蚀刻液的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置的制作方法

专利名称：：蚀刻液的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置的制作方法吝，通过循环过滤蚀刻液，一iil^去蚀刻液中的废弃物等异物，一i^续进行蚀刻液的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置絲领域本发明涉及蚀刻氮^^所使用的蚀刻液(磷酸水溶液)的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置，特别是，涉及有效除去在蚀刻处理产生的蚀刻液中含有的硅^^(氮^^^酸的>^产物)的技术。背景狄在^t^J^等的批量生产线上的蚀刻处理中，为了^##内的蚀刻液的清洁，蚀刻，循环i^虑蚀刻液，使蚀刻液中析出的硅4b^和^W物""^iti！1，^ft，并由M续进行^k^(专利文献1)。但是，在上i^r法中，用同样的蚀刻^J^进行处理时，存在蚀刻液中的硅^^的浓度升高、蚀刻^下降的问题。为解决该问题，提出了在it虑嶺环蚀刻液时，佳月具有冷却功能的过滤器，通过^H卩iti虑器本身而有效除去蚀刻液中的硅^^的方法(专利文献2)。另外，作为其它方法，提出了向出虑蚀刻液的&虑11#^水，絲除去在过滤器中蓄积的珪^^物的方法(专利文献3)。更进一步，作为其它方法，提出了在it^虑蚀刻液时，在即将ii)虑前添加水，使作为蚀刻液的^的温^^布不均，以提高除去效率的方法，在该方法中，提出了将ii;虑蚀刻液的&虑器并^BU，在磷^^>换时，#-方的^虑器用于清洗，有效^W^I过滤器的方法(专利文献O。特公平3-20895号[专利文献2]特开平9-219388号[专利文献3]特开平6-310487号[专利文献4]特开2005-260179号
发明内容然而，对于上述专利文献l，2及3所记载的蚀刻液的再生方法和装置，在it)虑器的^^中，由于珪^^蓄积，引起堵塞，因此需要临时停止装置，用7jC洗等方法除去i^虑器内蓄积的硅4^^。因此必须定期停止装置，非常没有效率。另一方面，才娥专利文献4记载的方法，在并^BU多个近虑器，在&虑器内硅^^蓄积，引起堵塞时，通过阀而切换i^虑器，将堵塞的itJ虑器用7jC洗涤，同时，蚀刻';^t过郝的i^虑器^t，不停止装置，进^it^虑。然而，才^&发明人的实验，证实錄A虑器中硅^^蓄积量的增加，通iii^虑器而进行的硅^^的除去量上升。即证实，通过新的没有蓄积v^^物的iij應4t料，或刚刚通过洗涤而除去了蓄积的硅"f^i^的刚洗涤后没有硅化，蓄积的ii;虑材料而进行的硅4^^的除去Wi少，M"iiii^f吏用时间的延长，硅^^的除去M加，除去量iif'Jio倍以上。但是，如絲续4M—定时间以上，逸虑器;^A堵塞，不能<^1。因此，在专利文献l-4记载的以往的蚀刻液的再生方法中，在iii虑l^f^J开始及洗'M理后的再使用开始的一定时间内，常常不得不^^除去效剩氐的it)虑器。錄临时停止装置、洗、;^^虑器时，还是在并^B^多个滤器，不停止装置、而切^fM时，^P;1—样的。