专利名称：涂覆半导体晶片的背面的方法
技术领域：
本发明一般地涉及半导体晶片的涂覆方法，具体地涉及以最小的涂料材料损耗来 涂覆半导体晶片的背面的方法。
背景技术：
由于对更小的、更坚固的轻质电子器件的不断增加的需求，要求电子制造商使用 非常薄的晶片以生产有源微芯片(active microchip) 0在半导体器件的制作期间，在半导 体晶片上进行各种处理以在晶片上形成微电子元件。一种这样的处理涉及在切割之前使 用粘合剂或者支撑材料涂覆薄晶片的背面(无源面)。该处理一般地被称为晶圆背覆技术 (晶圆背覆涂层技术，wafer backside coating) (WBC)。典型地，通过下述三种方法中的一种涂覆晶片的背面丝网印刷(screen printing)、模板印刷(stencil printing)或者旋转涂布。每种方法都有其优点及缺点。丝 网印刷提供一致的涂层厚度和快的涂覆速度，但是不能将涂料自始至终地分配至晶片的边 缘。这可能导致在切割期间芯片飞扬(chip flying)(芯片飞扬(die flying))，以及晶片 破损和刀片破损。模板印刷提供不同的涂层厚度和快的涂覆速度，但是，类似于丝网印刷， 不能将涂料自始至终地分配至晶片的边缘，并且难以在晶片的整个范围内获得一致的涂层 厚度。旋转涂布的确形成晶片的完整覆盖，但是其比模板印刷或者丝网印刷慢得多，并且损 耗大量的涂料，按重量计算高达40%。因此，对于改善的晶片背面涂覆方法存在持续的需 求。发明简述本发明是使用模板印刷或丝网印刷和旋转涂布的结合在半导体晶片的整个背面 上沉积涂料的方法，该方法纠正了与仅使用用于涂覆半导体晶片背面的典型沉积方法中的 一种方法有关的不足。模板印刷或者丝网印刷操作沉积大部分的涂料，然后使用旋转涂布 将涂料的其余部分沉积至晶片的边缘。因此，在本发明的一个实施方式中，方法包括(a)提供半导体晶片，(b)将涂料沉 积至晶片的背面上，其中涂料不沉积在晶片的边缘，和其后(c)旋转晶片以便在步骤(b)中 沉积的涂料流动至晶片的边缘，从而在半导体晶片的整个背面上沉积涂料。在本发明的另一实施方式中，方法包括(a)提供半导体晶片，(b)将涂料模板印刷 或者丝网印刷至晶片背面上，其中模板印刷或者丝网印刷的涂料的径向范围小于晶片的半 径，和其后(C)旋转晶片以便在步骤(b)中沉积的涂料流动至晶片的边缘，从而在半导体晶 片的整个背面上沉积涂料。发明详述应当理解，上述一般描述和下列的详细描述仅是示例性和解释性的，并不限制要 求保护的发明。如在本文使用，单数的使用包括复数词，除非另外具体说明。如在本文使用， “或者(or)”意思是“和/或”，除非另有说明。此外，术语“包括(including) ”以及其他形 式诸如“包括” (includes)和“包括” (included)的使用是非限制性的。在此使用的章节标题仅出于组织的目的，并不被解释为限制所述主题。如在本文使用，术语“涂料”指的是可以通过模板印刷或者丝网印刷分配至晶片背 面上的任何材料。如在本文使用，短语“涂料损耗”指的是完成本发明的方法后从晶片背面损失的涂 料材料的量。可以通过在模板印刷或者丝网印刷之后但是在旋转之前称重晶片背面上的涂 料的量，然后在旋转之后称重晶片背面上的涂料的量，容易地确定涂料损耗。差是“涂料损耗”，按重量％测量。在本发明的方法中使用的半导体晶片典型是0. 025mm至Imm厚并且直径范围是1 英寸Q5mm)至12英寸(300mm)。在本发明的一些实施方式中，涂料是粘合剂。在一些实施方式中，粘合剂选自马来 酰亚胺、聚酯、(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯、环氧树脂、乙烯基酯类、烯类、苯乙烯类、氧 杂环丁烷类、苯并P恶嗪类、》恶唑啉，以及类似物。除丝网印刷或者模板印刷之外，应理解的是，在本发明方法的步骤(b)中，可以通 过不充分覆盖晶片整个背面的任何方法沉积涂料，尽管丝网印刷和模板印刷当前是两种最 广泛使用的方法。