半导体装置及其制造方法

专利名称：：半导体装置及其制造方法
技术领域：
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技术领域：
涉及半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法。该
技术领域：
特别涉及具有使用氧化物半导体的薄膜晶体管(以下称为TFT)的半导体装置。
背景技术：
：目前，使用非晶硅等硅层作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)广泛用于以液晶显示装置为代表的显示装置的开关元件。使用非晶硅的薄膜晶体管具有如下特性虽然其场效应迁移率低，但是可以对应于玻璃基板的大面积化。另外，近年来，通过使用显示半导体特性的金属氧化物制造薄膜晶体管，而将它应用于电子装置和光装置的技术受到关注。例如，已知在金属氧化物中，尤其是氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等显示半导体特性。使用由这种金属氧化物构成的透明半导体层作为沟道形成区域的薄膜晶体管已被公开(例如，参照专利文献1)。另外，正在研究如下技术晶体管的沟道层由透光氧化物半导体层形成，并且栅电极、源电极、漏电极也由透光透明导电膜形成，以提高开口率(例如，参照专利文献2)。通过提高开口率，能够提高光利用效率，并实现显示装置的省电化及小型化。另一方面，从显示装置的大型化、对便携式设备的应用的观点来看，在被要求提高开口率的同时，还被要求进一步降低耗电量。另外，作为对电光元件的透明电极的金属辅助布线的布线方法，已知如下布线方法在透明电极上和下之任一方，金属辅助布线和透明电极重叠为实现与透明电极的导通(例如，参照专利文献3)。另外，已知如下结构设置在有源矩阵基板上的附加电容电极由ΙΤ0、SnO2等透明导电膜构成，并且将由金属膜构成的辅助布线设置为与附加电容用电极接触，以减小附加电容用电极的电阻(例如，参照专利文献4)。另外，已知如下技术在使用非晶氧化物半导体膜的场效应晶体管中，形成栅电极、源电极和漏电极的各电极的材料可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物、ZnO,SnO2等透明电极、Al、Ag、Cr、Ni、Mo、Au、Ti、Ta等金属电极或包括它们的合金的金属电极等，并且还可以采用该电极的两层以上的层叠来降低接触电阻或者提高界面强度(例如，参照专利文献5)。另外，已知如下技术作为使用非晶氧化物半导体的晶体管的源电极、漏电极和栅电极、辅助电容电极的材料，可以使用铟(In)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)等金属、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氧化铟镉(CdIn2O4)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、氧化锌锡(Zn2SnO4)等氧化物材料，并且栅电极、源电极和漏电极的材料既可完全相同又可不相同(例如，参照专利文献6和7)。专利文献1日本专利申请公开2004-103957号公报专利文献2日本专利申请公开2007-81362号公报专利文献3日本专利申请公开平2-82221号公报专利文献4日本专利申请公开平2-310536号公报专利文献5日本专利申请公开2008-243928号公报专利文献6日本专利申请公开2007-109918号公报专利文献7日本专利申请公开2007-115807号公报
发明内容鉴于上述课题，在本说明书等(至少包括说明书、权利要求书和附图)中公开的发明的一个方式的目的在于提供一种高开口率的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种低耗电量的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种低布线电阻的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种减少信号波形的畸变的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种高导电率的布线。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种高透射率的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种实现大屏幕化的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种抑制工序数增加的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种对比度提高的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种布局自由度大的半导体装置。或者，所公开的发明的一个方式的目的在于提供一种S值(即，subthresholdswingvalue)小的半导体装置。注意，这些目的并不妨碍其他目的的存在。另外，所公开的发明的一个方式不一定需要解决所有上述课题。在本说明书等中公开的发明的一个方式中，使用透光材料形成晶体管。更详细地说，采用如下技术方案。在本说明书等中公开的发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有绝缘面的基板；设置在基板上的透光第一电极(源电极)；设置在基板上的透光第二电极(漏电极)；设置为电连接于第一电极及第二电极的透光半导体层(半导体层)；电连接于第一电极的第一布线(源极布线)；至少覆盖半导体层而设置的绝缘层(栅极绝缘层)；设置在重叠于半导体层的绝缘层的一部分上的透光第三电极(栅电极)；以及电连接于第三电极的第二布线(栅极布线)。另外，在本说明书等中公开的发明的另一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括在具有绝缘面的基板上层叠形成透光第一导电层和第二导电层；在第二导电层上形成第一掩模；使用第一掩模蚀刻第一导电层来形成第一电极及第二电极，并蚀刻第二导电层来形成第三导电层；使第一掩模缩小，以形成第二掩模；使用第二掩模蚀刻第三导电层来形成第一布线；形成电连接于第一电极及第二电极的透光半导体层；覆盖半导体层地形成绝缘层；在绝缘层上层叠形成透光第四导电层和第五导电层；在第五导电层上形成第三掩模；使用第三掩模蚀刻第四导电层来形成第三电极，并蚀刻第五导电层来形成第六导电层；使第三掩模缩小，以形成第四掩模；以及使用第四掩模蚀刻第六导电层来形成第二布线。另外，在上述技术方案中，还可以设置电连接于第二电极的透光第四电极(像素电极)。另外，还可以设置第五电极(电容电极)和第三布线(电容布线)，该第五电极设置为在第五电极与第二电极的一部分之间夹着绝缘层重叠于第二电极的一部分并由与第三电极相同的层形成，而该第三布线电连接于第五电极并由与第二布线相同的层形成。另外，在上述技术方案中，半导体层优选包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。另夕卜，第一电极、第二电极和第三电极的每一个优选由铟锡氧化物、包含氧化硅的铟锡氧化物、有机铟、有机锡、氧化锌、氮化钛、包含氧化锌的铟锌氧化物、在氧化锌中添加有镓的材料、氧化锡、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物和包含氧化钛的铟锡氧化物中的任何一种形成。另外，在上述技术方案中，第一布线和第二布线优选具有遮光性。另外，优选的是，在第一布线与第二布线的交叉部分中设置由与半导体层相同的层形成的层。由此，能够降低起因于布线交叉而产生的电容，从而能够抑制信号波形的畸变。尤其是在大型半导体装置中，该效果很明显。注意，作为可以应用于在本说明书等中公开的发明的氧化物半导体的一例，有以InMo3(ZnO)m(m>)表示的氧化物半导体。在此，M是指选自镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、猛(Mn)及钴(Co)中的一种金属元素或者多种金属元素。例如，在选择Ga作为M时有如下情况只选择Ga的情况；除了Ga以外，还选择上述金属元素的情况如Ga和Ni、Ga和Fe等。另外，在上述氧化物半导体中有如下氧化物半导体除了作为M而包含的金属元素之外，还包含作为杂质元素的Fe、Ni或其他过渡金属元素或该过渡金属的氧化物。在本说明书等中，在上述氧化物半导体中，作为M至少包含镓的氧化物半导体有时被称为In-Ga-Zn-O类氧化物半导体，而使用该材料的薄膜被称为In-Ga-Zn-O类非单晶膜。再者，在上述技术方案中，通过使用多灰度级掩模，能够使用一个掩模(中间掩模)形成透光区域(透射率高的区域)和非透光区域(透射率低的区域)。由此，能够抑制掩模数的增加。注意，在本说明书等中，半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置，并且半导体电路、显示装置、电光装置、发光显示装置以及电子设备等都包括在半导体装置中。另外，在本说明书等中，显示装置指的是图像显示装置、发光装置或光源(包括照明装置)。这里，安装有如FPC(柔性印刷电路)、TAB(带式自动接合)胶带或者TCP(带载封装)等连接件的模块、在TAB胶带或者TCP的端部设置有印刷线路板的模块、或者通过COG(玻璃上芯片安装)方式对显示元件直接安装了IC(集成电路)的模块等都包括在显示装置中。另外，可以使用各种方式的开关。例如有电子开关或机械开关等。换言之，只要它能够控制电流的流动即可，而不局限于特定开关。例如，作为开关，可以使用晶体管(例如，双极晶体管或MOS晶体管等)、二极管(例如，PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、MIM(MetalInsulatorMetal金属-绝缘体-金属)二极管、MIS(MetalInsulatorSemiconductor金属-绝缘体-半导体)二极管、二极管连接的晶体管等)等。或者，可以使用组合它们后的逻辑电路作为开关。作为机械开关的例子，有像数字微镜装置(DMD)那样，利用MEMS(微电子机械系统)技术的开关。该开关具有以机械方式可动的电极，并且因该电极动作而控制导通和非导通而工作。在使用晶体管作为开关的情况下，由于该晶体管用作简单的开关，因此对晶体管的极性(导电类型)没有特别限制。然而，在想要抑制截止电流时，优选采用具有较小截止电流的极性的晶体管。作为截止电流较小的晶体管，有具有LDD区的晶体管或具有多栅极结构的晶体管等。或者，当在用作开关的晶体管的源极端子的电位接近于低电位侧电源(Vss、GND、OV等)的电位的数值的情况下使它工作时，优选采用N沟道型晶体管。相反，当在源极端子的电位接近于高电位侧电源(Vdd等)的电位的数值的情况下使它工作时，优选采用P沟道型晶体管。这是因为如下缘故当N沟道型晶体管在源极端子接近于低电位侧电源的电位的数值的情况下使它工作时，并且当P沟道型晶体管在源极端子接近于高电位侧电源的电位的数值的情况下使它工作时，可以增大栅极-源极间电压的绝对值，因此开关能够更精确地工作。再者，这是因为晶体管进行源极跟随工作的情况较少，所以导致输出电压变小的情况较少。