专利名称：Semiconductor constructions, and methods of forming semiconductor constructions的制作方法
技术领域：
半导体结构以及形成半导体结构的方法。
背景技术：
集成电路制造可涉及形成高纵横比开口。此类开口可用于制造各种电路装置，例 如电容器。在高纵横比开口内形成电路装置的优点可为接着可将所述装置制造成占用半 导体晶片衬底的相对较小占据面积。举例来说，高纵横比开口中所形成的电容器可具有与 其它电容器相同的电容容量，但可形成为极高且薄，使得个别电容器占用极少半导体占地 面禾只(real estate)。可能在形成高薄电容器时出现困难，此在于电容器可易于倾倒。已开发用于避免 高薄电容器倾倒的各种方法，其中此类方法中的一些包含形成辅助在所需定向上保持电容 器的支撑晶格结构。一些实例晶格结构描述于第7，226，845号和第7，271，051号美国专利 以及第2006/0261440号美国公开案中。参看图1和图2来描述用于形成延伸穿过晶格结构的开口的实例现有技术工艺。图1展示在所述工艺的早期工艺阶段的半导体结构10。结构10包含半导体衬底 或基座12。衬底12可包含(例如)用本底ρ型掺杂剂轻微掺杂的单晶硅、基本上由其组成 或由其组成。术语“半导电衬底”和“半导体衬底”表示包含半导电材料的任何结构，包括 (但不限于)例如半导电晶片等块体半导电材料(其上单独地或组合地包含其它材料)和 半导电材料层(单独地或组合地包含其它材料)。术语“衬底”指代包括(但不限于)以上 所描述的半导电衬底的任何支撑结构。半导体衬底12支撑一对晶体管14和16。晶体管14包含栅极18以及一对源极/ 漏极区20和22。源极/漏极区延伸到基座12中且可大部分η型掺杂或大部分ρ型掺杂。 栅极18包含栅极电介质24、导电片段26和绝缘顶盖28。栅极电介质可包含(例如)二氧 化硅；导电片段26可包含经导电掺杂的半导体材料、金属和含金属化合物中的一者或一者 以上；且绝缘覆盖层可包含(例如)氮化硅。—对侧壁隔片30沿着栅极18的相对侧壁延伸，且此类侧壁隔片可包含(例如)
氮化硅。晶体管16包含栅极32、源极/漏极区22和另一源极/漏极区34。源极/漏极区 34延伸到基座12中且可大部分η型掺杂或大部分ρ型掺杂。栅极32包含先前所论述的栅 极电介质24、导电片段26和绝缘顶盖28 ；且侧壁隔片30沿着栅极的相对侧壁。隔离区19延伸到衬底12中邻近于源极/漏极区20和34。隔离区可对应于浅沟 槽隔离区且可含有二氧化硅。隔离区可将源极/漏极区20和34与其它电路(未图示)电 隔罔。电绝缘材料36延伸于晶体管14与16上以及其之间。导电底座38、40和42延伸 穿过电绝缘材料36以分别与源极/漏极区20、22和34电连接。堆叠44在绝缘材料36以及底座38、40和42上。堆叠包含第一含氧化物材料46、第一氮化硅层48、第二含氧化物材料50和第二氮化硅层52。层48和52最终变为晶格以辅 助保持电容器。含氧化物材料46和50可由二氧化硅组成或可由经掺杂二氧化硅组成(例 如，硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃等)。透明碳54在第二氮化硅层52上，经沉积抗反射涂层(DARC) 56在透明碳54上，底 部抗反射涂层(BARC) 58在DARC上，且经光刻图案化光致抗蚀剂60在BARC上。DARC可包 含(例如)氮氧化硅；且BARC可包含各种有机材料中的任一者(即，可含有碳)。经图案化光致抗蚀剂界定一对开口 62和66。图2展示在利用多个蚀刻使开口 62和66延伸穿过堆叠44之后以及在已移除透 明碳54(图1)、DARC 56(图1)、BARC 58(图1)和光致抗蚀剂60(图1)之后的结构10。 蚀刻可包含一个以上蚀刻以延伸穿过BARC 58和DARC 56而到达透明碳54，接着进行利用 02/S02的干式蚀刻以穿透透明碳。此干式蚀刻还可移除光致抗蚀剂60和BARC 58。后续蚀 刻可利用CH2F2、CHF3和O2以穿透上部氮化物层52且移除DARC 56。接下来，可利用C4F6、 O2和Ar以穿过顶部含氧化物材料50。接着，可利用包含CHF3、O2、CH2F2和Ar的蚀刻以穿过 第二氮化物层48且部分地穿到底部含氧化物材料46中。最后，可利用C4F6、O2和Ar以移 除底部含氧化物材料46的剩余部分以形成所示开口。可在蚀刻已穿过顶部氮化物层52之 后利用以O2进行的氧化作用或任何其它合适的条件而移除透明碳54(图1)。可在将开口 62和66转移到堆叠44中期间出现的问题为弓形弯曲(bowing)可 出现于顶部含氧化物材料50中，如由在开口 62和66内沿着材料50的侧壁的弯曲区51图 解说明。此弓形弯曲可由各种机制中的任一者引起，例如材料50在穿过材料46的蚀刻期 间的蚀刻、层52的变薄等。最终，电容器将通过在开口内沉积电容器存储节点材料、电容器电介质材料和电 容器板材料而形成于开口 62和66内。开口 62和66内的弓形弯曲使此电容器制造复杂化。将需要开发避免图2所示的问题的新的电容器制造方法。