因此，本发明要解决的问题是，消除上述以往的方法中的铁存、，提^-"种通it^常使用通常已使用一定时间以上，具有已蓄积了一定量以上硅^^物的>&^^复高的过滤材料的过滤器，通常能够以高除去效率除去蚀刻液中的硅4b^物，蚀刻液中生成的硅^^物的除去极为有效，可更适合工业生产，使蚀刻液的再生处體费减少的^^液的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置。本发明，为解决上述问题，提^-种蚀刻液的再生方法，该方法是在处理槽内，^^J包含磷酸7K^液的蚀刻液蚀刻氮^^,将该含有蚀刻所生成的硅4b^的蚀刻、^Mt理槽中取出，^^1&虑器^^斤出的蚀刻液中除去所述的硅4^物，再生所述的蚀刻液的方法，其特征在于，所逸取出的蚀刻液皿的管线^W^多个iU虑器并联、串联交互切换i^k^接，,旨始时所述多个it)虑器的最初并^i^接情yL^卜，通常，通过将所出的蚀刻液，供给至至少一个具有已蓄积了硅^^的硅^^的>^^去^高的出虑材料的^虑器，由》^#硅^^的>*1^^1一边^#在高的状态，一iii^去硅^^。jt(^卜，第二个要解决的问;1|^提#^种蚀刻液的再生方法，该方法是在处理槽内，^^l包含^7JC^液的蚀刻液蚀刻氛4t^，#^有通过该蚀刻所生成的硅^^b的蚀刻^^t理槽中取出，^^逸虑器^^斤#出的蚀刻液中除去所述的硅^^;，而再生所述的^#液的方法，^#絲于1)在所述取出的蚀刻液皿的管线^^上并联、串联交互切换ilfe^接多个膽器，2)在所述多个过滤器串^i^接的情况下，将刚刚洗涤除去了蓄积的硅化^后或具有未4吏用的无庙^^蓄积的i^虑材料的一方的逸虑器^j:在所述;的上游，将硅^^蓄积在所述的一方的i^虑器的iti虑材料上直J^J^去狄变高，同时，在所述一方的i^虑器的i^虑材料的下游，^J^具有已蓄积了硅^^/的>^^^1高的逸虑材料的其它选虑器，^将所跳出的蚀刻液，串联供给至所述的多个选虑器，3)在所述多个i^虑器并^i4接的情况下，将所出的蚀刻液供给至具有已蓄积了硅^^的>^1^去狄高的±1>虑材料的一方的选虑器，同时，>^斤3i^出的蚀刻液的循环回路中取下^i^虑器，用于洗涤，,转开始时所迷的多个过滤器的最初的并^i^接的情》"卜，通常，通过将所i^L出的蚀刻液，供给至至少一个具有已蓄积了硅4^l^的珪4^^的硅除去逸变高的i^虑材料的&虑器，由此一边将珪^^的^(^^1维持在高的状态，一5i)^去硅^^。iH^卜，第三个要解决的问M，提^^种^^U'J^求1或2所记载的淑寸液的再生方法，其特征为，所述多个过滤器的管线流路处于串联情形的使用时间，相当于ii^在it^器Ji^^^堵塞时的蓄积最大量的1/10至1/2的时间。itW卜，第四个要解决的问题是，提#-~种蚀刻方法，该方法包括在处理槽内，^^J包含磷酸水溶液的蚀刻液蚀刻氮^^的蚀刻工序，M理槽中取出含有由该蚀刻所生成的硅^^的蚀刻液，将其it^、而循环至处理槽的循环过滤工序，^^斤述循环^±>虑工序中取出-^鋒刻液，向所錄出的一"^雑刻液中加水，通ititJ虑除去该蚀刻液中析出的硅^^，再生所述蚀刻液的磷酸7JCig:液再生工序，^#棘于，具有通过^M，J^"求1-3^""项所记载的方法的工序。