专利名称：一种工艺件的去夹持装置和方法
技术领域：
本发明涉及包括静电夹盘的处理系统，尤其涉及在等离子体处理系统。
背景技术：
在半导体制造领域中，半导体工艺件需要在半导体处理系统中经过一系列的工序 处理而形成预定的结构，例如等离子体刻蚀机台或等离子体化学气相沉积机台。为了满足 工艺要求，不仅需要对工序处理过程进行严格地控制，还会涉及到半导体工艺件的装载和 去夹持。半导体工艺件的装载和去夹持是半导体工艺件处理的关键步骤。图1示出了现有技术的等离子体刻蚀机台，其仅采用升举顶针从静电夹盘去夹持 工艺件。具体地，在等离子体刻蚀机台100中，通过等离子体104来加工基片101。如图1 所示，在加工完成后，升举顶针103由驱动装置(未示出)推动穿出并超过静电夹盘102，然 后将基片101从静电夹盘102中抬起，以完成将基片从静电夹盘中去夹持的过程。现有技术仅采用升举顶针从静电夹盘中去夹持基片的机制有可能造成基片不可 逆转的损坏。众所周知，由于基片是由等离子体来加工完成的，在基片加工完成后在所述基 片上尤其在基片的底面上还会存在电荷。现有技术已揭示了对基片上的电荷进行放电的程 序，并且在理想状态下，对基片进行放电程序以后就可以对基片进行去夹持。然而，随着机 构老化，对基片进行放电程序后基片上仍有可能存在残余电荷。如图1所示，基片底面IOla通常仍存在残余电荷，所述残余电荷导致基片因和静 电夹盘102之间的静电产生一个向下的吸力将所述基片吸至静电夹盘上。由于升举顶针的 个数有限，其并不能均勻作用于整个基片背面。因此，在基片的某些没有升举顶针接触的部 位，向下的吸力大于升举顶针向上的推力，而在基片的其他部位由于升举顶针的直接接触， 升举顶针向上的推力大于向下的吸力，所述硅片会由于在局部扭曲受力而导致破损。并且， 由于升举顶针的推力是一个瞬时的力，其突然作用于基片有可能会导致基片突然弹离开静 电夹盘，这有可能导致基片受到所述弹力的损坏。进一步地，由于等离子体处理系统的空间 受限，上述去夹持机制仅采取有限个升举顶针，在实际应用中所述有限个升举顶针中的一 个或多个可能由于机构老化而抬起不完全或延迟甚至不能抬起，其可能进一步地导致基片 的倾斜或抬起不完全，从而导致基片和等离子体处理基片接触而造成损坏。因此，业内需要一种能够将基片可靠并稳定地从静电夹盘去夹持的去夹持机制， 本发明正是基于此提出的。
发明内容
针对背景技术中的上述问题，本发明提出了一种工艺件的去夹持方法和装置。根据本发明的第一方面，提供了一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件 从静电夹盘上去夹持的方法，其中，包括步骤a.提升升举装置使得所述升举装置接触于 所述工艺件的底面，以施加第一升举力至所述工艺件；步骤b.在所述工艺件底面与所述静 电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加第二升举力，其中，在一时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述工艺件，所述第一升举力和所述第二升举力共 同作用，将所述工艺件分离于所述静电夹盘。根据本发明的第二方面，提供了一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件 从静电夹盘去夹持的去夹持装置，其中，包括升举装置，其可移动地设置于所述工艺件下 方；供气装置，其设置于所述工艺件的下方；提升装置，其连接于升举装置，并提升所述升 举装置使得所述升举装置接触于所述工艺件的底面，以施加第一升举力至所述工艺件；气 压控制装置，其连接于供气装置，并在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以 向所述工艺件施加第二升举力；以及控制装置，其连接并控制所述提升装置和所述气压控 制装置，来控制所述第一升举力和所述第二升举力在时间段T内共同作用于所述工艺件， 所述第一升举力和所述第二升举力共同作用将所述工艺件分离于所述静电夹盘。根据本发明的第三方面，提供了一种包括静电夹盘的处理系统，其特征在于，所述 处理系统包括前述的去夹持装置。本发明将结合升举顶针和气压控制来同时作用于所述工艺件，其中，所述升举顶 针产生的推力稳定并且易于控制，所述气压控制产生的推力能够均勻地作用于基片底面， 由此使得本发明的去夹持机制更加有效可靠。
