专利名称：碱金属碳酸盐掺杂有机电子注入层的有机发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及的有机发光二极管，其器件结构为ITO/NPB 80nm/Alq3 50nm/ PTCDA : Li2C03 (1 : 1) 10nm/Al (器件A)，将其与标准结构的器件ITO/NPB 80nm/Alq3 60nm/LiF lnm/Al (器件B)进行了比较，如图2所示。可以看出，该类器件的电子注入和传 输情况非常好。在相同电压下，采用N型掺杂复合材料的器件A的电流密度和亮度均远远 高于标准器件B。而且，器件A的最大流明效率达到每瓦1. 53流明，而器件B的最大流明效 率只有每瓦1. 33流明。因此，本发明所提供的N型掺杂复合材料具有高效率的电子注入功 能，而且廉价。
权利要求
一种碱金属碳酸盐掺杂的有机电子注入层的有机发光二极管，包括透明阳极、有机空穴注入层、有机空穴传输层、有机发光层、有机电子注入层和阴极；有机空穴注入层沉积在阳极上，有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，有机发光层沉积在有机空穴传输层上，有机电子注入层沉积在有机发光层上，阴极沉积在有机电子注入层上；其特征在于所述的有机电子注入层用以下材料掺杂碳酸锂或碳酸铯。
2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的透明阳极为氧化铟锡 导电薄膜(ITO)、半透明金膜或半透明银膜。
3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的沉积在阳极上的有机空 穴注入层材料为酞菁铜(CuPc)、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸((PED0T : PSS)或 N， N' - 二 (1-萘基)-N， N' - 二苯基-4， 4'-联苯二胺(NPB)。
4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机空穴传输材料为 N， N' - 二 (1-萘基)-N， N' - 二苯基-4， 4'-联苯二胺(NPB)或N， N' - 二苯基-N， N' - 二 (3-甲基苯基)-联苯二胺(TPD)。
5. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机发光层材料为三 (8-羟基喹啉)合铝(III) (Alq3)。
6. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机发光层材料为 (E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(l，l，7，7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃(DCJTB，红光) 或三(8-羟基喹啉)合铒(III) (ErQ，红外)。
7. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机电子注入层材料 为菲四甲酸二酐(PTCDA)、萘四甲酸二酐(NTCDA)或C60。
8. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的阴极为银或铝。
9. 根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于所述的有机空穴注入层厚度为 5-20nm ;有机空穴传输层的厚度为40-100nm ;有机发光层的厚度为10_60nm ;有机电子注入 层厚度为5-60nm ;掺杂重量为1 : 2_20，其中1为碱金属碳酸盐的掺杂重量分数；阴极的厚 度100-200nm。
10. 权利要求1所述的有机发光二极管的应用，其特征在于应用于有机平板显示和固 体照明。
全文摘要
本发明涉及一种碱金属碳酸盐掺杂有机电子注入层的有机发光二极管，包括透明阳极、有机空穴注入层、有机空穴传输层、有机发光层、有机电子注入层和阴极；所述的有机电子注入层用碳酸锂或碳酸铯掺杂，掺杂重量为1∶2-20，其中1为碱金属碳酸盐的掺杂重量分数。采用碱金属的碳酸盐掺杂的有机电子受体材料具有非常高的电导率，同时具备很好的向有机发光层注入电子的能力，因此本发明是高性能、廉价N型掺杂材料的有机发光二极管，用于实现可见光发射，近红外发射，应用于有机平板显示和固体照明领域。
文档编号H01L51/56GK101710610SQ20091022897
公开日2010年5月19日 申请日期2009年12月7日 优先权日2009年12月7日
发明者秦大山 申请人:河北工业大学