排列为阵列。7.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的软性凸块的厚度大于等于5微米且小于等于11微米。8.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的位于该软性凸块的该顶面上的该重配置导电迹线的一端的表面粗糙度大于0微米且小于等于l微米。9.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的该重配置导电迹线的厚度大于等于2微米且小于等于6微米。10.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于其中所述的该晶片结构更包括一异方性导电膜，配置于位于该软性凸块的该顶面上的该重配置导电迹线的一端上。全文摘要本发明是有关于一种晶片结构，其包括一基材、至少一晶片焊垫、一保护层、至少一软性凸块与至少一重配置导电迹线。基材具有一主动面，晶片焊垫配置于主动面上。保护层配置于主动面上，且暴露出晶片焊垫。软性凸块具有一顶面与一侧面，其中至少部分软性凸块配置于保护层上。重配置导电迹线的一端与晶片焊垫电性连接，且重配置导电迹线的另一端覆盖于软性凸块的部分侧面与至少部分顶面。因此，晶片结构的晶片焊垫可借由软性凸块与重配置导电迹线而电性连接至相对应的承载器上的电性接点。文档编号H01L23/48GK101114627SQ20061009911公开日2008年1月30日申请日期2006年7月27日优先权日2006年7月27日发明者杨玉琳申请人:南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司