专利名称：半导体结构及半导体结构的形成方法
技术领域：
本发明有关于一种半导体装置的制造方法，且特别有关于一种通孔/接触 窗和/或镶嵌结构的半导体结构及半导体结构的形成方法。
背景技术：
随着电子产品的发展，半导体制造技术已广泛应用于制造存储器、中央处理器(central processing units, CPUs)、液晶显示器(LCDs)、发光二极管 (LEDs)、激光二极管及其它装置或芯片。然而，为了使得半导体装置达到高 集成度和高操作速度的目标并持续发展电子产品，因此，必须持续地縮小半 导体集成电路的尺寸。此外，业界经常使用具有低介电常数的介电质材料和 低阻值金属材料来降低原件的寄生电容和电阻—电容时间延迟(RC time delays),以提高集成电路的操作速度。图1为一公知的半导体结构的剖面图，其绘示一通孔结构的形成方法。 请参阅图1，其显示金属线110形成于基底100上。随后，介电层120 形成于基底100和金属线110上，且在介电层120内形成多个孔洞(holes,图 未标示)，这些孔洞可为通孔(via)，但也可表示为形成于镶嵌结构中的接触窗 孔(contacthole)或沟槽。之后，形成例如钽/氮化钽扩散阻障层的导电扩散阻 障层130于介电层120上和通孔内。铜籽晶层140随之形成于钽/氮化钜扩散 阻障层130上。接着，形成铜材料层150于钽/氮化钽扩散阻障层130上，且 填入上述通孔内。为了隔离各相邻通孔中的介电层插塞结构，可使用一化学机械研磨 (CMP)工艺来移除形成于介电层120的表面121上方的铜材料层150、铜籽 晶层140和钽/氮化钽扩散阻障层130。由于铜的材料特性与钜/氮化钽，以及 其它可用以作为阻障层130的材料不同，因此，必需选择不同的制造工艺条 件、研磨液(surries)、研磨力(polishing force)、研磨垫(pads)以及其它化学机 械研磨的参数，才能分别地移除位于介电层120的表面121上方的铜材料层150、铜籽晶层140和钽/氮化钽扩散阻障层130。综上所述，业界需要一种可改善上述问题的方法和结构，以形成接触窗 /通孔和/或镶嵌结构。发明内容本发明的一实施例提供半导体结构的形成方法，其包括如下步骤:形成一 介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一 开口，其穿过该第一非导电阻障层并位于该介电层内；形成一第二非导电阻 障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非 导电阻障层，借以至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口 的下表面。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，还包括如下步骤形成一 籽晶层于该第一非导电阻障层的该上表面和该开口的该下表面之上；以及形 成一导电层于该籽晶层之上。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，还包括通过一化学机械研 磨步骤或一电解抛光步骤移除至少一部分的该导电层和该籽晶层，借以至少 部分地暴露出该第一非导电阻障层的该上表面。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，在移除至少一部分的该第 二非导电阻障层的步骤之后，留下剩余的该第二非导电阻障层于该开口侧壁 上。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，该移除至少一部分的该第 二非导电阻障层的步骤包括一干蚀刻步骤。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，该干蚀刻步骤实质上非等 向性蚀刻且使用一包括一含氟气体的前驱物。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，该含氟气体包括氟化碳 (CxFy)、氟氢化碳(CxFyHz)、氟化氮(NF3)或氟氧化碳(CxFyOz)，其中x值介于 0和9之间、y值介于0和9之间且z值也介于0和9之间。上述的半导体结构的形成方法，其中优选地，该形成第一非导电阻障层 的步骤和该形成第二非导电阻障层的步骤至少其中之一使用一前驱物，该前 驱物包括一含硅气体和一包含一成分的气体，该成分择自由氮、氧或碳所组成的族群。本发明的另一实施例还提供一种半导体结构，其包括 一介电层，位于 一基底之上；多个开口，位于该介电层内； 一第一非导电阻障层，位于该介 电层上，其中该第一非导电阻障层从所述开口的第一边缘延伸至与其相邻的 所述开口的第二边缘； 一第二非导电阻障层，位于所述开口侧壁；以及一导 电材料，位于所述开口内。