图1和图2是在现有技术制造工艺的各种工艺阶段半导体结构的一部分的图解横 截面图。图3到图9是根据一实施例在各种工艺阶段半导体结构的一部分的图解横截面 图。图10是根据一实施例的半导体结构的一部分的图解横截面图。图11是根据一实施例的半导体结构的一部分的图解横截面图。图12和图13是根据一实施例在各种工艺阶段半导体结构的一部分的图解横截面 图。图14是计算机实施例的图解视图。图15是展示图13计算机实施例的母板的特定特征的框图。图16是电子系统实施例的高阶框图。图17是存储器装置实施例的简化框图。
具体实施例方式在一些实施例中，本发明包括形成高纵横比开口的方法，且在本发明的一些实施 例中进一步包括在高纵横比开口内形成电容器结构的方法。参看图3到图17描述实例实 施例。参看图3，说明半导体结构70。关于结构70，适当时，将使用与上文用以描述图1 和图2的现有技术结构10类似的编号。结构70包含以上所描述的半导体基底材料或衬底12且包含成对晶体管14和16。 晶体管14包含栅极18以及一对源极/漏极区20和22 ；且晶体管16包含栅极32，连同源 极/漏极区22和34。侧壁隔片30沿着栅极的相对侧壁；且隔离区19邻近于源极/漏极 区20和34。电绝缘材料36延伸于晶体管14与16上以及其之间；且导电底座38、40和42 延伸穿过电绝缘材料36以分别与源极/漏极区20、22和34电连接。堆叠74在绝缘材料36以及底座38、40和42上。堆叠74包含材料76、78、80和 82。材料76和78可类似于现有技术图1和2的材料46和48。因此，材料76可为含氧化物 材料且材料78可为电绝缘含氮化物材料。含氧化物材料76可包含二氧化硅或经掺杂氧化 物(例如，硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃等)、基本上由其组成或由其组成； 且含氮化物材料78可包含氮化硅、基本上由其组成或由其组成。可将材料76形成为至少约 10，000埃的厚度(例如，约15，000埃)；且可将材料78形成为约250埃到约500埃的厚度。堆叠74与现有技术(图1)的堆叠44不同之处在于堆叠74在含氮化物材料78 上包含含未氧化硅材料80。含硅材料80可包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者、基本上由 其组成或由其组成。此硅在一些实施例中可经导电掺杂，且在其它实施例中可能未经导电 掺杂。含硅材料可相对于含氮化物材料78为可选择性蚀刻的。含硅材料80可形成为(例 如)至少约3000埃的厚度，且在一些实施例中可形成为约3000埃到约10，000埃的厚度。堆叠74进一步包含形成于含硅材料80上的覆盖材料82。材料82在一些实施例 中可为电绝缘的，且在其它实施例中可为导电的。如果材料82为电绝缘的，那么所述材料可包含材料76和80可被选择性地蚀刻到 的任何合适的组合物，且可(例如)包含氮化硅、基本上由其组成或由其组成。因此，在一 些实施例中，材料82和78两者均可由氮化硅组成，且因此可为彼此相同的组合物。如果材料82为导电的，那么所述材料可包含材料76和80可被选择性地蚀刻到的 任何合适的组合物，且可(例如)包含金属(例如，钨、钛等)或含金属组合物(例如，金属 氮化物、金属硅化物等)。可将材料82形成为至少约1000埃的厚度(例如，约1300埃的厚度)。可分别将材料78、80和82称为第一、第二和第三材料，其形成于含氧化物材料76 上。在所展示的实施例中，第一材料78直接抵靠含氧化物材料76(换句话说，在第一材料 78与含氧化物材料76之间无介入材料)；第二材料80直接抵靠第一材料78 ；且第三材料 82直接抵靠第二材料80。透明碳54、DARC 56、BARC 58和经光刻图案化光致抗蚀剂60形成于材料82上。经图案化光致抗蚀剂界定掩模，所述掩模具有一对延伸穿过其中的开口 62和66。