Jj^卜，第5个解决的问M,提#-种蚀刻装置，该装置包掩含有^^|包^酸7K^的蚀刻液蚀刻氣^^的处,1的烛刻部分，>^斤*理槽中取出含有由所述蚀刻部分的蚀刻所生成的硅^^的蚀刻液，通iti^虑器过滤，循环至所i^I:^1的循环itid部分，^^斤述循环i^虑部分中取出1分所述蚀刻液，除去所述硅^^物，再生所述蚀刻液的磷酸7iC^液再生部分，其特征在于，在所述磷酸7jC溶液再生部分的^'J液^it的管线流路中，设置多个过滤器与用于将所述多个过滤器的管线流路交互切M并联、串联的多个阀，自动将所述蚀刻液^it的管线^^切换为并联、串联，由此，始时所述多个iti虑器最初为并^^接情^卜，将所#出的蚀刻液供给至至少一个具有已蓄积了硅^^的硅^^^M^^i^高的i^虑材料的i^虑器，通常，将^^^^的^)^^H维持在高的状态而进行蚀刻。予以说明的是，本发明中，将所i^L出的烛刻液，供给至至少一个具有已蓄积了硅^^的硅^^的的>^1^去逸变高的过滤材料的过滤器，但只在最初的运转建立时的一定时间内，仅多个过滤器中的一^HE液，而头他的过滤器停止，因此只在该时间段内，所狄出的蚀刻液，无法供给至至少一个已蓄积了硅>[^^的珪^^的>^1^去逸复高的选虑材料的:^虑器，^^发明并科卜除这种情况。才娘本发明，以^JH磷^^^的氮^^^蚀刻紗对象，通败常翻通常已^JU—段时间以上，具有已蓄积了一定量以上硅^^的^I^^H高的it^材料的必虑器，由此，通常能够以好的除去效率除去蚀刻液中的硅^^物，对蚀刻液中生成的硅^^的除去^有效，因此更适合工业化生产，使蚀刻液的再生处理经费綠。图1是净Mt本发明的蚀刻^^置的I^N^莫^J成图。图2表示实施例1中的晶片蚀刻时间^^中硅的M的关系以及过滤器8a和过滤器8b的4M状况的图。图3表示实施例1中的晶片蚀刻时间与^±>虑器8a和it)虑器8b中硅蓄积量之间的关系的图。图4表示实施例2中的晶片蚀刻时间与^中的^复的关系以及过滤器8a和过滤器8b的使用状况的图。图5表示实施例2中的#^时间和处理槽内的^1以及与>*1^去^4^之间的关系的图。图6表示&，〗&虑器堵塞时的最大硅蓄积量的图。图7表示>^蓄积*^^1^*^1的关系的图。符号的说明1:处理槽la:内槽lb:面加热器lc:溢流部分ld:排出口le:^f^口2:泵3:it;虑器4:加热器5:热交换器6:结晶槽7:泵8a:出虑器8b:载器9a:鱗液9b:加热器10:泵11:晶片12:蚀刻部分13:循环iti虑部分14:^7j^i^^再生部分16:分流管线17:分^t泉19:分敲20:分流管线21:狄计V-l、V-2、V-3、V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-6、V-7、V-8、V-9a、V-9b、V-10a、V-10b、V-ll、V-lla、V-llb、V-12、V-13、V—14:阀M实施方式下面，参照作为实施方錄示的本发明。图1为本发明的蚀刻装置的^NMt式构成图，其由蚀刻部分12、循环过滤管线部分13、以及^^7jC^L液再生部分14构成。蚀刻部分12以处理槽1为主体，该处理槽1目的在于，将多个晶片11i^^p热至150'C-180X:的^7j^^(蚀刻液)中，在晶片11表面存在的氮^^、氧<^^、硅等中，选棒l^k^k^氮^^。循环过滤管线部分13;M于将城理槽1中溢流出的^^K^液i^虑、加热，以賤it^加纯水工序再返回处理槽l的。磷^7J^^液再生部分14，用于^#环&虑管线部分13中分流出磷^;K溶液，斷氐该磷酸7K^液中作为硅^^存在的硅浓度，再生于可用于该蚀刻液中的^1的磷酸7K溶夜中，经由加热器4，返回至处理槽l的底部。下面，详i^Ut蚀刻部分12、循环&虑管线部分13转酸絲液再生部分14。