通过阅读以下结合附图对非限定性实施例的描述，本发明的其它目的、特征和优 点将变得更为明显和突出。图1为现有技术的等离子体刻蚀机台的示意图，其中，所述等离子体处理系统仅 采用升举顶针103来从静电夹盘去夹持基片101 ；图2为根据本发明的一个具体实施例的等离子体处理系统的示意图；图3为根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的步骤流程图；图4a、图4b为根据本发明的一个具体实施例的升举装置的示意图；图5为根据本发明的一个具体实施例的供气装置的示意图；图6a为根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的实施顺序示意图，其 中，先执行步骤S2后执行步骤S3 ；图6b为根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的实施顺序示意图，其 中，先执行步骤S3后执行步骤S2 ；图6c为根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的实施顺序示意图，其 中，同时执行步骤S2和步骤S3 ；图7是根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的步骤Sl的细节流程 图；图8是根据本发明的另一个具体实施例的基片去夹持方法的步骤流程图，图9是根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持装置的示意图。其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的步骤特征/装置(模块)。
具体实施例方式本发明第一方面提供了一种工艺件的去夹持方法，具体如下。
图2示出了根据本发明的一个具体实施例的等离子体处理系统的示意图，其中， 所述等离子体处理装置200典型地为等离子体刻蚀机台，其进一步地包括上电极、下电极、 处理腔室、RF电源、匹配电路等，本领域技术人员应该理解，在现有技术中已有成熟地用于 上述部件的方案，且均可以用于本发明以实现其既定的功能，为简明起见，不再一一赘述。 进一步地，所述等离子体刻蚀机台还包括位于基座(未示出)中的静电夹盘202，升举装置 203，供气装置205。所述静电夹盘202用于在等离子体刻蚀机台中固定基片201，所述升举 装置203和所述供气装置205用于从静电夹盘202中去夹持基片201。图3示出了根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的步骤流程图，下面 参照附图3并结合附图2来对本发明提供的一种工艺片的去夹持方法进行说明，具体如下。如图3所示，首先执行步骤S2，在半导体工艺件被等离子体刻蚀完成后，提升升举 装置使得所述升举装置接触于所述工艺件的底面，以施加第一升举力至所述基片。进一步地，所述升举装置包括一个或多个升举顶针，其中，所述步骤S2还包括如 下步骤将一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘的上表面，以向上施加第一升举 力至所述工艺件(所述工艺件特别地为一基片)。进一步地，所述升举顶针位于所述静电夹 盘之中。根据本发明的一个优选实施例，升举装置203包括一个或多个升举顶针和至少一 个升举杠杆，其中所述升举顶针的底端与升举杠杆紧密相连相连。其中，在本实施例中，所 述升举顶针和升举杠杆特别地是由导体材料或半导体材料制成的(所述升举顶针和升举 杠杆也可为绝缘材料)。图如和4b为根据本发明的一个具体实施例的升举装置的示意图， 如图如和4b所示，在本实施例中，所述升举装置203包括三个升举顶针，分别为第一升举 顶针203al、第二升举顶针203a2，第三升举顶针203a3，其底端分别与升举杠杆20 紧密相 连。需要说明的是，升举顶针的数目可以以实际操作中的需要进行设定，其并不局限于本实 施例。具体地，如图如和4b所示，首先驱动装置206驱动升举杠杆20北，使得所述升举 杠杆20 由水平线dl竖直地移动至水平线d2，其中，所述dl和d2之间的距离为d。由于 所述升举杠杆20 紧密连接于第一升举顶针201al、第二升举顶针201a2和第三升举顶针 201a3，其带动了上述升举顶针201al、201a2和201a3也竖直地移动了距离d。由此，升举顶 针201al、201a2和201a3被提升至超过所述静电夹盘202距离d，其第一顶端201al，、第二 顶端201a2’和第三顶端201a3’由于提升而与硅片底面201a紧密接触并向基片201施加 一个向上的第一升举力。