另外，可以通过使用N沟道型晶体管和P沟道型晶体管双方形成CMOS型开关作为开关。当采用CMOS型开关时，因为若P沟道型晶体管或N沟道型晶体管中的某一方的晶体管导通则电流流动，因此作为开关更容易起作用。例如，无论输入开关的输入信号的电压是高或低，都可以适当地输出电压。而且，由于可以降低用于使开关导通或截止的信号的电压幅度值，所以还可以减少耗电量。另外，在将晶体管用作开关的情况下，开关具有输入端子(源极端子和漏极端子中的一方)、输出端子(源极端子和漏极端子中的另一方)以及控制导通的端子(栅极端子)。另一方面，在将二极管用作开关的情况下，开关有时不具有控制导通的端子。因此，与将晶体管用作开关的情况相比，通过将二极管用作开关的情况可以减少用于控制端子的布线。另外，当明确地记载“A和B连接”时包括如下情况A和B电连接的情况；A和B以功能方式连接的情况；以及A和B直接连接的情况。在此，A和B为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。因此，预定的连接关系还包括附图或文章所示的连接关系以外的连接关系，而不局限于如附图或文章所示的连接关系。例如，在A和B电连接时，也可以在A和B之间连接有一个以上的能够电连接A和B的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管等)。或者，在A和B以功能方式连接时，也可以在A和B之间连接有一个以上的能够以功能方式连接A和B的电路(例如，逻辑电路(反相器、NAND电路、NOR电路等)、信号转换电路(DA转换电路、AD转换电路、Y校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转移电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号幅度或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。例如，即使在A与B之间夹有其它电路，也能够看作A和B以功能方式连接，只要从A输出的信号传输到B。另外，在明确地记载“A和B电连接”时，包括如下情况A和B电连接(S卩，A和B连接且在其中间夹有其它元件或其它电路)的情况；A和B以功能方式连接(即，A和B以功能方式连接且在其中间夹有其它电路)的情况；以及，A和B直接连接(S卩，A和B连接且其中间不夹有其它元件或其它电路)的情况。总之，明确地记载“电连接”的情况与只是简单地记载“连接”的情况相同。另外，作为显示元件、具有显示元件的装置的显示装置、发光元件以及作为具有发光元件的装置的发光装置，可以采用各种方式和各种元件。例如，作为显示元件、显示装置、发光元件或发光装置，可以采用利用电磁作用来改变对比度、亮度、反射率、透射率等的显示介质，如EL元件(包含有机物及无机物的EL元件、有机EL元件、无机EL元件)、LED(白色LED、红色LED、绿色LED、蓝色LED等)、晶体管(根据电流而发光的晶体管)、电子发射元件、液晶元件、电子墨水、电泳元件、光栅阀(GLV)、等离子体显示器(PDP)、数字微镜装置(DMD)、压电陶瓷显示器、碳纳米管等。此外，作为使用EL元件的显示装置，可以举出EL显示器等，作为使用了电子发射元件的显示装置，可以举出场致发光显示器(FED)或SED方式平面型显示器(SED，即Surface-conductionElectron-emitterDisplay表面传导电子发射显示器)等，作为使用液晶元件的显示装置，可以举出液晶显示器(透射型液晶显示器、半透射型液晶显示器、反射型液晶显示器、直观型液晶显示器、投射型液晶显示器)等，并且作为使用了电子墨水或电泳元件的显示装置，可以举出电子纸等。另外，EL元件是具有阳极、阴极以及夹在阳极和阴极之间的EL层的元件。另外，作为EL层，可以使用利用来自单重态激子的发光(荧光)的层、利用来自三重态激子的发光(磷光)的层、包括利用来自单重态激子的发光(荧光)和利用来自三重态激子的发光(磷光)的层、利用有机物形成的层、利用无机物形成的层、包括利用有机物形成的层和利用无机物形成的层的层、高分子材料、低分子材料以及包含高分子材料和低分子材料的层等。然而，不局限于此，可以使用各种元件作为EL元件。另外，电子发射元件是将高电场集中到阴极并抽出电子的元件。例如，作为电子发射元件，可以使用Spindt型、碳纳米管(CNT)型、层叠有金属-绝缘体-金属的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、层叠有金属-绝缘体-半导体的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、薄膜二极管型、金刚石型、表面传导发射S⑶型、金属-绝缘体-半导体-金属型等的薄膜型、HEED型、EL型、多孔硅型、表面传导(SCE)型等。然而，不局限于此，可以使用各种元件作为电子发射元件。另外，液晶元件是利用液晶的光学调制作用来控制光的透过或非透过的元件，是利用一对电极及液晶构成的。另外，液晶的光学调制作用由施加到液晶的电场(包括横向电场、纵向电场或倾斜电场)控制。另外，作为液晶元件，可以举出向列相液晶、胆留醇液晶、近晶相液晶、盘状液晶、热致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、强电性液晶、反强电性液晶、主链型液晶、侧链型高分子液晶、等离子体寻址液晶(PALC)、香蕉型液晶等。另外，作为液晶的驱动方式，可以使用TNCTwistedNematic扭转向列)模式、STN(SuperTwistedNematic超扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching平面内切换)模式、FFS(FringeFieldSwitching边缘场切换)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment多象限垂直配向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment垂直取向构型)模式、ASV(AdvancedSuperView流动超视觉)模式、ASM(AxialIySymmetricalignedMicro-cell轴对称排列微胞)模式、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence光学补偿弯曲)模式、ECB(ElectricallyControlledBirefringence电控双折射)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal铁电性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal反铁电性液晶)模式、PDLC(PolymerDispersedLiquidCrystal聚合物分散液晶)模式、宾主模式、蓝相(BluePhase)模式等。然而，不局限于此，可以使用各种液晶元件及其驱动方法。另外，电子纸的显示方法是指利用分子来进行显示(如光学各向异性和染料分子取向等)；利用粒子来进行显示(如电泳、粒子移动、粒子旋转、相变等)；通过移动薄膜的一个边缘而进行显示；利用分子的发色/相变来进行显示；通过分子的光吸收而进行显示；电子和空穴相结合而自发光来进行显示等。例如，作为电子纸，可以使用微胶囊型电泳、水平移动型电泳、垂直移动型电泳、球状扭转球、磁性扭转球、圆柱扭转球、带电色粉、电子粉液体、磁泳型、磁热敏式、电润湿、光散射(透明_白浊转变)、胆留醇液晶/光导电层、胆甾醇液晶、双稳态向列相液晶、强电液晶、二色性色素·液晶分散型、可动薄膜、无色染料发消色、光致变色、电致变色、电沉积、柔性有机EL等。然而，不局限于此，可以使用各种电子纸及其显示方法。在此，可以通过使用微胶囊型电泳，解决迁移粒子的凝集和沉淀，即电泳方式的缺点。电子粉液体具有高响应性、高反射率、广视角、低耗电量、存储性等的优点。另外，等离子体显示器具有如下结构，即以较窄的间隔使表面形成有电极的基板和表面形成有电极及微小的槽且在该槽内形成有荧光体层的基板对置，并装入稀有气体。或者，等离子体显示器还可以具有从等离子管子的上下由薄膜状电极夹住等离子体管子的结构。等离子体管子是在玻璃管子内密封放电气体、RGB每一个的荧光体等而得到的。而且，通过在电极之间施加电压产生紫外线，并使荧光体发光，可以进行显示。等离子体显示器可以是DC型PDP、AC型PDP。在此，作为等离子体显示器的驱动方法，可以使用AffS(AddressWhileSustain地址同时显示)驱动；将子帧分为复位期间、地址期间、维持期间的ADS(AddressDisplayS印arated地址显示分离)驱动；CLEAR(High-Contrast，LowEnergyAddressandReductionofFalseContourSequence低能量地址禾口减小动态假轮廓)驱动；ALIS(AlternateLightingofSurfaces交替发光表面)方式；TERES(TechnologyofReciprocalSustainer倒易维持技术)驱动等。然而，不局限于此，可以使用各种等离子体显示器的驱动方法。另外，需要光源的显示装置，例如液晶显示器(透射型液晶显示器、半透射型液晶显示器、反射型液晶显示器、直观型液晶显示器、投射型液晶显示器)、利用光栅阀(GLV)的显示装置、利用微镜装置(DMD)的显示装置等的光源，可以使用电致发光、冷阴极管、热阴极管、LED、激光光源、汞灯等。然而，不局限于此，可以使用各种光源作为光源。此外，作为晶体管，可以使用各种方式的晶体管。因此，对所使用的晶体管的种类没有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也称为microcrystal，纳米晶体、半非晶(semi-amorphous))硅等为代表的非单晶半导体膜的薄膜晶体管(TFT)等。在使用TFT的情况下，具有各种优点。例如，因为可以在比使用单晶硅时低的温度下制造TFT，因此可以实现制造成本的降低、或制造设备的大型化。由于可以扩大制造设备，所以可以在大型基板上制造。因此，可以同时制造多个显示装置，且可以抑制制造成本。再者，由于制造温度低，因此可以使用低耐热性基板。由此，可以在玻璃基板等透光基板上制造晶体管。并且，可以通过使用形成在透光基板上的晶体管来控制显示元件的光透过。或者，因为晶体管的膜厚较薄，所以构成晶体管的膜的一部分能够透过光。因此，可以提高开口率。另外，当制造多晶硅时，可以通过使用催化剂(镍等)进一步提高结晶性，从而能够制造电特性良好的晶体管。其结果是，可以在基板上一体地形成栅极驱动电路(扫描线驱动电路)、源极驱动电路(信号线驱动电路)以及信号处理电路(信号产生电路、Y校正电路、DA转换电路等)。另外，当制造微晶硅时，可以通过使用催化剂(镍等)进一步提高结晶性，从而能够制造电特性良好的晶体管。此时，仅通过进行加热处理而不进行激光照射，就可以提高结晶性。其结果是，可以在基板上一体地形成源极驱动电路的一部分(模拟开关等)以及栅极驱动电路(扫描线驱动电路)。再者，当为了实现结晶化而不进行激光照射时，可以抑制硅结晶性的不均勻。因此，可以进行高质量的显示。另外，可以制造多晶硅或微晶硅而不使用催化剂(镍等)。另外，虽然优选在整个面板上使硅的结晶性提高到多晶或微晶等，但不局限于此。