专利名称：半导体结构及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体结构及其方法，特别是有防卫环关于一种
双扩散金氧半导体功率晶体管(DMOS)结构及其方法。
背景技术：
现今集成电路在功能越来越强大的同时，其结构也越来越复杂，导致集 成电路的光掩膜(光掩膜即光罩，本文均称为光掩膜)数也随之增加，成本 也不断上升。
在此请参阅图1A到图II，以N型双扩散金氧半导体功率晶体管的制造 (制程即制造过程，本文均称为制造)为例来说明。参照图1A,在硅基板5 之上依序成长N-磊晶层IO及场区氧化物12，并利用第一光掩膜形成第一光 阻层14，以定义出防卫环(Guard Ring)的区域。接下来，请参阅图1B，蚀 刻未被第一光阻层14覆盖的场区氧化物12后，洗除第一光阻层14。防卫 环的场区氧化物12同时也定义出金氧半导体功率晶体管的主动区(Active Region)。接下来，为了更清楚说明N型双扩散金氧半导体功率晶体管内的 每个晶体管单元的制造，故图1C至图1H仅显示一侧的防卫环。请参阅图 1C，在主动区上依序形成栅极(栅极即闸极，本文均称为栅极)氧化层20、栅 极电极22，并利用第二光掩膜定义出栅极区以形成第二光阻层24,随后蚀 刻移除未被第二光阻层24覆盖的区域以棵露出部分的N-磊晶层10。以离 子注入法注入P-半导体物质于N-磊晶层10棵露的部分，并高温热驱入 (Drive-in)而形成P井区26。接着，请参阅图1D，洗除第二光阻层24，使 用第三光掩膜形成第三光阻层32,以定义出源极，并以离子注入法注入N十 半导体物质及高温热驱入而形成N+源极区30。请参阅图1E，移除第三光阻 层32后，以使用第四光掩膜形成第四光阻层42，以定义出P拴塞(P-Plug) 注入区40并以离子注入法注入P+半导体物质于P拴塞注入区40。
然后，请参照第一 F图，依序形成二氧化硅层50及硼磷硅玻璃层 (BPSG)52，并以第五光掩膜形成第五光阻层54以定义出接触窗区，并蚀刻 移除接触窗区的二氧化硅层50及硼磷硅玻璃层52以棵露出P拴塞注入区 40,然后以高温使硼磷玻璃回填(BPSGReflow)。请参照图1C，随后成长一金 属层60，并以第六光掩膜形成第六光阻层62以定义出栅极金属层及源极金 属层。再来，请参照图IH及图II，形成一保护层70以保护N型双扩散金 氧半导体功率晶体管80，并以第七光掩膜定义出栅极垫区72及源极垫区74以供打线。
如上述的N型双扩散金氧半导体功率晶体管，共需要七道光掩膜，因此
其光掩膜成本相当高。因此，如何将一些结构在同一道光掩膜中完成以减 少光掩膜数来降低集成电路的成本， 一直是此领域业者所追求的目标。
由此可见，上述现有的半导体结构及其制造方法在产品结构、制造方 法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解 决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来 一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及 方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能 创设一种新的半导体结构及其制造方法，实属当前重要研发课题之一，亦成 为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的半导体结构及其制造方法存在的缺陷，本发明人基 于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的 运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的半导体结构及其制造方法，能 够改进一般现有的半导体结构及其制造方法，使其更具有实用性。经过不 断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的 本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的半导体结构及其制造方法存在的缺陷， 而提供一种新型结构的半导体结构及其制造方法，所要解决的技术问题是 使其利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以
