专利名称：电子器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电子器件，以及涉及一种制造该器件的方法。
背景技术：
对于半导体器件的更高性能、更高质量、更小尺寸以及更低成本 的无止境的需求使得不但改善半导体器件自身是非常关键的，而且覆 盖器件的外壳也尤为重要。具体地，在超过20GHz的微波波段，很难既 实现外壳的足够的电气性能和气密性，又实现其更小的尺寸和低装配 成本，由此，期待实现由廉价树脂材料制成的、但在微波波段提供足 够的使用质量及性能的外壳成为显著地扩大应用领域的真正突破。
通常，更高频率的电磁波在物质中传播时遭受更大的能量衰减。 因此，在诸如BS/CS广播设备、微波通信设备或雷达设备等高频设备中， 通常的处理方法是使用将半导体器件的电极以及从电极引出的引线接 合部分气密地密封在真空中的外壳。为以精细的尺寸产生这样的真空 部分，器件被倒装在安装基板上，其中器件的电极部分与安装基板相 对。此外，已经提出整体地包括外壳和芯片的器件，以使用廉价的材 料确保气密性。合成树脂膜被覆盖在已经被倒装的整个半导体器件上， 并且在高温和高压下固化。
图6是在JP-A No.2005-505939中公开的电子器件的横断面视图。为 了制造该电子器件，首先在倒装安装在基板101上的电子元件102的背 面上层压树脂膜103。然后从电子元件102周围的封闭条形区去除树脂
膜103。在该工艺中，选择条形区和电子元件102之间的间距，以便确 保在其间保留层压树脂的边缘部分，从而使得树脂膜103在该位置上被 连接到基板IOI。在随后的步骤中，配置流态化的合成树脂，以便形成 树脂层104。
与本发明相关的现有技术除了JP-A No.2005-505939之外还包括 JP-A No.2003-234633。 JP-A No.2005-505939 [专利文献2] JP-A No.2003-234633
然而，在诸如BS/CS广播设备、微波通信设备或雷达设备等高频设 备中，大多数芯片(电子元件)具有诸如0.3mm口的精细尺寸。因此， 需要高度精确的微加工以从电子元件102周围的封闭条形区中去除树 脂膜103，同时确保层压树脂的边缘部分保留在电子元件102的周围， 如同图6中所示的电子器件的情况。
此外，在诸如BS广播设备等面向消费者的产品的情况下，年产量 高达几亿件，因此，从生产效率和经济优势的角度来看，必须大量地 共同执行器件的装配。部分地去除曾经层压到基板上的树脂膜需要额 外的工艺以及专门的加工仪器，这引起与产量成比例的大量投资。然 而，在图6示出的电子器件中，去除条形图案中的膜是必不可少的，因 为否则就不能实现另外涂覆的合成树脂材料和支撑基板之间的紧密接 触，这导致不能提供防止潮湿和污物的完全的密封效果。
发明内容
在一个实施例中，提供了一种电子器件，其包括基板；安装在 基板上的电子元件；以及设置在整个基板上以便覆盖电子元件的树脂 膜；其中树脂膜在50摄氏度下具有等于或大于100kPa. s并且等于或小 于1000kPa. s的剪切粘度，以及在50摄氏度下具有等于或大于100/mi并
且等于或小于1500/mi的流动长度。
在另一实施例中，提供了一种制造电子器件的方法，其包括在 基板上安装电子元件；在整个基板上设置树脂膜以便覆盖电子元件； 其中设置树脂膜的步骤包括使用在50摄氏度下具有等于或大于100kPa .s并且等于或小于1000kPa . s的剪切粘度、以及在50摄氏度下具有等 于或大于100/mi并且等于或小于1500/mi的流动长度的树脂膜。
在由此构造的电子器件中，在整个基板上设置覆盖电子元件的树 脂膜。这样的结构消除了为部分的去除树脂膜而执行微加工的需要。 此外，树脂膜在50摄氏度下具有等于或大于100kPa . s并且等于或小于 lOOOkPa. s的剪切粘度，以及在50摄氏度下具有等于或大于100/mi并且 等于或小于1500/xm的流动长度。使用这种树脂支持实现优异的中空结 构以及在基板和电子元件之间空间的精密的气密性。