(蚀刻部分12)蚀刻部分12中，配置有自动移送的;^l手(robot)(图中未示出)和处理槽l，晶片11在处理槽l的槽本体内^ii取出，进行御'j处理。处理槽l是由内槽la和溢流郎分lc构iMt本体的溢出槽，从内槽la上端溢出的磷酸7條液被jJtA^外周形成的溢流部分lc中.内槽la中，内设有作为发热体的面加热器(surfaceheater)lb。另外，液体的导X/排出构造包括有，iU在溢流部分lc的上侧、在蜂N^^^^时进^f情关的自动阀V-14，#^线在溢流部分lc的底部、将溢流的磷酸7Kii^排出到循环i^虑管线部分13的排出口ld,^^X在内槽la的底面、将循环A虑管线部分13中处理过的^7jc^^导入处理槽1的本体内的供给口le。作为控制系统，设有测量溢流部分lc的>#^^溶M面的多个液面传感器(图中未示出)和检测内槽la的^7j^l的液体温度的温^^传感器，以^于该温度传感器检出的温;1控制所迷面加热器lb,使磷酸7jc^液维持在一定的^:温度的加热控制器。(循环雄管线部分13)循环i^虑管线部分13M，用于将从溢流部分lciU的排出口ld排出的磷酸7j^^液由内槽la底面iU的^^口le返回到处理槽1的槽本体的泵2，过滤该磷酸水溶液的i^虑器3,作为将该i^虑后的磷酸7JC^^热至一定的规定温度的加热器的加热器4，iM在内槽la内的用于控制该加热器4的温度传感器和加热控制器，用于向加温到一定温度的磷^7jc溶液中添;^5定量纯水的自动阀V-2即，这里，从溢流部分lc排出的蚀刻液即鳞酸7jc^:液，首^:iii^虑器3##酸7^^液&虑。接着，磷^7K^li^热器4加温到一定温^，通过自动阀V-2的开关以添加适量的纯水，进行调整，以使4f/吏磷^7j^夜的浓度^#一定，返回到处理槽l本体内。予以说明的是，由于从溢流部分lc排出的^7KM的温度稍许下降，因此用加热器4进行加温，自动阀V-2对由于蒸发引起的^7Ki^^变的变^i^tf务正，&虑器3除去4^^^液中的杂质(含析出的氧^)。因此，树从溢流部分lc排出的磷酸7jCii^a温之前，j^^it)虑器3的iti^l重要的。(磷酸7條液再生装置14)^^7jCi^液再生部分14，^Mt环i^虑管线部分13中，通itf^流J^节装置(自动阀V-8)用控制了流量的纯水，稀释经由泵2和it^虑器3之间的管线部分所设置的分支管16和流量调节装置(双向阀V-l和自动阀V-3)而流过循环i^虑管线部分13的适量^K^，^^1热交换器5将^PHP到IOO匸以下后，通过结晶槽6回收。在结晶槽6中回收的#^^良，用泵7^iii^过滤器8a或8b中。銜逸的^7自良，通过稀释，并进一步冷却而使饱和浓度1^氐，由此而使硅4^l^作为结晶^f斤出，通iti^虑器8a、8b从磷^7jci^中除去。如果一定量的硅^^^作为结晶体大:W积，则过滤阻力增加，液体变得无法通过。城'器8a，8b通过自动阀V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb连接，以4吏得交互切#^并联、串联的方式而^^1。过滤器8a和8b，^M始前，以并^i^接，最初，仅^JD—个过滤器8a，不4M过滤器8b直到过滤器8a的过滤阻力增大到一定禾級。如果向it;虑器8a中^Tili的磷^7j^^液中的硅4b^7的^^过^^M，则其作为结晶体析出，成长，如^it)虑器8a中硅^^;蓄积，则容易变得以jtbft为晶核，而析出硅4緣，硅^^^Mi^^i^口快。