专利名称：：锂二次电池用负极和具有该负极的锂二次电池以及锂二次电池用负极的制造方法
技术领域：
：本发明涉及锂二次电池用负极和具有该负极的锂二次电池、以及锂二次电池用负^f及的制造方法。
背景技术：
：便携用通信设备等小型电子电气设备的需求近年来日益增加，它们所使用的二次电池的生产量也在增加。其中，能量密度高的锂二次电池的生产量增加较显著。随着小型电子电气设备的用途多样化、谋求进一步小型化，对于锂二次电池希望进一步提高性能。具体地说，越来越要求放电容量的增大和寿命的延长。现在市售的锂二次电池，正极使用LiCo02等含有锂的复合氧化物，负极使用石墨。但是，由石墨构成的负极材料，仅能吸收锂离子直到LiC6的组成，锂离子的吸收以及释放的每单位体积容量的最大值为372mAh/g。该值不过是金属锂的理论容量的约1/5。另一方面，Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi这些金属元素或它们的合金，作为能够可逆性地吸藏和释i文锂离子的元素已为人所知。这些元素的理论上的每单位体积容量(例如Si:2377mAh/cm3、Ge:2344mAh/cm3、Sn:1982mAh/cm3、AI:2167mAh/cm3、Sb:1679mAh/cm3、Bi:1768mAh/cm3、Pb:1720mAh/cm3)，都大于石墨等碳质材料的每单位体积容量。但是，使用如上所述的金属元素的负极活性物质，充放电时由于吸藏和释放锂离子而大大地膨胀、收缩。因此，具有在片状的集电体上形成了5含有上述那样的负极活性物质的活性物质层的结构的负极，若反复充放电，则在活性物质层与集电体的界面附近产生大的应力而发生变形，存在引起负极的褶皱、开裂、活性物质层的剥离等的可能性。其结果，存在不能保持活性物质层与集电体的电接合从而容量减少这样的课题。对于该i果题，专利文献l中公开了通过在集电体上交替地层叠活性物质层和金属层，来抑制活性物质的剥离的方法。通过该方法，金属层不仅能够抑制活性物质的剥离，而且在产生活性物质的破坏时，还能够发挥保持活性物质层与集电体的电接触的作用。但是，金属层是通过涂布膏状材料而形成，活性物质层与金属层的粘附性不充分。而且，在专利文献1的活性物质层中，没有形成如后述专利文献3和4那样考虑了活性物质膨胀的预备性空间，因此难以充分抑制由膨胀应力引起的活性物质层剥离。另外，专利文献2公开了下述方法，即，通过使刚性的多孔质陶资粉的孔内浸有活性物质，来抑制由吸藏锂引起的体积变化，抑制活性物质的脱落。该文献中，要利用陶瓷来机械性地抑制活性物质的膨胀，但陶资的强度未大到抑制活性物质的膨胀的程度，存在不能充分抑制由膨胀引起的活性物质脱落的可能性。另一方面，本申请人的专利文献3和4，提出以下构成方案，即，通过在片状的集电体表面上隔开间隔而配置多个活性物质体，从而设置緩和负极活性物质的膨胀应力的空间。专利文献3公开了预先将片状集电体表面粗化，相对于片状集电体从倾斜的方向蒸镀负极活性物质，由此在集电体表面形成多个柱状的活性物质体(斜向蒸镀)。此时，利用由预先在片状集电体表面设置的凹凸产生的掩蔽效应(也称为阴影效应)，能够在相邻的活性物质体之间形成规定的空间。另外，专利文献4提出以下方案为了更有效地緩和施加于集电体的活性物质的膨胀应力，通过一边切换蒸镀方向一边进行多段的斜向蒸镀，从而在集电体上形成以锯齿状生长的活性物质体。进而，专利文献5提出以下方案，即，通过在多个活性物质体的上面形成金属层，来抑制活性物质体上部的膨胀，在相邻的活性物质体间确保间隙。6这样，根据专利文献35公开的构成，利用在相邻的活性物质体间形成的空间，能够緩和活性物质的膨胀应力，因此能够抑制活性物质体从集电体表面剥离，其结果，能够抑制由活性物质体的剥离引起的充放电容量的降低。专利文献1:日本专利3750117号专利文献2:特开2000-90922号^^才艮专利文献3:国际公开第2007/015419号小册子专利文献4:国际公开第2007-052803号小册子专利文献5:特开2006-278104号爿>报
发明内容本发明人进行了研究，在专利文献3~5的构成中，各活性物质体沿从集电体表面突出的方向以柱状延伸，因此各活性物质体之中的接近于集电体表面的部分，与离集电体表面远的部分相比，锂离子的移动速度大。其结果，在接近于集电体表面的部分中，充放电优先进行，而容易产生裂紋破坏这样的问题。若活性物质体产生裂紋破坏，不能确保活性物质体与集电体的电连接，存在引起循环劣化的情况。本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，对于在集电体上配置有多个活性物质体的锂二次电池用负极，降低各活性物质体内的锂离子的移动速度偏差(不均匀；unevenness)，抑制活性物质体的裂紋破坏，同时即使活性物质体产生裂紋破坏，也确保与集电体的电连接，由此能够改善锂二次电池的充放电循环特性。本发明的锂二次电池用负极，具有集电体、和在上述集电体上配置的、沿从上述集电体突出的方向延伸的多个活性物质复合体，各活性物质复合体具有由吸藏和释;^文锂的物质构成的活性物质体、和配置成与上述活性物质体接触的、由不吸藏或不释放锂的物质构成的导电体；上述导电体从上述集电体的表面或表面附近沿相对于上述集电体的表面不平行的方向延伸。在本发明中，各活性物质复合体的活性物质体与导电体接触，所述导电体从上述集电体的表面或表面附近沿相对于集电体的表面不平行的方向延伸。由此，即使活性物质体产生裂紋破坏时，也可利用与该活性物质体连接的导电体，确保活性物质体与集电体的电连接。由此，能够抑制由裂紋破坏引起的充放电循环特性的降低。另外，各活性物质复合体中的导电体，起到保持该活性物质复合体的形状的骨架作用，因此也能够得到机械性地抑制与充放电的反复相伴的活性物质体的自破坏的效果。锂离子的移动速度偏差。因此，可以抑制在反复充放电时活性物质体之中的锂离子的移动速度大的部分比其他部分大地膨胀、收缩所引起的活性物质体的裂紋破坏和剥离，其结果，能够提高充放电循环特性。根据本发明的锂二次电池用负极，在抑制活性物质体的裂紋破坏和从集电体的剥离的同时，即使在活性物质体产生裂紋破坏的情况下也能够确保与集电体的电连接，因此能够提高锂二次电池的充放电循环特性。因此，能够提供循环特性优异的锂二次电池用负极及其制造方法以及使用该负极的锂二次电池。图l是本发明实施方式l的锂二次电池用负极的模式(示意)剖面图。图2(a)是表示实施方式1的负极的单一的活性物质复合体的模式放大剖面图，(b)是表示以往的负极的单一的活性物质体的模式放大剖面图。图3是表示本发明实施方式1的锂二次电池用负极的另一构成的模式剖面图。图4(a)和(b)是例示本发明实施方式中的活性物质复合体的形成所使用的蒸镀装置的构成的模式图，(a)是用于说明活性物质体的形成工序的剖面图，(b)是用于说明导电体的形成工序的剖面图。图5(a)是表示实施方式l的活性物质体的截面SEM像的一例的图，表示形成活性物质体后、蒸镀镍前的状态。(b)是表示实施方式l的活性物质复合体的截面SEM像的一例的图。8200980000228.8图6是本发明实施方式2的锂二次电池用负极的模式剖面图。图7是例示使用本发明的负极的硬币形锂离子二次电池的模式剖面图。图8是表示本发明实施方式2的锂二次电池用负极的另一构成的模式剖面图。图9是表示本发明实施方式2的锂二次电池用负极的又一构成的模式剖面图。图10是表示本发明实施方式2的锂二次电池用负极的又一构成的模式剖面图。图11是表示比较例1的负极的模式剖面图。图12是表示比较例2的负极的模式剖面图。图13是表示对于实施例1-1~1-3和比较例1的样品电池的充放电循环特性的评价结果的曲线图，横坐标表示充放电循环数，纵坐标表示容量维持率。图14是表示对于实施例2和比较例2的样品电池的充放电循环特性的评价结果的曲线图，横坐标表示充放电循环数，纵坐标表示容量维持率。图15是在实施例3中在导电体的形成中使用的溅射装置的模式剖面图。图16是表示实施例3的样品负极的截面SEM像的图。图17是表示对于实施例3和比较例3的样品电池的充放电循环特性的评价结果的曲线图，横坐标表示充放电循环数，纵坐标表示容量维持率。附图标号说明1集电体2活性物质体2a~2e活性物质部4导电体4a-4e导电部10、20活性物质复合体22a活性物质体之中的位于距集电体或导电体最远点的附近的部分22b活性物质体之中的位于距集电体最远点的附近的部分100、200、400、500、600、700负极300蒸镀装置30室31硅蒸发源32金属蒸发源33高真空用泵34低真空用泵35集电体加热用加热器36硅蒸发速度测量用速度监视器37金属蒸发速度测量用速度监视器38闸板(shutter)39主阀40固定台45水平面50硬币形电池51正极壳体52正极53隔膜(separator)54负极55密封垫(gasket)56封口板具体实施方式(实施方式1)以下，一边参照附图，一边说明本发明的锂二次电池用负极(以下，仅称为"负极")的第1实施方式。