因此，本发明提供一种电子器件，其在不引起生产效率降低的同 时支持获得优异的中空结构以及基板与电子元件之间的空间的精密的 气密性，以及本发明提供一种制造这样的电子器件的方法。
结合附图以及下述对某些优选实施例的描述，本发明的上述及其 它目标、优势及特性将更为明显，其中-
图l是根据本发明实施例的电子器件的横断面视图； 图2A至2C是顺序地示出根据本发明实施例的制造电子器件的方
法的横断面视图3A和3B是顺序地示出根据实施例的制造电子器件的方法的横
断面视图4是示出其上安装多个电子元件的共用基板的平面图5是示出树脂膜的剪切粘度和流动长度的期望范围的曲线图6是常规电子器件的横断面视图； 图7是另一个常规电子器件的横断面视图。
具体实施例方式
现在将在此参考示例性的实施例描述本发明。本领域的技术人员 将认识到采用本发明的教示可以实现很多替代的实施例并且本发明不 限于用于说明目的所示出的实施例。
在下文，将参考附图来描述根据本发明的电子器件及其制造方法 的示例性实施例。在所有的附图中，相同的组成部分采用相同的标记， 并且将不重复其描述。
图i是根据本发明实施例的电子器件的横断面视图。电子器件io
包括安装基板ll、安装在安装基板11上的电子元件13，以及设置在整 个安装基板11上的树脂膜15，以覆盖电子元件13。树脂膜15在温度为 摄氏50度时具有等于或大于100 kPa . s并且等于或小于1000 kPa . s的 剪切粘度，并且在温度为摄氏50度时具有等于或大于100/mi并且等于或 小于1500/mi的流动长度，以及更优选的，在温度为摄氏50度时，具有 等于或大于150 kPa . s并且等于或小于600 kPa . s的剪切粘度，并且在 温度为摄氏50度时，具有等于或大于100/mi并且等于或小于1200/mi的 流动长度。在树脂膜15上，设置外部涂层树脂17 (树脂层)。树脂膜 15包括突出部分(在对应于电子元件13的位置上)，同时外部涂层树 脂17具有平坦的上表面。
更为详细的，在电子器件10中，安装基板ll具有暴露在它的其中 一个表面lla上的连接电极；电子元件13具有在它的其中一个表面13a 上的导体图案，并且其朝向使得具有导体图案的表面13a与安装基板11 的表面lla相对，并且使得导体图案被电气地连接并机械地耦合至安装 基板11的连接电极12;以及树脂膜15粘附在安装基板11上，以便覆盖 电子元件13和安装基板11，并且实现与如下区域的紧密接触，所述区 域是与安装基板ll相对的电子元件13的表面13b的区域，以及电子元件
13周围的安装基板ll的表面lla的区域。另外在树脂膜15上，设置具有 平坦的上表面的外部涂层树脂17，以便覆盖树脂膜15。
安装基板11可由诸如氧化铝陶瓷或LTCC的介电材料、诸如 Teflon⑧或玻璃环氧树脂材料或者高弹性材料制成。安装基板ll具有例 如200/xm的厚度。电子元件13可以是GaAsFET、振荡器或者高频电路， 但是不限于那些电子元件。如已经陈述过的，通过面向下的接合方法 将电子元件13安装在安装基板11上，以使得具有导体图案的表面13a与 安装基板ll相对。电子元件13的其中一个表面13a与安装基板ll的其中 一个表面lla限定了空间16。
与安装基板ll相对的电子元件13的表面13b被树脂膜15没有间隙 地覆盖。安装基板ll的表面lla在电子元件13周围的区域也被树脂膜15 没有间隙地覆盖。树脂膜15封装整个电子元件13，包括与电子元件13 的导体图案的电连接点和安装基板ll的连接电极。
树脂膜15可由诸如环氧树脂(环氧/苯酚/硅石/丙烯酸酯)的热固 性树脂构成。例如，树脂膜15具有150/mi的厚度，并且在50。C时流 动长度不大于1，200/mi。外部涂层树脂17可由诸如环氧树脂的热固性 树脂构成。外部涂层树脂17具有例如400/xm的厚度。