当it)應、器8a内硅^^蓄积，^il^去iltt高时，通过自动阀V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb，将i^虑器8a、8b切^串联。在将ib虑器8a、8b切M串联的情况下，如下连接，即以未使用的没有硅^^/蓄积的过滤器8b为上游端，以〗更能够蓄积v!i化^;直至该i^虑器8b内的^^J^去i4^高，使已蓄积了硅<^#的>^1^去狄变高的A虑器8a为下游端。而且，在it;虑器8b内硅蓄积、^^J^i"ii^高的阶段，通过自动阀V-4a、V-4b、V-5a、V-5b、V-lla、V-llb将舰'器8a、8b切M并联，在i^虑器8a中，供给洗涤液，将其用于洗涤。另一方面，仅向蓄积了硅^^^Mil^fcit^高的i^虑器8b中，供给所錄出的蚀刻液，仅通过该&虑器8b除去所ii^R^。下面，^t^^7j^^再生装置14的#^的一>^'〗子进^^^运#^始前，首先，在开启自动阀V-4a，V-5a，关闭务他泵V-4b、V-5b、V-lla、V-Ub的情况下，使磷酸7K^液皿过滤器8a，进^it滤。如果过滤器8a中硅^^;蓄积，则it;虑阻力增大。在泵7中絲传感器，以便能够检测出IMtiH，通过该传感絲测硅^^的蓄积量，或者，通iti^虑时间或晶片蚀刻时间推测蓄积量，当i^虑器8a的硅蓄积量WJ—定量以上时，开启V-4b、V-llb，关闭V-4a，使过滤器8a和过滤器8b串联连接，开始运转。由jH^吏磷^7j^UUt滤器8b中通it^，^JH过滤器8a过滤，即使过滤器8b的>^1^^1低，通过已经蓄积^^^^;的>^|^^复高的过谅器8&进#^±滤，由此包能一iiiW高的^J^^1,一边使硅^^在&虑器8b中蓄积。由于过滤器8a中硅^^的蓄积量多，因此如^ii一步运转，则过滤阻力变得过大，液体无M过。因此，用于^i^虑器8a中除去硅^i^物的洗涤变得必要，由于串^i^接，硅^^在it)虑器8b中蓄积，>^^1^*1^^高，因M过关闭自动阀V-5a、V-llb，打开V-5b将过滤器8a排除在过滤管线^Jt，使磷^7J^^5Utiiii滤器8b,另一方面，通过打开自动阀V-9a、V-10a，并用HF对过滤器8a进fr洗涤。通itil样的操怍，可以不中断^^^r^物的除去，维持高的^^i^^1,并J^过滤器8b的硅蓄积量变多前，可以从过滤器8a中除去硅^^以便能够再连接。&虑器8a的洗辆^^t说明4i^ll'略，使用HF使过滤器8a内的珪^^r溶解，然后用DIW(纯7jc)清洗HF成分。洗;^^，在iti!l器8b内的硅蓄积:tit大，在无法通it^^^前打开自动阀V-4a、V-lla，关闭V-4b,使&虑器8a和A虑器8b再次串^i^接进行过滤。当过滤器8a中硅^t^蓄积，鞋馀"^1增高后，打开自动阀V-5a，关闭V-lla、V-5b,将过滤器8b排除在外，而使磷酸7jCig^^5UUt滤器8a中^it，另一方面，通过开启自动阀V-9b、V-10b，用HF';fe^H^虑器8b。反复如jtblMt。流出&虑器8a或1±>虑器8b的磷^7K^液、在,槽9的液面水平不到满液时，通过开启自动阀V-7，关闭V-6，^ili磷酸;^^当,槽9的液面水平达到满液以上时，关闭自动阀V-7，打开V-6，返回到结晶槽6中，进4滩环出虑。