首先参照图1。图1为本实施方式的锂二次电池用负极的模式剖面图。负极100具有集电体l;和在集电体1上形成的多个活性物质复合10体10。在本实施方式中，在集电体l的表面，规则地排列有多个凸部13，各活性物质复合体10配置于对应的凸部13上。各活性物质复合体10沿从集电体l突出的方向延伸，具有由吸藏和释放锂的物质构成的活性物质体2;和以与活性物质体2接触的方式配置的导电体4。在此，活性物质体2,含有硅、锡、硅氧化物和锡氧化物等氧化物作为吸藏和释放锂的物质。另外，导电体4由不吸藏或不释放锂的物质构成，导电体4的至少一部分沿相对于集电体1表面不平行的方向延伸。在本实施方式中，活性物质体2具有相对于集电体1的法线方向N倾斜的生长方向S。在垂直于集电体l、且包含活性物质体2的生长方向的截面上，导电体4形成于活性物质体2的侧面之中的位于上侧的部分(以下称为"侧面的上侧部分")3U上。另外，活性物质体2的侧面之中的位于下侧的部分(以下称为"侧面的下侧部分，，)3L未被导电体覆盖。另外，本说明书中的集电体l表面的法线方向N，是指相对于将集电体1表面上的凹凸平均化而得到的假想平面垂直的方向。如图示的例子那样，在集电体1的表面规则地形成有多个凸部13时，包含这些凸部的最上面或顶点的平面成为集电体1的表面。在本实施方式的负极100中，各活性物质复合体10的活性物质体2，与从集电体1的表面附近沿相对于集电体1表面不平行的方向延伸的导电体4接触。通过这样的构成，如后面所详细说明的那样，能够抑制在活性物质体2的内部以及活性物质体2与电解液的界面产生的锂离子的移动速度偏差。其结果，能够抑制通过反复充放电而由活性物质体2之中的锂离子移动速度大的部分(特别是接近于集电体1的部分)相比其他的部分较大地膨胀、收缩所引起的活性物质体2的裂紋破坏和剥离。另外，即使活性物质体2产生裂紋破坏的情况下，通过与该活性物质体2接触的导电体4,也能够确保活性物质体2与集电体1的电连接。而且，本实施方式的导电体4，从集电体1的表面或表面附近大致沿着活性物质体2的生长方向S延伸，并且由不吸藏也不释放锂的物质形成，因而不会因充放电而膨胀、收缩。因此，也能够作为保持活性物质复合体10的形状的骨架来发挥功能，能够抑制伴随反复充放电的活性物质体2的自身破坏。200980000228.8本实施方式中的导电体4，从集电体1的表面或表面附近延伸。即，导电体4的在集电体侧的端部，与集电体1的表面接触或者位于集电体1的表面附近。这里所述的集电体l的"表面附近"，是指充分接近于集电体1的表面，并可具有与集电体1大致相等的电位的区域。通过该构成，可使导电体4的电位与集电体1的电位大致相等。因此，能够降低活性物质体2的内部的电位差，即降低锂离子的移动速度偏差。另外，如前所述，专利文献5公开了下述内容，即以抑制活性物质体上部的膨胀为目的，在各活性物质体的上面形成金属层。在专利文献5公开的构成中，金属层在离开集电体表面的位置形成，不能得到确保活性物质体与集电体的电连接这一效果。另外，金属层仅在活性物质体上面与集电体表面大致平行地形成，金属层中的任何部分都仅以大致相同的距离离开集电体表面。不能够利用这样的金属层来降低活性物质体内部的电位差。因此，专利文献5公开的活性物质体，与没有形成金属层的以往的活性物质体同样，在接近于集电体的表面的部分(电位高的部分)优先进行充放电，该部分有可能产生裂紋。而且，金属层与集电体表面大致平行地延伸，不能提高活性物质体的沿着集电体的法线方向的强度。因此，也不具有作为保持活性物质体形状的骨架的功能。对此，通过本实施方式，导电层4从集电体1的表面或表面附近，沿相对于集电体1的表面不平行的方向延伸。由此，能够降低活性物质体2中的位于集电体l的附近的部分的电位与离集电体l更远的部分的电位的电位差。因此，能够防止由于在活性物质体2的位于集电体1附近的部分优先进行充放电而引起的活性物质体2的裂紋。另外，在利用导电层4来确保活性物质体2与集电体1的电连接的同时，还能够提高活性物质体2的机械强度。在本实施方式中，优选在能够充放电的条件下，导电体4与活性物质体2的接触面积更大，由此即使在活性物质体2产生自身破坏的情况下也能够切实地确保电连接。例如，如图1所示，在活性物质体2为柱状时，如果导电体4在活性物质体2的侧面上沿着活性物质体2的生长方向S延伸，则可使导电体4与活性物质体2的接触面积增大，因此是有利的。在此，所谓"能够充放电的条件"，是指在活性物质体2与电解液之间可进行锂离子的交换，能够以设计的电流进行充放电的条件。进而，优选导电体4从活性物质复合体10的底面延伸到活性物质复合体10的上面3T。由此，即使在活性物质体2产生自身破坏的情况下也可更切实地确保活性物质体2与集电体1的电连接，并且还能够使活性物质体2的内部的锂离子的移动速度更均匀。在本说明书中，所谓活性物质复合体10的"上面"，是指活性物质复合体10的表面之中的、包含沿着集电体1法线方向的距集电体1的表面的距离最长的部分的面3T。在负极100中，导电体4形成于活性物质体2的侧面的上侧部分3U上，但也可以形成于下侧的侧面3L上。但是，为了不妨碍活性物质体2与电解液的锂离子的移动，优选导电体4由多孔性的导电膜形成，并且不覆盖活性物质体2的整个表面。例如，如后述的实施方式那样，导电体4也可以形成于活性物质体2的内部。优选本实施方式中的集电体1具有在表面规则排列的凸部13。原因是特别是在利用斜向蒸镀在集电体1的表面上形成活性物质体2的情况下，通过适当调整凸部13的形状、大小、排列间距等，能够控制活性物质体2的配置、活性物质体2之间的空隙的大小。因此，在相邻的活性物质体2之间能够更切实地确保用于膨胀的空间，能够緩和作用于活性物质体2与集电体1的界面的膨胀应力。对于这样的凸部13的形成方法在后面叙述。另外，集电体1只要在表面具有多个凸部即可，例如，作为集电体l，也可使用无规则地设置了各种各样的尺寸和形状的凸部的金属箔。即使是该情况，活性物质体2也隔开间隔而形成于凸部上，因此在相邻的活性物质体2之间能够确保空隙。在负极100中，利用斜向蒸镀形成了活性物质体2，因此活性物质体2具有相对于集电体1的法线方向N倾斜的生长方向S，各活性物质复合体10也沿着活性物质体2的生长方向S具有倾斜的形状。另外，若使用该负极100构成锂离子电池，则在充电时，各活性物质复合体10的活性物质体2吸藏锂离子而膨胀的结果，活性物质复合体10的相对于集电体1的法线方向N的倾斜角度变小，也有大致直立的情况。即使是该情况，若放电时活性物质体2释放锂离子，则活性物质复合体10再次倾斜。本实施方式中的活性物质体2，作为吸藏、释放锂的材料，含有选自硅、锡、硅氧化物、锡氧化物以及它们的混合物之中的活性物质。活性物质体2既可以包含含有硅、氧和氮的化合物，也可以由硅与氧的比率不同的多种氧化硅的复合物形成。另外，活性物质体2，除了如上所述的氧化物以外，还可以包含例如硅单质、硅合金、含硅和氮的化合物等。进而，在活性物质体2中也可以含有锂、Fe、Al、Ca、Mn、Ti等杂质。在活性物质体2含有硅氧化物时，活性物质体2作为整体具有由SiOx(x:0<x<2)表示的化学组成即可，可以包含局部氧浓度为0%的部分(例如SiOx(x=0))。优选各活性物质体2的氧含量相对于硅含量的摩尔比x的平均值大于0且在0.6以下。如果上述x的平均值为0.6以下，则不使活性物质层14的厚度t增大而能够确保高的充放电容量。活性物质体2的高度H，例如优选为5nm~100nm，更优选为5fim~50nm。这里所述的"活性物质体2的高度"，是指从集电体1的凸部13的上面或顶点起，沿着集电体l的法线方向N的活性物质体2的高度。如果活性物质体2的高度H为5jim以上，则能够确保充分的能量密度。特别是在使用硅氧化物作为负极活性物质时，能够有效利用硅氧化物的高容量特性。另外，当活性物质体2的高度H超过100nm时，不仅活性物质体2的形成变得困难，而且活性物质体2的纵横尺寸比变大，因此容易发生活性物质体2的折断等的破损，成为特性劣化的主要因素。本实施方式中的导电体4，由不吸藏和不释放锂、且也不与电解液反应的导电性物质形成。导电体4的材料，既可以是以选自例如Cu、Ni、Ti、Zr、Cr、Fe、Mo、Mn、Nb和V中的至少1种元素为主成分的金属，也可以是以Ti的氮化物和/或Zr的氮化物为主成分的导电性陶资。另外，导电体4的厚度t优选为0.05pm10nin。这里所述的"导电体4的厚度"，是指从活性物质体2与导电体4的接触面起沿着该接触面的法线方向的导电体4的厚度的平均值。如果导电体4的厚度t为0.05nm以上，则能够更切实地抑制由活性物质体2内的锂离子的移动速度偏差、裂紋破坏所引起的特性劣化。另一方面，当导电体4的厚度t大于10pm时，活性物质体2在活性物质复合体10中所占的体积比例变小，因此存在不能实现高容量化的可能性。