专利名称：GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及用于制造半导体器件的GaN衬底的储存方法、通过该储存方法储存的GaN衬底、在该GaN衬底上至少形成单薄层半导体层的半导体器件、和制造这种半导体器件的方法。
背景技术：
在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和其它半导体器件中广泛地使用GaN衬底。
在这种使用的GaN衬底中，制造这些衬底的工艺一般和采用制造的GaN衬底来制造半导体器件的工艺分开，这意味着制造的GaN衬底要储存一段固定的时间周期，然后才能用于生产半导体器件。因此，到目前为止，已经提出了多种容纳和储存制造的GaN衬底的方法。(例如，参考文献日本未审查的专利申请公开2000-355392)。
然而，利用这些常规的GaN衬底储存方法，因为GaN衬底容纳和储存在新鲜空气气氛中，由于长期储存，GaN衬底的表面氧化了，这抑制了制造具有有利性能的半导体器件。
发明内容
本发明致力于解决这个问题，并且本发明的目的是获得储存可以制造有利性能的半导体器件的GaN衬底的方法，通过该储存方法储存的GaN衬底，在该GaN衬底上至少形成单薄层(single-lamina)半导体层的半导体器件，和制造这种半导体器件的方法。
本发明的一个方面是在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或25g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛下储存GaN衬底的方法。
在涉及本发明的GaN衬底储存方法中，可以使氧浓度为5vol.％或以下，和/或使水蒸汽浓度为17g/m3或以下。
另外，在通过涉及本发明的储存方法储存的GaN衬底中，可以使其第一主表面的表面粗造程度Ra为20nm或以下，同时使其第二主表面的表面粗造程度Ra为20μm或以下。同样，第一主表面的粗造程度Ra可以达到5nm或以下，同时第二主表面的粗造程度Ra可以达到10μm或以下。
此外，在涉及本发明的GaN衬底储存方法中，可以使由GaN衬底主表面和(0001)面形成的偏轴角，在 方向上在0.05°和2°之间，端点包括在内；在 方向上在0°和1°之间，端点包括在内。同样，该偏轴角，在 方向上，在0.1°和0.8°之间，端点包括在内；在 方向上，在0°和0.6°之间，端点包括在内。这里，“主表面”意指第一主表面和第二主表面两个。
本发明的另一方面是通过上述的储存方法储存的GaN衬底。本发明的再一个方面是一种半导体器件，其中在通过该储存方法储存的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。本发明的又一个方面是一种半导体器件制造方法，该方法包括选择通过该储存方法储存的GaN衬底作为基底、以在GaN衬底第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
本发明提供一种储存能够制造有利特性的半导体器件的GaN衬底的方法，并提供一种通过该储存方法储存的GaN衬底，在GaN衬底上至少形成单薄层半导体层的半导体器件，和制造这种半导体器件的方法。
结合附图，由下面的详细描述，本发明的上述的和其它的目的、特征和优点对于本领域的技术人员更容易明白。
图1是示出涉及本发明的GaN衬底储存方法的一个实施例的示意图；图2是描绘涉及本发明的半导体器件制造方法的一个实施例的示意图；和图3是表示在用来储存GaN衬底的气氛中氧和水蒸汽浓度之间的关系和半导体器件的性质的图。
具体实施例方式
实施例模式1涉及本发明的GaN衬底储存方法的特征在于GaN衬底储存在氧浓度为18vol.％或以下和/或水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气氛中。
在氧浓度为18vol.％或以下和/或水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气氛中储存GaN衬底能抑制GaN衬底表面的氧化，使得能够制造有利特性的半导体器件。从这一点看，氧浓度优选为5vol.％或以下，和/或水蒸汽浓度为17g/m3或以下，更优选，氧浓度优选为1vol.％或以下，和/或水蒸汽浓度为4g/m3或以下。
这里，没有具体限制在用来储存GaN衬底的气氛中使氧浓度为18vol.％或以下、和/或使水蒸汽浓度为25g/m3或以下的技术，其中例如可以使用如图1所示的储存器件10。储存器件10提供有进气线20、进气阀29、排气线40和排气阀41。
在用来储存GaN衬底的气氛中，用来将氧浓度减小到不大于18vol.％的技术的实例包括下述技术(称为“技术A-1”-在下文中同样)，参考图1，通过该技术，将GaN衬底1放置在储存器件10内部，氧浓度为18vol.％或以下的气体21经由进气线20和阀29被引入储存器件10，并且氧浓度高于18vol.％的气体41经由排气线40和阀49被排出储存器件10。也可以通过下述技术(称为“技术A-2”-在下文中同样)来减小氧浓度，通过该技术，将氧净化剂31同GaN衬底1一起放在储存器件10中。此外，技术A-1和技术A-2可以一前一后协同使用。