供作为传导用的线路(Bus)形成在上。如此，传导线路可不需光掩膜而在 制造中形成，因此可减少光掩膜的成本。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种半导体结构，其包含 一操作区，该操作区内有多个操作 单元，该些操作单元接收一控制信号，并根据该控制信号操作；以及一传导 区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单元；其中，该 传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构 成，并区隔出多个空间，该传导部由导体材料所构成，形成于该些空间之上 并电性连接该些操作单元，该传导区被移除部分传导区以形成至少一接触 窗并净果露出部分该辅助部，该接触部形成于该至少 一接触窗之上以4妾收该 控制信号并与该传导部电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一 步实现。 前述的半导体结构，其中所述的至少一接触窗是以干蚀刻方式形成。 前述的半导体结构，其中所述的传导部是由多晶硅所构成。
7前述的半导体结构，其中所述的辅助部在形成一防卫环的场区氧化物 时同时形成。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本
发明提出的一种双扩散金氧半导体功率晶体管，其包含 一传导区，用以 接收一栅极控制信号；以及一晶体管区，该晶体管区内有多个双扩散金氧 半导体功率晶体管，每一双扩散金氧半导体功率晶体管具有一栅极并电性
连接至该传导区，以根据该栅极控制信号运作；其中，该传导区具有一辅 助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构成，并区隔出多 个空间，该传导部由导体材料所构成，形成在该些空间之上并电性连接该 些操作单元，该传导区被移除部分传导区以形成至少 一接触窗并棵露出部 分该辅助部，该接触部形成于该至少一接触窗之上以接收该栅极控制信号 并与该传导部电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其还包含至少一防卫环位在该 传导区与该晶体管区的周边，其中该辅助部在形成该至少一防卫环的场区 氧化物时同时形成。
前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其中所述的传导部是由多晶硅 所构成。
前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其中所述的至少一接触窗是以 干蚀刻方式形成。
前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其还包含一介电层形成于该传 导区之上，位于该接触窗之上的部分该介电层在干蚀刻时被移除。
前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其中所述的介电层包含一氮化 硅层。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的一种金氧半导体功率晶体管制造方法，其包括以下步骤
a. 形成一场区氧化物层于一半导体基底之上，该场区氧化物层包含一 防卫部及一辅助部；
b. 依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一介电层于该半导体基底之 上，以定义出多个金氧半导体功率晶体管的栅极，其中该栅极氧化层、该 栅极电极及该介电层形成于该辅助部之上，且该辅助部上方的该栅极氧化 层、该栅极电极及该介电层是部分被移除，净果露出部分该一册极电极以形成 至少一栅极接触窗；
c. 形成多个井区及多个源/漏极区在该半导体基底之内；以及
d. 形成一金属层于该些源/漏极区及该至少一栅极接触窗之上，并移除 部分该金属层以定义出 一 源/漏极区垫及一栅极垫。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的b步骤包含bl.依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一介电层于该半导体基底之上；以及
b2.移除该防卫部、该井区之上的该栅极氧化层、该栅极电极及该介电层，以及该辅助部之上的部分该栅极氧化层、该栅极电极及该介电层。
前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的b2步骤是以干蚀刻移除该栅极氧化层、该4册极电极及该介电层。
前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的介电层为氮化硅。前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的c步骤包含c 1.注入第 一种掺杂物于该半导体基底之内以形成该多个井区；c 2.注入第 一种#^杂物于该多个井区之内以形成该多个源/漏极区；c3.形成一氧化物层；
c4.以干蚀刻方式移除该氧化物层并在该至少一栅极接触窗及该栅极电极的侧边残留部分氧化物；以及