活性物质复合体10的粗细(宽度)没有特别限定，但为了防止由于充电时的膨胀而导致活性物质复合体10产生裂紋，优选为50nm以下，更优选为lnm20jim。另外，活性物质复合体10的粗细，由例如任意的2~10个活性物质复合体10的、沿平行于集电体1的表面且为活性物质复合体10的厚度(沿着集电体的法线方向N的厚度)的1/2的面的截面的宽度的平均值来求得。如果上述截面为大致圆形时，则为直径的平均值。在此，一边参照附图，一边说明利用本实施方式中的导电体4来降低活性物质体2的内部以及活性物质体2与电解液的界面的锂离子的移动速度偏差的理由。图2(a)和(b)是分别表示本实施方式的负极100和以往的负极200的模式放大图，图2(a)是表示本实施方式中的单一活性物质复合体的剖面图。图2(b)是表示不形成导电体的情况下的单一活性物质体的剖面图。为了筒便，与图1同样的构成要素附带相同的参照标号并省略说明。使用图2(a)和(b)所示的负极构成锂二次电池时，这些负极与正极对向配置，负极和正极之间用电解液充满。因此，虽然未图示，但活性物质复合体IO、活性物质体2的表面与电解液接触。在负极100和200的活性物质体2的内部移动锂离子的驱动力，是根据电解液与集电体1之间的电位梯度而施加于锂离子的库伦力和由热振动引起的扩散。其中，由热振动引起的扩散，由负极IOO、200的工作温度来决定，因此如果它们的工作温度相同，则锂离子的移动速度仅由库伦力来决定。因此，通过比较在活性物质体2的内部产生的库伦力的偏差，可推定锂离子的移动速度偏差。首先，施加于在负极100和负极200的活性物质体2中存在的锂离子的库伦力的最小值如下。在图2(a)所示的本实施方式的负极IOO中，集电体1和导电体4具有大致相同的电位，因此活性物质体2中的库伦力最小的部分，为位于距集电体1或导电体4最远处的部分22a。施加于该部分22a中存在的锂离15200980000228.8子的库伦力Famin，若将集电体1和导电体4的电位设为Vo,活性物质体2的部分22a的电位设为Va,集电体1或导电体4与活性物质体2的部分22a的距离设为La，则为Fami=q(Va-V。)/La。在图2(b)所示的以往的负极200中，在活性物质体2之中的位于离集电体l最远处的部分22b中库伦力为最小。若集电体l的电位设为V0，活性物质体2的部分22b的电位设为Vb，集电体1与活性物质体2的部分22b的另巨离i殳为Lb，元电荷(elementarycharge)i殳为q，则施力口于在部分22b中存在的锂离子的库伦力Fbmin为Fbmin=q(Vb-Vo)/Lb。在此，负极100的活性物质体2的部分22a的电位Va与负极200的活性物质体2的部分22b的电位Vb大致相等(Va—Vb)。若考虑到这些部分22a、22b与相同电解液接触，电解液的锂离子传导度通常比活性物质体2的离子传导度大5位数以上，可以认为由电解液中的锂离子传导所引起的电压降为可忽视程度的小。另外，对于负极100而言，形成有从集电体1的表面不平行地延伸的导电体4,因此集电体1或导电体4与活性物质体2的部分22a的距离La，小于负极200的集电体1与活性物质体2的部分22b的距离Lb(La〈Lb)。因此，施加于在负极100的活性物质体2的内部存在的锂离子的最小库伦力Famin,大于施加于在负极200的活性物质体2的内部存在的锂离子的最小库伦力Fbmin(Famin>Fbmin)。另一方面，对于负极100和负极200而言，施加于在活性物质体2中的与集电体1或导电体4的界面附近存在的锂离子的库伦力最大。因此，对于这些负极IOO、200而言，活性物质体2中的库伦力最大的部分与集电体l的距离相等(约为0)，所以库伦力的最大值(最大库伦力)Fa^x和Fbmax大致相等(Famax=Fbmax)。因此可知，具有导电体4的负极100,与以往的负极200相比，最大库伦力Fa^与最小库伦力Fa自x的差变小，库伦力的偏差降低((Famax-Famin)<(Fbmax-Fbmin))。如上所述，负极IOO、200的工作温度相等时，锂离子的移动速度仅由库伦力来决定，因此可知通过设置导电体4能够抑制锂离子的移动速度偏差。因此，由此能够抑制由于在充放电时活性物质体2的一部分(锂离子的移动速度大的部分)比其他部分大地膨胀、收缩而在活性物质体2产生裂紋。另外，导电体4，也可以不从活性物质复合体10的底面连续延伸到上面。例如如图3所示，即使导电体4仅在活性物质复合体10的侧面的上侧部分的一部分上形成的情况下，也能够使活性物质体2中的位于离集电体1或导电体4最远处的部分与集电体1或导电体4的距离L比以往短，因此能够降低锂离子的移动速度偏差。另外，在活性物质体2产生裂紋破坏时也能够得到确保活性物质体2与集电体1的电连接的效果。<负极100的制造方法>接着，说明本实施方式的负极100的制造方法的一例。首先，通过在金属箔的表面形成凹凸图案，制作表面具有多个凸部13的片状的集电体l。作为金属箔，可使用例如表面被粗化了的铜箔。铜箔，除了作为主成分的铜以外，还可以含有锆、钛等的不与锂反应的元素及氧、硒、碲等的不可避免混入的元素。在此，例如使用厚度为35nm、表面粗糙度Ra为2.0nm的铜箔(古河寸一年、乂卜7才一小(林)制)。另外，所谓"表面粗糙度Ra，，是指日本工业标准(JISB0601-1994)规定的"算术平均粗糙度Ra"，可使用例如表面粗糙度计、共焦点式激光显微镜等来测定。集电体1既可以通过在金属箔的表面使用切削法设置规定的图案的沟来制作，也可以通过镀敷法或转印法，在金属箔的表面形成多个凸部13来制作。对凸部13的形状、高度、排列间距等的适合的范围在后面叙述。另外，作为集电体l，可使用市售的表面粗糙度大的金属箔(凹凸箔)。接着，在集电体1的表面通过斜向蒸镀来使硅氧化物(SiOx(0<x<2))生长，从而形成多个活性物质体2。此后，在得到的各活性物质体2上沉积作为导电体4的镍。在活性物质体2为硅时，蒸镀时不将氧气导入真空容器内。另外，也可通过使用釆用锡的锡蒸发源来代替后述的硅蒸发源31，在集电体1的表面使锡氧化物(0<x<2)或锡生长来作为多个活性物质体2。以下，对于使硅氧化物生长来作为活性物质体2的情况进行说明。图4(a)和(b)是例示形成活性物质体2和导电体4时4吏用的蒸镀装置的构成的图。蒸镀装置300具有室30、用于对室30进行排气的高真空用泵33和低真空用泵34。这些泵33、34通过主阀39与室30连接。高真空用泵33的到达真空度优选为10"Pa以下，更优选为10"Pa以下。低真空用泵34只要是能够保持高真空用泵33的临界背压以下的真空度的泵即可。在室30的内部，设置有用于固定集电体1的固定台40;用于向固定于固定台40的集电体1的表面供给硅的硅蒸发源31;用于向固定于固定台40的集电体1的表面供给导电体4的材料的金属蒸发源(在这里为镍蒸发源)32;和用于加热设置于固定台40的集电体1的集电体加热用加热器35。另外，硅蒸发源31和金属蒸发源(在这里为镍蒸发源)32为移动式的蒸发源，在将集电体l固定于固定台40的原样状态下，将使用的蒸发源配置于固定台40的下方，进行蒸镀。因此，如图4(a)所示，将硅蒸发源31配置于固定台40的下方时，能够将硅蒸镀在集电体1的表面上。另外，图4(b)如所示，将金属蒸发源(镍蒸发源)32配置于固定台40的下方时，能够蒸镀金属(镍)固定台40具有旋转轴(未图示)，通过绕该旋转轴旋转，能够调整固定台40相对于水平面45的角度(倾斜角度)9和0>。在这里，所谓"水平面"是指相对于硅蒸发源31和金属蒸发源32的材料被气化而趋向固定台40的方向垂直的面。硅蒸发源31和金属蒸发源32，例如为电子束枪加热式的铜坩锅。电子束枪只要具有加速电压5~10kV、照射电流0.3~1A左右的输出即可，例如，可以是日本电子林式会社制JEBG-303UA型电子枪。在固定台40与使用的蒸发源(硅蒸发源31或金属蒸发源32)之间配置有闸板38。另外，在使用的蒸发源与闸板38之间，配置有用于控制蒸发速度的速度监视器36、37。在这里，在控制硅的蒸发速度时使用速度监视器36，在控制金属(镍)的蒸发速度时使用速度监视器37。虽然未图示，但根据需要设置向室30导入氧气的氧气导入管和导入氩气的氩气导入管。在集电体l上生长硅氧化物时，通过氧气导入管，向固定于固定台40的集电体1的表面供给氧气。氧气流量可使用质量流量控制器等控制。另外，为了调整室30的气压，也可以向室30供给氩气。例如从蒸发源31、32蒸发的硅量和镍量根据室30的气压而较大地变化，因此可以向室30导入规定量的氩气，将室30的气压在10—4Pa~lxl(T2Pa的范围保持恒定。另外，向室30供给氧气时，不一定需要导入氩气，也可以仅通过氧气的供给量来调整室30的气压。使用蒸镀装置300,具体说明形成活性物质体2的方法。首先，如图4(a)所示，将硅蒸发源31配置于固定台40的下方。