也可以只在面板的一部分区域中提高硅的结晶性。通过选择性地照射激光，可以选择性地提高结晶性。例如，也可以只对作为像素以外的区域的外围电路区域照射激光。或者，也可以只对栅极驱动电路及源极驱动电路等的区域照射激光。或者，也可以只对源极驱动电路的一部分(例如模拟开关)的区域照射激光。其结果是，可以只在需要使电路高速地进行工作的区域中提高硅的结晶性。由于不需要使像素区域高速地工作，所以即使不提高结晶性，也可以使像素电路工作而不发生问题。由于提高结晶性的区域较少就够了，所以也可以缩短制造工序，且可以提高处理量并降低制造成本。另外，由于所需要的制造装置的数量较少，所以可以降低(不增加)制造成本。或者，可以使用半导体基板或SOI基板等来形成晶体管。通过这样，可以制造特性、尺寸及形状等的不均勻性低、电流供给能力高且尺寸小的晶体管。如果使用这些晶体管，则可以谋求电路的低耗电量化或电路的高集成化。或者，可以使用具有ZnO、a-1nGaZnO、IZO、ITO、SnO、Ti0、A1ZnSnO(AZTO)等的化合物半导体或氧化物半导体的晶体管，或对这些化合物半导体或氧化物半导体进行薄膜化后的薄膜晶体管等。通过这样，可以降低制造温度，例如可以在室温下制造晶体管。其结果是，可以在低耐热性基板、如塑料基板或薄膜基板上直接形成晶体管。此外，这些化合物半导体或氧化物半导体不仅可以用于晶体管的沟道部分，而且还可以作为其它用途来使用。例如，这些化合物半导体或氧化物半导体可以作为电阻元件、像素电极、透光电极来使用。再者，由于它们可以与晶体管同时成膜或形成，所以可以降低成本。另外，还可以使用SiGe、GaAs等半导体。或者，可以使用通过喷墨法或印刷法而形成的晶体管等。通过这样，可以在室温下进行制造，以低真空度进行制造，或在大型基板上进行制造。由于即使不使用掩模(中间掩模)也可以制造晶体管，所以可以容易地改变晶体管的布局。再者，由于不需要抗蚀剂，所以可以减少材料费用，并减少工序数量。并且，因为只在需要的部分上形成膜，所以与在整个面上形成薄膜之后进行蚀刻的制造方法相比，可以实现低成本且不浪费材料。或者，可以使用具有有机半导体或碳纳米管的晶体管等。通过这样，可以在能够弯曲的基板上形成晶体管。因此，能够增强使用了该基板的半导体装置的耐冲击性。再者，可以使用各种结构的晶体管。例如，可以使用MOS型晶体管、接合型晶体管、双极晶体管等来作为晶体管。通过使用MOS型晶体管，可以减少晶体管尺寸。因此，可以安装多个晶体管。通过使用双极晶体管，可以使大电流流过。因此，可以使电路高速地工作。此外，也可以将MOS型晶体管、双极晶体管等混合而形成在一个基板上。通过采用这种结构，可以实现低耗电量、小型化、高速工作等。除了上述以外，还可以采用各种晶体管。另外，可以使用各种基板形成晶体管。对基板的种类没有特别的限制。作为该基板，例如可以使用单晶基板(如硅基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、金属基板、不锈钢基板、具有不锈钢箔的基板、钨基板、具有钨箔的基板、柔性基板等。作为玻璃基板的一个例子，可以举出钡硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃等。作为柔性基板的一个例子，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)为代表的塑料或丙烯酸树脂等具有柔性的合成树脂等。除了上述以外，可以举出贴合薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等制成)、由纤维状的材料制成的纸、基材薄膜(聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、无机蒸镀薄膜、纸类等)等。或者，也可以使用某个基板来形成晶体管，然后将晶体管转置到另一基板上，从而在另一基板上配置晶体管。作为晶体管被转置的基板，可以使用单晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、纸基板、玻璃纸基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纤维(丝、棉、麻)、合成纤维(尼龙、聚氨酯、聚酯)、或再生纤维(醋酯纤维、铜氨纤维、人造丝、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不锈钢基板、具有不锈钢箔的基板等。或者，也可以使用人等动物的皮肤(表皮、真皮)或皮下组织作为基板。或者，也可以使用某个基板形成晶体管，并抛光该基板以使其变薄。作为进行抛光的基板，可以使用单晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、不锈钢基板、具有不锈钢箔的基板等。通过使用这些基板，可以谋求形成特性良好的晶体管，形成低耗电量的晶体管，制造不容易被破坏的装置，赋予耐热性，并可以实现轻量化或薄型化。此外，可以采用各种结构的晶体管，而不局限于特定的结构。例如，可以采用具有两个以上的栅电极的多栅极结构。如果采用多栅极结构，则由于将沟道区串联连接，因而能够实现多个晶体管串联的结构。通过采用多栅极结构，可以降低截止电流，并能够提高晶体管的耐压性(提高可靠性)。或者，利用多栅极结构，当在饱和区工作时，即使漏极-源极间的电压变化，漏极_源极间电流的变化也不太大，从而可以获得斜率稳定的电压_电流特性。如果利用斜率稳定的电压-电流特性，则可以实现理想的电流源电路或电阻值非常高的有源负载。其结果是，可以实现特性良好的差动电路或电流反射镜电路。作为其他的例子，可以采用在沟道上下配置有栅电极的结构。因为通过采用在沟道上下配置有栅电极的结构，可以增加沟道区，所以可以增加电流值。或者，通过采用在沟道上下配置有栅电极的结构，容易得到耗尽层而可以谋求降低S值。另外，通过采用在沟道上下配置有栅电极的结构，能够得到多个晶体管并联的结构。也可以采用将栅电极配置在沟道区上的结构，或将栅电极配置在沟道区下的结构，正交错结构，反交错结构，将沟道区分割成多个区域的结构，并联沟道区的结构，或者串联沟道区的结构。而且，还可以采用在沟道区(或其一部分)源电极与漏电极重叠的结构。通过采用在沟道区(或其一部分)源电极与漏电极重叠的结构，可以防止因电荷聚集在沟道区的一部分而造成的工作不稳定。或者，可以采用设置有LDD区的结构。通过设置LDD区，可以谋求降低截止电流或提高晶体管的耐压性(提高可靠性)。或者，通过设置LDD区，当在饱和区工作时，即使漏极_源极之间的电压变化，漏极_源极之间电流的变化也不太大，从而可以获得斜率稳定的电压-电流特性。另外，作为晶体管，可以采用各种各样的类型，从而可以使用各种基板来形成。因此，为了实现预定功能所需要的所有电路可以形成在同一基板上。例如，为了实现预定功能所需要的所有电路也可以使用各种基板，如玻璃基板、塑料基板、单晶基板或SOI基板等来形成。通过将为了实现预定功能所需要的所有电路形成在同一基板上，可以通过减少零部件个数来降低成本，或可以通过减少与电路零部件之间的连接个数来提高可靠性。或者，也可以将为了实现预定功能所需要的电路的一部分形成在某个基板上，而为了实现预定功能所需要的电路的另一部分形成在另一个基板上。换言之，为了实现预定功能所需要的所有电路也可以不形成在同一基板上。例如，也可以利用晶体管将为了实现预定功能所需要的电路的一部分形成在玻璃基板上，而将为了实现预定功能所需要的电路的另一部分形成在单晶基板上，并通过COG(ChipOnGlass:玻璃上芯片)将由形成在单晶基板上的晶体管所构成的IC芯片连接到玻璃基板，从而在玻璃基板上配置该IC芯片。或者，也可以使用TAB(TapeAutomatedGlass卷带自动结合)或印刷电路板使该IC芯片和玻璃基板连接。像这样，通过将电路的一部分形成在同一基板上，可以通过减少零部件个数来降低成本、或可以通过减少与电路零部件之间的连接个数来提高可靠性。另外，驱动电压高的部分及驱动频率高的部分的电路，由于其耗电量高，因此不将该部分的电路形成在同一基板上，例如如果将该部分的电路形成在单晶基板上以使用由该电路构成的IC芯片，则能够防止耗电量的增加。另外，一个像素指的是能够控制明亮度的一个单元。因此，作为一个例子，一个像素指的是一个色彩单元，并用该一个色彩单元来表现明亮度。因此，在采用由R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)这些色彩单元构成的彩色显示装置的情况下，将像素的最小单位设置为由R的像素、G的像素、以及B的像素这三个像素构成的像素。再者，色彩单元并不局限于三种颜色，也可以使用三种以上的颜色，并且可以使用RGB以外的颜色。例如，可以加上白色来实现RGBW(W是白色)。另外，可以对RGB加上黄色、蓝绿色、紫红色、翡翠绿及朱红色等一种以上的颜色。例如，也可以对RGB加上类似于RGB中的至少一种的颜色。例如，可以采用R、G、B1、B2。Bl和B2虽然都是蓝色，但是其波长稍微不同。与此同样，可以采用R1、R2、G、B。通过采用这种色彩单元，可以进行更逼真的显示。通过采用这种色彩单元，可以降低耗电量。作为其他例子，关于一个色彩单元，在使用多个区域来控制明亮度的情况下，可以将所述区域中的一个作为一个像素。因此，作为一个例子，在进行面积灰度的情况或具有子像素(亚像素)的情况下，每一个色彩单元具有控制明亮度的多个区域，虽然由它们全体来表现灰度，但是可以将其中控制明亮度的区域中的一个作为一个像素。因此，在此情况下，一个色彩单元由多个像素构成。或者，即使在一个色彩单元中具有多个控制明亮度的区域，也可以将它们汇总而将一个色彩单元作为一个像素。因此，在此情况下，一个色彩单元由一个像素构成。或者，关于一个色彩单元，在使用多个区域来控制明亮度的情况下，由于像素的不同，有助于显示的区域的大小可能不同。或者，在一个色彩单元所具有的多个控制明亮度的区域中，也可以使被提供到各个区域的信号稍微不同，从而扩大视角。就是说，一个色彩单元所具有的多个区域的每一个具有的像素电极的电位也可以互不相同。其结果是，施加到液晶分子的电压由于各像素电极而互不相同。因此，可以扩大视角。再者，在明确地记载“一个像素(对于三种颜色)，，的情况下，将R、G和B三个像素看作一个像素。在明确地记载“一个像素(对于一种颜色)”的情况下，当每个色彩单元具有多个区域时，将该多个区域汇总并看作一个像素。另外，像素有时配置(排列)为矩阵形状。这里，像素配置(排列)为矩阵形状包括如下情况在纵向或横向上，在直线上排列而配置像素的情况，或者，在锯齿形线上配置像素的情况。因此，例如在以三种色彩单元(例如RGB)进行全彩色显示的情况下，也包括进行条形配置的情况，或者将三种色彩单元的点配置为三角形状的情况。再者，还可以进行拜尔(Bayer)方式进行配置的情况。此外，每个色彩单元的点也可以具有不同大小的显示区域。由此，可以实现低耗电量化、或显示元件的长寿命化。此外，可以采用在像素上具有主动元件的有源矩阵方式、或在像素上没有主动元件的无源矩阵方式。在有源矩阵方式中，作为主动元件(有源元件、非线性元件)，不仅可以使用晶体管，而且还可使用各种主动元件(有源元件、非线性元件)。例如，可以使用MIM(MetalInsulatorMetal金属-绝缘体-金属)或TFD(ThinFilmDiode薄膜二极管)等。由于这些元件的制造工序少，因而可以降低制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小，因而可以提高开口率，并实现低耗电量化或高亮度化。