参考图2A至3B，将描述制造电子器件10的方法，作为根据本发 明制造电子器件的方法的实施例。简而言之，制造方法包括将电子元 件13安装到安装基板11上的步骤，以及在整个基板11上设置树脂膜 15以便覆盖电子元件13的步骤。
更为详细的，制造方法包括首先紧靠着共用基板llc放置电子元 件13的步骤，所述共用基板llc包括被分为每个安装基板11中的多 个部分，以便使电子元件13的其中一个表面13a与安装基板11的表 面lla相对，然后将电子元件13的导体图案电气地和机械地连接至安
装基板11的连接电极(图2A);以及放置树脂膜15以便覆盖电子元
件13和安装基板11，并实现与安装基板11相对的电子元件13的表面 13b以及与在电子元件13周围的安装基板11的表面lla的区域的紧密 接触，以及将树脂膜15接合至安装基板11 (图2B和2C)的步骤。
图4是共用基板llc的平面图。在共用基板llc上安装多个电子 元件13,并且设置树脂膜15以共同地覆盖多个电子元件13。在放置 每个电子元件13的区域周围，共用基板llc包括多个孔31。可将孔 31设置在横跨电子元件13的两个相对的位置上，或者设置在电子元件 13的四个侧面外侧的四个位置上。可利用诸如金的金属导体填充孔31。 利用安置在具有平坦上表面的支撑元件上的共用基板llc来执行前述 的工艺。
通过根据本实施例的制造方法，可将树脂膜15加热到例如大约 50°C以便软化树脂膜15，并且可改变树脂膜15的形状以便覆盖电子 元件13和安装基板11，实现树脂膜15与安装基板11相对的电子元件 13的表面13b的均匀地紧密接触，以及实现树脂膜15与安装基板11 的表面lla在电子元件13周围的区域的均匀地紧密接触。在这个工艺 中，可在不超过50Pa的负压下设置树脂膜15与安装基板11之间的空 间，以便降低该空间中的气体压力，并且可使用由橡胶等制成的弹性 挤压工具在0.5Mpa压力下从上面的方向向着包括电子元件13的安装 基板11挤压整个树脂膜15，以便使树脂膜15与安装基板11和电子元 件13紧密接触。保持当前的压力和温度直到树脂膜15恢复到足够的 粘度，然后返回到正常的温度和压力。
然后可将树脂膜15加热到例如约170。C用于固化，以便将树脂膜 15接合到安装基板11上并且固定树脂膜15的形状。当树脂膜15被固 化时，产生收縮力。树脂膜15的收縮力作用在向着安装基板11挤压 电子元件13的方向上。这个工艺进一步确保电子元件13的导体图案 和安装基板11的连接电极的机械粘附。此外，树脂膜15的收縮导致
树脂膜15与电子元件13以及安装基板11更为紧密的接触。
在树脂膜15在室温下足够有弹性的情况下，可在室温下改变树脂 膜15的形状以固定其形状，然后可加热树脂膜15用于固化。
可替代的，在不超过玻璃转变温度的温度下，可软化并定形树脂 膜15，以及在不超过玻璃化转变温度的温度下，在相当长一段时间内 逐渐地固化树脂膜15。
在树脂膜15由可采用紫外线软化的树脂制成的情况下，可采用紫 外线照射树脂膜代替加热用于软化。而且，可对树脂膜15既进行加热 也采用紫外线照射用于软化。
同样地，在树脂膜15由可采用紫外线固化的树脂制成的情况下， 可采用紫外线照射树脂膜15代替加热树脂膜用于固化。而且，可对树 脂膜15既进行加热也采用紫外线照射用于固化。
如果必要，在固化工艺后可将树脂膜15重新加热到150°C，以及 可在树脂膜15上设置环氧树脂并且采用平坦化工具从上面的方向向着 树脂膜15挤压该环氧树脂，然后热固化以形成外部涂层树脂17，以便 增强整体的机械强度并且平坦化电子元件13的突出，从而有助于通过 自动安装设备执行的安装工艺(图3A)。最后，采用切割锯或激光切 割机来切割共用基板llc，以便将多个电子元件13彼此分开。通过前 述工艺，可得到如图l示出的电子器件10。
