专利名称：Smd发光二极管支架改良结构的制作方法
技术领域：
SMD发光二极管支架改良结构技术领域一种SMD发光二极管支架改良结构，尤其是指一种于SMD发光二极管 支架沖压至少一压印以增强SMD发光二极管支架结构强度的SMD发光二极 管支架改良结构。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)技术发展至今，已经被证实具 有体积小、发热量低、耗电量少、使用寿命长以及耐震等多种优点，而被广 泛地使用在日常生活上各种显示应用以及车用照明方面。通常发光二极管芯片是透过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD发光二极管支架内，而SMD发光二极管支架的内部结构对于发 光二极管的出光效果是具有直接性的影响。请参考图1所示，图1是为现有SMD发光二极管支架结构封装理想状 态示意图。现有SMD发光二极管支架结构，其包含第一支架91、第二支 架92、电性连4妻部93。第一支架91上的一端用以固接发光二极管芯片，发光二极管芯片可以透 过第一支架91产生电性连接，以提供发光二极管芯片其中一种电性极性，而 在第一支架91另一端更设有凹陷部94,其中，凹陷部94在SMD发光二极 管支架结构的设计上，是为透过射出成型方法封装第一支架91于胶座95内， 射出成型定位之用。第二支架92上的一端用以与第一支架91所固接的发光二极管产生电性 连接，以提供发光二极管芯片另外一种电性极性，而在第二支架92另一端更 设有凹陷部94,其中，凹陷部94在SMD发光二极管支架结构的设计上，是 为透过射出成型方法封装第二支架92于胶座95内，射出成型定位之用。电性连接部93自第一支架91以及第二支架92延伸设置，用以与外部电 源电性连接，第一支架91所延伸的电性连接部93，电性连接其中一种电性 极性，并且以提供发光二极管芯片其中一种电性极性；第二支架92所延伸的 电性连接部93,电性连接另外一种电性极性，并且以提供发光二极管芯片另 外一种电性极性。在理想状态中，会透过射出成型将第一支架91以及第二支架92封装于 胶座95内，并且不会产生偏移的现象，但是，由于SMD发光二极管支架结 构的设计上，由于第一支架91以及第二支架92厚度受到限制，会影响到第 一支架91以及第二支架92本身的结构强度。因此，在将第一支架91以及第二支架92封装于胶座95射出成型时，由 于第一支架91以及第二支架92处的结构强度不够，因此，在射出成型时由 于进料所造成的冲击，会导致第一支架91以及第二支架92产生偏移的情况， 如图2A以及图2B所示，为第一支架91以及第二支架92产生不同的偏移状 况。第一支架91以及第二支架92除了会产生偏移之外，也可能造成第一支 架91以及第二支架92偏转(图中未绘示)，这也是由于第一支架91以及第 二支架92的结构强度不够的关系。综上所述，可知现有技术中长期以来一直存在射出成型封装SMD发光 二极管支架产生支架偏移的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决 此一问题。实用新型内容有鉴于现有技术存在射出成型封装SMD发光二极管支架产生支架偏移 的问题，本实用新型遂公开一种SMD发光二极管支架改良结构，其中本实用新型所公开的SMD发光二极管支架改良结构，其包含第一支 架、第二支架、电性连接部以及结构强化部。第一支架，用以固接发光二极管芯片于一端；第二支架，第二支架一端 与发光二极管芯片产生电性连接；电性连接部，自第一支架以及第二支架延 伸设置，用以与外部电源电性连接；结构强化部，配置于第一支架及第二支 架与电性连接部交界处，并设有至少一压印，用以加强第一支架及第二支架 的结构强度。本实用新型所公开的SMD发光二极管支架改良结构如上所述，与现有 技术之间的差异在于本实用新型透过于第一支架及第二支架与电性连接部交 界处，配置有结构强化部并设有至少一压印，加强第一支架及第二支架的结构强度，使得本实用新型SMD发光二极管支架采用射出成型方法将第一支 架及第二支架封装于胶座内时，第一支架及第二支架不会产生偏移，使发光 二极管芯片能正确固接于第 一支架上，以及发光二极管芯片能正确的与第二 支架一端产生电性连接。透过上述的技术手段，本实用新型可以达成第一支架以及第二支架封装 过程中不会产生偏移的技术功效。