另外，将集电体l设置于固定台40上使得形成了多个凸部13的面朝上，旋转固定台40，在固定台40相对于水平面45的倾斜角度9大于0°且小于90。(例如0=70°)的位置固定。另外，通过固定台40的从水平面45的倾斜方向，能够调整硅相对于集电体1的法线方向N的入射方向E(即蒸镀方向)。倾斜角度e的绝对值，等于硅相对于设置于固定台40的集电体1的入射方向E与集电体1的法线方向N构成的角度(硅的入射角度)a。因此，通过调整固定台4o的倾斜角度e，能够控制在集电体i的表面生长的活性物质体2的生长方向S。接着，在关闭闸板38的状态下，从硅蒸发源31蒸发硅。若通过速度监视器36确认向集电体1入射的硅的蒸发速度已为规定的值，则开放闸板38，以入射角度a(例如60。)向集电体l的表面入射硅。在本实施方式中，向集电体1的表面供给硅的同时供给高纯度的氧气。其结果，在集电体1的表面，通过反应性蒸镀，可生长出含有硅和氧的化合物(硅氧化物)。此时，由硅蒸发源31射出的硅原子，从相对于集电体l的法线方向N倾斜的方向E向集电体1的表面入射，因此容易蒸镀在集电体1的表面的凸部上，因此，硅氧化物在凸部上以柱状生长。因此，在集电体l的表面，形成成为凸部、柱状生长的硅氧化物的影、硅原子不入射而不蒸镀硅氧化物的区域(阴影效应)。在图示的例中，由于这样的阴影效应，在相邻的凸部之间的沟上，存在未附着硅原子、未生长硅氧化物的区域。其结果，能够在集电体1的表面隔开间隔而形成多个活性物质体(活性物质蒸镀工序)。19接着，在形成了活性物质体的集电体l上进行导电体的蒸镀。以下表示出导电体的材质为镍时的例。在导电体的材质为钛、铜时，可将后述的金属蒸发源由镍蒸发源分别变更为钛蒸发源、铜蒸发源来实施。具体地说，首先，如图4(b)所示，在将集电体1固定于固定台40的原样状态下，在固定台40的下方配置金属蒸发源(镍蒸发源)32。另夕卜，调整固定台40的相对于水平面45的倾斜角度<D。在此，沿着水平面45固定固定台40b(倾斜角度0=0°)，来自金属蒸发源32的镍相对于集电体1的法线方向N的入射角度p大致为0°。接着，在关闭闸板38的状态下，由金属蒸发源32蒸发镍。当通过速度监视器37确认向集电体1入射的镍的蒸发速度为规定的值时，开放闸板38，从集电体1的法线方向N向集电体1的表面入射镍。其结果，在各活性物质体的表面之中的与金属蒸发源32相对向的部分，即在各活性物质体2的侧面的上侧部分和上面沉积镍，得到由镍构成的导电体(导电体蒸镀工序)。这样就能够在集电体l的表面形成具有活性物质体和导电体的活性物质复合体。在上述方法中，优选硅相对于集电体1的法线方向N的入射角度a与成为导电体的材料的金属(例如镍)的入射角度p相互不同。这是因为若入射角度a与入射角度p相等，则镍仅在活性物质体的上面沉积，有时不能形成与集电体1的表面不平行地延伸的导电体。优选镍的入射角度p的绝对值比硅的入射角度a的绝对值小(IpI<lal)。镍的入射角度P的绝对值为硅的入射角度a的绝对值以上时，在镍的蒸镀工序中产生比硅的蒸镀工序大的阴影效应。其结果，在活性物质体的表面镍以柱状生长，存在活性物质体与导电体的接触面积变小，或者集电体与导电体的距离变大的可能性。对此，如果控制镍的入射角度p的绝对值使得其比硅的入射角度a的绝对值小，则能够充分确保活性物质体与导电体的接触面积。硅的入射角度a的绝对值优选为20°~85°(20°〇lal^85°)。如果入射角度a的绝对值小于20。，则阴影效应变小，在集电体l的凸部以外的部分上也能蒸镀硅，其结果，有时在活性物质体间不能够确保充分的间隔。另一方面，入射角度a的绝对值大于85°时，向集电体l的表面供给的硅量W，(=Wcosa)相对于由硅蒸发源31蒸发的硅量W的比例(WVW)极小，因此材料的损耗增大。在这里，一边参照图5(a)和(b)，一边说明使用上述方法形成的负极的一例。图5(a)是表示通过上述方法得到的活性物质体的截面SEM像的一例的图，表示在形成活性物质体后、蒸镀导电体4之前的状态。另外，图5(b)是表示通过上述方法得到的活性物质复合体的截面SEM像的一例的图。在这里，作为集电体1，使用通过预先在表面设置了微小凹部(凹痕)的轧制辊的轧制，从而在表面形成了多个凸部13的铜箔。各凸部13的上面为菱形(对角线10nmx20nm)的四棱柱状(高度6nm)。这些凸部13沿着上述菱形的长的一方的对角线隔开20nm的间隔、沿着短的一方的对角线隔开18jrni间隔来配置。活性物质体2的形成，是使硅相对于集电体1的法线方向N的入射角度a为70°，用与上述的方法同样的方法进行。得到的活性物质体2如图5(a)所示，配置于集电体l的凸部13上，具有从集电体l的法线方向倾斜的生长方向。在相邻的凸部13之间，存在由于上述阴影效应而不生长活性物质体(在此为硅氧化物)的区域9，由此能够在相邻的活性物质体2之间确保间隙。活性物质体2的高度为lOjim。在如图所示的活性物质体2的上面，作为金属蒸发源32使用钛(Ti)蒸发源，用与上述的方法同样的方法形成导电体4，得到活性物质复合体10。在形成导电体4时，钛相对于集电体l的法线方向N的入射角度卩设为0。。得到的活性物质复合体10，如图5(b)所示，在活性物质体2的侧面的上侧部分和上面，以大致均匀的厚度形成了由钛构成的导电体4。导电体4的厚度为3.5nm。如图5(a)和(b)所示的例子那样，在集电体1的表面形成规则的凹凸图案时，通过适宜选择凹凸图案的凸部13的形状、尺寸、排列间距等，能够调整活性物质体2的配置、间隔。这样就能够更有效地抑制由活性物质体2的膨胀所引起的负极的变形，因而有利。在集电体l上形成的凸部13，在如图5所示的例中使用的上面不限于菱形的四棱柱，可适宜选择。从集电体1的法线方向N看到的凸部13的正投影像，除了菱形以外，也可以是正方形、长方形、梯形和平行四边形等多角形、圆形、椭圆形等。平行于集电体l的法线方向N的截面的形状可以是正方形、长方形、多角形、半圆形和将它们组合的形状。另外，相对于集电体l的表面垂直的截面上的凸部13的形状，可以是例如多角形、半圓形、弓形等。另外，在集电体1上形成的凹凸图案的截面具有由曲线构成的形状的场合等的、凸部13与凸部以外的部分(也称为沟、凹部等)的边界不明确时，将具有凹凸图案的表面整体的平均高度以上的部分作为"凸部13"，将小于平均高度的部分作为"沟"或"凹部"。凸部13的高度，为了通过阴影效应确保空隙而优选为3pm以上。另一方面，为了确保凸部13的强度而优选为20nm以下，更优选为15nm以下。另外，凸部13的上面的宽度(最大宽度)没有特别限定，优选为50nm以下，由此能够更有效地抑制由活性物质体2的膨胀应力引起的负极10的变形。更优选为20nm以下。另一方面，凸部13的上面的宽度过小时，存在不能充分确保活性物质体2与集电体1的接触面积的可能性，因此优选凸部13的上面的宽度为lnm以上。此外，在凸部13为具有与集电体1的表面垂直的侧面的柱状体时，相邻的凸部13之间的距离，即沟的宽度，优选为凸部13的宽度的30%以上，更优选为50。/。以上。由此，能够在活性物质体2之间确保充分的空隙从而大幅度地緩和膨胀应力。另一方面，相邻的凸部13之间的距离过大时，为了确保容量而导致活性物质体2的高度增大，因此优选距离为凸部13的宽度的250%以下，更优选为200%以下。另外，凸部13的上面的宽度以及相邻的凸部13的距离，分别是指在垂直于集电体1的表面且包含活性物质体2的生长方向的截面上的宽度和距离。各凸部13的上面可以是平坦的，但优选具有凹凸，其表面粗糙度Ra优选为0.3nm5.0nm。如果凸部13的上面具有表面粗糙度Ra为0.3nm以上的凹凸，则在凸部13上活性物质体2容易生长，其结果，在活性物质体2之间能够切实形成充分的空隙。另一方面，凸部13的表面粗糙度Ra过大时，则将使集电体1变厚，因此优选表面粗糙度Ra为5.0nm以下。而且，如果集电体l的表面粗糙度Ra在上述范围内(0.3fim~5.0nm)，则能够充分确保集电体1与活性物质体2的附着力，因此能够防止活性物质体2的剥离。另外，在集电体1的表面不形成规则的凹凸也可以。例如，也可使用具有粗化表面的金属箔作为集电体l。此时，金属箔的表面粗糙度Ra优选为0.3nm~5.0nm。另夕卜，为了通过斜向蒸镀在这样的金属箔的表面形成活性物质体2，优选在使金属箔的表面粗糙度为0.3^mi以上的同时，将活性物质体2的材料(例如硅)相对于集电体l的法线方向N的入射角度a的绝对值调整为20。以上(IaI^20。)。表面粗糙度Ra小于0.3nm、或者入射角度0的绝对值小于20。时，存在不能得到充分的掩蔽效果的可能性。其结果，不能隔开充分的间隔来配置多个活性物质体，有时形成相邻的活性物质体彼此相互接触的连续膜。在这样的连续膜中，几乎不存在可吸收与活性物质的膨胀相伴的体积的空间，因此由于充电时的活性物质的膨胀应力而存在集电体变形、断裂的可能性。另外，活性物质体2和导电体4的形成方法，不限于电子束蒸镀法，也可使用賊射法、离子镀法(ionplating)等。