本实施例提供了下述的有利效果。由于在树脂膜15与安装基板 11之间的增强的紧密接触，不再需要去除在条纹图案中曾经粘附的树 脂膜的微加工，而这是图6示出的电子器件的缺点。现有的层压技术 没有注重膜与基板之间的粘附强度，而是固化位于膜上的合成树脂流 体，从而稳固地固定膜和基板，其中该膜包括其上在条纹中去除膜的部分的暴露的基板表面。然而，在本实施例中，只在必要时设置覆盖
树脂膜15的上表面的外部涂层树脂17，以调整电子元件10的形状并 且增加其机械强度，以及树脂膜15本身已经以足够的强度紧密接合到 安装基板11上。为了确保足够的强度，已经指定了树脂膜15的材料 的性质及厚度，以及在向着安装基板11挤压树脂膜15时所采用的压 力和温度。
在此，将描述关于树脂膜15的特性与电子元件10的中空度和气 密性的关系。关于树脂膜的性质，通过对诸如玻璃转变点、触变指数 及粘度等各种物理常数与封装形成性能的关系的调査，已经发现，在 从膜经由流态化的状态到热固化树脂的状态转变中，控制"剪切粘度" 及"流动长度"是有效的。"剪切粘度"表示在两个平板间保持膜并 且在其中一个平板上施加动量时产生的树脂膜的旋转剪切应力的测量 值。当剪切粘度越高时，膜越不易于熔化以便流进电子元件与基板之 间的空间内，这有助于稳定地形成中空的空间。然而，在剪切粘度过 高的情况下， 一旦膜熔化并且粘附在基板上，那么很难将树脂从基板 上分离，从而降低了粘附的紧密程度。这是由于，除非膜的粘度低于 某个水平，否则可能产生微小的间隙从而降低封装的气密性。
指定上限的指数是"流动长度"。流动长度表示，当预定尺寸的 膜被保持在平板之间并被挤压因此变形时，已经从其初始形状膨胀出 的膜部分的长度的测量值。我们了解，在形成中空的空间之后具有更 短的流动长度的膜提供了较差的封装气密性。通过在具体的流体中浸 渍封装并且观察流体的侵入来评估气密性。根据通过荧光X射线照射 被浸渍的封装而进行的评估，已经发现当流动长度在100/xm或更长时， 可获得足够的气密性。因此，为了确保完全的中空状态以及足够的封 装强度，需要使用在50摄氏度的温度下具有等于或大于100kPa . s并 且等于或小于1000kPa . s的剪切粘度、以及在50摄氏度的温度下具有 等于或大于lOOpm并且等于或小于1500Mm的流动长度的树脂膜，以 及更优选地使用在50摄氏度的温度下具有等于或大于150kPa . s并且
等于或小于600kPa . s的剪切粘度、以及在50摄氏度的温度下具有等 于或大于100/mi并且等于或小于1200/mi的流动长度的树脂膜。在图5 中示出了在50摄氏度的温度下，剪切粘度以及流动长度的合适的范围。
参考树脂膜15的厚度，在树脂膜15太厚的情况下，当电子元件 13之间的间距较窄或者当电子元件13相对较厚时，很难适当地覆盖电 子元件13。相反，在树脂膜15太薄的情况下，树脂膜15易于被撕裂。 因此，当电子元件13具有例如约0.5至lmm的厚度时，优选地，树脂 膜15具有约0.15mm的厚度。
同时，如图7所示的在专利文献2中公开的电子器件中，利用凸 起202、通过倒装技术将电子元件203安装到基板201上。在基板201 上的凸起202的周围，设置树脂层204。此外，设置树脂层205以覆盖 电子元件203和树脂层204。树脂层205的粘度低于树脂层204的粘度。 在这种电子器件中，具有相对较高粘度的树脂层204作为壁，该壁气 密地密封了电子元件203的电极和基板201之间的空间206。树脂层 204的存在防止了随后应用的较低粘度的树脂(构成树脂层205的树脂) 侵入空间206，从而获得气密性。