c 5.移除棵露的该多个源/漏极区的区域，以棵露出该多个井区的部分区域。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体结构，其包含 一操作区，该操作区内有多个操作单元，该些操作单元接收一控制信号，并根据该控制信号操作；以及一传导区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单元；其中，该传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构成，该传导部由导体材料所构成，形成于该辅助部之上并电性连接该些操作单元，该传导区以化学机械研磨方式棵露至少一接触窗，该接触部形成于该至少一接触窗之上以接收该控制信号并与该传导部电性连接。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构，其中所述的传导部是由多晶硅所构成。前述的半导体结构，其中所述的辅助部在形成一防卫环的场区氧化物时同时形成。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种双扩散金氧半导体功率晶体管，其包含 一传导区，用以接收一栅极控制信号；以及一晶体管区，该晶体管区内有多个双扩散金氧半导体功率晶体管，每一双扩散金氧半导体功率晶体管具有一栅极并电性连接至该传导区，以根据该栅极控制信号运作；其中，该传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构成，该传导部由导体材料所构成，形成于该辅助部之上并电性连接该些操作单元，该传导区以化学机械研磨方式棵露至少 一接触窗，该接触部形成于该至少 一接触
窗之上以接收该栅极控制信号并与该传导部电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其还包含至少一防卫环位于该
传导区与该晶体管区的周边，其中该辅助部在形成该至少一防卫环的场区
氧化物时同时形成。
前述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其中所述的传导部是由多晶硅
所构成。
本发明的目的及解决其技术问题另外又还采用以下技术方案来实现。
依据本发明提出的一种金氧半导体功率晶体管制造方法，其包括以下步骤
a. 形成一场区氧化物层于一半导体基底之上，该场区氧化物包含一防卫部及一辅助部；
b. 依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一绝缘层于该半导体基底之上，以定义出多个金氧半导体功率晶体管的栅极，其中该栅极氧化层、该栅极电极及该介电层形成于该辅助部之上；
c. 形成多个井区及多个源/漏极区于该半导体基底之内；
d. 以化学机械研磨方式移除该辅助部上方的该介电层，棵露出部分该牙册极电极以形成至少一栅极4妻触窗；以及
e. 形成一金属层于该些源/漏极区及该至少一栅极接触窗之上，并移除部分金属层以定义出 一源/漏极区垫及一栅极垫。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的b步骤包含bl.依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一绝缘层于该半导体基底之上；以及
b2.移除该防卫部、该防卫部之间及该防卫部与该辅助部之间上方的该栅极氧化层、该栅极电极及该介电层。
前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的介电层为氮化硅。前述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其中所述的c步骤包含c 1.注入第 一种掺杂物于该半导体基底之内以形成该多个井区；c2.注入第一种掺杂物于该多个井区之内以形成该多个源/漏极区；c3.形成一氧化物层；
c4.以干蚀刻方式移除该氧化物层并在该至少一4册极接触窗及该4册极电极的侧边残留部分氧化物；以及
c5.移除棵露的该多个源/漏极区的区域，以棵露出该多个井区的部分区域。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明半导体结构及其制造方法至少具有下列优点及有益效果本发明的传导线路可不需额外的光掩膜来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上，因此，本发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。
综上所述，本发明是有关一种半导体结构及其制造方法，本发明的半导体制造利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以供作为传导用的线路(Bus)形成在其上。如此，传导线路可不需额外的光掩膜来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上。因此，本发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的半导体结构及其制造方法具有增进的突出功效，从而更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细iJL明如下。