另外，除了有源矩阵方式以外，还可以采用没有主动元件(有源元件、非线性元件)的无源矩阵型。由于不使用主动元件(有源元件、非线性元件)，因而制造工序少，且可以降低制造成本或提高成品率。由于不使用主动元件(有源元件、非线性元件)，因而可以提高开口率，并实现低耗电量化或高亮度化。晶体管是指具有至少包括栅极、漏极、以及源极这三个端子的元件，且在漏区和源区之间具有沟道区，而且电流能够通过漏区、沟道区以及源区流动。这里，因为源极和漏极由于晶体管的结构或工作条件等而改变，因此很难限定哪个是源极或漏极。因此，有时不将用作源极及漏极的区域称为源极或漏极。在此情况下，作为一个例子，有时将它们分别记为第一端子和第二端子。或者，有时将它们分别记为第一电极和第二电极。或者，有时将它们记为第一区和第二区。另外，晶体管也可以是具有至少包括基极、发射极和集电极这三个端子的元件。在此情况下，也与上述同样地有时将发射极和集电极分别记为第一端子和第二端子等。再者，栅极是指包括栅电极和栅极布线(也称为栅极线、栅极信号线、扫描线、扫描信号线等)的整体，或者是指这些中的一部分。栅电极指的是通过栅极绝缘膜与形成沟道区的半导体重叠的部分的导电膜。此外，栅电极的一部分有时通过栅极绝缘膜与LDD(LightlyDopedDrain:轻掺杂漏极)区或源区(或漏区)重叠。栅极布线是指用于连接各晶体管的栅电极之间的布线、用于连接各像素所具有的栅电极之间的布线、或用于连接栅电极和其它布线的布线。但是，也存在着用作栅电极并用作栅极布线的部分(区域、导电膜、布线等)。这种部分(区域、导电膜、布线等)可以称为栅电极或栅极布线。换言之，也存在着不可明确区别栅电极和栅极布线的区域。例如，在沟道区与延伸而配置的栅极布线的一部分重叠的情况下，该部分(区域、导电膜、布线等)不仅用作栅极布线，而且还用作栅电极。因此，这种部分(区域、导电膜、布线等)可以称为栅电极或栅极布线。另外，用与栅电极相同的材料形成、且形成与栅电极相同的岛而连接的部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为栅电极。与此同样，用与栅极布线相同的材料形成、且形成与栅极布线相同的岛而连接的部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为栅极布线。严密地说，有时这种部分(区域、导电膜、布线等)与沟道区不重叠，或者，不具有与其它栅电极之间实现连接的功能。但是，根据制造时的条件等关系，具有由与栅电极或栅极布线相同的材料形成且形成与栅电极或栅极布线相同的岛，从而实现连接的部分(区域、导电膜、布线等)。因此，这种部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为栅电极或栅极布线。另外，例如在多栅极晶体管中，在很多情况下一个栅电极和其他的栅电极通过由与栅电极相同的材料形成的导电膜实现连接。因为这种部分(区域、导电膜、布线等)是用于连接栅电极和栅电极的部分(区域、导电膜、布线等)，因此可以称为栅极布线，但是，由于也可以将多栅极晶体管看作一个晶体管，因而该部分也可以称为栅电极。换言之，由与栅电极或栅极布线相同的材料形成、且形成与栅电极或栅极布线相同的岛，从而连接的部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为栅电极或栅极布线。而且，例如，连接栅电极和栅极布线的部分的、由与栅电极或栅极布线不同的材料形成的导电膜也可以称为栅电极或栅极布线。另外，栅极端子是指栅电极的部分(区域、导电膜、布线等)或与栅电极电连接的部分(区域、导电膜、布线等)中的一部分。再者，在将某个布线称为栅极布线、栅极线、栅极信号线、扫描线、扫描信号线等的情况下，该布线有时不连接到晶体管的栅极。在此情况下，栅极布线、栅极线、栅极信号线、扫描线、扫描信号线有可能意味着以与晶体管的栅极相同的层形成的布线、由与晶体管的栅极相同的材料形成的布线、或与晶体管的栅极同时成膜的布线。作为一个例子，可以举出存储电容用布线、电源线、基准电位供给布线等。此外，源极是指包括源区、源电极、源极布线(也称为源极线、源极信号线、数据线、数据信号线等)的整体，或者是指这些中的一部分。源区是指包含很多P型杂质(硼或镓等)或N型杂质(磷或砷等)的半导体区。因此，稍微包含P型杂质或N型杂质的区域，艮口，所谓的LDD(LightlyDopedDrain轻掺杂漏极)区，不包括在源区。源电极是指以与源区不相同的材料形成并与源区电连接而配置的部分的导电层。但是，源电极有时包括源区而称为源电极。源极布线是指用于连接各晶体管的源电极之间的布线、用于连接各像素所具有的源电极之间的布线、或用于连接源电极和其它布线的布线。但是，也存在着作为源电极和源极布线起作用的部分(区域、导电膜、布线等)。这种部分(区域、导电膜、布线等)可以称为源电极或源极布线。换言之，也存在着不可明确区别源电极和源极布线的区域。例如，在源区与延伸而配置的源极布线的一部分重叠的情况下，该部分(区域、导电膜、布线等)不仅作为源极布线起作用，而且还作为源电极起作用。因此，这种部分(区域、导电膜、布线等)可以称为源电极或源极布线。另外，以与源电极相同的材料形成且形成与源电极相同的岛而连接的部分(区域、导电膜、布线等)、或连接源电极和源电极的部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为源电极。另外，与源区重叠的部分也可以称为源电极。与此相同，以与源极布线相同的材料形成且形成与源极布线相同的岛而连接的区域也可以称为源极布线。严密地说，该部分(区域、导电膜、布线等)有时不具有与其它源电极之间实现连接的功能。但是，因为制造时的条件等的关系，具有以与源电极或源极布线相同的材料形成且与源电极或源极布线连接的部分(区域、导电膜、布线等)。因此，这种部分(区域、导电膜、布线等)也可以称为源电极或源极布线。另外，例如，也可以将连接源电极和源极布线的部分并且以与源电极或源极布线不同的材料形成的导电膜称为源电极或源极布线。再者，源极端子是指源区、源电极、与源电极电连接的部分(区域、导电膜、布线等)中的一部分。另外，在将某个布线称为源极布线、源极线、源极信号线、数据线、数据信号线等的情况下，该布线有时不连接到晶体管的源极(漏极)。在此情况下，源极布线、源极线、源极信号线、数据线、数据信号线有时意味着以与晶体管的源极(漏极)相同的层形成的布线、以与晶体管的源极(漏极)相同的材料形成的布线、或与晶体管的源极(漏极)同时成膜的布线。作为一个例子，可以举出存储电容用布线、电源线、基准电位供给布线等。另外，漏极与源极同样。再者，半导体装置是指具有包括半导体元件(晶体管、二极管、可控硅整流器等)的电路的装置。而且，也可以将通过利用半导体特性来起作用的所有装置称为半导体装置。或者，将具有半导体材料的装置称为半导体装置。而且，显示装置指的是具有显示元件的装置。此外，显示装置也可以具有包含显示元件的多个像素。显示装置可以包括驱动多个像素的外围驱动电路。驱动多个像素的外围驱动电路也可以与多个像素形成在同一基板上。此外，显示装置可以包括通过引线键合或凸起等而配置在基板上的外围驱动电路、所谓的通过玻璃上芯片(COG)而连接的IC芯片、或者通过TAB等而连接的IC芯片。显示装置也可以包括安装有IC芯片、电阻元件、电容元件、电感器、晶体管等的柔性印刷电路(FPC)。此外，显示装置可以包括通过柔性印刷电路(FPC)等实现连接并安装有IC芯片、电阻元件、电容元件、电感器、晶体管等的印刷线路板(PWB)。另外，显示装置也可以包括偏振片或相位差板等光学片。此外，显示装置还可以包括照明装置、框体、声音输入输出装置、光传感器等。这里，照明装置也可以包括背光灯单元、导光板、棱镜片、扩散片、反射片、光源(LED、冷阴极管等)、冷却装置(水冷式、空冷式)等。另外，发光装置指的是具有发光元件等的装置。在具有发光元件作为显示元件的情况下，发光装置是显示装置的一个具体例子。另外，反射装置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射电极等的装置。另外，液晶显示装置指的是具有液晶元件的显示装置。作为液晶显示装置，可以举出直观型、投射型、透射型、反射型、半透射型等。另外，驱动装置指的是具有半导体元件、电路、电子电路的装置。例如，控制将信号从源极信号线输入到像素内的晶体管(有时称为选择用晶体管、开关用晶体管等)、将电压或电流提供到像素电极的晶体管、将电压或电流提供到发光元件的晶体管等，是驱动装置的一个例子。再者，将信号提供到栅极信号线的电路(有时称为栅极驱动器、栅极线驱动电路等)、将信号提供到源极信号线的电路(有时称为源极驱动器、源极线驱动电路等)等，是驱动装置的一个例子。再者，有可能重复具有显示装置、半导体装置、照明装置、冷却装置、发光装置、反射装置、驱动装置等。例如，显示装置有时具有半导体装置及发光装置。或者，半导体装置有时具有显示装置及驱动装置。再者，明确地记载“B形成在A的上面”或“B形成在A上”的情况不局限于B直接接触地形成在A的上面的情况。还包括不直接接触的情况，即，在A和B之间夹有其它对象物的情况。这里，A和B是对象物(例如装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。因此，例如，在明确地记载“层B形成在层A的上面(或层A上)”的情况包括如下两种情况层B直接接触地形成在层A的上面的情况；以及在层A的上面直接接触地形成其它层(例如层C或层D等)，层B直接接触地形成在所述其它层上的情况。另外，其他层(例如层C或层D等)可以是单层或多层。与此相同，明确地记载“B形成在A的上方”的情况也不局限于B与A的上面直接接触的情况，而还包括在A和B之间夹有其它对象物的情况。因此，例如，“层B形成在层A的上方”的情况包括如下两种情况层B直接接触地形成在层A的上面的情况；以及在层A之上直接接触地形成其它层(例如层C或层D等)，层B直接接触地形成在所述其它层上的情况。注意，其他层(例如层C或层D等)可以是单层或多层。另外，在明确地记载“B形成在A的上面”、“B形成在A上”或“B形成在A的上方”时，还包括在A的斜上面形成B的情况。另外，“B形成在A的下面”或“B形成在A的下方”的情况与上述情况同样。而且，明确记载为单数的情况优选是单数。但是本发明不局限于此，也可以是复数。与此同样，明确记载为复数的情况优选是复数。但是本发明不局限于此，也可以是单数。在附图中，有时为了清楚起见，夸大尺寸、层的厚度或区域。因此，不局限于该尺度。再者，附图示意性地示出理想的例子，而不局限于附图所示的形状或数值等。例如，可以包括制造技术或误差等所引起的形状不均勻、杂波或定时偏差等所引起的信号、电压或电流的不均勻等。而且，专门词语用来描述特定的实施方式或实施例等，而不局限于此。没有定义的词语(包括专门词语或术语等科技词语)可以表示与所属