图1为现有发光二极管支架结构封装理想状态示意图。图2A及图2B为现有发光二极管支架结构偏移示意图。图3为本实用新型SMD发光二极管支架结构平面图。图4A至图4C为本实用新型SMD发光二极管支架结构的压印剖面示意图。图5A至图5C为本实用新型SMD发光二极管支架结构的压印配置示意图。主要元件符号说明10第一支架20第二支架30电性连接部40结构强化部41压印50凹陷部60胶座71V型压印72U型压印73凹型压印91第一支架92第二支架5 93 电性连接部94 凹陷部95 胶座具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本分理解并据以实施。首先介绍本实用新型所公开的发光模块外罩，并请参照图3所示，图3 是为本实用新型SMD发光二极管支架结构平面图。本实用新型所公开的SMD发光二极管支架改良结构，其包含第一支 架10、第二支架20、电性连接部30以及结构强化部40。第一支架10上的一端用以固接发光二极管芯片，发光二极管芯片可以透 过第一支架IO产生电性连接，以提供发光二极管芯片其中一种电性极性，而 在第一支架10另一端更设有凹陷部50，凹陷部50在SMD发光二极管支架 结构的设计上，是为封装第一支架10于胶座60内，射出成型定位第一支架 IO之用。第二支架20上的一端用以与第一支架10所固接的发光二极管产生电性 连接，以提供发光二极管芯片另外一种电性极性，而在第二支架20另一端更 设有凹陷部50，凹陷部50在SMD发光二极管支架结构的设计上，是为封装 第二支架20于胶座60内，射出成型定位第二支架20之用。电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置，用以与外部电 源电性连接，第一支架10所延伸的电性连接部30，电性连接其中一种电性 极性，并且以提供发光二极管芯片其中一种电性极性；第二支架20所延伸的 电性连接部30,电性连接另外一种电性极性，并且以提供发光二极管芯片另 外一种电性极性。在电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置封装于胶座 60夕卜，设于胶座60的较长同一侧面，并且电性连接部30可弯折且贴合于胶 座60的外部，以为后续的接点，借此，可以形成侧向型(SideView)的SMD 发光二极管支架结构。
当然，电性连接部30自第一支架10以及第二支架20延伸设置封装于胶 座60外，设于胶座60的较长不同侧面，并且电性连接部30可弯折且贴合于 月交座60的外部，以为后续的4妄点，借此，可以形成正向型(Top View)的 SMD发光二极管支架结构。由于第一支架IO及第二支架20厚度受到限制，会使得第一支架10以及 第二支架20的结构强度较小，在将第一支架10以及第二支架20封装于胶座 60射出成型时，由于第一支架10以及第二支架20的结构强度不够，因此， 在射出成型时由于进料所造成的冲击，会导致第一支架10以及第二支架20 产生偏移的情况，并请参考图2A以及图2B所示。因此，在第一支架10及第二支架20与电性连接部30交界处配置有结构 强化部40，并且在结构强化部40中沖压至少一压印41，用以加强第一支架 10及第二支架20的结构强度，借此至少一压印41增强第一支架10及第二 支架20的结构强度，将有效克服射出成型胶座60时，由于进料所造成的冲 击，会导致第一支架10及第二支架20偏移情况的产生。接着，请参考图4A至图4C所示，图4A至图4C是为本实用新型SMD 发光二极管支架结构的压印剖面示意图。如图所示，压印41剖面可以为V型压印71、 U型压印72以及凹型压印 73的组合中任选其中一种形状的剖面，在此仅为举例，任何沖压技术可以形 成的剖面，都应包含于本实用新型之内，并不以此局限本实用新型的应用。最后，请参考图5A至图5C所示，图5A至图5C是为本实用新型SMD 发光二极管支架结构的压印配置示意图。图5A所示，在第一支架10及第二支架20与电性连接部30交界处配置 有结构强化部40，并且在结构强化部40中冲压至少一压印41,其中，压印 41的排列配置为水平排列，并且冲压二个压印41，更能增强第一支架10及 第二支架20的结构强度，借此至少一压印41增强第一支架10及第二支架 20的结构强度，将有效克服射出成型胶座60时，第一支架10及第二支架20 偏移情况的产生。图5B所示，在第一支架10及第二支架20与电性连接部30交界处配置 有结构强化部40,并且在结构强化部40中冲压至少一压印41，其中，压印 41的排列配置为倾斜排列，并且沖压三个压印41，更能增强第一支架10及