图1A到图II为习知的N型双扩散金氧半导体功率晶体管的制造步骤。图2A到图2H为根据本发明的一第一较佳实施例的N型双扩散金氧半
导体功率晶体管的制造步骤。
图3A到图3G为根据本发明的一第二较佳实施例的N型双扩散金氧半
导体功率晶体管的制造步骤。
5:硅基板10N-磊晶层
12场区氧化物14第一光阻层
20栅极氧化层22栅极电极
24第二光阻层30N+源极区
26P井区32第三光阻层
40P拴塞注入区42第四光阻层
50二氧化硅层52硼磷硅玻璃层
54第五光阻层60金属层
62第六光阻层70保护层
72栅极垫区74源极垫区
105、 205:硅基板110、 210: N-蟲晶层112、 212:场区氧化物112a、 212a:防卫部112b、212b:辅助部114、 214第一光阻层
114a、214a:防卫环114b、 214b:传导区
120、220: 栅极氧化层121、 221栅极电极
221a:传导部122、 222介电层
123、223第二光阻层124、 224P井区
125、225N+源极区/漏极区126、 226二氧化硅层
127、227P拴塞128、 228接触窗区
129、229栅极区2C-2C:剖面线
130、230金属层130a、 230a:防卫环金属
130b、230b:源/漏极区垫130c、 230c:栅极垫
132、232第三光阻层
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体结构及其制造方法其具体实施方式
、结构、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
本发明的精神是在于利用在半导体制造中形成非导体材料(例如场区氧化物或二氧化硅等)的过程，亦同时在传导区形成该非导体材料以作为辅助部，其中该传导区，例如闸信道线(Gate Bus Line )、数据线(DataLine)等，是作为控制信号的传递，电性连接集成电路中操作区内的各操作单元，将控制信号传递至该些操作单元使其根据该控制信号操作。作为
辅助部的非导体材料会区隔出多个空间，使形成在上的导体材料会填入该些空间。如此，蚀刻移除部分传导区以形成至少一接触窗并棵露出部分该辅助部时，可以残留导体材料在该些空间内。最后，再沉积作为接触部的导体于该些接触窗时，接触部即可与传导部电性连接，以传导所接收的该控制信号至各操作单元。因此，用以传递该控制信号的线路不需额外的光掩膜来定义出。
接下来我们以N型双扩散金氧半导体功率晶体管为例来说明。请参阅阅2A所示，在硅基板105之上依序成长N-磊晶层110及场区氧化物112 (硅基板105及N-磊晶层110统称为半导体基底)，并利用第一光掩膜形成第一光阻层114，以定义出防卫环(Guard Ring) 114a及传导区114b的区域。接下来，蚀刻未被第一光阻层114覆盖的场区氧化物112以同时形成防卫环114a的防卫部112a及传导区114b的辅助部112b，然后洗除第一光阻层114。接着，请参阅考图2B所示，依序形成栅极氧化层120、栅极电极121以及电性绝缘的介电层122，并利用第二光掩膜形成第二光阻层123以定义出接触窗区128及位于晶体管区的多个晶体管的栅极区129 (见
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说明书第8/10页
图2C)。其中，栅极电极121的材料可以为多晶硅，而介电层122可以为氮化硅(Si3N4)。
请参阅图2C所示，以干蚀刻(Dry-Etching)移除未被第二光阻层123覆盖的区域以棵露出N-磊晶层110以形成接触窗128与门极区129，由于辅助部112b之间会形成一些空间，使栅极电极121的多晶硅沉积在辅助部112b之上时，在辅助部112b所围成的空间部分的厚度较厚。在干蚀刻移除至棵露出N-磊晶层110时，在辅助部112b所围成的空间部分仍有残余的多晶硅。接着，以离子注入法注入第一掺杂物(在此为P-半导体物质)在N-磊晶层110棵露的部分，并高温热驱入(Drive-in)而形成P井区124。然后，再以离子注入法注入高浓度的第二掺杂物(在此为N+半导体物质)及高温热驱入而形成N+源极区/漏极区125。需注意的是，接触窗128仅在传导区的部分区域上形成，接触窗128的数量则视实际上电路所需传导电流或其它考虑来决定，一般为多数个。请参阅图2D所示，是图K的俯视图，而图2C是为图2D中沿2C-2C剖面线的剖面图。
