专利名称：半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置的制造方法。
背景技术：
近几年来，半导体装置越来越成为高集成化，半导体装置中的布 线通常为多层化。随着半导体装置的细微化，布线及接连孔(接触孔或 通路孔)持续地小尺寸化，要在连接孔中充分地埋入布线材料变得复
杂。如果不能充分地埋入，则会引起布线断线及产生接触凹陷(contact pit)等弊病，为此，在使Al-Si及Al-Si-Cu之类的布线材料淀积之前， 形成具有传导性的阻挡金属层。阻挡金属层往往采用CVD法，淀积
Ti或Ti及TiN这二者而形成。因为Ti的耐热性及自平坦性比上述Al 等优良，所以对于解决上述弊病是有效的。
用图2说明传统的半导体装置中布线及连接孔的制造步骤。
在半导体衬底103上采用CVD法(化学气相生长法)，形成笫一层 间绝缘膜102和第二层间绝缘膜101。这些层间绝缘膜可使用含有 TEOS、硼或磷的氧化硅膜(BPSG膜)等[图2(a)]。
接着，在这些层间绝缘膜上形成接触孔。作为接触孔的形成方法 有几种，在此就改进布线材料覆盖的方法进行说明。首先，以光刻胶 膜107为掩才莫，预先按某一深度进行各向同性蚀刻，扩大连接孔的开 口部，然后，进行各向异性蚀刻，形成接触孔[图2(b)]。
接着，在该连接孔上形成阻挡金属层104,再在其上淀积布线材 料106。再在该布线材料上用光刻工序形成l^才莫图案并进行蚀刻，从 而形成布线图案[图2(c)及图2(d)]。(例如，参照专利文献l)
专利文献l:特开平8-330252号公报
发明内容
但是，在用上述方法形成阻挡金属层时，阻挡金属层有可能会断线。因为已淀积了用作层间绝缘膜的TEOS或BPSG之类的其它材料， 由于蚀刻速率不同，难以平滑、均勻地形成侧壁。如果连接孔的侧面 不平滑，则阻挡金属层就会局部地变薄等，难以均匀地淀积。而且， 在淀积布线材料后，受到合金(Alloy)等热处理影响，使层间绝缘膜热 膨胀，侧壁的凹凸变得明显，阻挡金属层有可能会断线。 一旦阻挡金 属层断线或局部地薄膜化，则会出现硅从上层的布线材料，即Al-Si-Cu 及Al-Si通过阻挡金属层渗出至半导体衬底上的穿刺(spike)现象， 出现布线劣化及局部的电流增加(漏电)等。
图3是表示明显不良的图。如果存在易于因蚀刻而#皮#:蚀的氧化 膜108,则在与第一层间绝缘膜102的界面上形成倒锥形结构。半导 体的制造工序复杂，要叠层多层绝缘膜，如位置A那样，存在易于断 线及薄膜化的情况。
对于这种不良，专利文献l中提出了在接触孔内设置侧壁的改进 方法。
本发明中提出了具有能防止布线断线的结构并具有防止布线材料 渗出而防止不良发生的结构的半导体装置的制造方法。 为了解决上述课题，本发明中采取以下的制造方法。 本发明是一种形成半导体装置中的接触孔和布线的制造方法，该 方法由如下工序构成在半导体村底上形成第1绝缘膜和笫2绝缘膜 的工序；具有制作将其上形成的布线和衬底连^妻的接触孔的工序，且
在其上再淀积阻挡金属层，然后，淀积防止布线材料向衬底的渗出的 保护层，并将不需要的部分蚀刻的工序；在其上再淀积布线材料的工 序；以及采用光刻技术，形成布线掩才莫图案，且通过蚀刻形成布线图 案的工序。
在本发明中，可在第1布线层的上方再形成布线层，该层涉及多 层也没有关系。另外，对于第2绝缘膜等绝缘膜的叠层，其材质和层可根据需要制作，其形式没有限定。 发明效果
在阻挡金属层淀积后，用绝缘膜等在侧壁形成保护层，从而可不
依赖于接触孔的侧壁和阻挡金属层的叠层状态，防止在合金(Alloy)等 热处理影响中布线材料向衬底的渗出。另外，通过形成保护层，能够 使侧壁变得更平滑，因此，同时可改善布线材料的覆盖。另外，因为 该保护层的蚀刻使用各向同性蚀刻，所以，对于保护层的蚀刻，不需 要特别增加光掩才莫及光刻工序，仅增加保护层的淀积及蚀刻工序即可。 另外，因为保护层在阻挡金属层的上部形成，所以能够不依赖于 阻挡金属层的叠层偏差，防止合金(Alloy)等热处理影响中布线材料向 衬底的渗出等。
图1是表示一例用本发明的半导体装置的制造方法制造的半导体 装置的示意剖面图。
图2(a)至(d)是表示传统的半导体装置的制造方法的工序步骤的示 意剖面图。
图3是表示传统的半导体装置中的不良状况的示意剖面图。 图4(a)至①是表示本发明 一实施例的半导体装置的制造方法的工 序步骤的示意剖面图。
具体实施例方式
用图4及图l说明实施本发明的方法。 下面i兌明实施例1。
首先，在半导体村底103上用CVD法形成氧化硅膜作为第1层间 绝缘膜102。在其上淀积BPSG膜等第2层间绝缘膜101 [图4(a)]。然 后，在其上形成光刻月交膜107,用光刻工艺形成光摘^莫。
接着，进行各向同性蚀刻至某一深度，扩大接触孔的开口部，然
后进行各向异性蚀刻，形成接触孔[图4(b)]。此外，还有进行热处理， 并将接触孔开口部的角倒圓的方法。釆用这些方法，能够使布线材料 的断线和覆盖状况得到改善。