参看图4，开口 62和66延伸穿过BARC 58和DARC 56而到达透明碳54的上表面。 开口 62和66到BARC 58和DARC 56中的延伸可被认为是图案从掩模60到下伏材料中的转移。参看图5，开口 62和66通过(例如)利用02/S02的干式蚀刻而延伸穿过透明碳 54。如图所示，此干式蚀刻还可移除光致抗蚀剂60(图4)和BARC 58 (图4)。参看图6，利用蚀刻以使开口 62和66延伸穿过材料82。如果材料82由氮化硅组 成，那么合适的蚀刻可利用CH2F2、CHF3、Ar和02。如图所示，穿过材料82的蚀刻还可移除 DARC 56 (图 5)。参看图7，开口 62和66延伸穿过含硅材料80。用以使开口延伸穿过含硅材料的 蚀刻可利用任何合适的硅蚀刻技术，且可(例如)利用O2与一种或一种以上碳氟化合物、 Cl2和/或HBr组合。参看图8，开口 62和66延伸穿过材料78，且部分地延伸到含氧化物材料76中。 穿过材料78的蚀刻可被称为第二氮化物蚀刻以将其与已用以穿透材料82的第一氮化物蚀 刻区别。第二氮化物蚀刻可包含与用于第一氮化物蚀刻的条件相同的条件。在一些实施例 中，穿过材料78的蚀刻可利用CHF3、Ar、O2和CH2F2。参看图9，开口 62和66延伸穿过含氧化物材料76的剩余部分。穿过含氧化物材 料的剩余部分的蚀刻可利用C4F6和02。在图9的处理阶段移除透明碳54(图8)。可利用以O2进行的氧化作用或任何其 它合适的条件而移除透明碳。图9的结构70处于与图2的现有技术结构10类似的处理阶段，但有利地不具有 参看图2所论述的现有技术弓形弯曲问题。在一些实施例中，弓形弯曲可被完全消除，且在 其它实施例中，弓形弯曲尽管未被完全消除但可被减轻。无论如何，弓形弯曲问题的减轻或 消除可改进在开口 62和66内形成电容器或其它电路的后续工艺步骤。可通过图3到图9 的处理而减轻或消除的另一现有技术问题是被称为扭转的问题，其中邻近于开口的柱状物 围绕延伸穿过柱状物的轴线旋转，或其中邻近于开口的壁沿着延伸穿过壁的平面弯曲。扭 转的消除或减轻也可改进在开口 62和66内形成电容器或其它电路的后续工艺步骤。如果电容器形成于开口 62和66内，那么此类电容器可具有任何合适的配置，且可 (例如)为柱状物型电容器或容器型电容器。图10和图11说明可形成于开口 62和66内 的容器型电容器的实例实施例。参考图10，电容器存储节点材料90形成于开口 62和66内，且与柱状物38和42电 连接。电容器存储节点材料可包含任何合适的导电组合物或导电组合物的组合；且可(例 如)包含经导电掺杂半导体材料(例如，经导电掺杂硅等)、金属(例如，钛、钨、钼等)和含 金属化合物(例如，金属硅化物、金属氮化物等)中的一者或一者以上。将存储节点材料图 案化，使得所述材料在开口内，但不向开口外部延伸。在形成电容器存储节点材料90之后，可移除材料76和80(图9)中的至少一些。 因此，在一些实施例中，材料76和80的至少若干部分可为牺牲性的。在移除材料76和80 的若干部分之后，仅晶格材料78和82留存以横向地支撑存储节点材料。电容器电介质材料92形成于开口 62和66内以及存储材料90上。在所展示的横 截面图中，电容器电介质材料可归因于已移除材料76和80的若干部分(图9)而形成于存 储节点的两侧上。电容器电介质材料可包含任何合适的电绝缘组合物或电绝缘组合物的组 合；且可(例如)包含二氧化硅、氮化硅和/或各种高k材料中的任一者(其中高k材料是具有大于二氧化硅的电介质常数的电介质常数的材料)。电容器板材料94形成于电容器电介质材料上以及开口 62和66内。在所展示的横 截面图中，电容器板材料可归因于已移除材料76和80的若干部分(图9)而形成于存储节 点的两侧上。电容器板材料可包含任何合适的导电组合物或导电组合物的组合；且可(例 如)包含上文论述为适用于电容器存储节点材料90的材料中的一者或一者以上。可认为图10的实施例包含含有电容器和晶体管的动态随机存取(DRAM)单位单 元。可将中心底座40与位线95电连接。因此，图10的实施例可包含一对共享到位线的连 接的DRAM单位单元。此类DRAM单位单元可代表许多被同时制造为DRAM阵列的DRAM单位 单元。图10的实施例具有延伸跨越覆盖层82的电介质材料92。在其它实施例中，电介 质材料可包含于开口 62和66内，使得覆盖材料直接接触电容器板材料94。如果覆盖材料 82包含导电组合物，那么此可有利地变为延伸跨越结构70的电容器板的一部分。图11展 示一实施例，其中覆盖材料82包含导电组合物，且物理地接触电容器板材料94。