如在实施例中所示，丝网印刷或者模板印刷与旋转涂布的这种结合是涂 覆半导体晶片的整个背面的有效方式，其没有伴随的在仅使用一种方法时产生的损耗。实施例比较实施例在传统的旋转涂布过程中，涂料材料沉积在晶片背面的中心并且以不同的速度 (每分钟的转数，“rpm”)旋转不同的时间段(秒，“S”)。使用七步骤方法(protocol)——其 中每一步骤具有不同的速度和时间间隔，在传统的旋转涂布过程期间产生下表中的数据。旋转涂布方法步骤1步骤2步骤3步骤4步骤5步骤6步骤7300 rpm400 rpm5 OOrpm700 rpm10001250150 rpm20 s20 s20 s20srpmrpm5 s40 s30 s比较实施例重量(克)重量(克)损耗百分比在步骤1之前在步骤7之后13.9052.43537.623.9452.33040.933.8952.33040.243.9922.36340.853.7042.32637.2发明实施例使用本发明的方法产生下表中的数据。可见，与传统的WBC方法相比，本发明方法4产生显著减少的涂料材料损耗。
权利要求
1.将涂料沉积到半导体晶片的整个背面上的方法，包括(a)提供半导体晶片，(b)将所述涂料沉积至所述晶片的所述背面上，其中所述涂料不沉积在所述晶片的边 缘，和其后(c)旋转所述晶片以便在步骤(b)中沉积的所述涂料流动至所述晶片的边缘，从而在 半导体晶片的整个背面上沉积涂料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂料是粘合剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述粘合剂包括马来酰亚胺、聚酯、(甲基)丙烯 酸酯、氨基甲酸乙酯、环氧树脂、乙烯基酯类、烯类、苯乙烯类、氧杂环丁烷类、苯并ρ恶嗪类或 喝唑啉。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂料通过丝网印刷或者模板印刷在步骤(b) 中被沉积。
5.将涂料沉积到半导体晶片的整个背面上的方法，包括(a)提供半导体晶片，(b)将所述涂料沉积至所述晶片的背面上，其中所沉积的涂料的径向范围小于所述晶 片的半径，和其后(c)旋转所述晶片以便在步骤(b)中沉积的所述涂料流动至所述晶片的边缘，从而在 所述半导体晶片的整个背面上沉积涂料。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述涂料是粘合剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述粘合剂选自马来酰亚胺、聚酯、(甲基)丙烯 酸酯，氨基甲酸乙酯、环氧树脂、乙烯基酯类、烯类、苯乙烯类、氧杂环丁烷类、苯并ρ恶嗪类或 夂恶唑啉。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述涂料通过丝网印刷或者模板印刷在步骤(b) 中被沉积。
9.在涂覆半导体晶片的背面时最小化涂料损耗的方法，包括(a)提供半导体晶片，(b)将涂料沉积至所述晶片的背面上，其中所述涂料的径向范围小于所述晶片的半径， 和其后(c)旋转所述晶片以便在步骤(b)中沉积的所述涂料流动至所述晶片的边缘，从而最 小化涂料损耗。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述涂料损耗小于分配至所述晶片的背面上的 涂料的总量的10%。
全文摘要
本发明提供将涂料沉积到半导体晶片整个背面上的方法。本发明的方法解决了一般与在半导体晶片背面上沉积涂料有关的不足。因为本发明的方法产生其中涂料自始至终地被分配至晶片边缘的晶片，所以使切割期间的芯片飞扬最小化，以及晶片破损和芯片破损最小化。另外，当与传统的旋转涂布方法相比时，本发明的方法导致损耗的显著减小。
文档编号H01L21/58GK102057473SQ200980121608
公开日2011年5月11日 申请日期2009年6月10日 优先权日2008年6月10日
发明者H·俞 申请人:汉高有限公司