接着，在接触孔内壁形成阻挡金属层104。阻挡金属层104大多 使用Ti或使用Ti和TiN这两者，通过溅射而形成在元件上[图4(c)]。
如果在溅射工序中接触孔侧壁不平整，则阻挡金属层会局部地变 薄，或者阻挡金属层变为已断线的状态，上层的布线材料中的硅就会 渗出至半导体衬底中。为了解决这个问题，在通过溅射淀积阻挡金属 层之后，再淀积由绝缘膜组成的保护膜105 [图4(d)]。保护膜可以采用 BPSG膜或NSG膜等。接着，用各向异性蚀刻部分地除去保护膜105。 通过各向异性蚀刻，可不使用光掩才莫而在接触孔側壁的阻挡金属层表 面以及在接触孔侧壁与接触孔底面的接合部的接触侧底面的阻挡金属 层表面上留下绝缘膜[图4(e)]。由此，具有使接触孔内部的阻挡金属层 表面变得平滑，并使后续的布线材料覆盖改善的效果。
接着，用溅射方法淀积Al-Si或Al-Si-Cu等布线材料106。该布线 材料上涂敷光刻胶膜(未特别加以图示)，在形成掩沖莫图案后进行蚀刻， 从而形成布线图案[图4(f)及图l]。
下面说明实施例2。
在上述实施例1中，如果在半导体村底与第1层间绝缘膜之间存 在比第1层间绝缘膜更易蚀刻的薄膜时，如图3所示，则会局部地存 在阻挡金属层薄的部分。在其上淀积由绝缘膜组成的保护膜。然后， 通过进行各向异性蚀刻，可在接触孔侧壁的阻挡金属层表面并在接触 孔侧壁与接触孔底面的4妄合部的接触侧底面的阻挡金属层表面上留下 绝缘膜。从而，使连接孔内部的阻挡金属层表面变得平滑，具有使后 续的布线材料的覆盖改善的效果。
权利要求
1. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于所述方法由如下工序构成:在半导体衬底的表面上形成第1层间绝缘膜；在所述第1层间绝缘膜的表面上形成第2层间绝缘膜；在涂敷于所述第2层间绝缘膜表面的光刻胶膜上形成图案；以所述光刻胶膜作为掩模，蚀刻所述第2层间绝缘膜和所述第1层间绝缘膜，形成到达所述半导体衬底表面的开口部；在所述开口部的内壁和所述第2层间绝缘膜表面上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层表面上淀积由绝缘膜形成的保护膜；对所述保护膜进行各向异性蚀刻，并留存侧壁状绝缘膜，以覆盖所述开口部侧壁的阻挡金属层表面以及位于接触孔侧壁与接触孔底面的接合部的接触侧底面的阻挡金属层表面；在所述侧壁状绝缘膜、所述阻挡金属层及所述第2层间绝缘膜表面上淀积布线材料；以及将所述阻挡金属层和所述布线材料蚀刻成要求的形状。
2. —种半导体装置的制造方法，其特征在于所述方法由如下工序 构成在半导体衬底的表面上形成笫l层间绝缘膜； 在所述半导体衬底和所迷第1层间绝缘膜之间形成比所述第l层间绝缘膜更易于被蚀刻的薄膜；在所述第1层间绝缘膜的表面上形成第2层间绝缘膜； 在所述第2层间绝缘膜表面上用光刻胶膜形成图案； 以所述光刻力交膜为掩才莫，蚀刻所述第2层间绝缘膜和所述第1层间绝缘膜，形成到达所述半导体衬底表面的开口部； 在所述开口部的内壁和所述第2层间绝缘膜表面上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层表面上淀积由绝缘膜形成的保护膜；对所述保护膜进行各向异性蚀刻，并留存侧壁状绝缘膜，以覆盖 所述开口部侧壁的阻挡金属层表面以及位于接触孔侧壁与接触孔底面 的接合部的接触侧底面的阻挡金属层表面；在所述侧壁状绝缘膜、所述阻挡金属层及所述第2层间绝缘膜表 面上淀积布线材津牛；以及将所述阻挡金属层和所述布线材料蚀刻成要求的形状。
3. 如权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 所述保护膜由BPSG膜或NSG膜形成，所述阻挡金属层由TiN或Ti及TiN双层膜形成。
4. 如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 所述保护膜由BPSG膜或NSG膜形成，所述阻挡金属层由TiN或Ti及TiN双层膜形成。
全文摘要
本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，可不依赖于阻挡金属层的叠层状态地防止因阻挡金属层薄膜化或断线而导致的布线材料向衬底的渗出。在上述阻挡金属层淀积后，通过用绝缘膜等在侧壁上形成保护层，从而可不依赖于连接孔的侧壁及阻挡金属层的叠层状态而防止在后续的合金热处理影响下布线材料向衬底的渗出。另外，通过形成保护层，可使侧壁变得更平滑，因此，同时也可改善布线材料的覆盖。
文档编号H01L21/70GK101378035SQ20081021340
公开日2009年3月4日 申请日期2008年8月29日 优先权日2007年8月29日
发明者塚本明子, 小山内润 申请人:精工电子有限公司