这里，氧浓度为18vol.％或以下的气体没有具体限制，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选氮气、氩气或其它氧浓度为18vol.％或以下的惰性气体。而且，没有具体限制氧净化剂，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选活性铁氧化物、活性碳等。
此外，在用来储存GaN衬底的气氛中，用来将水蒸汽浓度减小到不大于25g/m3的技术的实例包括下述技术(称为“技术B-1”-在下文中同样)，参考图1，通过该技术，将GaN衬底1放置在储存器件10内部，水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气体22引入储存器件10，并且水蒸汽浓度高于25g/m3的气体42排出储存器件10；并且也包括下述技术(称为“技术B-2”-在下文中同样)，通过该技术，将脱水剂32同GaN衬底1一起放在储存器件10中。另外，技术B-1和技术B-2可以一前一后协同使用。
这里，水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气体没有具体限制，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选氮气、氩气或其它的其中作为杂质的水蒸汽浓度为1vol.％或以下的惰性气体。而且，没有具体限制脱水剂，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选硅胶活性碳等。
此外，在用来储存GaN衬底的气氛中，使氧浓度为18vol.％或以下并且水蒸汽浓度为25g/m3或以下的技术的实例包括下述技术(称为“技术C-1”)，通过该技术，将GaN衬底1放置在储存器件10内部，氧浓度为18vol.％和水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气体23被引入储存器件10，并且氧的氧浓度高于18vol.％和水蒸汽浓度高于25g/m3的气体43被排出储存器件10。另一个这种实例是下述的技术(称为“技术C-2”)，通过该技术，将氧净化剂31和脱水剂32同GaN衬底1一起放在储存器件10中。此外，技术C-1和技术C-2可以一前一后使用。
这里，氧浓度为18vol.％或以下和水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气体没有具体限制，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选氮气、氩气或其它的其中氧浓度为18vol.％或以下和水蒸汽浓度为25g/m3或以下的惰性气体。
另外，没有具体限制氧浓度的测量，但可以通过溶氧分析仪的方式进行。而且，没有具体限制水蒸汽浓度的测量，但可以通过电介质滴定测水法(dielectric aquameter)或卡尔费希尔湿气分析器(KarlFischer moisture analyzer)进行。
此外，储存GaN衬底的气氛的温度没有具体限制，但是考虑到不能与GaN衬底的表面产生化学反应，优选温度不大于60℃，更优选不大于40℃。另外，考虑到防止浓缩，优选5℃以上的温度，更优选至少10℃。
此外，至于通过实施例模式1的储存方法储存的GaN衬底，考虑到把在储存器件内部的氧和/或水蒸汽与GaN衬底表面的反应保持在控制范围内，并且考虑到减小氧和/或水蒸汽吸收到GaN衬底表面，第一主表面的表面粗造程度Ra优选20nm或以下，并且第二主表面的表面粗造程度Ra优选20μm或以下。从这些点考虑，更优选第一主表面的表面粗造程度Ra是5nm，并且第二主表面的表面粗造程度Ra为10μm。虽然不清楚GaN衬底主表面(意思是第一主表面和第二主表面两个—在下文中一样)的表面粗造程度Ra和氧和/或水蒸汽与GaN衬底主表面的反应性和吸收性之间的关系，但是相信由减轻表面粗造程度Ra导致表面积减小是一个影响因素。这里，“第一主表面”指的是半导体层在其上外延生长的主表面，并且“第二主表面”指的是与第一主表面相反的一侧的主表面。此外，“表面粗造程度Ra”表示这样一个值，其中，沿着其平均平面从地形表面选择预定基准表面积，并且将从选择部分的平均平面到侧表面的偏离的绝对值相加，并在基准表面积内对该总和求平均值。可以使用非接触干涉计或3D-SEM(三维扫描电子测微计)测量该表面粗造程度Ra。
而且关于由实施例模式1的储存方法储存的GaN衬底，考虑到把在储存器件内的氧和/或水蒸汽与GaN衬底表面反应保持在控制范围内，并考虑到减少氧和/或水蒸汽被吸收到GaN衬底表面中，由GaN衬底主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上优选在0.05°和2°之间，端点包含在内；以及在 方向上优选在0°和1°之间，端点包含在内。从这一点看，更优选偏轴角在 方向上在0.1°和0.8°之间，端点包含在内；以及在 方向上优选在0°和0.6°之间，端点包含在内。尽管不清楚由GaN衬底主表面和(0001)面形成的偏轴角与氧和/或水蒸汽与GaN衬底主表面的反应和吸收率之间的关系，但是由于取向错误的存在造成的可能与氧和/或水蒸汽结合的GaN衬底主表面的位置数的变化被认为是一个有关的影响因素。由GaN衬底主表面和(0001)面形成的偏轴角可以由XRD(X射线衍射)测量。