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的技术人员所理解的一般意思相同的意思。由词典等定义的词语优选解释为不与有关技术的背景产生矛盾的意思。再者，第一、第二、第三等的词用来有区别地描述各种因素、构件、区域、层、领域。因此，第一、第二、第三等的词不限定因素、构件、区域、层、领域等个数。而且，例如，可以使用“第二”或“第三”等替换“第一”。注意，“上”、“上方”、“下”、“下方”、“横”、“右”、“左”、“斜”、“里边”或“前边”等表示空间配置的词句在很多情况下用来以附图简单地示出某种因素或特征和其它因素或特征的关联。但是，不局限于此，这些表示空间配置的词句除了附图所描述的方向以外还可以包括其他方向。例如，明确地记载“在A之上B”的情况不局限于B存在于A之上的情况。附图中的装置可以反转或者转动180°，所以还可以包括B存在于A之下的情况。如此，“上”这词句除了“上”这方向以外还可以包括“下”这方向。但是，不局限于此，附图中的装置可以转动为各种方向，所以“上”这词句除了“上”及“下”这些方向以外还可以包括“横”、“右”、“左”、“斜”、“里边”或“前边”等其他方向。在本说明书等中公开的发明的一个方式中，对晶体管和存储电容的至少一部分使用透光材料。由此，即使在存在有晶体管和存储电容的区域中也能够透光，从而能够提高开口率。另外，在使用电阻率低(导电率高)的材料形成连接晶体管与另一元件(如另一晶体管)的布线或连接电容元件与另一元件(如另一电容元件)的布线的情况下，能够减少信号波形的畸变，并抑制由布线电阻导致的电压下降。因此，能够减少半导体装置的耗电量。另外，容易使半导体装置大型化(大屏幕化)。图1是半导体装置的平面图及截面图；图2是说明半导体装置的制造方法的截面图；图3是说明半导体装置的制造方法的截面图；图4是说明半导体装置的制造方法的截面图；图5是说明半导体装置的制造方法的截面图；图6是半导体装置的平面图及截面图；图7是半导体装置的平面图及截面图；图8是半导体装置的平面图及截面图；图9是半导体装置的平面图及截面图；图10是半导体装置的平面图及截面图；图11是半导体装置的平面图及截面图；图12是半导体装置的平面图及截面图；图13是说明半导体装置的制造方法的截面图；图14是说明半导体装置的制造方法的截面图；图15是说明半导体装置的制造方法的截面图；图16是说明半导体装置的制造方法的截面图；图17是说明多灰度级掩模的结构的截面图；图18是半导体装置的平面图及截面图；图19是半导体装置的平面图及截面图；图20是半导体装置的平面图及截面图；图21是半导体装置的平面图及截面图；图22是说明半导体装置的平面图及截面图；图23是说明半导体装置的图；图24是说明半导体装置的截面图；图25是说明半导体装置的截面图；图26是说明半导体装置的平面图及截面图；图27是说明半导体装置的图；图28是说明半导体装置的图；图29是说明电子纸的使用方式的例子的图；图30是示出电子书籍的例子的外观图；图31是示出电视装置及数码相框的例子的外观图；图32是示出游戏机的例子的外观图；图33是示出移动电话机的例子的外观图；图34是说明半导体装置的制造方法的截面图；图35是说明半导体装置的截面图；图36是说明半导体装置的制造方法的截面图37是说明半导体装置的平面图及截面图；图38是说明半导体装置的平面图及截面图；图39是说明半导体装置的图；图40是说明半导体装置的图；图41是说明半导体装置的图；图42是说明半导体装置的图；图43是说明半导体装置的图。具体实施例方式以下，参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下所示的实施方式中记载的内容，所属
技术领域：
的普通技术人员可以很容易地理解的一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本说明书等中公开的发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。此外，可以适当地组合根据不同的实施方式的结构来实施。而且，在以下说明的发明的结构中，对相同的部分或具有同样的功能的部分使用相同的附图标记，而省略其重复说明。注意，在某一个实施方式中所说明的内容(也可以是其一部分的内容)对于该实施方式所说明的其它内容(也可以是其一部分的内容)及/或在一个或多个其它实施方式中所说明的内容(也可以是其一部分的内容)可以进行应用、组合或置换等。注意，在实施方式中所说明的内容是指在各种实施方式中利用各种附图而说明的内容或利用说明书所记载的文章而说明的内容。注意，可以通过将在某一个实施方式中所说明的附图(也可以是其一部分)与该附图的其它部分、在该实施方式中所说明的其它附图(也可以其一部分)及/或在一个或多个其它实施方式中所说明的附图(也可以是其一部分)进行组合，从而构成更多的附图。注意，可以在某一个实施方式中所描述的附图或者文章中，取出其一部分而构成发明的一个方式。从而，在记载有说明某一部分的附图或者文章的情况下，取出其一部分的附图或者文章的内容也是作为发明的一个方式而公开的，所以能够构成发明的一个方式。因此，例如，可以在记载有一个或多个有源元件(晶体管、二极管等)、布线、无源元件(电容元件、电阻元件等)、导电层、绝缘层、半导体层、有机材料、无机材料、零部件、基板、模块、装置、固体、液体、气体、工作方法、制造方法等的附图(截面图、平面图、电路图、框图、流程图、工序图、立体图、立面图、布置图、时序图、结构图、示意图、图、表、光路图、向量图、状态图、波形图、照片、化学式等)或者文章中，取出其一部分而构成发明的一个方式。实施方式1在本实施方式中，参照图1至图11说明半导体装置及其制造方法。图1示出根据本实施方式的半导体装置的结构的一个例子。在本实施方式中，作为半导体装置，特别说明液晶显示装置，但是公开的发明不局限于此。当然，本发明可以应用于电致发光显示装置(EL显示装置)或使用电泳元件的显示装置(所谓的电子纸)等。另外，本发明还可以应用于显示装置以外的其他半导体装置。另外，图IA是平面图，而图IB是沿图IA的A-B线的截面图。图IA所示的半导体装置具有如下像素部，该像素部具有用作源极布线的导电层112；与导电层112交叉并用作栅极布线的导电层132a及用作电容布线的导电层132b；位于导电层132a与导电层112的交叉部附近的晶体管150；与导电层132b电连接的存储电容152(参照图IA和1B)。另外，在本说明书等中，像素部是指由用作栅极布线的导电层和用作源极布线的导电层围绕的区域。另外，虽然在图IA中导电层112与导电层132a及导电层132b以90°的角度交叉，但是公开的发明不局限于该结构。就是说，还可以使导电层112与导电层132a及导电层132b以90°以外的角度交叉。晶体管150由用作源电极的导电层106a、用作漏电极的导电层106b、半导体层118a、栅极绝缘层120和用作栅电极的导电层126a构成，该晶体管150是所谓的顶栅型晶体管(参照图IA和1B)。另外，存储电容152由导电层106b、栅极绝缘层120、导电层126b和导电层140构成。更详细地说，在导电层106b与导电层126b之间和在导电层126b与导电层140之间形成电容。注意，晶体管中的源电极及漏电极的功能有时会根据载流子流动的方向而互换，从而只是为了方便起见称为源电极及漏电极而已。就是说，各种导电层的功能不应该被解释为局限于上述名称。这里，构成晶体管150的导电层106a、导电层106b、半导体层118a、导电层126a和构成存储电容152的导电层126b使用透光材料形成。由此，实现像素的开口率的提高。另夕卜，电连接于导电层106a的导电层112和电连接于导电层126a的导电层132a由低电阻材料构成。因此，能够降低布线电阻并降低耗电量。另外，导电层112及导电层132a使用遮光材料形成。由此，能够实现像素之间的遮光。另外，上述“透光”意味着可见区(400nm至SOOnm左右)的透光率至少比导电层112及导电层132a高。以下，说明半导体装置的制造方法的一个例子。首先，在具有绝缘面的基板100上形成导电层102(参照图2A1至A2)。例如，作为具有绝缘面的基板100，可以使用用于液晶显示装置等的透可见光的玻璃基板。该玻璃基板优选地为无碱玻璃基板。作为无碱玻璃基板，例如使用铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃等玻璃材料。另外，作为具有绝缘面的基板100，也可以使用如下基板陶瓷基板、石英基板、蓝宝石基板等由绝缘体制成的绝缘基板、由诸如硅等的半导体材料制成并且表面覆盖有绝缘材料的半导体基板、由诸如金属和不锈钢等的导电体制成并且表面覆盖有绝缘材料的导电基板、等等。可以使用以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚醚砜(PES)为代表的柔性合成树脂。虽然未图示，但是优选在具有绝缘面的基板100上设置基底膜。基底膜具有如下功能防止来自基板100的碱金属(Li、Cs、Na等)或碱土金属(Ca、Mg等)、其他杂质的扩散。就是说，通过设置基底膜，能够解决半导体装置的可靠性提高的课题。基底膜使用从氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜、氧氮化铝膜、氮氧化铝膜等中选出的一种或多种绝缘层形成。例如，优选采用从基板一侧依次层叠氮化硅膜和氧化硅膜的结构。这是因为氮化硅膜的对杂质的阻挡效果高的缘故。另一方面，因为当氮化硅膜与半导体接触时可能会引起缺陷，所以优选形成氧化硅膜作为与半导体接触的膜。另外，在本说明书等中，氧氮化物是指在组成方面氧的含量(原子数)比氮的含量多的物质，例如，氧氮化硅是指包含50原子％至70原子％的氧、0.5原子％至15原子％的氮、25原子％至35原子％的硅、0.1原子％至10原子％的氢的物质。另外，氮氧化物是指在组成方面氮的含量(原子数)比氧的含量多的物质，例如，氮氧化硅是指包含5原子％至30原子％的氧、20原子％至55原子％的氮、25原子％至35原子％的硅、10原子％至25原子％的氢的物质。注意，上述范围是使用卢瑟福背散射光谱学法(RBS，艮f]RutherfordBackscatteringSpectrometry)以及S1前方散射法(HFS，艮HydrogenForwardScattering)测量而得到的。此外，构成元素的含有比率的总计不超过100原子％。导电层102优选使用铟锡氧化物(IndiumTinOxide,即IT0)、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、有机铟、有机锡、氧化锌(ZnO)、氮化钛等透光(透可见光)材料形成。此外，还可以使用含有氧化锌(ZnO)的铟锌氧化物(IndiumZincOxide，即IZ0)、对氧化锌添加镓(Ga)的材料、氧化锡(SnO2)、含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物、含有氧化钛的铟锡氧化物等。导电层102既可具有单层结构又可具有层叠结构，但是在采用层叠结构时，优选将导电层102形成为透光率十分高的形式。另外，作为导电层102的制造方法，优选使用溅射法，但是不一定需要局限于此。接着，在导电层102上形成抗蚀剂掩模104a及104b，并且使用该抗蚀剂掩模104a及104b选择性地蚀刻导电层102，以形成导电层106a及106b(参照图2B1至B2)。作为上述蚀刻，可以采用湿蚀刻及干蚀刻中的任何一种。另外，在进行上述蚀刻之后，去除抗蚀剂掩模104a及104b。优选的是，将导电层106a及106b的端部形成为锥形形状，以提高后面形成的绝缘层等的覆盖性，并且防止断开。像这样，通过将导电层形成为锥形形状，可以解决半导体装置的成品率提高的课题。导电层106a用作晶体管的源电极，而导电层106b用作晶体管的漏电极和存储电容的电极(电容电极)。另外，各种导电层的功能不应该被解释为局限于源电极或漏电极的名称。