针对图11 的结构利用与针对图10的结构所利用的相同的编号。与图10的结构一样，可认为图11的 结构是DRAM阵列的一部分。图3到图11的实施例具有两个晶格材料层(78和82)，和单一未氧化硅层(80)。 在其它实施例中，可形成两个以上晶格材料层，且可形成一个以上未氧化硅层。举例来说， 图12展示结构100，其包含三个晶格材料层和两个未氧化硅层。关于图12，适当时，将使用 与上文所描述的图3到图11所利用的类似的编号。结构100包含上文所论述的含氧化物材料76、第一材料78和含未氧化硅材料80。 可将第一材料78视为第一晶格材料，且结构100进一步包含在含未氧化硅材料80上的第 二晶格材料102。另外，结构100包含在第二晶格材料上的第二含未氧化硅材料104，且包 含在材料104上的第三晶格材料106。晶格材料106可包含如上文关于覆盖层82所论述的组合物中的任一者，和/或可 包含与晶格材料78和102中的一者或两者共同的组合物。在一些实施例中，所有晶格材料 78、102和106将为彼此相同的组合物，且均将包含氮化硅、基本上由其组成或由其组成。在一些实施例中，可分别将材料78、80、102、104和106称为第一、第二、第三、第四 和第五材料。材料80和104可为彼此相同的组合物，且两者均可包含多晶硅和非晶硅中的一者 或两者、基本上由其组成或由其组成；且可经导电掺杂或可未经导电掺杂。在后续处理中，电容器可形成于结构100的开口 62和66内，且此类电容器可(例 如)类似于图10的电容器或图11的电容器。图13展示在形成类似于图10的电容器的电 容器之后的结构100，且因此展示DRAM阵列的一部分。以上所论述的各种结构可用于例如汽车、飞机、手机、计算机等电子系统中。图14说明计算机系统400的实施例。计算机系统400包括监视器401或其它通 信输出装置、键盘402或其它通信输入装置，以及母板404。母板404可承载微处理器406 或其它数据处理单元，以及至少一个存储器装置408。存储器装置408可包含存储器单元 阵列，且此阵列可与寻址电路耦合以用于存取阵列中的个别存储器单元。另外，存储器单元 阵列可耦合到用于从存储器单元读取数据的读取电路。可利用寻址和读取电路在存储器装置408与处理器406之间传达信息。此过程说明于图15所示的母板404的框图中。在此 框图中，将寻址电路说明为410且将读取电路说明为412。处理器装置406可对应于处理器模块，且与模块一起利用的相关联存储器可包含 根据本文所揭示的实施例而形成的DRAM。存储器装置408可对应于存储器模块，且可包含根据本文所揭示的实施例而形成 的 DRAM。图16说明电子系统700的高阶组织的简化框图。系统700可对应于(例如)计 算机系统、过程控制系统或使用处理器和相关联存储器的任何其它系统。电子系统700具 有功能元件，包括处理器702、控制单元704、存储器装置单元706和输入/输出(I/O)装置 708 (应理解，在各种实施例中，系统可具有多个处理器、控制单元、存储器装置单元和/或 I/O装置)。通常，电子系统700将具有一组本机指令，其指定将通过处理器702而对数据 所执行的操作，以及处理器702、存储器装置单元706与I/O装置708之间的其它交互。控 制单元704通过连续地循环一组使指令从存储器装置706被取出且执行的操作而协调处理 器702、存储器装置706和I/O装置708的所有操作。存储器装置706可包括根据本文所揭 示的实施例而形成的DRAM。图17是电子系统800的简化框图。系统800包括具有存储器单元阵列804、地址 解码器806、行存取电路808、列存取电路810、用于控制操作的读取/写入控制电路812和 输入/输出电路814的存储器装置802。存储器装置802进一步包括电力电路816和传感 器820，例如用于确定存储器单元是处于低阈值传导状态还是高阈值非传导状态的电流传 感器。所说明的电力电路816包括电源电路880、用于提供参考电压的电路882、用于向第 一字线提供脉冲的电路884、用于向第二字线提供脉冲的电路886和用于向位线提供脉冲 的电路888。系统800还包括处理器822或用于存储器存取的存储器控制器。存储器装置802经由布线或金属化线而从处理器822接收控制信号。存储器装置 802用以存储经由I/O线存取的数据。处理器822或存储器装置802中的至少一者可包括 根据本文所揭示的实施例而形成的DRAM。各种电子系统可制造于单一封装处理单元中，或甚至制造于单一半导体芯片上， 以便缩短处理器与存储器装置之间的通信时间。电子系统可用于存储器模块、装置驱动器、电力模块、通信调制解调器、处理器模 块和专用模块中且可包括多层多芯片模块。电子系统可为广泛范围的系统中的任一者，例如时钟、电视、手机、个人计算机、汽 车、工业控制系统、飞机等。