第二支架20的结构强度，借此至少一压印41增强第一支架10及第二支架 20的结构强度，将有效克服射出成型胶座60时，第一支架10及第二支架20 偏移情况的产生。图5C所示，在第一支架10及第二支架20与电性连接部30交界处配置 有结构强化部40,并且在结构强化部40中冲压至少一压印41,其中，压印 41的排列配置为交叉排列，并且沖压三个压印41,更能增强第一支架10及 第二支架20的结构强度，借此至少一压印41增强第一支架10及第二支架 20的结构强度，将有效克服射出成型胶座60时，第一支架10及第二支架20 偏移情况的产生。上述的压印41配置排列可以为水平排列、倾斜排列以及交叉排列的组合 中任选其中一种，并且配合不同的压印剖面可以为V型压印、U型压印以及 凹型压印的组合中任选一种，进行排列组合，可以达到多种的实施态样，在 此不再——说明，应包含于本实用新型的内容之中。综上所述，可知本实用新型与现有技术之间的差异在于本实用新型透过 于第一支架及第二支架与电性连接部交界处，配置有结构强化部并设有至少 一压印，加强第一支架及第二支架结构强度的技术手段，使得本实用新型 SMD发光二极管支架采用射出成型方法将第一支架及第二支架封装于胶座 内时，第一支架及第二支架不会产生偏移，使发光二极管芯片能正确固接于 第一支架上，以及发光二极管芯片能正确的与第二支架一端产生电性连接， 借由此一技术手段可以来解决现有技术所存在射出成型封装SMD发光二极 管支架产生支架偏移的问题，进而达成第一支架以及第二支架封装过程中不 会产生偏移的技术功效。虽然本实用新型所公开的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限 定本实用新型的专利保护范围。任何本实用新型所属技术领域中技术人员， 在不脱离本实用新型所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及 细节上作些许的更动。本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求 所界定者为准。
权利要求1、一种SMD发光二极管支架改良结构，其包含一第一支架，用以固接一发光二极管芯片于一端；一第二支架，该第二支架一端与该发光二极管芯片产生电性连接；一电性连接部，自该第一支架以及该第二支架延伸设置，用以与外部电源电性连接；及一结构强化部，配置于该第一支架及该第二支架与该电性连接部交界处，并设有至少一压印。
2、 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该第一支架以及该第二支架封装于一胶座内，该胶座设有一内凹的功能区。
3、 如权利要求2所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该电性连接部封装于该胶座外。
4、 如权利要求2所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该第一支架以及该第二支架的该电性连接部设于该胶座的同侧。
5、 如权利要求2所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该第 一 支架以及该第二支架的该电性连接部设于该胶座的异侧。
6、 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该电性连接部可弯折贴于该胶座的外壁上。
7、 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该第一支架以及该第二支架另一端更设有一凹陷部。
8、 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该压印可以选自V型压印、U型压印以及凹型压印的组合中任选其中一种。
9、 如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其特征在于该些压印可以选自水平设置、倾斜设置以及交叉设置的组合中任选其中一种。
专利摘要一种SMD发光二极管支架改良结构，其透过于第一支架及第二支架与电性连接部交界处，配置有结构强化部并设有至少一压印，加强第一支架及第二支架结构强度的技术手段，可以解决现有技术中所存在射出成型封装SMD发光二极管支架产生支架偏移的问题，借此可以达成SMD发光二极管支架封装过程中不会产生偏移的技术功效。
文档编号H01L23/13GK201210494SQ200820127030
公开日2009年3月18日 申请日期2008年6月20日 优先权日2008年6月20日
发明者刘文忠, 朱新昌, 陈立敏 申请人:一诠精密工业股份有限公司