接着，覆盖导电层106a及导电层106b地形成导电层108(参照图2C1至C2)。另夕卜，这里，覆盖导电层106a及导电层106b地形成导电层108，但是公开的发明不局限于此。导电层108使用铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、镍(Ni)、钼(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锰(Mn)、钕(Nd)、铌(Nb)、铬(Cr)、铈(Ce)等金属材料、以这些金属材料为主要成分的合金材料、或以这些金属材料为成分的氮化物，以单层结构或层叠结构形成。例如，优选使用铝等低电阻材料形成导电层108。在导电层106a上形成导电层108的情况下，这些导电层有时会引起反应。例如，在导电层106a使用ΙΤ0，而导电层108使用铝的情况下，引起化学反应。为避免上述反应，导电层108还可以由高熔点材料和低电阻材料的层叠结构构成。更具体地说，例如，导电层108的与导电层106a接触的区域由高熔点材料形成，而导电层108的与导电层106a非接触的区域由低电阻材料形成。作为上述高熔点材料，可以举出钼、钛、钨、钽、铬等。作为低电阻材料，可以举出铝、铜、银等。当然，导电层108还可以由三层以上的层叠结构形成。在此情况下，例如可以采用第一层为钼、第二层为铝且第三层为钼的层叠结构或第一层为钼、第二层为含有微量钕的铝且第三层为钼的层叠结构。通过采用上述层叠结构作为导电层108，可以防止小丘的发生。由此，可以解决半导体装置的可靠性提高的课题。接着，在导电层108上形成抗蚀剂掩模110，并使用该抗蚀剂掩模110选择性地蚀刻导电层108，以形成导电层112(参照图2D1至D2)。另外，导电层112用作源极布线。另夕卜，导电层112使用遮光材料形成而具有遮光功能。在形成导电层112之后去除抗蚀剂掩模110。另外，虽然在本实施方式中说明在形成导电层106a及导电层106b之后形成导电层112的工序，但是公开的发明不应该被解释为局限于此。例如，还可以互换导电层106a及导电层106b、导电层112的形成顺序。就是说，还可以在形成用作源极布线的导电层112之后形成用作源电极的导电层106a及导电层106b(参照图6A和6B)。另外，在图6中，虽然不互换导电层126a及导电层126b、导电层132a及导电层132b的形成顺序，但是还可以互换导电层126a及导电层126b、导电层132a及导电层132b的形成顺序。另外，还可以在蚀刻导电层108来形成导电层112时将导电层113形成在后面形成接触孔的区域(参照图7A和7B)。通过采用该结构，可以对形成接触孔的区域遮光。由此，能够减少由接触区域中的电极(像素电极)的表面凹凸导致的显示缺陷，从而能够得到诸如对比度提高、光泄漏降低之类的效果。就是说，能够解决显示特性提高的课题。另外，尤其是在液晶显示装置中，该结构是有效的，但是，该结构当然也可应用于其他半导体装置。在此情况下，只要在需要遮光的区域适当地形成导电层113即可。接着，至少覆盖导电层106a及106b地形成半导体层114(参照图3A1至A2)。在本实施方式中，在基板100上覆盖导电层106a及106b、导电层112地形成半导体层114。除了In-Ga-Zn-O类氧化物半导体材料之外，还可以使用In-Sn-Zn-O类、In-Al-Zn-O类、Sn-Ga-Zn-O类、Al-Ga-Zn-O类、Sn-Al-Zn-O类、In-Zn-O类、Sn-Zn-O类、Al-Zn-O类、Zn-O类等各种氧化物半导体材料形成半导体层114。另外，还可以使用其它材料。例如，由In-Ga-Zn-O类氧化物半导体材料构成的半导体层114可以通过包括In、Ga和Zn的氧化物半导体靶材(In2O3Ga2O3ZnO=111)的溅射法形成。例如，对于溅射可以采用下列条件基板100和靶材之间的距离为30mm到500mm；压力为0.IPa到2.OPa；DC电源为0.25kff到5.Okff(当使用直径为8英寸大小的靶材时)；以及气氛为氩气氛、氧气氛或氩和氧的混合气氛。另外，作为半导体层114，还可以使用ZnO类非单晶膜。此夕卜，将半导体层114的膜厚度设定为5nm至200nm左右，即可。作为上述溅射法，可以采用将高频电源用于溅射用电源的RF溅射法、DC溅射法、以脉冲方式施加直流偏压的脉冲DC溅射法等。注意，优选地使用脉冲DC电源，因为可以减少灰尘并且使厚度均勻。在此情况下，可以解决半导体装置的成品率提高、可靠性提高的课题。另外，还可以使用可以设置材料不同的多个靶材的多元溅射装置。多元溅射装置既可以在同一个反应室内形成多个不同的膜，又可以在同一个反应室内使多种材料同时溅射来形成一个膜。再者，还可以是使用在反应室内部具备磁场发生机构的磁控管溅射装置的方法(磁控管溅射法)、使用由微波产生的等离子体的ECR溅射法等。另外，还有在成膜时使靶材物质和溅射气体成分起化学反应来形成它们的化合物的反应溅射法(reactivesputteringmethod)、在成膜时也对基板施加电压的偏压溅射法等。另外，还可以在形成半导体层114之前对半导体层114的被形成面(如导电层106a及导电层106b的表面，在形成基底膜的情况下包括基底膜的表面)进行等离子体处理。通过进行等离子体处理，可以去除附着在被形成面的灰尘等。另外，在进行上述等离子体处理之后，不暴露于大气地形成半导体层114，从而能够使导电层106a及106b与半导体层114的电连接优良。就是说，可以解决半导体装置的成品率提高、可靠性提高的课题。另外，虽然在本实施方式中对使用氧化物半导体材料作为半导体层114的情况进行说明，但是公开的发明的一个方式不局限于此。即使使用氧化物半导体材料以外的半导体材料、化合物半导体材料等，也有时会通过减小厚度而能够确保透光性。因此，还可以使用另一半导体材料代替氧化物半导体材料。作为该另一半导体材料的一个例子，可以举出硅、镓、砷化镓等各种无机半导体材料、碳纳米管等有机半导体材料、它们的混合材料等。这些材料以单晶、多晶、微晶(包括纳米晶体)、非晶的各种状态而使用，来形成半导体层114。接着，在半导体层114上形成抗蚀剂掩模116a及116b，并且使用该抗蚀剂掩模116a及116b选择性地蚀刻半导体层114，以形成半导体层118a及118b(参照图3B1至3B2)。半导体层118a及半导体层118b形成为岛形。这里，半导体层118a成为晶体管的激活层。另外，半导体层118b起到缓和在布线间产生的寄生电容的作用。另外，虽然在本实施方式中说明形成半导体层118b的情况，但是半导体层118b不是必需的结构因素。另外，上述抗蚀剂掩模可以使用旋涂法等方法形成，但是在使用液滴喷射法或丝网印刷法等的情况下，可以选择性地形成抗蚀剂掩模。在此情况下，可以解决生产率提高的课题。作为半导体层114的蚀刻方法，可以使用湿蚀刻或干蚀刻。这里，通过使用乙酸、硝酸和磷酸的混合溶液的湿蚀刻去除半导体层114的不需要的部分来形成半导体层118a及118b。另外，在进行上述蚀刻之后，去除抗蚀剂掩模116a及116b。可以用于上述湿蚀刻的蚀刻剂(蚀刻液)只要是能够蚀刻半导体层114的蚀刻剂即可，而不局限于上述蚀刻剂。在进行干蚀刻的情况下，例如，优选使用含有氯的气体或对含有氯的气体添加了氧的气体。这是因为通过使用含有氯和氧的气体容易获得导电层或基底膜与半导体层114的蚀刻选择比的缘故。作为用于干蚀刻的蚀刻装置，可以使用如下装置使用反应性离子蚀刻法(RIE法)的蚀刻装置、使用ECR(ElectronCyclotronResonance,即电子回旋共振)或ICP(InductivelyCoupledPlasma，即感应耦合等离子体)等高密度等离子体源的干蚀刻装置。另外，还可以使用如下蚀刻装置，即与ICP蚀刻装置相比，容易获得在较广的面积上的均勻的放电的ECCP(EnhancedCapacitivelyCoupledPlasma，即增大电容耦合等离子体)模式的蚀刻装置。若采用ECCP模式的蚀刻装置，就容易对应使用第十代或以后的基板作为基板的情况。另外，如本实施方式所示，当在用作晶体管的源电极的导电层106a及用作晶体管的漏电极的导电层106b上形成半导体层118a时，容易使半导体层118a薄膜化。这是因为在导电层106a及106b上存在有半导体层118a的情况下，不像与此相反的情况那样会发生由蚀刻导电层时的过蚀刻导致的半导体层118a的消失的问题的缘故。像这样，通过实现半导体层118a的薄膜化，容易实现电压施加时的耗尽化，而可以降低S值。另外，还可以减小截止电流。就是说，可以解决半导体装置的高性能化的课题。另外，优选的是，半导体层118a形成为比用作源极布线的导电层112、用作源电极的导电层106a、用作栅极布线的导电层132a和用作栅电极的导电层126a等薄。然后，优选进行200°C到600°C，典型为300°C到500°C的热处理。此处，在氮气氛中进行350°C及1小时的热处理。通过该热处理，可以提高半导体层118a及118b的半导体特性。另外，上述热处理在时机上没有特定限制，只要在半导体层118a及118b形成之后执行热处理即可。另外，虽然在本实施方式中说明在形成导电层106a及导电层106b之后形成导电层112，然后形成半导体层118a的工序，但是公开的发明不应该被解释为局限于此。例如，还可以采用在形成导电层106a及导电层106b之后形成半导体层118a，然后形成导电层112的工序(参照图8A和8B)。在此情况下，有可以降低与半导体层118a的接触电阻的效果ο另外，导电层106a及导电层106b优选形成为比导电层112薄。通过将导电层106a及导电层106b形成为其厚度薄，电阻上升，但是可以进一步提高透射率，因此是有利的。当然，公开的发明的一个方式不应该被解释为局限于此。接着，覆盖半导体层118a及118b地形成栅极绝缘层120(参照图3C1至C2)。栅极绝缘层120可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜、氧氮化铝膜、氮氧化铝膜或氧化钽膜的单层结构或层叠结构形成。例如，可以使用溅射法或CVD法等以50nm以上250nm以下的厚度形成栅极绝缘层120。这里，使用溅射法以IOOnm的厚度形成氧化硅膜作为栅极绝缘层120。另外，栅极绝缘层120优选具有透光性。接着，在栅极绝缘层120上形成导电层122(参照图3D1至D2)。导电层122可以使用与导电层102同样的材料及制造方法而形成。因为导电层122的详细说明可以参照根据导电层102的说明，所以这里省略详细说明。另外，导电层122优选具有透光性。另外，在使用相同材料形成导电层102和导电层122的情况下，容易共享材料和制造装置，因此有助于低成本化、处理量的提高。当然，不一定需要使用相同材料形成导电层102和导电层122。接着，在导电层122上形成抗蚀剂掩模124a及124b，并且使用该抗蚀剂掩模124a及124b选择性地蚀刻导电层122，以形成导电层126a及126b(参照图4A1至A2)。作为上述蚀刻，可以采用湿蚀刻及干蚀刻中的任何一种。另外，在进行上述蚀刻之后，去除抗蚀剂掩模124a及124b。导电层126a用作晶体管的栅电极，而导电层126b用作存储电容的电极(电容电极)。另外，可以适当地改变导电层106b与导电层126b重叠的区域的面积。如本实施方式所示，因为导电层106b和导电层126b由透光材料形成，所以有即使增大重叠的区域的面积而增高电容值也能够抑制开口率的降低的优点。就是说，能够在不降低开口率的情况下解决电容值的增高的课题。