^^加热器9b对i^絲槽中的磷,热，直至接狄理槽1的磷^7K溶液的温度160n的温度，使通过自动阀V—8添加的纯水蒸发，打开V-12向循环过滤管线部分13銜逸已除去了硅^^的^7K^液。为了将M的磷酸7i^i^的温度维持高的温度，通iWi!Mlt槽的流量调整阀11，使其,分从分流泉19返回到i!M^槽9。#卜，通过^^流管20綠以防止温度下降。实施例1以下，说明*#的实施例。在半科晶片等表面上形成氧^^^作为元件分离膜。在形成工序中，在晶片表面^^W氧^i^Jii^^氮^^，为it捧It蚀刻氮4t^，^^1M约85-90质量％的^7條液，作为蚀刻液。扭iih述^^i^t氮^^进行蚀刻时，氮4b^l中的結^^分溶于磷酸，生威在^^物，该硅^^在磷酸7jc絲中慢lt蓄积。即，扭过磷酸的蚀刻中，iiJ,J氧^^^被保留，只有氮4bii^被蚀刻的目的，但是，|Ut^^t>J，虽粉ib^微，但如果^中有>^^入，则城为氧^J^的蚀刻抑制剂，并且当絲60ppm以Jii^入时，氧^^不会再被蚀刻，在该制造itf呈中，为使氧^^;f^^i^，^to^磷酸中的a度，通:!±^1计21测量为6(^^11以上的>^下进行磷^理'即，当在60ppm以Jiii行实施时，可以J4^削减氧^M，而^5t^t'j氮^^。因此，在测定磷^7jc驗中i^^JL在60ppm以下时，停止向磷酸再生部^^酸，在^J^^1计21测定为60ppm以上时，进行磷酸再生，以控制自中的M度，以使^^中的^i^M^l计21测^;60ppm以上。因此，由于只有t/f鹏蚀刻所增加的成分在过滤器中蓄积，因此可通过测定在浓度计21测定iii，J60ppm以Ji^开始的氮4继的蚀刻时间，御'jit^、器内蓄积的硅的量。卞以划的是，图1中，^!计21被iitS^it;虑器3的附近，^限于此，也可以设计在处理槽1或热交换器5的后面或其它位置。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在实施例1中，##泵2，控制加热器4和处理槽的加热器lb,通过自动阀V-2添加纯水，由jtM吏^7J^^沸腾，同时控制温yl在160lC。在该状态下，将附着氮^^的1500A的6英寸氮^J^晶片11;^h理槽1中，小时)。^，控制再生处理以使^^中的^ML^1^^计21测定达到60ppm以上，开始^^Ji^虑器8a,从^^1开始到1260*，即到21小时，i^虑l^f吏用开始后，&虑器8a的^J^^1緩漫升高。^间，约6g在it^虑器中蓄积。^将过滤器8b设X^Et滤器8a的上游端。1470分"^后即累积蚀刻时间为2730^4中后即约50小时后，it^虑器8b中约有6g硅蓄积，J^J^^^大。然后，切断过滤器8a，进"f1iJt涤，仅^^过滤器8b。在过滤器8a中约有12g硅蓄积。近虑器8a的洗涤时间约6小时，通常，由于不进行晶片的蚀刻，因此考虑到有没有蚀刻的时间，在累积蚀刻时间为3030分钟(约50小时)后，完成过滤器的洗涤。此后，将过滤器8a设A^it滤器8b的上游端，鞋^it滤器8a中蓄积。1470分钟后即累积蚀刻时间为4500^#|后，iti^器8a中约有6g珪蓄积，>^1^^大。因此切断it^器8b，进#，^f5lf^Ii^虑器8a。在i^虑器8b中约有12g硅蓄积。晶片蚀刻时间^H^中^W^的关系以^Ut^器8a和ita器8b的4捐状况，如图2所示，晶片独刻时间和顿器8a和it^、器8b中的硅蓄积量的关系，如图3所示。