代替膜形合成树脂，包括用作为了确保气密性的壁的具有相对高 粘度的树脂层204的这种结构，不需要特定的微处理以及用于涂覆树 脂的特定加工设备。然而，为了气密地密封空间206，需要树脂层204 同时具有阻止对空间206的侵入的适当的硬度以及允许实现紧密接触 从而确保完全的密封效果的适当的软度。这种条件主要取决于树脂层 204的特性以及其施加条件，因此非常难以确定允许稳定地实现气密密 封效果的条件。此外，在装配工艺中使用具有不同特性的两种类型的 热固性树脂导致了相对更长的每片处理时间以及需要严格温度控制的 固化操作数目的增加，从而在加工中引起更大的麻烦。
在本实施例中，通过指定膜厚度和材料的性质以及向着基板挤压
膜时的压力和温度，消除了如下缺点，所述缺点是由稳定地确保芯片 和基板之间的气密性密封空间的难度以及利用具有不同粘度的两种类 型的热固性树脂所引起的。通常，膜与安装基板之间的粘附强度以及 关于芯片与基板之间的空间的气密密封性能在设置制造条件时是相互 矛盾的要求。利用足够软的膜以实现更紧密接触可能导致树脂侵入到 空间，但是利用过硬的膜可能导致不足的粘附强度。因此，本实施例 通过材料及加工方法提供最优性条件。
如上所述，通过以单片绝缘膜覆盖所述电子器件，前述实施例支 持以更低的成本以及在更短的时间内的多个气密密封的电子器件的大 量生产。而且，前述实施例提供了可稳定地实现气密密封效果的树脂 材料的特性和形状以及装配条件。
显然，本发明不限于上述实施例，并且在不背离本发明的保护范 围和主旨下可进行修改和改变。
权利要求
1.一种电子器件，其包括基板；安装在所述基板上的电子元件；以及设置在整个所述基板上以覆盖所述电子元件的树脂膜；其中，所述树脂膜在50摄氏度的温度下具有等于或大于100kPa·s并且等于或小于1000kPa·s的剪切粘度，以及在50摄氏度的温度下具有等于或大于100μm并且等于或小于1500μm的流动长度。
2. 如权利要求l所述的电子器件，其中，多个所述电子元件被安装在所述基板上；以及 所述树脂膜共同地覆盖所述多个所述电子元件。
3. 如权利要求l所述的电子器件，其中，在对应于所述电子元件的位置，所述树脂膜的上表面包括 突出部分。
4. 如权利要求l所述的电子器件，其进一步包括 设置在所述树脂膜上的树脂层。
5. 如权利要求4所述的电子器件， 其中，所述树脂层的上表面是平坦的。
6. —种制造电子器件的方法，包括 在基板上安装电子元件；在整个所述基板上设置树脂膜，从而覆盖所述电子元件； 其中，所述设置的树脂膜包括使用如下的树脂膜，所述树脂膜在 50摄氏度的温度下具有等于或大于100kPa . s并且等于或小于1000kPa .s的剪切粘度、以及在50摄氏度的温度下具有等于或大于100]um并且等于或小于1500pm的流动长度。
7. 如权利要求6所述的方法，其中，所述安装电子元件的步骤包括在所述基板上安装多个所述 电子元件；以及所述设置树脂膜的步骤包括设置所述树脂膜，从而共同地覆盖所 述多个所述电子元件。
8. 如权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述设置树脂膜的步骤之后，切割所述基板从而将所述多个所 述电子元件彼此分开。
9. 如权利要求6所述的方法，其进一步包括 在所述树脂膜上形成树脂层。
全文摘要
本发明提供了一种电子器件，其在不引起生产效率降低的同时支持获得基板与电子元件之间的空间的优异的中空结构和精密的气密性。电子器件包括安装基板、安装在安装基板上的电子元件以及设置在整个安装基板上从而覆盖电子元件的树脂膜。树脂膜具有等于或大于100kPa·s并且等于或小于1000kPa·s的剪切粘度以及等于或大于100μm并且等于或小于1500μm的流动长度。
文档编号H01L23/29GK101174598SQ20071016686
公开日2008年5月7日 申请日期2007年10月23日 优先权日2006年10月23日
发明者水谷浩, 角田雄二 申请人:恩益禧电子股份有限公司