上述的半导体结构，其中优选地，该第一非导电阻障层和该第二非导电 阻障层具有实质相同厚度。上述的半导体结构，其中优选地，该第一非导电阻障层和该第二非导电 阻障层至少其中之一是以硅为主体的材料层，包括氮、氧或碳至少其中之一。上述的半导体结构，其中优选地，还包括一籽晶层，位于该第二非导电 阻障层上和该开口的下表面之上。通过本发明提供的半导体结构及半导体结构的形成方法，可知本发明不 需外加化学机械研磨步骤或电解抛光步骤来移除形成于介电层的上表面和 导电层之间的导电阻障层。使得在执行化学机械研磨步骤以移除导电阻障层 时所导致的介电层损伤可因此予以避免或减少。
图1显示一现有技术的通孔结构的剖面图。图2A至图2H显示一依据本发明实施例的一系列制造工艺步骤形成单 镶嵌结构的剖面图。其中，附图标记说明如下100、 200~基底； 110~金属线； 120、 220、 220a~介电层；121~表面； 130~导电扩散阻障层； 140~铜籽晶层；150 铜材料层； 210 导电结构； 211a 、 211b~下表面；221、 231 上表面；230、 230a、 250、 250a~非导电阻障层； 240a、 240b 开口； 241a、 241b 侧壁；260、 260a~籽晶层； 270 、 270a、 270b ~导电层。
具体实施方式
接下来配合附图以说明本发明的具体实施例。在本说明书中，例如"下 部的"、"上部的"、"水平的"、"垂直的"、"在上方的"、"在下方的"、"在 上面的"、"在下面的"、"顶部的"、"底部的"，及其衍生的相关的措辞(如"水 平地"、"向下方地"、"向上方地，，)应参阅说明所述或后续讨论于附图中所显 示的方向。相关的名词定义是为了方便说明起见，而不是用来局限本装置/ 设备必须以一特定方向建构或操作。图2A 图2H为一系列的本发明较佳实施例的制造过程剖面图，其说明一单镶嵌结构的制造方法。请参照图2A，其显示一导电结构210形成于基底200上。随后，介电 层220形成于导电结构210和基底200上。基底200可为硅基底、三-五族化 合物基底、显示器基底，例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器、电激发 光显示器(Electroluminescence lamp Display)或发光二极管(LED)基底(以上基 底均可用以作为基底200)。在另一实施例中，二极管、装置、晶体管、电路 或其组合(图未显示)至少其一可形成于基底200之中和/或之上。如图2A所示，导电结构210形成于基底200上且电性耦接上述可能形 成于基底200之中和/或之上的二极管、装置、晶体管、电路或其组合(图未 显示)至少其一。导电结构210可包含例如含有金属的导线，例如铝导线、铝 铜导线、铝硅铜导线、铜导线、多晶硅导线或其组合或其它适当材料。请再次参照图2A,其绘示介电层220形成于导电结构210和基底200 上。介电层220可包含例如介电常数约为3或更低的介电常数的介电层，例 如氟化非晶碳(fluorinated amorphous carbon)、氟化聚酰亚胺(Fluorinated polyimide)和甲基倍半硅氧烷(methylsilsesquioxane)、含碳的材料层、含氮的 材料层、多孔性低介电常数介电层、氧化物层、氮化物层、氮氧化物层或其 组合。介电层220可为利用例如化学气相沉积工艺步骤、旋转涂布工艺步骤 或其组合的制造工艺步骤形成。介电层220用以提供隔离形成于其上的不同 和/或相同材料层的导电结构。在一使用45纳米制造工艺技术的实施例中， 介电层220的厚度可为1000A至3000A之间，但在其它实施例中也可使用 其它适当的厚度。请参照图2B，其显示一非导电阻障层230形成于介电层220的上表面 221之上。在一实施例中，非导电阻障层230可包含一例如介电常数为7或更低的介电阻障层，例如碳化硅(SixCy)、氮化硅(SixNy)、碳氧化硅(SixOyCz)或氮氧化硅(SixOyNz)。在另一实施例中，非导电阻障层230可包含至少一以 硅为主体(siliconbased)的材料层，包含氮、氧或碳至少其一。上述以硅为主 体的材料层可包含例如含碳的硅材料层、碳化硅层、掺有碳的氧化硅层、氧 化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。