通itil样^X操怍，始时的所述多个ita器最初以并^ri(^接的情;;^卜，通常，可以将所#出的蚀刻液供i^至至少一个具有已蓄积了^^^^的^^f^^的^J^^变高的it^t料的i^虑器，通tT以较高iW^^^再生部分中的^i^^L。实施例2仅将过滤器8a和it;虑器8b的切换时间:fe照图4所示*变化，完全同实施例l，实総^L^2和图5所示，该结果，与实施例l相同，絲转开始时的所述多个过滤器最初以并^r^^接的情;X^卜，通常，可以将所述取出的蚀刻液供给至至少一个具有已蓄积了珪4t^的硅^^的;^^^1高的iij凌浙料的it;虑器，通常，可以较高^##^^再生部分中的^1^^^,表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>实施例3如图2和图4所示，过滤器8a和过滤器8b串联连接的时间最大，由于各it;虑器在用于2;^^蓄积杀l次絲时间之内^^，因jH^^E比ii^it^器堵塞时的珪蓄积量的1/2躲的时间内切换。另一方面，如果该时间舰，则i^虑器中的硅蓄积量不)tA，硅^^在^虑器中的蓄积不能^'』>^^^变高的程度，因此必须在一定私变以上使用。ii^it^器堵塞时的最大硅蓄积量如图6所示，确i^人其量为29g-43g。因此，M当it^器内的珪蓄积量iiJ!]14.5g-21.5g时，将过滤器8a和过滤器8b的串^i^^切^并^i^接。图7显示硅蓄积J^rt^J^^JL，可知硅蓄积量超过5g时，>^^iHiiJ'J25mg/^4中，^:大。5g的量为ii^it)虑器堵塞时的最大珪蓄积量29g一43g的0.17-0.11。因此，&虑器8a和&虑器8b串^i^接的时间^N当于ii^近虑器中硅^^堵塞时最大蓄积量的1/10—1/2的时间。本发明不限于Jiii实施例，可以对其进行^t变形，展开。在Jiit实施例中，举净'j说明it;虑器8a、8b这两个i^虑器相互以并联、串联的形^U^接，但作为本发明范围内的絲实財式，可以将3个或3个以上的逸虑器组^^接，才Wf吏用的晶片的大小，片数、蚀刻时间、蚀刻量等，在洗涂时间变^il蓄积量多时，可以适当地妙而^^J。以上实施例表明，本发明中，以^^^W^t的氮^^J^fck^絲对象，通it^常使用通常e/f^l—段时间以上，具有已蓄积了一定量以Ji^^^的^i^^变高的过滤材料的i^虑器，通常，能够以高除去效率除^k刻液中的硅4^物，蚀刻液中生成的磁:^^物的除去极为有效，可更适合工业生产，使蚀刻液的再生处理经费减少。权利要求1、一种蚀刻液的再生方法，该方法是在处理槽内，使用包含磷酸水溶液的蚀刻液蚀刻氮化硅膜，将含有该蚀刻所生成的硅化合物的蚀刻液从处理槽中取出，使用过滤器从所述取出的蚀刻液中除去所述的硅化合物，再生所述的蚀刻液的方法，其特征在于，所述取出的蚀刻液流经的管线流路与多个过滤器并联、串联交互切换地连接，除运转开始时所述多个过滤器的最初并联连接情况外，通常，通过将所述取出的蚀刻液，供给至至少一个具有已蓄积了硅化合物的硅化合物的硅除去速度高的过滤材料的过滤器，由此一边将硅化合物的硅除去速度维持在高的状态，一边除去硅化合物。