权利要求
一种形成半导体结构的方法，其包含将含二氧化硅材料形成于半导体衬底上；将第一材料形成于所述含二氧化硅材料上；将第二材料形成于所述第一材料上，所述含二氧化硅材料和所述第一材料相对于所述第二材料为可选择性蚀刻的，所述第二材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者；将第三材料形成于所述第二材料上；将经图案化掩模形成于所述第三材料上；以及通过一个或一个以上合适的蚀刻将图案从所述掩模转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料以形成延伸穿过所述第一材料、第二材料、第三材料和含二氧化硅材料的开口。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第三材料由氮化硅组成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料由氮化硅组成，且其中所述第三材 料包含除了氮化硅以外的组合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三材料包含导电组合物。
5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含 将电容器存储节点材料形成于所述开口内；将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及 将所述导电第三材料用作包含所述电容器存储节点材料和所述电介质材料的电容器 的电容器板材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将第四材料形成于所述第三材料上，以 及将第五材料形成于所述第四材料上；且其中所述第四材料在组成方面与所述第二材料相同；且所述转移所述图案包含将所述图案转移穿过所述第一材料、第二材料、第三材料、第四 材料、第五材料和含二氧化硅材料以形成所述开口以延伸穿过所述第一材料、第二材料、第 三材料、第四材料、第五材料和含二氧化硅材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一、第三和第五材料由氮化硅组成。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含 将电容器存储节点材料形成于所述开口内；将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及 将电容器板材料形成于所述电容器电介质材料上。
9.一种形成半导体结构的方法，其包含将氧化物形成于半导体衬底上，所述氧化物具有至少约10,000 A的厚度； 将电绝缘氮化物形成于所述氧化物上；将含硅材料形成于所述氮化物上，所述含硅材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两 者，所述含硅材料具有至少约3,000 A的厚度； 将覆盖材料形成于所述含硅材料上； 将经图案化掩模形成于所述覆盖材料上；以及通过一个或一个以上合适的蚀刻将图案从所述掩模转移穿过所述覆盖材料、含硅材 料、氮化物和氧化物以形成延伸穿过所述覆盖材料、含硅材料、氮化物和氧化物的开口。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述覆盖材料为导电的。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述覆盖材料为电绝缘的。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述含硅材料直接抵靠所述氮化物；其中所述覆 盖材料直接抵靠所述含硅材料，且其中所述覆盖材料包含电绝缘氮化物。