需要说明的是，升举顶针位于静电夹盘之中不是必须的，其设置位置可根据实际 操作需要进行调整，其并不能局限于本实施例。然后执行步骤S3，在所述步骤S3中，在所述工艺件与所述静电夹盘之间提供一气 压，以向所述工艺件施加第二升举力。进一步地，所述步骤S3还包括如下步骤通过向朝向所述工艺件底面并设置于所 述静电夹盘之间的喷气孔通入气体来在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压， 以向所述工艺件施加向上的第二升举力。进一步地，所述喷气孔位于所述静电夹盘之中。根据本发明的一个优选实施例，所述等离子体刻蚀机台还进一步地包括一个供气 装置205，其包括一个或多个子管和至少一个总管，所述一个或多个自管分别汇总至总管，并与所述总管紧密相连。图5示出了根据本发明的一个具体实施例的供气装置的示意图， 如图5所示，在本实施例中，所述供气装置205包括四个子管，分别为第一子管20恥1，第二 子管20恥2，第三子管20恥3，第四子管20恥4，其底端分别与总管20 紧密相连。需要说明 的是，子管的数目可以以实际操作中的需要进行设定，例如，可根据需要产生气压的均勻性 进行选择，其并不局限于本实施例。具体地，如图5所示，首先向入气孔20 ’中通入气体，所述气体典型地为氦气 (Helium)。所述气体通过总管20 分别进入四个子管205bl、205b2、205b3和205b4，并通 过第一喷气孔20恥1，、第二喷气孔20恥2，、第三喷气孔20恥3，和第四喷气孔20恥4，喷向 基片底部201a。由于所述基片201和静电夹盘202之间是密闭空间，因此两者之间的气压 会增大。由于静电夹盘202的位置是固定不动的，气压的增大使得所述基片201受到一个 竖直向上的第二升举力而相对于所述静电夹盘202竖直向上移动。其中，可选地，所述等离子体刻蚀装置可进一步地包括一个通气装置(未示出)， 可以预先设定气体的通入量(SCCM, standard-state cubiccentimeter per minute,标况 毫升每分)，以产生既定的气压。其中，所述第一升举力和所述第二升举力共同作用，将所述基片202分离于所述 静电夹盘202，在时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述基片202。图6a 6c分别示出了根据本发明的一个具体实施例的基片去夹持方法的实施顺 序示意图的三种实施方式。如图6a所示的第一种实施方式，根据本发明的一个优选实施 例，首先在时间til t31之间执行S2，然后在时间t21 t41之间执行S3。其中，在时间段 T= Atl = t31-t21之内，所述步骤S2和步骤S3同时执行，即所述第一升举力和所述第二 升举力同时作用于所述基片202。按照第二种实施方式，如图6b所示，首先在时间tl2 t32之间执行S3，然后在时 间t22 t42之间执行S2。其中，在时间段T= At2 = t32-t22之内，所述步骤S2和步骤 S3同时执行，即所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述基片202。按照第三种实施方式，如图6c所示，同时时间113 t23之间执行S2和S3，S卩，在 时间段T = At3 = t23-tl3之内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述基片 202。应当理解，所述步骤S2和S3没有必然的先后顺序，只要在一定时间内能够同时执 行所述步骤S2和S3就能够实现本发明，其具体细节应按照实际操作和工艺要求进行相应调整。特别地，所述第一升举力和第二升举力的和的取值范围为所述第一升举力和第二 升举力的和大于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F，小于或等于力F的1. 5 倍。换言之，即，所述第一升举力和第二升举力的和的取值范围使得能够将所述工艺件成功 脱离所述静电夹盘，并且不致破损。所述破损的情况包括但不限于所述工艺片破碎，飞起， 弹开等。此外，所述第一升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电 夹盘的力F，所述第二升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹 盘的力F，所述时间段T的取值范围为1秒 30秒。