接着，参阅图2E所示，形成一二氧化硅层126覆盖于所有结构之上，然后请参阅图2F，以干蚀刻方式移除二氧化硅层及部分的N+源极区/漏极区125至棵露出P井区124。由于干蚀刻对不同方向的蚀刻速度不同，因此将在介电层122的侧边残留部分二氧化硅，且该残留二氧化硅的边缘圆滑。再来在棵露的P井区124中以离子注入方式注入高浓度的第一掺杂物(在此为p+半导体物质)，以形成p拴塞127。残留在介电层122侧边的二氧化硅的厚度会影响N型双扩散金氧半导体功率晶体管的通道(Channel)长度，而残留二氧化硅的厚度取决于二氧化硅层126的沉积厚度。因此，本发明可藉由控制二氧化硅层126的的厚度来控制N型双扩散金氧半导体功率晶体管的通道长度。请参阅图2G及图2H所示，形成一金属层130,并以第三光掩膜形成第三光阻层132以定义出源/漏极区垫130b、栅极垫130c及防卫环金属130a。
接下来，请参阅图3A到图3G所示，是根据本发明的一第二较佳实施例的N型双扩散金氧半导体功率晶体管的制造步骤。相较于图2A到图2H所示的第一较佳实施例，在本实施例利用化学机械研磨方式(CMP)来形成传导区上的接触窗。
请参阅图3A所示，在硅基板205之上依序成长N-磊晶层210及场区氧化物212 (硅基板205及N-磊晶层210统称为半导体基底)，并利用第一光掩膜形成第一光阻层214，以定义出防卫环(Guard Ring)"化及传导区214b的区域。接下来，蚀刻未被第一光阻层214覆盖的场区氧化物以同时形成防卫环214a的防卫部212a及传导区214b的辅助部212b，然后洗除第一光阻层214。接着，请参阅图3B所示，依序形成栅极氧化层220、栅极电极221以及电性绝缘的介电层222，并利用第二光掩膜形成第二光阻层 223以定义出位于晶体管区的多个晶体管的栅极区229及形成传导区214b (参见图3D)。其中，栅极电极221的材料可以为多晶硅，而介电层222可 以为氮化硅(Si3N4)。
请参阅图3C所示，以干蚀刻(Dry-Etching)移除未被第二光阻层223 覆盖的区域以棵露出N-磊晶层210以形成传导区214b、栅极区229及传导 区214b与栅极区229的连接线路(图中未示，其用以传送控制N型双扩散 金氧半导体功率晶体管的控制信号至栅极区229 )。由于传导区214b的辅助 部212b，传导区214b的传导部221a (与栅极电极221同时形成，为区别 方便，在传导区214b部分称为传导部221a)较栅极电极221为高，以利后 续化学机械研磨的进行。接着，以离子注入法注入第一掺杂物(在此为P-半导体物质)于N-磊晶层210棵露的部分，并高温热驱入(Drive-in)而 形成P井区224。然后，再以离子注入法注入高浓度的第二掺杂物(在此为 N+半导体物质)及高温热驱入而形成N+源极区/漏极区225。然后，形成一二 氧化硅层226覆盖于所有结构之上。
请参阅图3D所示，以干蚀刻方式移除二氧化硅层及部分的N+源极区/ 漏极区225至棵露出P井区224。由于干蚀刻对不同方向的蚀刻速度不同， 因此将在介电层222及传导区214b的侧边残留部分二氧化硅，且该残留二 氧化硅的边缘圓滑。再来在棵露的P井区224中以离子注入方式注入高浓 度的第一掺杂物(在此为P+半导体物质)，以形成P拴塞22乙残留在介电 层222及传导区214b侧边的二氧化硅的厚度会影响N型双扩散金氧半导体 功率晶体管的通道(Channel )长度，而残留二氧化硅的厚度取决于二氧化 硅层226的沉积厚度。因此，本发明可藉由控制二氧化硅层226的的厚度 来控制N型双扩散金氧半导体功率晶体管的通道长度。
请参阅图3E所示，以化学机械研磨方式研磨，直至棵露出接触窗2M。 由于传导部221a较栅极电极221高，故化学机械研磨并不会将介电层222 移除而造成栅极电极221棵露。本发明的N型双扩散金氧半导体功率晶体 管中，接触窗228的数量则视实际上电路所需传导电流或其它考虑来决定， 一般为多数个。
请参阅图3F及图3G所示，形成一金属层230,并以第三光掩膜形成第 三光阻层232以定义出源/漏极区垫230b、栅极区垫230c及防卫环金属 230a。
如上所述的实施例，N型双扩散金氧半导体功率晶体管仅使用三道光掩 膜制造即可完成，相较于习知的七道光掩膜制造，大幅减少了光掩膜的成 本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明， 任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上 述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施 例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上 实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案 的范围内。
权利要求
1、一种半导体结构，其特征在于其包含一操作区，该操作区内有多个操作单元，该些操作单元接收一控制信号，并根据该控制信号操作；以及一传导区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单元；其中，该传导区具有一辅助部、一传导部及一接触部，该辅助部由非导体材料所构成，并区隔出多个空间，该传导部由导体材料所构成，形成于该些空间之上并电性连接该些操作单元，该传导区被移除部分传导区以形成至少一接触窗并裸露出部分该辅助部，该接触部形成于该至少一接触窗之上以接收该控制信号并与该传导部电性连接。