应当认为，在实施例模式1中，参考图1，在本发明对容纳GaN衬底1中的储存器件1内部的气氛施加影响的储存条件(例如，氧浓度为18vol.％或以下和/或水蒸汽为25g/m3或以下)下，可以通过将GaN衬底1密封到把氧和水蒸汽排除在外的(未示例)储存容器(例如，袋，例如铝袋)中来储存GaN衬底1。而且，可以将密封地封存在储存容器中的GaN衬底取出储存器件1并储存。
实施例模式2如图2所示，在根据本发明的半导体器件中，在由实施例模式1的储存方法储存的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层210。另外，根据本发明的半导体器件制造方法包括选择由实施例模式1的储存方法储存的GaN衬底作为基底、以在GaN衬底1上至少生长单薄层半导体层210的步骤。
防止由实施例模式1的储存方法储存的GaN衬底表面氧化，由此通过在GaN衬底上生长至少单薄层半导体层210可以获得具有有利性能的半导体器件。
对生长在GaN衬底上的半导体层没有特别的限制，但鉴于晶格非常同格的事实，优选AlxGayIn1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y≤1)和其它III族氮化物层。而且，对生长半导体层的技术没有特别的限制，但考虑到消除半导体层外延地生长到GaN衬底上，优选使用例如氢化物汽相外延(HVPE)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)的技术。
更具体地，如图2所示，在该实施例模式的半导体器件200中，在GaN衬底1上连续形成n型GaN薄层211、In0.2Ga0.8N薄层212、Al0.2Ga0.8N薄层213和p型GaN薄层214作为半导体层210，另外在GaN衬底1的底侧(上面未形成半导体层210的面)上形成n侧电极221，并在p-GaN层214的顶侧上形成p侧电极222，其中发出光230。
实施例将基于以下的实施例和对比示例更具体地说明根据本发明的GaN衬底储存方法和半导体器件，包括选择由该储存方法储存的GaN衬底以在GaN衬底上至少生长单薄层半导体层的步骤。
对比示例1如图1所示，将通过HVPE生长的400μm厚和50.8mm直径的、具有第一主表面和第二主表面的GaN衬底1封装在储存器件10中，并通过进气线20和进气阀29将具有20vol.％的氧浓度和30g/m3的水蒸汽浓度的氮-氧气体混合物引入到储存器件10中，并通过排气线40和排气阀49从储存器件10排出具有较高氧和水蒸汽浓度的气体，以在储存器件10的内部气氛中使氧浓度达到20vol.％和水蒸汽浓度达到30g/m3，其中该第一主表面的表面粗糙度Ra为33nm，第二主表面的表面粗糙度为32.1μm，主表面和(0001)面形成偏轴角，在 方向上为2.5°，在 方向上为1.2°。在储存器件10中，GaN衬底被放入晶片盘(未示例)中，然后与晶片盘一起，被密封到铝袋(未示例)中然后在35℃被储存六个月。
接下来，如图2所示，通过MOCVD在前述条件下储存了六个月的GaN衬底1上连续生长5μm厚n-GaN薄层211、3nm厚的In0.2Ga0.8N薄层212、60nm厚Al0.2Ga0.8N薄层213、和150nm厚的p-GaN薄层214，作为半导体层210。随后，在p-GaN层24的顶侧上形成了100-nm厚的p电极222，然后在GaN衬底的底侧(上面没有形成半导体层210的面)的中心，形成了100nm厚×80μm直径的n电极221，并将衬底切割成500μm×500μm尺寸的芯片，以得到作为半导体器件200的LED。利用分光测光仪测量了对比示例1的LED在450nm峰值波长的发光强度，并使10个LED的平均发光强度为1，还获得了以下的对比示例2和实施例1至9的LED的相对发光强度。结果列于表中。
对比示例2如图1所示，将通过HVPE生长的400μm厚和50.8mm直径的、具有第一主表面和第二主表面的GaN衬底1封装在储存器件10中，然后通过进气线20和进气阀29将具有20vol.％的氧浓度和30g/m3的水蒸汽浓度的氮-氧气体混合物引入到储存器件10中，并通过排气线40和排气阀49从储存器件10排出具有较高氧和水蒸汽浓度的气体，以使氧和水蒸汽浓度在储存器件10的内部气氛中分别达到20vol.％和30g/m3，其中该第一主表面的表面粗糙度Ra为17nm，第二主表面的表面粗糙度为15μm，主表面和(0001)面在 方向上形成1.1°的偏轴角，以及在 方向上形成0.8°的偏轴角。GaN衬底被放入储存器件10内部的晶片盘(未示例)中，并与晶片盘一起，被密封到铝袋(未示例)中然后被在35℃储存六个月。之后，以与对比示例1相同的方式形成作为半导体器件的LED。相比对比示例1的LED的相对发光强度1.0，由此制造的LED的相对发光强度为1.01。结果示于表中。
实施例1除了将氧浓度为18vol.％和水蒸汽浓度为25g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件10以使储存器件内部气氛中的氧和水蒸汽的浓度分别达到18vol.％和25g/m3之外，以与对比示例1相同的方式，储存具有与对比示例1相同的表面粗造程度Ra和相同的偏轴角的GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.05。在表中列出了结果。