本领域技术人员应当理解，在试图将基片从静电夹盘去夹持之前，一般会执行一个主要放电步骤，其用于将基片底面的主要电荷释放，以尽量减小最后的去夹持步骤的压 力。根据本发明的一个优选实施例，结合附图如、4b和附图7，所述步骤S2还进一步地 包括子步骤S21和S22 首先执行步骤S21，在所述步骤S21中，如图如所示，将第一升举顶针203al、第二 升举顶针203a2，第三升举顶针203a3同时提升至超过静电夹盘202，以接触位于所述静电 夹盘202上的基片。由于升举装置203与地直接相连(S卩，所述顶针203al、203a2和203a3 接地)，并且所述基片202是导电材料制成的，当所述升举装置203也是导电材料制成时，所 述基片202可以通过所述升举顶针203al、203a2和203a3进行放电。可选地，可以在所述 升举顶针和接地端之间设置至少一个开关装置208，以控制所述基片202的放电。具体地， 当关闭开关装置208时，对所述基片202的主要电荷进行放电；当开启开关装置208时，所 述基片202将不会对地放电。然后执行所述步骤S22，在所述步骤S22中，如图4b所示，继续提升第一升举顶针 203al、第二升举顶针203a2，第三升举顶针203a3，以施加第一升举力至所述基片202。所述 步骤S22的具体执行过程已在上文中进行具体描述，在此不再赘述。图8示出了根据本发明的另一个具体实施例的基片去夹持方法的步骤流程图。如 图8所示，可选地，根据本发明的一个变化例，还可以将基片的主要电荷的放电步骤设置于 步骤S2和S3之前，也即，在所述所述步骤Sl和S2之前还包括如下步骤SO 使基片放电。典型地，所述步骤SO还包括如下步骤通过气体喷头(showerhead)向等离子体刻 蚀机台反应腔室通入气体，开启连接于上电极的射频电源(Radio Frequency power)，使得 能够均勻地产生等离子体。需要说明的是，所述气体优选地为惰性气体，因为由此产生的等 离子体将不会使得基片上已制成的结构受到不必要的影响。在本实施例中，所述上电极是 接地的，由于所述等离子体是导电的，其能够为基片和上电极之间进行电荷传导，以使所述 基片上的主要电荷与所述等离子体接触，使电荷通过所述等离子体被导入至处理系统的接 地端，使得所述基片通过接地的上电极进行放电。本领域技术人员应该理解，在现有技术中 已有成熟地用于上述组件的方案，且均可以用于本发明以实现其既定的功能，为简明起见， 不再一一赘述。应当理解，上述描述仅针对本发明的一个具体实施方式
，基于使基片与等离子体 接触的放电方式，可以使得所述基片通过任何其他接地的组件进行放电，例如，通过接地的 约束环(confinement ring)。典型地，如图2所示，等离子体刻蚀机台还进一步地包括一个处理装置209，其能 够与升举装置203和供气装置205进行直接通信。进一步地，如图3所示，本发明的基片去 夹持方法还包括步骤Si，所述步骤Si具体地包括自步骤Sl和S4 首先，在步骤S2和S3之前执行Si，在所述控制装置205中预先设定基片201的升 举高度d。然后，在所述步骤S2和S3之后执行S4，检测所述基片是否已经到达所述升举高 度d。可选地，可在第一水平线dl和第二水平线d2分别设置第一传感器207a和第二传感 器207b，所述传感器207a和207b用于检测升举装置提升的距离。其中，所述第一水平线 dl典型地为升举装置203的初始位置，所述第二水平线d2被设置为与所述水平线dl距离
8升举高度d的位置，换言之，所述水平线dl和d2之间的距离为所述基片202预设为要到达 的升举高度d。需要说明的是，参照图4b，在本实施例中，由于所述升举装置203的材料为 硬性材料，并且当所述基片202被抬升之后其与所述基片202是紧密接触的，则所述升举装 置203被提升的高度等同于基片202被升举的高度。具体地，首先，所述处理装置209分别 控制驱动装置206带动所述升举装置203开始移动，以及控制供气装置205开始启动。当 所述控制当所述第一传感器207b检测到所述升举装置203开始移动并离开所述第一水平 线dl，即发送第一检测信号至所述处理装置209。然后，当所述第二传感器207b检测到升 举装置203已经到达预先设定的第二水平线d2，则发送第二检测信号至所述处理装置209， 所述处理装置209于是判断基片202已经到达所述升举高度d，则指示所述升举装置203和 所述供气装置205停止向所述基片202施加第一升举力和第二升举力。进一步地，所述传感器207a和207b检测基片检测升举装置升举高度的方式包括 但不限于光电感应、红外线、蓝牙。