非导电阻障层230可为利用一前 驱物(precnrsor)，通过化学气相沉积工艺步骤或其它适当的沉积工艺形成， 此前驱物包含 一 含有硅的气体，例如硅烷(silane)、四乙基硅烷 (tetraethyl-ortho-silicate, TEOS)、甲基硅烷(methylsilane， MS)、三甲基硅烷 (trimethylsilane， MS)或四甲基硅烷(tetramethylsilane， MS)，以及一包含具有一 成分的气体，此成分择自由氮、氧或碳所组成的族群。在一实施例中，此气 体可为氨(NH3)、氮(N2)、 一氧化碳(CO)、 二氧化碳(C02)、氧(02)或类似的气 体或其组合。在另一替代的实施例中，非导电阻障层230的厚度约介于10A 和200A之间。请参照图2C，其显示至少一开口，穿过非导电阻障层230而形成于介 电层220内部，例如开口 240a和开口 240b，并因而形成非导电阻障层230a 和介电层220a。开口 240a、 240b分别具有侧壁241a、 241b和下表面21 la、 211b(即导电结构210的上表面)。此外，开口 240a、开口 240b可为例如接触 窗开口、通孔开口、单镶嵌结构开口、双镶嵌结构开口或其组合。在某些实 施例中的其它剖面位置上，开口 240a和开口 240b可中止于介电层220之内。 在一使用45纳米制造工艺技术的实施例中，开口 240a、 240b的宽度约介于 500A和800A之间。在一使用45纳米制造工艺技术以形成一双镶嵌结构的 实施例中，此双镶嵌结构具有一宽65纳米或更小的通孔开口和一宽90纳米 或小于90纳米的沟槽开口。此外，在其它实施例中，也可使用其它不同宽 度的开口。另一方面，上述开口 240a和开口 240b的形成方式，可为例如形成一图 案化光致抗蚀剂层(图未显示)于非导电阻障层230之上，通过此图案化光致 抗蚀剂层(图未显示)作为掩模，随后实施一干蚀刻工艺步骤，移除部分非导 电阻障层230和介电层220，以定义出开口 240a和开口 240b。此外，上述 干蚀刻工艺可为各种适当的干蚀刻工艺。在完成干蚀刻工艺步骤之后，可使 用一例如光刻移除工艺，以移除上述图案化光致抗蚀剂层(图未显示)。接着，请参阅图2D，其绘示一非导电阻障层250实质上顺应性形成于 图2C所示的结构上。在一实施例中，非导电阻障层250可为一具有介电常数为7或更低的介电层，例如碳化硅(SixCy)、氮化硅(SixNy)、碳氧化硅(SixOyCz)或氮氧化硅(SixOyN0。在另一实施例中，非导电阻障层230可包含至少一以 硅为主体的材料层，其包含氮、氧或碳至少其中之一。上述以硅为主体的材 料层可包含例如含碳的硅材料层、碳化硅层、掺有碳的氧化硅层、氧化硅层、 氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。此外，上述实质上顺应性形成的非导电阻 障层250，可为利用化学气相沉积法(CVD)或其它适当的制造工艺方法形成。 在一实施例中，非导电阻障层250的厚度可为10A至200A，但在其它的实 施例中也可形成其它的厚度。在一实施例中，非导电阻障层230和非导电阻障层250可由相同的材料 形成。在另一实施例中，非导电阻障层230和非导电阻障层250可具有实质 上相同厚度。接着，请参照图2E，其绘示移除至少一部分的非导电阻障层250，因而 至少部分暴露出非导电阻障层230a的上表面231，以及开口 240a、 240b的 下表面211a、 211b(即导电结构210的上表面)。上述移除部分的非导电阻障 层250的步骤可包括例如干蚀刻工艺步骤。此干蚀刻工艺步骤可为实质上非 等向性蚀刻，且可使用一包括含氟气体的前驱物。在一实施例中，此含氟气 体可包括例如氟化碳(QcFy)、氟氢化碳(CxFyHz)、氟化氮(NF3)或氟氧化碳 (CxFyOz)，其中x值介于0和9之间、y值介于0和9之间且z值也介于0和 9之间。完成上述干蚀刻工艺后，留下剩余的非导电阻障层250a于开口 240a 和开口 240b的侧壁241a和241b上，且导电结构210的上表面暴露出来， 以和其它导电结构电连接(图未显示)。在一实施例中，非导电阻障层230和非导电阻障层250可具有实质相同 厚度。在完成上述干蚀刻工艺之后，位于侧壁241a和241b上的非导电阻障 层250a可具有实质上与位于介电层220a的表面221之上的非导电阻障层 230a相同厚度。在另一实施例中，非导电阻障层250a的厚度可与非导电阻 障层230a相比较厚或者较薄，仅需将位于开口 240a和开口 240b的下表面 211a及211b上的非导电阻障层250移除，而暴露出导电结构210的上表面 即可。接着，请参照图2F,其显示籽晶层(seed layer)260随之均匀覆盖 (conformal)于图2E所示的结构之上。