13.一种形成半导体结构的方法，其包含将含二氧化硅材料形成于半导体基底材料上； 将第一含氮化硅材料形成于所述含二氧化硅材料上；将未氧化硅材料形成于所述第一含氮化硅材料上且直接抵靠所述第一含氮化硅材料；将第二含氮化硅材料形成于所述未氧化硅材料上且直接抵靠所述未氧化硅材料；以及 将经图案化掩模提供于所述第二含氮化硅材料上，且将所述图案从所述掩模转移到下 伏材料中以形成延伸穿过所述材料的开口，所述图案的所述转移包含 通过第一蚀刻而蚀刻穿过所述第二含氮化硅材料； 通过第二蚀刻而蚀刻穿过所述未氧化硅材料； 通过第三蚀刻而蚀刻穿过所述第一含氮化硅材料；以及 通过第四蚀刻而蚀刻穿过所述含二氧化硅材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一和第三蚀刻利用彼此相同的条件。
15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含 将电容器存储节点材料形成于所述开口内；将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及 将电容器板材料形成于所述电容器电介质材料上。
16.一种形成半导体结构的方法，其包含 将含二氧化硅材料形成于半导体衬底上；将第一含氮化硅材料形成于所述含二氧化硅材料上；将含硅材料形成于所述含氮化硅材料上，所述含硅材料包含多晶硅和非晶硅中的一者 或两者；将第二含氮化硅材料形成于所述含硅材料上；将透明碳形成于所述第二含氮化硅材料上；将氮氧化硅形成于所述透明碳上；将含碳抗反射涂层形成于所述氮氧化硅上；将经图案化光致抗蚀剂掩模形成于所述含碳抗反射涂层上；将图案从所述光致抗蚀剂掩模转移到所述透明碳；通过干式蚀刻将所述图案转移穿过所述透明碳；通过第一氮化物蚀刻将所述图案转移穿过所述第二含氮化硅材料；通过硅蚀刻将所述图案转移穿过所述含硅材料；通过第二氮化物蚀刻将所述图案转移穿过所述第一含氮化硅材料且部分地转移到所 述含二氧化硅材料中；以及通过氧化物蚀刻将所述图案转移穿过所述含二氧化硅材料的剩余部分；所述含二氧化 硅材料、第一含氮化硅材料、含硅材料和第二含氮化硅材料内的所述图案形成多个开口。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述硅蚀刻利用含氧反应物。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述含二氧化硅材料具有约10,000 A到约20,000 A的厚度；且 所述含硅材料具有约3,000 A到约10,000 A的厚度。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述含二氧化硅材料具有约10,000 A到约20,000 A的厚度； 所述第一含氮化硅材料具有约250 A到约500 A的厚度； 所述含硅材料具有约3,000 A到约10,000 A的厚度；且 所述第二含氮化硅材料具有约1000 A到约1500 A的厚度。
20.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含 将电容器存储节点材料形成于所述开口内；将电容器电介质材料形成于所述电容器存储节点材料上；以及 将电容器板材料形成于所述电容器电介质材料上。
21.一种半导体结构，其包含含二氧化硅材料，其在半导体衬底上； 第一材料，其在所述含二氧化硅材料上；第二材料，其在所述第一材料上，所述第二材料包含多晶硅和非晶硅中的一者或两者；第三材料，其在所述第二材料上； 第四材料，其在所述第三材料上； 第五材料，其在所述第四材料上；开口，其穿过所述含二氧化硅材料、第一材料、第二材料、第三材料、第四材料和第五材 料而延伸到所述衬底；且其中所述第四材料在组成方面与所述第二材料相同。
22.根据权利要求21所述的结构，其中所述第一、第三和第五材料由氮化硅组成。
23.根据权利要求22所述的结构，其进一步包含 电容器存储节点材料，其在所述开口内；电容器电介质材料，其在所述电容器存储节点材料上；以及 电容器板材料，其在所述电容器电介质材料上。
24.根据权利要求21所述的结构，其中所述第一和第三材料由氮化硅组成；且其中所 述第五材料为导电的。
25.根据权利要求24所述的结构，其进一步包含在所述开口内的电容器存储节点材料 和在所述电容器存储节点材料上的电容器电介质材料；且其中所述导电第五材料是包含所 述电容器存储节点材料和所述电介质材料的电容器的电容器板材料。
全文摘要
文档编号H01L27/108GK101952963SQ20098010619
公开日2011年1月19日 申请日期2009年1月27日 优先权日2008年2月26日
发明者Russell A Benson 申请人:Micron Technology Inc