(实施方式2)以下，一边参照附图，一边说明本发明的锂二次电池用负极的第2实施方式。首先，参照图6。图6为本实施方式的锂二次电池用负极的模式剖面图。为了简便，与图1表示的负极100同样的构成要素附带相同的参照标号，并省略说明。负极400具有集电体1和在集电体1的表面形成的多个活性物质复合体20。各活性物质复合体20具有含有多个活性物质部2a~2e的活性物质体2、和含有多个导电部4a4e的导电体4。活性物质部2a2e，在集电体1的表面以该顺序层叠，导电部2a2e:帔配置成分别与活性物质部2a~232e接触。另外，导电体4具有沿相对于集电体10的表面不平行的方向延伸的部分。在本实施方式中，多个活性物质部2a2e各自具有相对于集电体l的法线方向N倾斜的生长方向Sa~Se。另外，在图示的截面上，多个导电部4a~4e各自形成于对应的活性物质部2a~2e的侧面的上侧部分上。活性物质部2a~2e的侧面的下侧部分未^皮导电部覆盖。根据本实施方式的负极400，与前述的负极100同样，利用与集电体l的表面不平行地延伸的导电体4，能够抑制在活性物质体2中产生的锂离子的移动速度偏差。其结果，能够抑制由于反复充放电而产生活性物质体2的裂紋破坏、活性物质体2从集电体1剥离的情况。另外，即使活性物质体2产生裂紋破坏的情况下，也能够利用与该活性物质体2接触的导电体4来确保活性物质体2与集电体1的电连接。优选本实施方式中的导电部4a~4e各自以与相邻的其他的导电部大致相等的电位的方式接近地配置。所谓"接近地配置"是指相邻的导电体部之间的距离充分小(例如为活性物质复合体20的厚度H的1/5以下)。更优选导电部4a4e之中的相邻的导电部相互接触而配置。由此，能够更有效地降低在活性物质部2a2e中产生的锂离子的移动速度偏差。另外，即使某个活性物质部中产生裂紋时，也能够确保位于其上层的活性物质部与集电体l的电连接。活性物质部2a2e的各自的生长方向Sa~Se，优选相对于集电体1的法线方向N交替地向相反的方向倾斜。由此，能够更有效地緩和活性物质的膨胀应力。另外，活性物质部2a2e具有上述结构时，通过在活性物质部2a~2e的侧面的上侧部分和上面形成导电部4a~4e,可形成导电体4，所述导电体4从各活性物质复合体20的底面向远离集电体1的方向以锯齿状延伸。在这里，所谓"以锯齿状延伸"，是指导电体4在活性物质复合体20的内部从集电体1的表面沿着纵向一边使相对于集电体l的法线方向N的倾斜方向反转一边延伸。另外，这样的结构，例如可通过对于垂直于集电体1的表面、且包含生长方向S的研磨截面进行化学腐蚀，观察得到的试样来确认。若导电体4在活性物质复合体20的内部以锯齿状延伸，可更有效地发挥作为保持活性物质复合体20的形状的骨架的功能，能够抑制伴随反复充放电的活性物质体2的自身破坏。另外，由于能够在上下相邻的活性物质部2a2e的界面分别配置导电体4a4d，因此能够将活性物质部2a~2e相互隔断。其结果，能够有效地緩和活性物质部2a~2e中产生的膨胀应力。另夕卜，优选导电体4在活性物质复合体20的内部连续地延伸，但各导电体部4a~4e也可以未全部连续而成为一部分不连续。在本实施方式中，导电体4的一部分在上下相邻的活性物质部2a~2e的界面配置，位于活性物质复合体20的内部。这样，导电体4的一部分或全体配置于活性物质体复合体10的内部时，不妨碍通过活性物质体2吸藏、释^L锂，能够确保活性物质体2的强度，且能够降低活性物质体2的内部的锂离子的移动速度偏差，因而有利。作为在活性物质复合体20的内部形成导电体4的方法，例如在进行成为下层的活性物质部的蒸镀工序后，在该活性物质部上沉积导电材料从而形成导电体部，接着，将该导电体部作为基底进行成为上层的活性物质部的蒸镀工序。另外，在本说明书中，"导电体4的一部分或整体位于活性物质复合体20的内部"包括导电体4的一部分或整体位于相邻的活性物质部2a~2e的界面的情况。在本实施方式中，各导电部4a4e之中的至少一方的端部，配置于活性物质复合体20的侧面。另外，各导电部4a4e之中的上下相邻的导电部，在活性物质复合体20的侧面连接，构成导电体4的屈曲部。通过这样的构成，可将活性物质体2分隔为更多的区域，因此能够有效地分散活性物质体2的膨胀应力。另外，导电体4在各活性物质复合体20的整个宽度上而形成，因此作为更牢固的骨架发挥功能，能够切实抑制活性物质复合体20的开裂紋、微粉化。各活性物质部2a2e的各自的厚度ha~he优选为0.2jim以上。厚度ha~he小于0.2pm时，为了确保高的容量必须增加活性物质部的层叠数。另一方面，为了充分抑制在各活性物质部2a~2e的内部产生的锂离子的移动速度偏差，各活性物质部2a2e的厚度hahe优选为lO^im以下。另外，这些活性物质部2a2e，如后所述，分别通过第1阶段~第5阶段的蒸镀工序形成，因此上述厚度hahe可通过各蒸镀工序中的蒸镀时间、蒸镀速度等来控制。在本实施方式中，构成各活性物质体2的活性物质部2a~2e的数量(层叠数)n优选为3层以上。若为2层以下，则存在不能充分得到由层叠生长方向S不同的活性物质部所带来的膨胀应力的緩和效果的可能性。层叠数n的优选范围的上限，可计算出以使得满足活性物质复合体20的优选厚度H和上述的活性物质部的优选厚度ha~he，例如为50层。<负极400的制造方法〉一边参照附图，一边说明本实施方式的负极400的制造方法的一例。首先，通过与实施方式1同样的方法，制作表面具有凸部的片状的集电体l。接着，使用参照图4(a)和(b)来说明的蒸镀装置300，在集电体1的表面形成活性物质复合体20。具体地说，在蒸镀装置300的固定台40上设置集电体1，通过与实施方式l中说明的方法同样的方法，在集电体l的表面生长硅氧化物。另外，与实施方式1同样地，选择固定台40的相对于水平面45的倾斜角度e以使其为20。^lel$85°。在本实施方式中，倾斜角度e设为70。。因此，硅相对于集电体1的法线方向N的入射角度a为70°。这样进行操作，形成具有相对于集电体1的法线方向N倾斜的生长方向Sa的活性物质部2a(第1阶段的活性物质蒸镀工序)。接着，在形成了活性物质部2a的集电体l上，通过与实施方式l中说明的方法同样的方法生长镍。固定台40的相对于水平面45的倾斜角度①，与实施方式1同样地进行选择以使得I0)I<IeI。在本实施方式中，倾斜角度①设为0。。因此，镍从集电体1的法线方向N向集电体1的表面入射(镍的入射角度p-0。)。这样进行操作，在活性物质部2a的侧面的上侧部分和上面形成由镍构成的导电部4a(第1阶段的导电体蒸镀工序)。接着，使固定台40再次围绕旋转轴旋转，相对于水平面45，向与上述第1阶段的活性物质蒸镀工序的固定台40的倾斜方向相反的方向倾斜例如70。(9=-70。)。在该状态下，一边向集电体l的表面供给高纯度的氧气，一边向硅蒸发源31照射电子束，向集电体l的表面入射硅。硅的入射26角度a与上述倾斜角度e相等，为70°(a=-70°)。此时，由于上述的阴影效应，硅原子选择性地入射到在集电体1上形成的导电体4a上，因此在导电体4a上生长硅氧化物，得到活性物质部2b(第2阶段的活性物质蒸镀工序)。活性物质部2b的生长方向Sb，相对于集电体1的法线方向N,向与活性物质部2a的生长方向Sa相反侧倾斜。接着，釆用与第1阶段的导电体蒸镀工序同样的方法使镍生长在活性物质部2b上。在本实施方式中，倾斜角度d)设为0。。因此，镍从集电体1的法线方向N向集电体1的表面入射(镍的入射角度p=0°)。这样进行操作，在活性物质部2b的侧面的上侧部分和上面形成由镍构成的导电部4b(第2阶段的导电体蒸镀工序)。此后，将固定台40的倾斜角度e返回至与第1阶段的活性物质蒸镀工序相同的角度(0-70°)，在与第1阶段的活性物质蒸镀工序同样的条件下使硅氧化物生长(第3阶段的活性物质蒸镀工序)。由此，在导电部4b上形成活性物质部2c。接着，采用与第1阶段的导电体蒸镀工序同样的方法进行镍的蒸镀(第3阶段的导电体蒸镀工序)。通过这样地交替地重复进行活性物质蒸镀工序和导电体蒸镀工序例如各5阶段，如图6所示，可得到活性物质复合体20，所述活性物质复合体2()具有5个活性物质部2a~2e和在各活性物质部2a~2e上分别形成的导电部4a4e。另夕卜，将第1阶段~第5阶段的活性物质蒸镀工序中的倾斜角度9在例如70°与-70°之间交替地切换，可形成从集电体l的表面以锯齿状延伸的活性物质复合体20。各活性物质蒸镀工序中的蒸镀时间，没有特别限定，但优选^皮设定为相互大致相等。各活性物质蒸镀工序中的硅的入射角度a，优选进行选择使得20°^Ia|S85°。另外，优选第1~第5的活性物质蒸镀工序中的入射角度a的绝对值相互相等。另一方面，各导电体蒸镀工序中的镍的入射角度p，优选进行选择使得IPI<IotI。由此，能够在成为基底的活性物质部的侧面的上侧部分切实地沉积镍，因此可沿着活性物质部的侧面形成沿与集电体1的表面不平行的方向延伸的导电部。