实施例2除了要被储存的GaN衬底具有表面粗造程度Ra为17nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为15μm的第二主表面之外，并且除了由这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为2.5°以及在 方向上为1.2°之外，在与实施例1相同的条件下，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.05。在表中列出了结果。
实施例3除了要被储存的GaN衬底具有表面粗造程度Ra为33nm的第一主表面和表面粗造程度为32.1μm的第二主表面之外，并且除了通过这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为1.1°以及在 方向上为0.8°之外，在与实施例1相同的条件下，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.12。在表中列出了结果。
实施例4除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为17nm的第一主表面和表面粗造程度为15μm的第二主表面，以及通过这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为1.1°以及在 方向上为0.8°之外，以及除了将氧浓度为3vol.％和水蒸汽浓度为12g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧和水蒸汽的浓度分别达到3vol.％和12g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.15。在表中列出了结果。
实施例5除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为2.4μm的第二主表面，以及这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为0.5°以及在 方向上为0.2°之外，以及除了将氧浓度为0.6vol.％和水蒸汽浓度为1g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧达到0.6vol.％和使水蒸汽的浓度达到1g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.19。在表中列出了结果。
实施例6除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为2.4μm的第二主表面，以及这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为0.5°以及在 方向上为0.2°之外，以及除了将氧浓度为0.6vol.％和水蒸汽浓度为30g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧达到0.6vol.％和使水蒸汽的浓度达到30g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.09。在表中列出了结果。
实施例7除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为2.4μm的第二主表面，以及这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为0.5°以及在 方向上为0.2°之外，以及除了将氧浓度为20vol.％和水蒸汽浓度为1g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧达到20vol.％和使水蒸汽的浓度达到1g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.12。在表中列出了结果。
实施例8除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为2.4μm的第二主表面，以及这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为0.1°以及在 方向上为0.05°之外，以及除了将氧浓度为0.6vol.％和水蒸汽浓度为1g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧浓度达到0.6vol.％和使水蒸汽的浓度达到1g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.19。在表中列出了结果。
