专利名称：堆栈式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法
技术领域：
本发明有关于一种堆栈式多封装构造装置，更特别有关于一种包含中介基板的堆栈式多封装构造装置的下封装构造。
背景技术：
目前，堆栈式多封装构造(Package on Package ；POP)装置主要是指将一半导体封装构造配置于另一半导体封装构造上，其基本目的是要增加密度以在每单位空间中产生更 大的功能性，以及更好的区域性效能，因此可降低整个堆栈式多封装构造装置的总面积，同 时也降低其成本。参考图1，其显示一种已知堆栈式多封装构造装置50的结构，亦即两个堆栈的多 封装构造模块(Multi-Package Module ;MPM)，并经由焊球28相互电性连接。在该堆栈式 多封装构造装置50中，第一封装构造为“上”封装构造20，且第二封装构造为“下”封装构 造10。该上封装构造20堆栈在该下封装构造10上。该上封装构造20包含一芯片24，其 固定于该基板22上。该上封装构造20的基板22具有上金属层及下金属层，其可被图案化 以提供适当的电路，并经由镀通孔相互电性连接。该芯片24经由黏胶23，诸如环氧树脂而 固定于该基板22的上表面。该下封装构造10包含一芯片14，其固定于该基板12上。该下 封装构造10的基板12亦具有上金属层及下金属层，其可被图案化以提供适当的电路，并经 由镀通孔相互电性连接。该芯片14经由黏胶13，诸如环氧树脂而固定于该基板12的上表 面。在该上封装构造20及该下封装构造10中，该芯片24、14的接垫25、15分别经由 焊线26、16而打线接合于该基板22、12的上表面的位置，以建立电性连接。该芯片24、14 及该焊线26、16分别经由上封胶化合物(molding compound) 27及下封胶化合物17而被包 覆。数个焊球28固定于位在该基板22的下表面边缘的接垫上，以电性连接于该下封装构 造10。数个焊球18固定于位在该基板12的下表面的接垫上，以电性连接于一外部电路板 (图未示)。由于该焊球28回焊于位在该上封装构造20的基板22的下表面边缘的接垫上，且 该焊球28贴附于位在该下封装构造10的基板12的上表面边缘的接垫上，因此该堆栈式多 封装构造装置50中的该上封装构造20及该下封装构造10的相互连接将可达成。然而，已知堆栈式多封装构造装置50并未具有任何中介基板或基板，其配置于该 上封装构造20与下封装构造10之间，用以提供电性连接或更多功能。因此，便有需要提供一种堆栈式多封装构造装置，能够解决前述的问题。
发明内容
本发明提供一种堆栈式多封装构造装置的下封装构造，其包含一基板、一芯片、一 中介基板及一封胶化合物。该基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面。该 芯片电性连接于该基板的上表面。该中介基板配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片， 该中介基板包含至少一内埋组件及数个电性接点，该内埋组件位于该上下表面之间，且该 些电性接点位于该中介基板的上表面。该封胶化合物包覆该芯片，并覆盖该基板的上表面 及中介基板的下表面。根据本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置，该中介基板可提供该下及上封 装构造作为电性连接之用，且该内埋组件可提供更多功能。为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将 配合附图，作详 细说明如下。
图1为现有技术的一堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。图2为本发明的一实施例的堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。图3为本发明的另一实施例的堆栈式多封装构造装置的剖面示意图。图4至8为本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置的下封装构造的制造方法 的剖面示意图。主要组件符号说明10封装构造12基板13黏胶14芯片 15接垫16 焊线17封胶化合物 18焊球20封装构造22基板23黏胶24芯片25 接垫26焊线27封胶化合物28焊球50 多封装构造装置200多封装构造装置210封装构造212基板213黏胶214 芯片 215接垫216焊线217封胶化合物218 电性接点 218a接垫218b 焊球220 封装构造 222基板223 黏胶 2M芯片226焊线 227封胶化合物228 电性接点 228a接垫228b焊球 230中介基板231 焊线232 内埋组件234电性接点
234a接垫 234b 预焊剂236上表面238下表面242上表面244下表面246上表面248下表面
250间隙子252芯片256开 口H 间隙