上述实施例为本发明的一个优选实施例，应当理解，由于基片是在等离子体刻蚀 机台的腔室中进行制程，所述腔室之中是同入反应气体以产生等离子体对所述基片进行加 工的空间，为了避免影响制程并防止装置被污染，本实施例将第一传感器207a和第二传感 器207b设置于基片下方，隔离于所述腔室。但是，所述传感器或其他检测基片升举距离的 装置的位置并不局限于本实施例。进一步地，所述升举高度d的取值范围为5毫米 50毫米。根据本发明的一个优选实施例，在执行步骤S2和步骤S3同时还执行对基片上的 残余电荷进行辅助放电步骤，即，持续在处理系统内通入等离子体，使所述工艺件上的电荷 与所述等离子体接触，使电荷通过所述等离子体被导入至处理系统的接地端，对所述工艺 件上的电荷进行放电。具体地，持续通过气体喷头向等离子体刻蚀机台反应腔室通入气体， 开启连接于上电极的射频电源，使得能够均勻地产生等离子体。所述辅助放电步骤的放电 机制在前述的步骤SO中已有详细描述，为简明起见，在此不再赘述。本发明第二方面提供了一种去夹持的装置。图9示出了根据本发明的一个具体 实施例的基片去夹持装置的示意图，参照图9结合图2，所述去夹持装置300包括提升装置 301，其连接于等离子体刻蚀机台200中的升举装置304 (也即图2所示的203)，并提升所述 升举装置304使得所述升举装置203接触于所述工艺件的底面201a，以施加第一升举力至 所述工艺件201 ；气压控制装置302，其连接于等离子体刻蚀机台200中的供气装置305 (也 即图2所示的20 ，并在所述工艺件底面20 与所述静电夹盘202之间的提供一气压，以 向所述工艺件201施加第二升举力；以及控制装置303，其连接于所述提升装置301和所述 气压控制装置302，并控制所述第一升举力和所述第二升举力在时间段T内共同作用于所 述工艺件201，所述第一升举力和所述第二升举力共同作用将所述工艺件201分离于所述 静电夹盘202。所述去夹持装置300还包括升举装置304和供气装置305。进一步地，所述升举装置203包括一个或多个升举顶针，所述提升装置将所述一 个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘，以施加第一升举力至所述工艺件。其中，如图 2所示，在本实施例中，典型地为三个升举顶针，分别为第一升举顶针203al、第二升举顶针 203a2，第三升举顶针203a3。 进一步地，所述供气装置205包括一个或多个喷气孔，所述气压控制装置205通过向朝向所述工艺件201并设置于所述静电夹盘202之中的所述一个或多个喷气孔通入气体 来在所述工艺件底面201a与所述静电夹盘202之间提供一气压，以向所述工艺件201施加
第二升举力。特别地，所述第一升举力和第二升举力的和大于或等于使所述工艺件刚好脱离所 述静电夹盘的力F，小于或等于力F的1.5倍。换言之，即，所述第一升举力和第二升举力的 和的取值范围使得能够将所述工艺件成功脱离所述静电夹盘，并且不致破损。所述破损的 情况包括但不限于所述工艺片破碎，飞起，弹开等。此外，所述第一升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电 夹盘的力F ；所述第二升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹 盘的力F ；所述时间段T的取值范围为1秒 30秒。进一步地，所述提升装置301将所述升举装置203可移动地提升至超过所述静电 夹盘202的上表面，以接触位于所述静电夹盘202上的工艺件的底面201a。其中，所述升举 装置由导电材料制成，并连接于开关装置208，所述开关装置208设置于所述升举装置203 和接地端之间，使得所述工艺件通过所述一个或多个升举顶针进行放电。需要说明的是，具体将工艺件从经典夹盘中去夹持的细节已在前文中进行详细描 述，本发明第二方面提供的一种去夹持的装置所执行的去夹持过程与前述过程无异，为简 明起见，不再赘述。此外，本领域技术人员应该理解，在现有技术中已有成熟地用于上述装置的软件、 硬件以及软硬件结合的方案，且均可以用于本发明以实现其既定的功能，为简明起见，不再