2、 根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述的至少一 接触窗是以干蚀刻方式形成。
3、 根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于其中所述的传导部 是由多晶硅所构成。
4、 根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述的辅助部 在形成一 防卫环的场区氧化物时同时形成。
5、 一种双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于其包含 一传导区，用以接收一栅极控制信号；以及一晶体管区，该晶体管区内有多个双扩散金氧半导体功率晶体管，每一 双扩散金氧半导体功率晶体管具有一栅极并电性连接至该传导区，以根据 该栅极控制信号运作；其中，该传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非 导体材料所构成，并区隔出多个空间，该传导部由导体材料所构成，形成 在该些空间之上并电性连接该些操作单元，该传导区被移除部分传导区以 形成至少 一接触窗并棵露出部分该辅助部，该接触部形成于该至少 一接触 窗之上以接收该栅极控制信号并与该传导部电性连接。
6、 根据权利要求5所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于 其还包含至少一防卫环位在该传导区与该晶体管区的周边，其中该辅助部 在形成该至少 一 防卫环的场区氧化物时同时形成。
7、 根据权利要求6所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于 其中所述的传导部是由多晶硅所构成。
8、 根据权利要求6所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于 其中所述的至少 一接触窗是以干蚀刻方式形成。
9、 根据权利要求8所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于其还包含一介电层形成于该传导区之上，位于该接触窗之上的部分该介电 层在干蚀刻时被移除。
10、 根据权利要求9所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于 其中所述的介电层包含一 氮化硅层。
11、 一种金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征在于其包括以下步骤a. 形成一场区氧化物层于一半导体基底之上，该场区氧化物层包含一 防卫部及一辅助部；b. 依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一介电层于该半导体基底之 上，以定义出多个金氧半导体功率晶体管的栅极，其中该栅极氧化层、该 栅极电极及该介电层形成于该辅助部之上，且该辅助部上方的该栅极氧化 层、该栅极电极及该介电层是部分被移除，棵露出部分该栅极电极以形成 至少一栅极接触窗；c. 形成多个井区及多个源/漏极区在该半导体基底之内；以及d. 形成一金属层于该些源/漏极区及该至少一栅极接触窗之上，并移除 部分该金属层以定义出 一 源/漏极区垫及一栅极垫。
12、 根据权利要求11所述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征 在于其中所述的b步骤包含bl.依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一介电层于该半导体基底之 上；以及b2.移除该防卫部、该井区之上的该4册极氧化层、该栅极电极及该介电 层，以及该辅助部之上的部分该栅极氧化层、该4册极电才及及该介电层。
13、 根据权利要求12所述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征 在于其中所述的b2步骤是以干蚀刻移除该栅极氧化层、该栅极电极及该介 电层。
14、 根据权利要求13所述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征在于其中所述的介电层为氮化硅。
15、 根据权利要求11至12中任一权利要求所述的金氧半导体功率晶 体管制造方法，其特征在于其中所述的c步骤包含cl.注入第一种掺杂物于该半导体基底之内以形成该多个井区； c 2.注入第 一 种掺杂物于该多个井区之内以形成该多个源/漏极区； c3.形成一氧化物层；c4.以干蚀刻方式移除该氧化物层并在该至少一4册极接触窗及该栅极 电极的侧边残留部分氧化物；以及c5.移除棵露的该多个源/漏极区的区域，以棵露出该多个井区的部分 区域。