具体实施例方式参考图2，其显示本发明的一实施例的堆栈式多封装构造装置(Package On Package ；POP) 200。该堆栈式多封装构造装置200包含一下封装构造210 —上封装构造 220。该下封装构造210包含一第一芯片214，其固定且电性连接于一第一基板212的上 表面242。该第一基板212具有上金属层及下金属层，其可被图案化以提供适当的电路，并 经由镀通孔相互电性连接。一中介基板(interpOSer)230配置于该第一芯片214上，并电性 连接于该第一基板212的上表面242。该中介基板230可为一电路板或一基板，该基板可为 一塑料基板或一硅基板。该中介基板230具有一上表面236及一下表面238，该下表面238 相对于该上表面236并面向该第一芯片214。该中介基板230包含一内埋组件232及数个 电性接点234，该内埋组件232位于该上下表面236、238之间，且该些电性接点234位于该 中介基板230的上表面236。在本实施例中，该电性接点234包含一接垫234a及一预焊剂 234b，该预焊剂234b配置于该接垫234a上；或者，在一替代实施例中，该电性接点234包含 一接垫234a及一焊球(图未示)，该焊球配置于该接垫234a上。数个条焊线231用以将 该中介基板230电性连接于该第一基板212的上表面242。该内埋组件232可为一主动组 件(诸如芯片)或一被动组件(诸如电容)。一第一封胶化合物(molding compound) 217 包覆该第一芯片214及该些焊线231，并覆盖该第一基板212的上表面242及该中介基板 230的下表面238。该第一封胶化合物217裸露该第一基板212的下表面244及该中介基 板230的该些电性接点234。该上封装构造220堆栈在该下封装构造210上。该上封装构造220包含一第二芯 片224，其固定且电性连接于一第二基板222的上表面246。该第二基板的下表面248电性 连接于该中介基板230的该些电性接点234。该上封装构造220的第二基板222亦具有上 金属层及下金属层，其可被图案化以提供适当的电路，并经由镀通孔相互电性连接。一第二 封胶化合物227包覆该第二芯片224，并覆盖该第二基板222及该第二基板222的上表面 246。该第二封胶化合物227裸露该第二基板222的下表面248。在本实施例中，根据该下封装构造210及该上封装构造220，该第一及第二芯片 214、224分别经由黏胶213、223，诸如环氧树脂而固定于该第一及第二基板212、222的上表 面242、246，且该第一及第二芯片214、224可分别经由数个条焊线216、226而打线接合于 该第一及第二基板212、222的上表面242、246，以建立电性连接。该些焊线216、226亦分 别由该第一封胶化合物217及第二封胶化合物227所包覆。或者，在一替代实施例中，该第 一及第二芯片214、224亦可分别经由数个凸块(图未示)而覆晶接合于该第一及第二基板212,222 的上表面 242,246ο
再参考图2，数个电性接点228 (诸如焊球228b与接垫228a的组合)固定于该第 二基板222的下表面248，用以电性连接于该下封装构造210的该中介基板230的该些电性 接点234。因此，该堆栈式多封装构造装置200中的该上封装构造220及该下封装构造210 的相互连接将可达成。数个电性接点218 (诸如焊球218b与接垫218a的组合)固定于该 第一基板212的下表面244，用以电性连接于一外部电路板(图未示)。参考图3，在另一实施例中，当该中介基板230的尺寸大于该第一芯片214的尺寸 时，一间隙子250可配置于该第一芯片214与该中介基板230之间，藉此使该第一基板212 与该中介基板230之间具有一预定间隙H。该预定间隙H大于该焊线216的高度，用以避免 该中介基板230碰触该焊线216。再者，该第一封胶化合物217可裸露该中介基板230的上 表面236，用以使该中介基板230散热。该电性接点234只包含一接垫(诸如球形接垫)。 一第三芯片252可经由打线或覆晶接合工艺而固定且电性连接于该第一基板212的下表面 244，用以提供更多功能。根据本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置，该中介基板可提供该下及上封 装构造作为电性连接的用，且该内埋组件可提供更多功能。参考图4至8，其显示本发明的该实施例的堆栈式多封装构造装置200的下封装构 造(亦即半导体封装构造)210制造方法。参考图4，首先提供一基板212，其具有一上表面 242及一下表面244，该下表面244相对于该上表面242。在本实施例中，可经由打线接合工 艺，将一芯片214固定且电性连接于该基板212的上表面242。参考图5，将一中介基板230 配置于该芯片214上，并电性连接于该基板212，其中该中介基板230具有一上表面236及 一下表面238，该下表面238相对于该上表面236并面向该芯片214。该中介基板230包含 一内埋组件232及数个电性接点234，该内埋组件232位于该上下表面236、238之间，且该 些电性接点234位于该中介基板230的上表面236。在本实施例中，该电性接点234包含一 接垫234a及一预焊剂234b，该预焊剂234b配置于该接垫234a上。参考图6，提供数个条 焊线231，用以将该中介基板230电性连接于该基板212的上表面242。参考图7，模造一封 胶化合物217，用以包覆该芯片214及焊线231，并覆盖该基板212的上表面242及该中介 基板230的下表面238。该封胶化合物217裸露该基板212的下表面244。再者，经由诸如 一激光钻孔工艺，将该封胶化合物217形成有数个开口 256，用以裸露出该中介基板230的 该些电性接点234。参考图8，最后将数个焊球218b固定于该基板212的下表面248上的 接垫218a，如此以形成本发明的下封装构造210。虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技 术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因 此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。