另外，在上述方法中，作为导电体的材料，使用了镍(Ni)，但也可以使用不与锂合金化的其他金属来代替。例如可使用以Ti、Cu、Zr、Cr、Fe、Mo、Mn、Nb和V的任一种为主成分的金属。或者，也可以使用以Ti的氮化物或Zr的氮化物为主成分的导电性陶瓷来代替金属。含有Ti的氮化物或Zr的氮化物的导电体的形成，可使用溅射法、离子镀法等进行。例如将Ti或Zr金属作为靶，在含有5~10%氮的氩气氛中进行溅射，由此能够在形成了活性物质体(或活性物质部)的集电体上沉积Ti或Zr的氮化物(反应性溅射)。或者，也可以将Ti或Zr作为蒸发源(金属材料)，在氮气中进行离子镀法。此时，导电体只要含有Ti氮化物或Zr氮化物，并具有导电性即可，除了Ti氮化物(TiN)、Zr氮化物(ZrN)以外还可以含有Ti、Zr。另外，在本实施方式中，活性物质蒸镀工序与导电体蒸镀工序交替地进行即可，也可以变更实施这些工序的顺序。另外，在上述方法中，一边切换蒸镀方向一边进行多次的活性物质蒸镀工序，在各活性物质蒸镀工序后蒸镀了导电材料，但在全部的活性物质蒸镀工序后未必需要蒸镀导电材料。例如即使在多次的活性物质蒸镀工序中的至少一次的活性物质蒸镀工序后蒸镀导电材料的场合，也能够得到如上所述的确保活性物质体与集电体的电连接的效果和降低锂离子的移动速度偏差的效果。但是，优选每次进行活性物质蒸镀工序时蒸镀导电材料。由于能够形成从集电体1的表面向活性物质体的上面连续延伸的导电体，因此能够更切实发挥上述效果，其结果，能够实现更良好的循环特性。<锂二次电池的构成>接着，一边参照附图，一边说明使用本实施方式的负极400得到的锂离子二次电池的构成的一例。图7是例示使用负极400的硬币形的锂离子二次电池的模式剖面图。锂离子二次电池50具有电极群，所述电极群具有正极52、负极54、在负极54和正极52之间设置的隔膜53,在电极群中浸渍有具有锂离子传导性的电解质(未图示)。正极52与兼作为正极端子的正极壳体51电连接，负极54与兼作为负极端子的封口板56电连接。另外，正极壳体51的开口端部，与设置于封口板56的周边部的密封垫55铆合，由此电池整体被密闭。负极54的构成，例如参照图7与在前面叙述的构成同样。另外，图7中表示出硬币形电池的一例，但本发明的锂二次电池的形状，不限定于硬币形，也可以是钮扣形、片形、圆筒形、扁平形、方形等。另外，本发明的锂二次电池，只要具有参照图1和图6在前面叙述的负极100、400即可，负极以外的构成要素没有特别限定。作为正极的集电体的材料，可使用Al、Al合金、Ti等。另外，正极的活性物质层(正极活性物质层)，可使用钴酸锂(LiCo02)、镍酸锂(LiNi02)、锰酸锂(LiMn204)等含有锂的过渡金属氧化物。正极活性物质层，既可以仅由正极活性物质构成，也可以包含含有正极活性物质和粘合剂以及导电剂的混合剂。进而，也可由多个柱状的活性物质体构成正极活性物质层。锂离子传导性的电解质，可使用各种各样的锂离子传导性的固体电解质、非水电解液。非水电解液中，优选使用在非水溶剂中溶解了锂盐的电解液。非水电解液的组成没有特别限定。而且，隔膜53的材料也没有特别限定，可使用在各种形态的锂二次电池中使用的材料。本实施方式中的活性物质复合体的形状、构成，不限于图6所示的活性物质复合体20的形状、构成。通过适当调整硅等活性物质的入射角度a、镍等导电材料的入射角度P、成膜时间、层叠数ii等，能够形成具有各种形状和构成的活性物质复合体。即使是这样的场合，如果在活性物质复合体中，导电体与活性物质体接触，且与集电体表面不平行地延伸，则能够得到本发明的效果。以下，一边参照附图一边说明具体例。图8~图IO是分别表示本实施方式的负极的其他例的模式剖面图。为了简便，与图1同样的构成要素附带相同的参照标号，并省略说明。图8所示的负极500中，在集电体l的凸部13上分别形成有向一个方向倾斜的活性物质复合体20。各活性物质复合体20具有多个活性物质部2a~2c、和在活性物质部2a~2c的侧面的上侧部分和上面分别形成的导电部4a4c。在负极500中，多个活性物质部2a~2c的生长方向都是相对于集电体l的法线方向N向相同的方向倾斜。另夕卜，相邻的导电部4a4c相互连接，构成从活性物质复合体20的底面朝向上面延伸的导电体4。而且，导电部4a~4b的一部分，配置于上下相邻的活性物质部2a~2c的界面。负极500，可使用参照图4(a)和(b)进行说明的蒸镀装置300，通过与上述的负极400的制作方法同样的方法来制作。但是，需要将形成活性物质部2a~2c时的硅的入射方向相对于集电体1的法线方向N均设定成相同的方向。例如，可将形成活性物质部2a2c时的硅的入射角度a都"i殳定为70°。在图9所示的负极600中，在集电体l的凸部13上形成有活性物质复合体20，该活性物质复合体20具有活性物质部与导电部交替地层叠的结构。在图示的例中，形成有3层的活性物质部2a2c，它们的生长方向相对于集电体1的法线方向N向相互相同的方向倾斜。在活性物质部2a和2b之间配置的导电部4a、和在活性物质部2b和2c间配置的导电部4b，都相对于集电体1的法线方向N向活性物质部2a2c相反侧倾斜。负极600，可使用参照图4(a)和(b)说明的蒸镀装置300，通过交替地重复进行活性物质蒸镀工序和导电体蒸镀工序来形成。但是，若形成活性物质部2a~2c时的石圭的入射角度o^殳为20。以上85°以下，则在-850~-20。的范围选择形成导电部4a和4b时的导电材料的入射角度p。在图示的例中，被选择为硅的入射角度a与导电材料的入射角度p满足-a<p<0<a的关系。图10所示的负极700，活性物质复合体20的层叠数n大(例如为30层以上)，在该点上与图6所示的负极400不同。如图所示，层叠数变大时，活性物质复合体20的截面形状，有时未成为沿着各活性物质部的生长方向倾斜的锯齿形状，而是例如成为沿着集电体l的法线方向N直立的柱状。即使是这样的情况，通过在各活性物质部上分别形成导电部，也能够形成从活性物质复合体20的底面朝向上面以锯齿状延伸的导电体4。图8~图10所示的负极500-700，都与图6所示的负极400同样地，多个导电体部分别与活性物质部接触，且具有与集电体1大致相等的电位。因此，可使各活性物质部的内部及活性物质部与电解液的界面的锂离子的移动速度大致均匀，因而是有利的。另外，能够更有效地确保活性物质部与集电体1的电4妾触。因此，使用负极400构成锂二次电池时，与以往相30比能够大幅度提高充放电循环特性。(实施例和比较例)说明本发明的负极的实施例以及比较例。在实施例1-1~1-3中，制作具有与实施方式1的负极100同样的构成的样品负极，在实施例2中，制作具有与实施方式2的负极400同样的构成的样品负极。实施例2的样品负极中的活性物质部的层叠数n设为5层。而且，在实施例3中，制作具有由导电性陶瓷(Ti氮化物)构成的导电体的样品负极。另外，作为比较例1~3,制作不具有导电体的样品负极。接着，使用得到的实施例和比较例的样品负极制作评价用的样品电池，评价其特性。以下，说明实施例和比较例的样品负极的制作方法、评价用的样品电池的制作方法和样品电池的评价方法及评价结果。<样品负极的制作方法>(i)实施例1-1在实施例1-1中，使用铜箔作为集电体，所述铜箔是在芯材厚度为35^m的轧制铜箔的表面通过利用轧制辊的轧制而在表面形成了多个凸部13的铜箔，所述轧制辊预先在表面设置了微小凹部。各凸部13，上面设为菱形(对角线10nmx20fim)的四棱柱状(高度6jim)。这些凸部13沿着上述菱形的长的一方的对角线隔开20nm的间隔、沿着短的一方的对角线隔开18nm的间隔来配置。在该轧制铜箔上，使用图4(a)和(b)所示的蒸镀装置300，通过以下说明的方法，形成活性物质体和导电体。再次参照图4(a)。首先，在蒸镀装置300的硅蒸发源31中容納纯度为99.9999%的硅50g，并在金属蒸发源32中容纳纯度为99.9%的镍150g。另外，在固定台40上设置集电体1，并调整固定台的倾斜角度e(e=70°)使得硅从相对于集电体1的法线方向N倾斜70。的角度向集电体1的表面入射(a=70。)。然后，封闭室30的盖。将室30的内部减压至7xl(T5Pa后，通过质量流量控制器导入氧气，进行调整使得室30内的压力为4.5xl(T3Pa。另外，使用集电体加热用加热器35进行加热使得集电体1为200°C。接着，对于硅蒸发源31，以10kV的加速电压照射电子，将珪加热、30的氧压为4.5xlO—3Pa的状态下，设定速度监视器36使得实际成膜速度为0.45nm/秒，放置卯分钟。然后，将闸板38打开IIO分钟，通过反应性蒸镀，在集电体l上生长硅氧化物。此时的电子枪输出电流为450mA，氧气流量为7sccm。然后，切断集电体加热用加热器35，慢慢冷却至集电体1的温度变为IOO'C以下。接着，通过向室30导入氮气，使室30的内部为大气压，打开室30的盖。