2、才Mt才W漆求1记栽的蚀刻液的再生方法，该方法是在处理槽内，使用包含磷酸7jc^液的蚀刻液蚀刻IU^^，将含有该蚀刻所生成的硅4^物的蚀刻^Ub理槽中取出，^^it;虑器A/斤錄出的蚀刻液中除去所述的硅^^，再生所述的蚀刻'液的方法，^##于，1)在所#出的蚀刻:^危经的管线流路上并联、串联交互切m^接多个顺、器，2)在所述多个过滤器串联连接的情况下，将刚刚洗涤除去了蓄积的硅^^物后或具有未4^J的iL^^^蓄积的i^虑材^H方的i^虑器iU在所述i^的上游，将硅^^蓄积v^所迷一方的i^虑器的i^虑浙料上J^J^去iH变高，同时，在所述一方的&虑器的&虑材料的下游，i^具有已蓄积了珪4^物的>^^1高的选虑材料的其它选虑器，^:将所錄出的蚀刻液，串联供给至所述的多个选虑器，3)在所述多个过滤器并^i^接的情况下，将所i^出的蚀刻液^^至^T已蓄积了硅^^的^Ji馀去i^L高的A虑射^H方的A虑器，同时，>^斤#出的蚀刻液的循环回路中取下^i^虑器，用于洗涤，R^t转开始时所述的多个过滤器的最初的并^i^接的情》;^卜，通常，通过将所，出的蚀刻液，^i^至至少一个具有已蓄积了硅^^物的硅^^物的硅除去逸复高的^1>虑材料的^^虑器，由此一边将^^^^的^J^i^L维持在高的状态，一iil^去硅^^。3、^L^M，J^求1或2记载的蚀刻液的再生方法，其特征在于，所述多个过滤器处于串联的使用时间，相当于iii'J所述多个过滤器上硅^^堵塞时的蓄积最大量的1/10至1/2的时间。4、一种蚀刻方法，该方法包^^在处理槽内，包^^7JCM的蚀刻'液蚀刻氮^^的蚀刻工序，M理槽中取出含有该蚀刻所生成的硅^^的蚀刻液，将其it)虑而循环至处理槽的循环i^虑工序，^y^斤述循环i^虑工序中取出^分蚀刻液，向所#出的"~^分蚀刻液中加水，通过itj虑除去该蚀刻液中析出的珪^^，再生所述蚀刻液的磷^7K溶液再生处理工序，^##于，具有通过:fc^U'漆求l-3^—项所记载的方法再生蚀刻液的工序和将该再生后的蚀刻液返回到所述蚀刻工序的所i^t理槽中的工序。5、一种蚀刻装置，该装置包括含有^^包^酸7K^的WJ液蚀刻氮4b^的处理槽的蚀刻部分，v^^斤i^t理槽中取出含有由所述蚀刻部分的蚀刻所生成的硅4b^物的蚀刻液，通itit滤器过滤，循环至所^理槽的循环&虑部分，^^斤述循环1±>虑部分中取出~"^分所述蚀刻液，除去所ii^^^，再生所述蚀刻液的磷i^7jc溶液再生部分，^#絲于，在所述磷^7Ki^液再生部分的蚀刻液M的管线流路中，设置多个过滤器与用于将所述多个过滤器的管线流路可交互切换为并联、串联的多个阀，自动将所述蚀刻液i^it的管线流路交互切换为并联、串联，由此，^#^始时所述多个&虑器最初的并^^接情况外，将所述取出的蚀刻液#^至具有至少一个已蓄积了珪^^吻的硅^^物的v^I^^i;l高的出虑材料的&虑器，通常，将硅^^的^iJ^去歧维持在高的状态而it行^'J。全文摘要以使用磷酸水溶液的氮化硅膜蚀刻液为对象，且能够以极高的效率除去该蚀刻液中生成的硅化合物，更适合工业生产，够减少蚀刻液的再生处理经费。在再生所述蚀刻液的方法中，在从蚀刻槽中取出的蚀刻液流经的管线流路中，多个过滤器以并联、串联形式交互切换地连接，在所述多个过滤器以并联或串联的任一种方式连接时，通过将所述取出的蚀刻液供给至具有已蓄积了硅化合物的硅化合物的硅除去速度高的过滤材料的过滤器，通常能够将硅化合物的硅除去速度维持在高的状态。文档编号H01L21/00GK101303976SQ200710169160公开日2008年11月12日申请日期2007年10月12日优先权日2006年10月12日发明者伊豆田信彦,渡津春留申请人:M·Fsi株式会社