16、 一种半导体结构，其特征在于其包含一操作区，该操作区内有多个操作单元，该些操作单元接收一控制信 号，并根据该控制信号操作；以及一传导区，电性连接至该些操作单元，以将该控制信号传至该些操作单元；其中，该传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非导 体材料所构成，该传导部由导体材料所构成，形成于该辅助部之上并电性连 接该些操作单元，该传导区以化学机械研磨方式棵露至少一接触窗，该接触 部形成于该至少一接触窗之上以接收该控制信号并与该传导部电性连接。
17、 根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于其中所述的传导部是由多晶硅所构成。
18、 根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于其中所述的辅助 部在形成一 防卫环的场区氧化物时同时形成。
19、 一种双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在于其包含 一传导区，用以接收一栅极控制信号；以及一晶体管区，该晶体管区内有多个双扩散金氧半导体功率晶体管，每一 双扩散金氧半导体功率晶体管具有一栅极并电性连接至该传导区，以根据 该栅极控制信号运作；其中，该传导区具有一辅助部、 一传导部及一接触部，该辅助部由非 导体材料所构成，该传导部由导体材料所构成，形成于该辅助部之上并电 性连接该些操作单元，该传导区以化学机械研磨方式棵露至少一接触窗，该 接触部形成于该至少一接触窗之上以接收该栅极控制信号并与该传导部电 性连接。
20、 根据权利要求19所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在 于其还包含至少 一防卫环位于该传导区与该晶体管区的周边，其中该辅助 部在形成该至少一防卫环的场区氧化物时同时形成。
21、 根据权利要求20所述的双扩散金氧半导体功率晶体管，其特征在 于其中所述的传导部是由多晶硅所构成。
22、 一种金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征在于其包括以下步骤a. 形成一场区氧化物层于一半导体基底之上，该场区氧化物包含一防 卫部及一辅助部；b. 依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一绝缘层于该半导体基底之 上，以定义出多个金氧半导体功率晶体管的栅极，其中该栅极氧化层、该栅 极电极及该介电层形成于该辅助部之上；c. 形成多个井区及多个源/漏极区于该半导体基底之内；d. 以化学机械研磨方式移除该辅助部上方的该介电层，棵露出部分该 栅极电极以形成至少一栅极接触窗；以及e. 形成一金属层于该些源/漏极区及该至少一栅极接触窗之上，并移除 部分金属层以定义出 一 源/漏极区垫及一栅极垫。
23、 根据权利要求22所述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征 在于其中所述的b步骤包含bl.依序形成一栅极氧化层、 一栅极电极及一绝缘层于该半导体基底之 上；以及b2.移除该防卫部、该防卫部之间及该防卫部与该辅助部之间上方的该 栅极氧化层、该栅极电极及该介电层。
24、 根据权利要求23所述的金氧半导体功率晶体管制造方法，其特征在于其中所述的介电层为氮化硅。
25、 根据权利要求22至23中任一权利要求所述的金氧半导体功率晶 体管制造方法，其特征在于其中所述的c步骤包含cl.注入第一种掺杂物于该半导体基底之内以形成该多个井区； c2.注入第一种掺杂物于该多个井区之内以形成该多个源/漏极区； c3.形成一氧化物层；c4.以干蚀刻方式移除该氧化物层并在该至少一栅极接触窗及该栅极 电极的侧边残留部分氧化物；以及c5.移除棵露的该多个源/漏极区的区域，以棵露出该多个井区的部分 区域。
全文摘要
本发明是有关一种半导体结构及其制造方法，本发明的半导体制造方法利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以供作为传导用的线路(Bus)形成在其上。如此，传导线路可不需额外的光掩膜来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上。因此，本发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。
文档编号H01L27/02GK101640197SQ20081012997
公开日2010年2月3日 申请日期2008年7月30日 优先权日2008年7月30日
发明者涂高维, 董正晖 申请人:尼克森微电子股份有限公司