一一赘述。本发明的第三方面提供了一种包括静电夹盘的处理系统，所述处理系统包括如上 所述的去夹持装置。本发明将结合升举顶针和气压控制来同时作用于所述工艺件，其中，所述升举顶 针产生的推力稳定并且易于控制，所述气压控制产生的推力能够均勻地作用于基片底面， 由此使得本发明的去夹持机制更加有效可靠。在本发明的第一具体实施例中，第一升举力为20psi，第二升举力为15t0rr，升举 高度为3mm，抬起时间为0. lsec。在本发明的第二实施例中，第一升举力为25psi，第二升举力为Storr，升举高度 为8mm，抬起时间为0. 3sec。在本发明的第三具体实施例中，第一升举力为35psi，第二升举力为7t0rr，升举 高度为11mm，抬起时间为0.如ec。在本发明的第四具体实施例中，第一升举力为55psi，第二升举力为5t0rr，升举 高度为13mm，抬起时间为0. kec。在本发明的第四具体实施例中，第一升举力为50psi，第二升举力为etorr，升举 高度为12mm，抬起时间为0. kec。以上对本发明的各个实施例进行了详细说明。需要说明的是，上述实施例仅是示 范性的，而非对本发明的限制。任何不背离本发明的精神的技术方案均应落入本发明的保 护范围之内。此外，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求；“包括” 一词不排除其它权利要求或说明书中未列出的装置或步骤；“第一”、“第二”等词语仅用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
权利要求
1.一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件从静电夹盘上去夹持的方法，其 中，包括步骤a.提升升举装置使得所述升举装置接触于所述工艺件的底面，以施加第一升举 力至所述工艺件；步骤b.在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加第二升举力；其中，在一时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述工艺件，所 述第一升举力和所述第二升举力共同作用，将所述工艺件分离于所述静电夹盘。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升举装置包括一个或多个升举顶针， 其中，所述步骤a还包括如下步骤将一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘的上表面，以向上施加第一升举力至 所述工艺件。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b还包括如下步骤-通过向朝向所述工艺件底面并设置于所述静电夹盘之中的喷气孔通入气体来在所述 工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加向上的第二升举力。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一升举力和第二升举力 的和大于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F，小于或等于力F的1. 5倍。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一升举力的取值范围为小于或等 于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二升举力的取值范围为小于或等 于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述时间段T的取值范围为1秒 30秒。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述升举装置包括一个或多个由导体 材料或半导体材料制成的升举顶针，所述处理系统还包括一个开关装置，所述开关装置位 于所述一个或多个升举顶针和接地端之间，所述步骤a还进一步地包括如下步骤al.将所述一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘的上表面，以接触位于所述 静电夹盘上的工艺件的底面，切换所述开关装置使得所述工艺件上的电荷通过所述一个或 多个升举顶针接地进行放电；a2.继续提升所述一个或多个升举顶针，以施加第一升举力至所述工艺件。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤a和步骤b之前还包括如下步骤步骤1.对所述工艺件上的电荷进行放电。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤1还包括如下步骤-在处理系统内通入等离子体，使所述工艺件上的电荷与所述等离子体接触，使电荷通 过所述等离子体被导入至处理系统的接地端，对所述工艺件上的电荷进行放电。