另外，在本实施方式中，将导电层106a、导电层106b和导电层126a形成为用作源电极的导电层106a及用作漏电极的导电层106b与用作栅电极的导电层126a的一部分重叠，但是还可以在能够提高半导体层118a的一部分的导电性的情况下采用导电层106a或导电层106b与导电层126a不重叠的结构(参照图9A至9B)。在此情况下，提高至少导电层106a或导电层106b与导电层126a不重叠的区域160的导电性。在图9中，区域160相当于半导体层118a的与导电层106a相邻的区域或与导电层106b相邻的区域。另外，区域160既可重叠于导电层126a，又可不重叠于导电层126a。另外，区域160优选为重叠于导电层106a或导电层106b的区域，但是不局限于此。在使用氧化物半导体材料作为半导体层118a的情况下，作为提高区域160的导电性的方法，例如有选择性地添加氢的方法。在不使用氧化物半导体材料作为半导体层的情况下，可以根据该材料选择提高导电性的方法。例如，在使用硅类材料形成半导体层118a的情况下，只要添加磷或硼等赋予预定的导电性的杂质元素即可。像这样，通过采用导电层106a或导电层106b与导电层126a不重叠的结构，可以降低起因于导电层106a(或导电层106b)与导电层126a重叠的寄生电容。就是说，可以解决半导体装置的特性提高的课题。另外，上述氢的添加可以在形成半导体层114之后、形成半导体层118a之后、形成绝缘层120之后、形成导电层126a之后等各种工序后的任一时候进行。例如，在形成半导体层118之后添加氢的情况下，可以在半导体层118a上选择性地形成抗蚀剂掩模170(参照图34A)，并添加氢190(参照图34B)来形成区域160(参照图34C)。在此情况下，半导体装置的结构还可以为图35A及35B所示的结构。这是因为在区域160中导电性被提高，从而另外设置导电层106b等的必要性下降的缘故。这里，图35A示出不设置导电层106b的结构，而图35B示出不设置导电层106a及导电层106b的结构。另外，在形成导电层126a之后添加氢的情况下，可以以导电层126a作为掩模以自对准方式添加氢。接着，覆盖导电层126a及126b地形成导电层128(参照图4B1至B2)。导电层128可以使用与导电层108同样的材料及制造方法而形成。因为导电层128的详细说明可以参照根据导电层108的说明，所以这里省略详细说明。在此情况下，通过使用相同材料形成导电层108和导电层128，可以实现低成本化、处理量的提高等，因此是优选的。接着，在导电层128上形成抗蚀剂掩模130，并使用该抗蚀剂掩模130选择性地蚀刻导电层128，以形成导电层132a及导电层132b(参照图4C1至C2，关于导电层132b参照图1A)。另外，导电层132a用作栅极布线，而导电层132b用作电容布线。另外，导电层132a使用遮光材料形成而具有遮光功能。在形成导电层132a及132b之后去除抗蚀剂掩模130。另外，虽然在本实施方式中说明在形成导电层126a及导电层126b之后形成导电层132a及导电层132b的工序，但是公开的发明不应该被解释为局限于此。例如，还可以互换导电层126a及导电层126b、导电层132a及导电层132b的形成顺序。就是说，还可以在形成用作栅极布线的导电层132a及用作电容布线的导电层132b之后形成用作栅电极的导电层126a及用作存储电容的电极的导电层126b(参照图10A和10B)。另外，在图10中，虽然不互换导电层106a及导电层106b、导电层112的形成顺序，但是还可以互换导电层106a及导电层106b、导电层112的形成顺序。另外，导电层126a及导电层126b优选形成为比导电层132a薄。通过将导电层126a及导电层126b形成为其厚度薄，电阻上升，但是可以进一步提高透射率，因此是有利的。当然，公开的发明的一个方式不应该被解释为局限于此。另外，还可以将导电层132b形成为残留在导电层126b上(参照图11A和11B)。像这样，通过形成导电层132b，可以降低电容布线的布线电阻。另外，优选的是，导电层126b上的导电层132b的宽度比导电层126b小很多。像这样，通过形成导电层132b，可以在开口率实质上不降低的情况下解决减小电容布线的布线电阻的课题。接着，覆盖栅极绝缘层120、导电层126a、导电层126b、导电层132a和导电层132b地形成绝缘层134(参照图4D1至D2)。绝缘层134的表面成为后面的电极(像素电极)的被形成面，因而优选形成为平坦。尤其是在公开的发明的一个方式中，可以使用透光材料形成各种元件，因此可以将形成有这些元件的区域用作显示区域(开口区域)。因此，将绝缘层134形成为缓和起因于元件或布线的凹凸是极为有益的。绝缘层134可以使用如下材料的单层结构或层叠结构而形成由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等含有氧或氮的材料形成的绝缘膜；DLC(类金刚石碳)等包含碳的膜；由环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并环丁烯、丙烯等的有机材料，或硅氧烷树脂等硅氧烷材料形成的膜等。例如，具有氮化硅的膜对杂质的阻挡效果高，因而适合提高元件的可靠性。另外，具有有机材料的膜对凹凸的缓和功能高，因而适合提高元件的特性。另外，在绝缘层134由具有氮化硅的膜和具有有机材料的膜的层叠结构构成的情况下，优选在图中下侧(接近于元件的一侧)配置具有氮化硅的膜并在图中上侧(像素电极的被形成面一侧)配置具有有机材料的膜。绝缘层134优选具有充分的透光性。另外，在绝缘层134由绝缘层134a和绝缘层134b的两层结构构成的情况下(参照图36A)，通过蚀刻去除绝缘层134b的与导电层126b重叠的区域(参照图36B)，可以增加在导电层126b与后面形成的导电层140之间形成的电容的电容值(参照图36C)。另外，公开的发明的一个方式不局限于上述方式，绝缘层134可以采用三层以上的多层结构。绝缘层134还可以形成为具有滤色片的功能。像这样，在形成元件的基板上形成滤色片，容易进行贴合相对基板等时的位置对准。当然，公开的发明的一个方式不局限于绝缘层134具有滤色片的功能的形式，还可以在基板100上另外形成用作滤色片的层。另外，在公开的发明的一个方式中，使用遮光材料形成源极布线或栅极布线等。由此，可以在不另外形成黑色掩模(黑色矩阵)的情况下对像素之间进行遮光。就是说，与另外形成黑色掩模的情况相比，工序简化，同时可以提供高性能的半导体装置。当然，公开的发明的一个方式不应该被解释为局限于此，还可以另外形成黑色掩模。另外，在即使没有绝缘层134也不发生大问题的情况下，还可以采用不形成有绝缘层134的结构。在此情况下，有能够简化工序的优点。然后，在绝缘层134中形成到达导电层106b的接触孔136，以暴露导电层106b的表面的一部分(参照图5A1至A2)。然后，覆盖绝缘层134地形成导电层138(参照图5B1和5B2)。因为在绝缘层134中形成有接触孔，所以导电层106b和导电层138被电连接。导电层138可以使用与导电层102或导电层122同样的材料及制造方法而形成。因为导电层138的详细说明可以参照根据导电层102或导电层122的说明，所以这里省略详细说明。另外，导电层138优选具有透光性。在此情况下，通过使用相同材料形成导电层102或导电层122、导电层138，可以实现低成本化、处理量的提高等，因此是优选的。接着，在导电层138上形成抗蚀剂掩模，并使用该抗蚀剂掩模选择性地蚀刻导电层138，以形成导电层140(参照图5C1至C2)。这里，导电层140具有像素电极的功能。另外，导电层140优选形成为其端部重叠于导电层112或导电层132a。像这样，通过形成导电层140，能够使像素的开口率最大化，并且能够抑制不需要的光泄漏等。由此，能够得到对比度提高的效果。就是说，能够解决显示装置的特性提高的课题。虽然未图示，但是还可以使用由导电层138形成的导电层使源极布线、源电极、栅极布线、栅电极、电容布线、电容电极等互相连接。就是说，可以将由导电层138形成的导电层用作各种布线。根据上述方式，能够制造具有透光晶体管150及透光存储电容152的半导体装置(参照图5C1至C2)。像这样，通过使用透光材料形成晶体管150及存储电容152，即使在形成有源电极或漏电极、栅电极等的区域中也能够透光，从而能够提高像素的开口率。另外，通过使用低电阻材料形成用作源极布线或栅极布线、电容布线的导电层，可以降低布线电阻并降低耗电量。另外，能够减少信号波形的畸变，并抑制由布线电阻导致的电压下降。再者，通过使用遮光材料形成源极布线或栅极布线等，可以在不另外形成黑色掩模(黑色矩阵)的情况下对像素之间进行遮光。就是说，与另外形成黑色掩模的情况相比，工序简化，同时可以提供高性能的半导体装置。另外，通过使用透光材料形成电容电极，能够使电容电极的面积十分大。就是说，能够使存储电容的电容值十分大。由此，像素电极的电位保持特性提高，并且显示质量提高。另外，能够减小馈入电位(feedthroughpotential)。另外，能够减少串扰。另外，能够减少闪烁。另外，因为使用透光材料形成晶体管150，所以晶体管150中的沟道长度(L)和沟道宽度(W)的设计自由度极为大(布局的自由度大)。这是因为开口率不受到沟道长度和沟道宽度的影响的缘故。另外，在将上述元件用于驱动电路等不需要透光性的对象的情况下，还可以使用非透光材料而形成。在此情况下，能够分别形成用于像素部的元件和用于其他区域(如驱动电路)的元件。图37和图38示出半导体装置的另一结构例子。图37示出用作源极布线的导电层112具有源电极的功能，而用作栅极布线的导电层132a具有栅电极的功能的一个例子。这里，导电层112及导电层132a可以使用高导电性材料形成。另一方面，用作漏电极的导电层106b优选使用透光材料而形成。另外，用作电容布线的导电层180既可使用高导电性材料形成，又可使用透光材料形成。图38示出用作栅电极的导电层126a具有存储电容的一方电极的功能的例子。就是说，用作前一级或后一级的栅极布线的导电层(对应于导电层132a)具有电容布线的功能。这里，在与导电层106a或导电层106b相同的工序中形成的导电层182具有存储电容的另一电极的功能。导电层182形成在重叠于像素部的区域中，因而优选由透光材料形成。另外，可以使晶体管中的沟道长度(L)和沟道宽度(W)大于导电层132a等的宽度。这是因为半导体层118a由透光材料形成，从而开口率不依赖于半导体层118a的大小的缘故。但是，公开的发明的一个方式不应该被解释为局限于此。可以将多个晶体管配置为串联或并联。由此，能够增加晶体管个数。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式2在本实施方式中，参照图12至图16说明半导体装置的制造方法的另一个例子。另外，根据本实施方式的半导体装置的制造方法的大多部分与根据实施方式1的制造方法相同。因此，以下省略重复的结构、重复的附图标记等的说明。26图12示出根据本实施方式的半导体装置的结构的一个例子。在根据图12的结构中，在遮光导电层(如导电层112、导电层132a、导电层132b等)的下层中存在有透光导电层(如导电层106a、导电层126a、导电层126b等)(参照图12A和图12B)。另外，图12A是平面图，而图12B是沿图12A的A-B线的截面图。以下，说明半导体装置的制造方法的一个例子。首先，在具有绝缘面的基板100上依次层叠形成导电层102及导电层108(参照图13A1至A2)。