接着，如图4(b)所示，将金属蒸发源32移动至固定台40的下方，调整固定台40的倾斜角度0>，使得从金属蒸发源32蒸发的镍原子从集电体l的法线方向N向集电体1入射(镍的入射角度卩=0°)。然后，封闭室30的盖。接着，将室30的内部减压至7xlO-5Pa后，通过质量流量控制器导入氩气，进行调整使得真空容器内的压力为lxl(T3Pa。另外，使用集电体加热用加热器35将集电体1加热至200°C。接着，对于金属蒸发源32，以10kV的加速电压照射电子而将镍加热、熔融，设定速度监视器37使得实际成膜速度为0.5nm/秒，放置90分钟。然后，将闸板打开20分钟，在硅氧化物上沉积镍。此时的电子枪输出电流为300mA。然后，切断集电体加热用加热器35的通电，慢慢冷却到集电体1的温度变为IOO'C以下。接着，通过向室30导入氮气而使室30的内部为大气压，打开盖。这样地操作，在集电体1上形成具有由硅氧化物构成的活性物质体和由镍构成的导电体的活性物质复合体，得到实施例1-1的样品负极。"i)实施例1-2除了使用钛(Ti)蒸发源作为金属蒸发源32以外，采用与实施例1-1同样的方法，在集电体1上形成具有由硅氧化物构成的活性物质体和由钬构成的导电体的活性物质复合体，得到实施例1-2的样品负极。(iii)实施例1-3除了使用铜(Cu)蒸发源作为金属蒸发源32以外，采用大致与实施例1-1同样的方法，形成具有由硅氧化物构成的活性物质体和由铜构成的导电体的活性物质复合体，得到实施例1-3的样品负极。为了防止蒸发物铜熔敷于铜坩锅上，蒸发物铜以装入碳制的小容器中的状态设置于铜坩锅中。(iv)实施例2在与实施例1-1所使用的集电体l同样的集电体的表面，使用图4(a)和(b)所示的蒸镀装置300，交替地形成活性物质部和导电部。具体地说，首先，釆用与实施例1-1同样的方法在集电体1上依次蒸镀硅氧化物和镍(第1阶段的活性物质蒸镀工序和第1阶段的导电体蒸镀工序)。接着，将集电体l设置于固定台40上，调整固定台40的倾斜角度e使得硅原子的入射角度a为-70。。此后，关闭室30的盖，在镍上进一步生长硅氧化物(第2阶段的活性物质蒸镀工序)。第2阶段的活性物质蒸镀工序，除了硅原子的入射角度a以外，在与第1阶段的活性物质蒸镀工序同样的条件下进行。这样地将活性物质蒸镀工序和导电体蒸镀工序交替地进行各5次(第1~第5阶段的活性物质蒸镀工序和第1~第5阶段的导电体蒸镀工序)。第3阶段和第5阶段的活性物质蒸镀工序在与第1阶段的活性物质蒸镀工序同样的条件(硅的入射角度a-70。)下进行，第4阶段的活性物质蒸镀工序在与第2阶段的活性物质蒸镀工序同样的条件(硅的入射角度01=-70。)下进行。另夕卜，第2阶段以后的导电体蒸镀工序，都在与第1阶段的导电体蒸镀工序同样的条件(镍的入射角度卩=0。)下进行。这样地在集电体l上形成交替地层叠了各5段的由硅氧化物构成的活性物质部与由镍构成的导电部的活性物质复合体，得到实施例2的样品负极。(v)比较例1使用与实施例1-1同样的集电体l，采用与实施例1-1同样的方法在集电体l上形成活性物质体，不进行其后的导电体蒸镀工序。由此，如图11所示，得到了在集电体1上隔开间隔地形成了多个活性物质体2，的负极。将该负极作为比较例1的样品负极。(vi)比较例2使用与实施例1-1同样的集电体l,采用与实施例2同样的方法进行第331阶段~第5阶段的活性物质蒸镀工序。但是，不进行导电体蒸镀工序。由此，如图12所示，在集电体l上隔开间隔地形成了活性物质部2a，2e，层叠而成的结构的活性物质体2，。将图示的负极作为比较例2的样品负极。(vii)实施例3将利用电解法在实施例1-1所使用的集电体的表面析出了铜的集电体作为集电体1，在其表面，使用图4(a)所示的蒸镀装置300，形成由硅构成的活性物质体。活性物质体的形成，除了氧气导入流量设为Osccm以外，釆用与实施例1-1同样的方法和条件进行。接着，使用溅射装置，在活性物质体上形成由Ti氮化物构成的导电体。以下详细i兌明形成方法。图15为在本实施例中导电体的形成所使用的、减射装置的模式剖面图。溅射装置800,具有室60、阀69、低真空用泵和高真空泵68、67、质量流量控制器65、66、高频电源70。在室60的内部，配置试样保持器(holder)63、垫板(backingplat)62和安装于垫板62上的靼61。虽然没有特别图示，但垫板62的没有安装靶61的面由充分的流量的冷却水来冷却。在本实施例中，使用直径250mm的金属Ti作为靶61。另外，使耙61的表面与试样保持器63的距离为7cm。首先，将采用上述方法形成了活性物质体的集电体(以下称为"试样"。)64安装于室60内的试样保持器63上使得活性物质体表面(硅面)与耙61相对向。接着，作为成膜的准备，使用低真空用泵68和高真空泵67将室60内减压至10-sPa。然后，以24sccm的流量向室60内导入Ar，并且以2.6sccm的流量导入N2，由此将室60内的压力调整为0.7Pa。Ar和N2的流量，分别使用Ar质量流量控制器65和N2质量流量控制器66来控制。接着，4吏用高频电源70对靶61施加lkW、13.56MHz的电力。通过目视确认已激发等离子体后，放置30分钟使其稳定。接着，通过开放4小时的闸板71，在试样64的表面形成厚度1.5nm的以Ti氮化物为主成分的导电体。结束导电体的形成后，冷却1小时。冷却后，从室60取出试样64。这样地得到了实施例3的样品负极。图16为实施例3的样品负极的截面SEM像。由图16可确认在集电体1上得到了由活性物质体2和导电体4构成的活性物质复合体10。另外可知，导电体4从集电体1的表面沿着活性物质体2的侧面延伸。(viii)比较例3除了不形成由Ti氮化物构成的导电体以外，采用与实施例3同样的方法制作了比较例3的样品负极。<评价用的样品电池的制作方法>将采用上述方法制作的实施例和比较例的样品负极，分别切取为直径约6.7mm的圆形，作为电池用负极。使用各电池用负极，制作已在前面参照图7叙述过的构成的评价用的样品电池。各样品电池中，使用直径为llmm的金属锂板作为正极。另外，作为电解液，使用了非水电解液，所述非水电解液是使1摩尔的LiPF6溶解于混合溶剂中并调整为1升的非水电解液，所述混合溶剂是30体积％的碳酸亚乙酯和50体积％的碳酸曱乙酯以及20体积％的碳酸二乙酯的混合溶剂。<样品电池的评价方法和结果〉(I)实施例1-1~1-3和比较例1的样品电池的评价对于由上述方法得到的实施例1-1~1-3和比较例1的样品电池，在下述的条件下进行充放电循环试验，测定循环数与容量维持率的关系。在此，所谓"容量维持率"，是指各循环的实测放电容量相对于基准容量的比例，将充放电循环试验中观测到的最大放电容量作为基准容量。在充放电循环试验中，依次实施表1所示的模式1和模式2的充放电并作为1循环，将其反复进行。另外，在各循环中，分别测量在模式l以及模式2的充放电中直到达到终止电压的电量，将这些电量相加后的值作为该循环的实测放电容量。另外，模式1的充放电电流值(1.6mA),使用另外的样品进行在充放电电流10jiA下的容量测量，基于相对于该第1次;故电容量1.6mAh的1C相当电流来决定。<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>将测定结果示于图13。图13是对于实施例1-1~1-3和比较例1的各个样品电池，表示循环数与容量维持率的关系的曲线图。由该结果可知，比较例1的样品电池在第5循环容量维持率降低至10%，但实施例1-1~1-3的样品电池，即使反复进行10循环后仍维持了约40%的容量。因此确认了通过在负极的活性物质体上形成导电体，能够大幅度改善循环特性。另外可知，即使在使用镍、钛和铜的任一种作为导电体的材料的情况下，也能够得到同样的效果。(II)实施例2和比较例2的样品电池的评价对于由上述方法得到的实施例2和比较例2的样品电池，在下述的条件下进行充放电循环试验，测定循环数与容量维持率的关系。在充放电循环试验中，依次实施表2所示的模式1和模式2的充放电并作为1循环，将其反复进行。另外，在各循环中，采用与上述(I)同样的方法求出实测放电容量，从而算出容量维持率。另外，模式l的充放电电流值(3.2mA),使用另外的样品进行在充放电电流lOpA下的容量测量，基于相对于该第1次;改电容量6.4mAh的0.5C相当电流来决定。<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>将测定结果示于图14。图14是对于实施例2和比较例2的各个样品电池，表示循环数与容量维持率的关系的曲线图。由该结果可知，比较例2的样品电池在第3循环容量维持率降低至40%以下，但实施例2的样品电池，即使反复进行10循环后仍维持了60%以上的容量。认为这是由于，比较例2的样品负极，由于活性物质体的裂紋或从集电体游离，引起容量的降低，但实施例2的样品负极利用导电体抑制了起因于活性物质体的裂紋和游离的容量降低。