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤 步骤Al.预先设定工艺件的升举高度；步骤A2.检测工艺件是否已经到达所述升举高度，-如工艺件已经到达所述升举高度，则停止向工艺件施加所述第一升举力和第二升举力。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述步骤a和b同时还包括如下 步骤-持续在处理系统内通入等离子体，使所述工艺件上的电荷与所述等离子体接触，使电 荷通过所述等离子体被导入至处理系统的接地端，对所述工艺件上的电荷进行放电。
13.一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件从静电夹盘去夹持的去夹持装 置，其中，包括升举装置，其可移动地设置于所述工艺件下方；供气装置，其设置于所述工艺件的下方；提升装置，其连接于升举装置，并提升所述升举装置使得所述升举装置接触于所述工 艺件的底面，以施加第一升举力至所述工艺件；气压控制装置，其连接于供气装置，并在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一 气压，以向所述工艺件施加第二升举力；以及控制装置，其连接并控制所述提升装置和所述气压控制装置，来控制所述第一升举力 和所述第二升举力在时间段T内共同作用于所述工艺件，所述第一升举力和所述第二升举 力共同作用将所述工艺件分离于所述静电夹盘。
14.根据权利要求13所述的去夹持装置，其特征在于，所述升举装置包括一个或多个 升举顶针，所述提升装置将所述一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘，以施加第 一升举力至所述工艺件。
15.根据权利要求13所述的去夹持装置，其特征在于，所述供气装置包括一个或多个 喷气孔，所述气压控制装置通过向朝向所述工艺件并设置于所述静电夹盘之中的所述一个 或多个喷气孔通入气体来在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工 艺件施加第二升举力。
16.根据权利要求13至15任一项所述的去夹持装置，其特征在于，所述第一升举力和 第二升举力的和大于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F，小于或等于力F 的1.5倍。
17.根据权利要求16所述的去夹持装置，其特征在于，所述第一升举力的取值范围为 小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。
18.根据权利要求16所述的去夹持装置，其特征在于，所述第二升举力的取值范围为 小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。
19.根据权利要求13所述的去夹持装置，其特征在于，所述时间段T的取值范围为1 秒 30秒。
20.根据权利要求13或14所述的去夹持装置，其特征在于所述提升装置将所述升举装置可移动地提升至超过所述静电夹盘的上表面，以接触位 于所述静电夹盘上的工艺件的底面，其中，所述升举装置由导电材料制成，并连接于开关装置，所述开关装置设置于所述升 举装置和接地端之间，使得所述工艺件通过所述一个或多个升举顶针进行放电。
21.一种包括静电夹盘的处理系统，其特征在于，所述处理系统包括根据权利要求13 至20任一项所述的去夹持装置。
全文摘要
本发明提供了一种工艺件的去夹持装置和方法，其中，分别采取提供升举装置和在所述工艺件与所述静电夹盘之间提供一气压，以分别向所述工艺件施加第一升举力和第二升举力，其中，在时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述工艺件。此外，本发明还提供了一种包括上述去夹持装置的处理系统。本发明结合升举装置和气压控制来同时作用于所述工艺件，使得其去夹持机制更加有效可靠。
文档编号H01L21/683GK102148180SQ20101010800
公开日2011年8月10日 申请日期2010年2月9日 优先权日2010年2月9日
发明者倪图强, 倪晟, 孟双, 王晔 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司