权利要求
一种半导体封装构造，包含一基板，具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；一芯片，电性连接于该基板的上表面；一中介基板，配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含至少一内埋组件及数个第一电性接点，该内埋组件位于该上下表面之间，且该些第一电性接点位于该中介基板的上表面；以及一封胶化合物，包覆该芯片，且覆盖该基板的该上表面及该中介基板的该下表面。
2.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含数个条第一焊线，用以将该中介基板电性连接于该基板的上表面。
3.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含 数个条第二焊线，用以将该芯片电性连接于该基板。
4.依权利要求3所述的半导体封装构造，另包含一间隙子，配置于该芯片与该中介基板之间，藉此使该基板与该中介基板之间具有一 预定间隙，其中该预定间隙大于该第二焊线的高度。
5.依权利要求4所述的半导体封装构造，其中该中介基板的尺寸大于该芯片的尺寸。
6.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含 数个凸块，用以将该芯片电性连接于该基板。
7.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该内埋组件为一主动组件。
8.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该内埋组件为一被动组件。
9.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该第一电性接点包含一接垫。
10.依权利要求9所述的半导体封装构造，其中该第一电性接点另包含一预焊剂，其配 置于该接垫上。
11.依权利要求9所述的半导体封装构造，其中该第一电性接点另包含一焊球，其配置 于该接垫上。
12.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含 另一芯片，固定且电性连接于该基板的下表面。
13.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该封胶化合物裸露该中介基板的上表面。
14.依权利要求1所述的半导体封装构造，其中该封胶化合物裸露该中介基板的该些 第一电性接点。
15.依权利要求14所述的半导体封装构造，其中该封胶化合物包含数个开口，用以裸 露该中介基板的该些第一电性接点。
16.依权利要求1所述的半导体封装构造，另包含另一半导体封装结构，配置于该封胶化合物上，并电性连接于该些第一电性接点。
17.一种半导体封装构造制造方法，包含下列步骤提供一基板，其具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面； 将一芯片电性连接于该基板的上表面；将一中介基板配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面，其中该中介基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面并面向该芯片，该中介基板包含一内埋组 件及数个电性接点，该内埋组件位于该上下表面之间，且该些电性接点位于该中介基板的 上表面；以及将一封胶化合物包覆该芯片，并覆盖该基板的该上表面及该中介基板的该下表面。
18.依权利要求17所述的半导体封装构造制造方法，包含下列步骤将该封胶化合物形成有数个开口，用以裸露出该中介基板的该些电性接点。
19.依权利要求18所述的半导体封装构造制造方法，包含下列步骤 经由一激光钻孔工艺将该封胶化合物形成有该些开口。
全文摘要
一种半导体封装构造包含一基板、一芯片、一中介基板及一封胶化合物。该芯片电性连接于该基板的上表面。该中介基板配置于该芯片上，并电性连接于该基板的上表面。该中介基板包含至少一内埋组件及数个电性接点，该内埋组件位于该中介基板的上下表面之间，且该些电性接点位于该中介基板的上表面。该封胶化合物包覆该芯片，且覆盖该基板的上表面及该中介基板的下表面。
文档编号H01L23/492GK101807562SQ20091000676
公开日2010年8月18日 申请日期2009年2月17日 优先权日2009年2月17日
发明者余林旺, 翁承谊 申请人:日月光半导体制造股份有限公司