籽晶层260位于非导电阻障层230a的 上表面231和开口 240a和开口 240b的下表面211a、 211b之上。籽晶层260 可为例如一含有金属的籽晶层，例如铜籽晶层。籽晶层260用以作为一晶种， 以供随后将一导电层270 (显示于图2G)以化学电镀(chemical electroplating) 法形成于籽晶层260之上所需。籽晶层260可为利用例如物理气相沉积(PVD) 工艺步骤、化学气相沉积(CVD)工艺步骤、原子层沉积(ALD)工艺步骤、化 学电镀步骤、化学无电电镀步骤或其各种组合形成。在一使用45纳米制造 工艺技术的实施例中，位于开口 240a和开口 240b的侧壁241a和241b上的 籽晶层260的厚度为100A至200A，而位于开口 240a和开口 240b的下表面 211a和21 lb上的籽晶层260的厚度则介于400A和700A之间。之后，请参照图2G，其显示一导电层270形成于籽晶层260之上，且 导电层270也填满开口 240a和开口 240b。导电层270可为利用例如物理气 相沉积(PVD)工艺步骤、化学气相沉积(CVD)工艺步骤、原子层沉积(ALD) 工艺步骤、化学电镀步骤、化学无电电镀步骤或其各种组合形成。导电层270 可包含一含有金属的材料层，例如铜材料层、铜合金材料层、铝材料层、铝 合金材料层、铝铜材料层、铝硅铜材料层或其组合。在一实施例中，如果位于开口 240a和开口 240b内和/或位于非导电阻障 层230a的上表面231上的导电层270的形成步骤可如预期地完成而不需籽 晶层，则可以省略形成上述籽晶层260的步骤。接着，请参照图2H，其显示移除部分的导电层270和籽晶层260，因而 至少暴露出部分的非导电阻障层230a的上表面231，且形成位于开口 240a 和240b内的导电层270a和270b。上述部分地移除导电层270和籽晶层260 的步骤可包括例如化学机械研磨(CMP)工艺步骤、电解抛光(electropolishing) 步骤、干蚀刻步骤或其组合。如果一例如传统制造工艺中的导电阻障层(例如钽/氮化钽阻障层)形成 于介电层220a的表面221和导电层270之间，则需使用多个步骤的化学机 械研磨工艺来移除形成于介电层220a的表面221之上的导电层270、籽晶层 260和钽/氮化钜阻障层。简而言之，需使用个别的化学机械研磨步骤，移除 位于介电层220a上的钽/氮化钽阻障层，以隔离两相邻的接触窗、通孔和/或镶嵌结构。然而，如果介电层220a为一低介电常数介电层，则上述化学机械研磨工艺在移除钽/氮化钽阻障层时，由于低介电常数介电层具有多孔性(porous)和较弱的机械性质，因而可能会损伤钽/氮化钽阻障层下的低介电常 数介电层。举例而言，化学机械研磨力可能会降低介电层220a的电性和/或 可靠度。综合图2A至图2H所述的单镶嵌结构的形成方法，本发明不需形成导 电阻障层(例如钽/氮化钜阻障层)于介电层220a的表面221和导电层270 之间。因此，可使用单一化学机械研磨工艺，移除形成于非导电阻障层230a 的上表面231之上的导电层270和籽晶层260，而不需外加一化学机械研磨 工艺步骤来移除上述导电阻障层。在此方法中，可避免为了移除导电阻障层 而改变制造工艺参数、研磨液(slurries)、化学品或其组合。完成研磨工艺后， 会留下上表面231 ，且位于其下的介电层220a甚少受到损伤。在一实施例中，导电层270和籽晶层260为相同的材料。可使用单一化 学电解抛光步骤，移除形成于非导电阻障层230a的上表面231之上的导电 层270和籽晶层260。通过图2A至图2H所述的单镶嵌结构的形成方法，可 知本发明不需外加化学机械研磨步骤或电解抛光工艺步骤来移除形成于介 电层220a的上表面221和导电层270之间的导电阻障层。使得在执行化学 机械研磨步骤以移除导电阻障层时所导致的介电层220a损伤，可因此予以 避免或减少。请再次参照图2F，其显示非导电阻障层230a形成于介电层220a上，且 从开口 240a的侧壁241a延伸至相邻开口 240b的侧壁241b。另外，非导电 阻障层250a分别沿着开口 240a和开口 240b的侧壁241a和侧壁241b，由上 至下形成，其中非导电阻障层230a和非导电阻障层250a由所想要避免的籽 晶层260和/或导电层270a和导电层270b中的金属扩散的材料形成。虽然本发明己以较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任 何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做更动与润饰， 因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1. 一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层并位于该介电层内；形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非导电阻障层，借以至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面。
2. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括如下步骤 形成一籽晶层于该第一非导电阻障层的该上表面和该开口的该下表面之上；以及形成一导电层于该籽晶层之上。
3. 如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，还包括通过一化学机 械研磨步骤或一电解抛光步骤移除至少一部分的该导电层和该籽晶层，借以 至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的该上表面。
4. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中在移除至少一部 分的该第二非导电阻障层的步骤之后，留下剩余的该第二非导电阻障层于该 开口侧壁上。
5. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该移除至少一部 分的该第二非导电阻障层的步骤包括一干蚀刻步骤。
6. 如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中该干蚀刻步骤实 质上非等向性蚀刻且使用一包括一含氟气体的前驱物。
7. 如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其中该含氟气体包括 氟化碳QJV氟氢化碳CxFyHz、氟化氮NF3或氟氧化碳CxFyOz，其中x值介 于0禾n 9之间、y值介于0和9之间且z值也介于0和9之间。
8. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该形成第一非导 电阻障层的步骤和该形成第二非导电阻障层的步骤至少其中之一使用一前 驱物，该前驱物包括一含硅气体和一包含一成分的气体，该成分择自由氮、 氧或碳所组成的族群。
9. 一种半导体结构，包括 一介电层，位于一基底之上； 多个开口，位于该介电层内；一第一非导电阻障层，位于该介电层上，其中该第一非导电阻障层从所述开口的第一边缘延伸至与其相邻的所述开口的第二边缘； 一第二非导电阻障层，位于该开口侧壁；以及 一导电材料，位于该开口内。
10. 如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一非导电阻障层和该第 二非导电阻障层具有实质相同厚度。
11. 如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一非导电阻障层和该第 二非导电阻障层至少其中之一是以硅为主体的材料层，包括氮、氧或碳至少 其中之一。
12. 如权利要求9所述的半导体结构，还包括一籽晶层，位于该第二非 导电阻障层上和该开口的下表面之上。
全文摘要
本发明提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法。该半导体结构的形成方法包括如下步骤形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层而位于该介电层内部；形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非导电阻障层，借此至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面。通过本发明，不需外加化学机械研磨步骤或电解抛光步骤来移除形成于介电层的上表面和导电层之间的导电阻障层，使得避免或减少在执行化学机械研磨步骤以移除导电阻障层时所导致的介电层损伤。
文档编号H01L21/768GK101256977SQ20071013696
公开日2008年9月3日 申请日期2007年7月26日 优先权日2007年3月1日
发明者张世杰, 曹荣志, 王喻生, 王英郎, 陈科维 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司