由这些测定结果确认在集电体的表面具有多个活性物质体的负极中，通过以与各活性物质体接触的方式形成导电体，能够大幅度改善锂二次电池的充放电循环特性。(III)实施例3和比较例3的样品电池的评价对于由上述方法得到的实施例3和比较例3的样品电池，在下述的条件下进行充放电循环试验，测定循环数与容量维持率的关系。在充放电循环试验中，依次实施表3所示的模式1和模式2的充放电并作为1循环，将其反复进行。另外，在各循环中，采用与上述(I)、(II)同样的方法求出实测放电容量，从而算出容量维持率。另外，模式l的充放电电流值(lmA)，使用另外的样品进行在充放电电流10nA下的容量测量，基于该第1次放电容量lmAh来决定。表3^^^^模式l(电流/终止电压)模式2(电流/终止电压)充电lmA/0V100|aA/OV放电1mA/1.5V100nA/l.5V充电与放电之间的休止时间10分钟环境温度25'C将测定结果示于表4和图17。图17是对于实施例3和比较例3的样品电池，表示循环数与容量维持率的关系的曲线图。37表4充放电循环数实施例3比较例3容量维持率(％)容量维持率(％)1100.0100.0293.896.4卯.792.4488.788.2587,183.4686.278.2■785.373.2884.668.3由表4和图17所示的结果可知，比较例3的样品电池在第8循环容量维持率降低至68%，与之相对，实施例3的样品电池维持了84%的容量。认为这是由于，比较例3的样品负极，由于活性物质体的裂紋和从集电体游离，引起容量的降低，但实施例3的样品负极，利用导电体抑制了起因于活性物质体的裂紋和游离的容量降低。另外，实施例3和比较例3的样品电池的充》文电特性，比前面所述的实施例1-1~1-3和比较例1的样品电池的充放电特性良好。认为其原因是实施例1-1~1-3和比较例1中使用的铜箔为轧制铜箔，与之相对，实施例3和比较例3中使用的是利用电解法在轧制铜箔的表面析出了铜的铜箔。实施例1、2中使用的铜箔，如图5(a)所示，突起侧面相对于铜箔面构成约60。的小角。与此相对，实施例3和比较例3中^f吏用的铜箔，如图16所示，相对于铜箔面，构成约90。或其以上的大角。认为这样的形状差是因为利用电解法在轧制铜箔上析出了铜而产生的。在使这样的富有凹凸的突起表面形成活性物质体的情况(即，实施例3和比较例3)下，对于活性物质体作用所谓的锚固效应，活性物质体与铜箔的粘接力增大。由此可推测，抑制了活性物质体从铜箔的脱离，在比较例3中容量维持率也某种程度地提高。根据这些实施例和比较例的测定结果确认，在集电体的表面具有多个活性物质体的负极中，通过以与各活性物质体接触的方式形成导电体，能够大幅度改善锂二次电池的充放电循环特性。另外可知，不论活性物质体的氧比率、导电体中含有的导电材料的种类和导电体的形成方法如何，都38能够得到上述的效果。产业上的可利用性本发明的负极可适用于各种形态的锂二次电池，特别地在应用于要求高的充放电循环特性的锂二次电池时是有利的。另外，也应用作为锂离子移动型的电化学电容器的极板。可应用本发明的锂二次电池的形状，没有特别的限定，可以是例如硬币形、钮扣形、片形、圆筒形、扁平形、方形等任何形状。另外，由正极、负极和隔膜构成的极板群的形态，可以是巻绕型也可以是叠层型。而且，电池的大小，既可以是用于小型便携设备等的小型，也可以是用于电动汽车等的大型。本发明的锂二次电池，可用于例如便携信息终端、便携电子设备、家庭用小型电力贮藏装置、机动两轮车、电动汽车、混合动力型电动汽车等的电源，但其用途没有特别的限定。权利要求1.一种锂二次电池用负极，具有集电体；和多个活性物质复合体，所述多个活性物质复合体配置于所述集电体上，并沿从所述集电体突出的方向延伸，各活性物质复合体具有由吸藏和释放锂的物质构成的活性物质体；和导电体，所述导电体以与所述活性物质体接触的方式配置，由不吸藏或不释放锂的物质构成，所述导电体从所述集电体的表面或表面附近，在相对于所述集电体的表面不平行的方向延伸。2.根据权利要求l所述的锂二次电池用负极，其中，所述导电体以与所述活性物质体的侧面接触的方式配置。3.根据权利要求2所述的锂二次电池用负极，其中，所述活性物质体具有相对于所述集电体的法线方向倾斜的生长方向，在垂直于所述集电体、且包含所述活性物质体的生长方向的截面中，所述导电体形成于所述活性物质体的侧面之中的位于上侧的部分，所述活性物质体的侧面之中的位于下侧的部分未被所述导电体覆盖。4.根据权利要求l所述的锂二次电池用负极，其中，所述活性物质体包含在所述集电体的表面层叠的多个活性物质部，所述导电体包含多个导电部，所述多个导电部被配置成分别与所述多个活性物质部的侧面接触。5.根据权利要求4所述的锂二次电池用负极，其中，所述多个活性物质部各自具有相对于所述集电体的法线方向倾斜的生长方向，在垂直于所述集电体、且包含所述多个活性物质部的生长方向的截面电部覆盖。6.根据权利要求4所述的锂二次电池用负极，其中，所述多个导电部各自以与相邻的其他导电部等电位的方式接近地配置。7.根据权利要求4所述的锂二次电池用负极，其中，所述多个活性物质部的各自的生长方向，相对于所述集电体的法线方向交替地向相反的方向倾斜。8.根据权利要求7所述的锂二次电池用负极，其中，所述导电体从所述集电体的表面或表面附近沿远离所述集电体的方向以锯齿状延伸。9.根据权利要求l所述的锂二次电池用负极，其中，所述导电体的至少一部分位于所述各活性物质复合体的内部。10.根据权利要求9所述的锂二次电池用负极，其中，所述活性物质体包含在所述集电体的表面层叠的多个活性物质部，所述导电体的至少一部分位于所述多个活性物质部之中的上下相邻的活性物质部之间的各界面。11.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极，其中，所述集电体在表面具有多个凸部，所述各活性物质复合体被所述多个凸部的某一个支撑。12.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极，其中，所述导电体为含有选自Cu、Ni、Ti、Zr、Cr、Fe、Mo、Mn、Nb和V中的至少一种元素的金属。13.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极，其中，所述导电体为含有Ti的氮化物和/或Zr的氮化物的导电性陶资。14.根据权利要求1所述的锂二次电池用负极，其中，所述多个活性物质区域含有选自硅、锡、硅氧化物、锡氧化物和它们的混合物中的活性物质。15.—种锂离子二次电池，包括能够吸藏和释放锂离子的正极；权利要求1~14的任一项所述的锂二次电池用负极；在所述正极与所述锂二次电池用负极之间配置的隔膜；和具有锂离子传导性的电解质。16.—种锂二次电池用负极的制造方法，是包括在集电体上形成多个活性物质复合体的工序的锂二次电池用负极的制造方法，该制造方法包括(A)通过从相对于集电体的法线方向倾斜的第1方向向所述集电体的表面供给硅，在所述集电体的表面形成相互隔开间隔地配置的多个活性物质部的工序；和(B)从与所述第1方向不同的第2方向向形成有所述多个活性物质部的集电体的表面供给含有导电材料的气体，在所述多个活性物质部的各自之上形成导电部，由此得到各自具有活性物质部和导电部的多个活性物质复合体的工序。17.根据权利要求16所述的锂二次电池用负极的制造方法，其中，所述第1方向与所述集电体的法线方向构成的角度a为20。~85°,所述第2方向与所述集电体的法线方向构成的角度p比所述角度a小。18.根据权利要求16所述的锂二次电池用负极的制造方法，其中，所述导电材料为含有选自Cu、Ni、Ti、Zr、Cr、Fe、Mo、Mn、Nb和V中的至少一种元素的金属。19.根据权利要求16所述的锂二次电池用负极的制造方法，其中，所述导电材料为含有Ti和/或Zr的金属。20.根据权利要求16所述的锂二次电池用负极的制造方法，其中，所述导电部包含含有Ti的氮化物和/或Zr的氮化物的导电性陶资。21.—种锂二次电池用负极，是使用权利要求16所述的方法制作的。全文摘要本发明提供一种锂二次电池用负极，其具有集电体(1)和多个活性物质复合体(10)，所述多个活性物质复合体(10)配置于集电体(1)上，并在从集电体(1)突出的方向延伸，各活性物质复合体(10)具有由吸藏和释放锂的物质构成的活性物质体(2)、和导电体(4)，所述导电体(4)以与活性物质体(2)接触的方式配置，并由不吸藏或不释放锂的物质构成，导电体(4)从集电体(1)的表面或表面附近沿相对于集电体(1)的表面不平行的方向延伸。文档编号H01M4/70GK101682024SQ200980000228公开日2010年3月24日申请日期2009年2月13日优先权日2008年2月14日发明者吉田雅宪,樋口洋申请人:松下电器产业株式会社