实施例9除了GaN衬底具有表面粗造程度Ra为2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra为2.4μm的第二主表面，以及这些主表面和(0001)面形成的偏轴角在 方向上为0.7°以及在 方向上为0.6°之外，以及除了将氧浓度为0.6vol.％和水蒸汽浓度为1g/m3的氮-氧气体混合物引入储存器件以使储存器件内部气氛中的氧浓度达到0.6vol.％和使水蒸汽的浓度达到1g/m3之外，用与对比示例1相同的方式，储存GaN衬底，并制造作为半导体器件的LED。同对比示例1的LED的相对发光强度1.0相比，由此制造的LED的相对发光强度为1.19。在表中列出了结果。
表中的结果概括于图3中。图3是对比示例1和2(白圆点)和实施例1至9(黑圆点)在横轴代表氧浓度(vol.％)和纵轴代表水蒸汽浓度(g/cm3)的坐标内的图表。数字值在每个点都表示对比示例1和2和实施例1至9的LED的任何一个的相对发光强度。
如从表和图3中的对比示例1、2和实施例1至9清楚看到的，相比于在被储存于氧浓度大于18vol.％和水蒸汽浓度大于25g/m3的气氛中的GaN衬底上至少形成单薄层半导体层的情形，在被储存于氧浓度为18vol.％或以下和/或水蒸汽浓度为25g/m3或以下的气氛中的GaN衬底上至少形成单薄层半导体层的半导体器件显示出了改进的性质。另外，如从实施例4至9清楚看到的，在用于储存GaN衬底的气氛中使氧浓度不大于5vol.％和水蒸汽浓度不大于17g/m3改进了半导体器件特性。而且，具有GaN衬底的第一主表面的表面粗糙度为20nm或以下，GaN衬底的第二主表面的表面粗糙度Ra为20μm或以下，以及由GaN衬底的主表面和(0001)面形成的偏轴角，在 方向上在0.05°和2°之间，端点包括在内；以及在 方向上在0°和1°之间，端点包括在内，改进了半导体器件性质。
尽管在前述实施例和对比示例中，GaN衬底储存6个月作为储存期限，但已经证明如果储存期限在6个月以下或超过6个月，也会获得相同的优点。
在前公开的实施例和实现实例在所有的方面都应当认为是示例性的和非限制性的。本发明的范围不是由前述的说明书所表示的，而是由专利权利要求书的范围所表示的，并且意在包括等效于专利权利要求书所限定的范围的各等效物以及在该范围内的各种修改。
权利要求
1.一种储存GaN衬底的方法，包括在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或25g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛下储存GaN衬底的步骤。
2.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中所述氧浓度为5vol.％或以下，和/或所述水蒸汽浓度为17g/m3或以下。
3.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中在所述GaN衬底上第一主表面的表面粗糙度Ra为20nm或以下，并且在所述GaN衬底上第二主表面的表面粗糙度Ra为20μm或以下。
4.如权利要求3所述的GaN衬底储存方法，其中第一主表面的表面粗糙度Ra为5nm或以下，并且第二主表面的表面粗糙度Ra为10μm或以下。
5.如权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中由所述GaN衬底上的主表面和它的(0001)面形成的偏轴角在<1 00>方向上是在0.05°和2°之间，端点包括在内；以及在<11 0>方向上是在0°和1°之间，端点包括在内。
6.如权利要求5所述的GaN衬底储存方法，其中所述偏轴角在<1 00>方向上是在0.1°和0.8°之间，端点包括在内；以及在<11 0>方向上是在0°和0.6°之间，端点包括在内。
7.一种由权利要求1所述的储存方法储存的GaN衬底。
8.一种由权利要求3所述的储存方法储存的GaN衬底。
9.一种由权利要求5所述的储存方法储存的GaN衬底。
10.一种半导体器件，其中，在根据权利要求7所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
11.一种半导体器件，其中，在根据权利要求8所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
12.一种半导体器件，其中，在根据权利要求9所述的GaN衬底的第一主表面上至少形成单薄层半导体层。
13.一种半导体器件的制造方法，包括选择根据权利要求7所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
14.一种半导体器件的制造方法，包括选择根据权利要求8所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
15.一种半导体器件的制造方法，包括选择根据权利要求9所述的GaN衬底作为基底以在GaN衬底的第一主表面上至少生长单薄层半导体层的步骤。
全文摘要
提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法、储存的衬底、和半导体器件以及制造该半导体器件的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m
文档编号H01L21/02GK101090062SQ200710110168
公开日2007年12月19日 申请日期2007年6月14日 优先权日2006年6月14日
发明者井尻英幸, 中畑成二 申请人:住友电气工业株式会社