具有绝缘面的基板100、导电层102及导电层108的详细说明可以参照实施方式1。虽然未图示，但是优选在具有绝缘面的基板100上设置基底膜。基底膜的详细说明可以参照实施方式1。注意，公开的发明的一个方式不局限于设置基底膜的方式。接着，在导电层108上形成抗蚀剂掩模105a及105b，并且使用该抗蚀剂掩模105a及105b选择性地蚀刻导电层102及导电层108，以形成导电层106a及106b、导电层109a及109b(参照图13B1至B2)。根据本实施方式的半导体装置的制造方法与根据实施方式1的半导体装置的制造方法的不同点之一在于导电层102及导电层108的蚀刻工序。在本实施方式中，在蚀刻工序中使用的抗蚀剂掩模105a及105b是使用多灰度级掩模形成的。多灰度级掩模是指可以多个阶段的光量进行曝光的掩模。通过使用多灰度级掩模，例如能够以曝光、半曝光和未曝光的三个阶段的光量进行曝光。就是说，通过使用多灰度级掩模，能够以一次的曝光及显影形成具有多种(典型为两种)厚度的抗蚀剂掩模。因此，通过使用多灰度级掩模，可以减少光掩模的使用数量。作为典型的多灰度级掩模，有灰色调掩模和半色调掩模。灰色调掩模包括在透光基板上由遮光材料层形成的遮光部和设置在该遮光材料层中的狭缝部。狭缝部具有以用于曝光的光的分辨率极限以下的间隔设置的狭缝(包括点或网眼等)，从而具有控制光透过量的功能。另外，设置在狭缝部中的狭缝可以为周期性的，又可以为非周期性的。半色调掩模包括在透光基板上由遮光材料层形成的遮光部和由具有预定的透光性的材料层构成的半透过部。半透过部具有相应于该材料层的质量及厚度的透光率。半透过部中的透射率大致在1QM至7Q%的范围内。图17示出典型的多灰度级掩模的截面。图17A1示出灰色调掩模400，而图17B1示出半色调掩模410。图17A1所示的灰色调掩模400包括在透光基板401上由遮光材料层形成的遮光部402和由遮光材料层的图案形成的狭缝部403。狭缝部403具有以用于曝光的光的分辨率极限以下的间隔设置的狭缝。作为透光基板401，可以使用石英等。构成遮光部402及狭缝部403的遮光层使用金属膜形成即可，优选使用铬或氧化铬等形成。在将光照射到图17A1所示的灰色调掩模400时，能够获得图17A2所示的透射率。图17B1所示的半色调掩模410包括在透光基板411上由遮光材料层形成的遮光部412和由具有预定的透光性的材料层构成的半透过部413。半透过部413可以使用MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等的材料层形成。遮光部412使用与灰色调掩模的遮光膜同样的材料形成即可。另外，在图17B1中，遮光部412使27用由具有预定的透光性的材料层和遮光材料层构成的层叠结构形成。在将光照射到图17B1所示的半色调掩模410时，能够获得图17B2所示的透射率。通过使用上述多灰度级掩模进行曝光及显影，可以形成具有膜厚度不同的区域的抗蚀剂掩模105a。导电层102及导电层108的蚀刻可以采用湿蚀刻和干蚀刻中的任何一种。但是，在该阶段中需要蚀刻导电层102及导电层108双方。通过进行该蚀刻，确定用作晶体管的源电极的导电层106a、用作晶体管的漏电极和存储电容的电极的导电层106b的形状。接着，使抗蚀剂掩模105a缩小来形成抗蚀剂掩模111，并去除抗蚀剂掩模105b，使用抗蚀剂掩模111选择性地蚀刻导电层109a来形成导电层112，并去除导电层109b(参照图13C1至C2)。作为使抗蚀剂掩模105a缩小的方法(和去除抗蚀剂掩模105b的方法)，例如有使用氧等离子体的灰化处理等，但是该方法不局限于此。导电层109a的蚀刻及导电层109b的去除可以采用湿蚀刻和干蚀刻中的任何一种。但是，在该阶段中，在获得导电层106a(导电层106b)与导电层109a(导电层109b)的选择比的条件下进行蚀刻。就是说，重要的是避免因为该蚀刻使导电层106a及导电层106b的形状变化得多。通过进行该蚀刻，确定用作晶体管的源极布线的导电层112的形状。这里，导电层112使用遮光材料形成而具有遮光功能。另外，在进行上述蚀刻之后去除抗蚀剂掩模111。优选的是，将上述各种导电层的端部形成为锥形形状，以提高后面形成的绝缘层等的覆盖性，并且防止断开。像这样，通过将导电层形成为锥形形状，可以解决半导体装置的成品率提高的课题。其结果，能够实现半导体装置的制造成本的抑制。另外，还可以在蚀刻导电层109a来形成导电层112时将导电层形成在后面形成接触孔的区域(对应于实施方式1中的图7A和7B)。通过采用该结构，可以对形成接触孔的区域遮光。由此，能够减少由接触区域中的电极(像素电极)的表面凹凸导致的显示缺陷，从而能够提高对比度。就是说，能够解决显示特性提高的课题。另外，尤其是在液晶显示装置中，该结构是有效的，但是，该结构当然也可以应用于其他半导体装置。在此情况下，只要在需要遮光的区域适当地形成导电层即可。接着，至少覆盖导电层106a及106b地形成半导体层114(参照图13D1至D2)。在本实施方式中，在基板100上覆盖导电层106a及106b、导电层112地形成半导体层114。半导体层114的详细说明可以参照实施方式1。另外，还可以在形成半导体层114之前对半导体层114的被形成面(如导电层106a及导电层106b的表面，在形成基底膜的情况下包括基底膜的表面)进行等离子体处理。通过进行等离子体处理，可以去除附着在被形成面的灰尘等。另外，在进行上述等离子体处理之后，不暴露于大气地形成半导体层114，从而能够使导电层106a及106b与半导体层114的电连接优良。就是说，可以解决半导体装置的成品率提高、可靠性提高的课题。接着，在半导体层114上形成抗蚀剂掩模116a及116b，并且使用该抗蚀剂掩模116a及116b选择性地蚀刻半导体层114，以形成半导体层118及118b(参照图14A1至A2)。该工序的详细说明也可以参照实施方式1。然后，优选进行200°C到600°C，典型为300°C到500°C的热处理。此处，在氮气氛中进行350°C及1小时的热处理。通过该热处理，可以提高半导体层118a及118b的半导体特性。另外，上述热处理在时机上没有特定限制，只要在半导体层118a及118b形成之后执行热处理即可。接着，覆盖半导体层118a及118b地形成栅极绝缘层120(参照图14B1至B2)。栅极绝缘层120的详细说明可以参照实施方式1。接着，在栅极绝缘层120上依次层叠形成导电层122及导电层128(参照图14C1至C2)。导电层122及导电层128的详细说明可以参照实施方式1。虽然未图示，但是优选在具有绝缘面的基板100上设置基底膜。基底膜的详细说明可以参照实施方式1。接着，在导电层128上形成抗蚀剂掩模117a及117b，并且使用该抗蚀剂掩模117a及117b选择性地蚀刻导电层122及导电层128，以形成导电层126a、导电层126b、导电层129a和导电层129b(参照图15A1至A2)。根据本实施方式的半导体装置的制造方法与根据实施方式1的半导体装置的制造方法的不同点之一在于导电层122及导电层128的蚀刻工序。在本实施方式中，在蚀刻工序中使用的抗蚀剂掩模117a及117b是使用多灰度级掩模形成的。多灰度级掩模及其他的详细说明只要参照根据抗蚀剂掩模105a及105b的记载即可。通过使用多灰度级掩模进行曝光及显影，可以形成具有膜厚度不同的区域的抗蚀剂掩模117a。导电层122及导电层128的蚀刻可以采用湿蚀刻和干蚀刻中的任何一种。但是，在该阶段中需要蚀刻导电层122及导电层128双方。通过进行该蚀刻，确定用作晶体管的栅电极的导电层126a、用作存储电容的电极的导电层126b的形状。接着，使抗蚀剂掩模117a缩小来形成抗蚀剂掩模131，并去除抗蚀剂掩模117b，使用抗蚀剂掩模131选择性地蚀刻导电层129a来形成导电层132a及132b，并去除导电层129b(参照图15B1至B2，关于导电层132b参照图12A)。关于使抗蚀剂掩模117a缩小的方法(和去除抗蚀剂掩模117b的方法)、导电层129a的蚀刻(导电层129b的去除)的详细说明可以参照使抗蚀剂掩模105a缩小的方法(和去除抗蚀剂掩模105b的方法)、导电层109a的蚀刻(导电层109b的去除)的记载。另外，在该阶段中，在获得导电层126a(导电层126b)与导电层129a(导电层129b)的选择比的条件下进行蚀刻。就是说，重要的是避免因为该蚀刻使导电层126a及导电层126b的形状变化得多。通过进行该蚀刻，确定用作晶体管的栅极布线的导电层132a、用作存储电容的布线的导电层132b的形状。这里，导电层132a使用遮光材料形成而具有遮光功能。另外，在进行上述蚀刻之后去除抗蚀剂掩模131。优选的是，将上述各种导电层的端部形成为锥形形状，以提高后面形成的绝缘层等的覆盖性，并且防止断开。像这样，通过将导电层形成为锥形形状，可以解决半导体装置的成品率提高的课题。另外，可以适当地改变导电层106b与导电层126b重叠的区域的面积。如本实施方式所示，因为导电层106b和导电层126b由透光材料形成，所以有即使增大重叠的区域的面积而增高电容值也能够抑制开口率的降低的优点。就是说，能够在不降低开口率的情况下解决电容值的增高的课题。另外，在本实施方式中，将导电层106a、导电层106b和导电层126a形成为用作源电极的导电层106a及用作漏电极的导电层106b与用作栅电极的导电层126a的一部分重叠，但是还可以在能够提高半导体层118a的一部分的导电性的情况下采用导电层106a或导电层106b与导电层126a不重叠的结构(对应于实施方式1中的参照图9A至9B)。详细说明可以参照实施方式1。像这样，通过采用导电层106a或导电层106b与导电层126a不重叠的结构，可以降低起因于导电层106a(或导电层106b)与导电层126a重叠的寄生电容。就是说，可以解决半导体装置的特性提高的课题。另外，还可以将导电层132b形成为残留在导电层126b上(对应于实施方式1的图11A和11B)。像这样，通过形成导电层132b，可以降低电容布线的布线电阻。另外，优选的是，导电层126b上的导电层132b的宽度比导电层126b小很多。像这样，通过形成导电层132b，可以在开口率实质上不降低的情况下解决减小电容布线的布线电阻的课题。接着，覆盖栅极绝缘层120、导电层126a、导电层126b、导电层132a和导电层132b地形成绝缘层134(参照图15C1至C2)。绝缘层134的详细说明可以参照实施方式1。另外，在即使没有绝缘层134也不发生大问题的情况下，还可以采用不形成有绝缘层134的结构。在此情况下，有能够简化工序的优点。然后，在绝缘层134中形成到达导电层106b的接触孔136，以暴露导电层106b的表面的一部分(参照图16A1至A2)。然后，覆盖绝缘层134地形成导电层138(参照图16B1和16B2)。因为在绝缘层134中形成有接触孔，所以导电层106b和导电层138被电连接。导电层138的详细说明可以参照实施方式1。接着，在导电层138上形成抗蚀剂掩模，并使用该抗蚀剂掩模选择性地蚀刻导电层138，以形成导电层140(参照图16C1至C2)。这里，导电层140具有像素电极的功能。导电层140及其他的详细说明也可以参照实施方式1。根据上述方式，能够制造具有透光晶体管150及透光存储电容152的半导体装置(参照图16C1至C2)。另外，在本实施方式中，使用多灰度级掩模形成各种布线和电极，但是所公开的发明的一个方式不应该被解释为局限于此。还可以通过使用多灰度级掩模的方法来进行形成导电层106a和导电层112的工序或形成导电层126a和导电层132a的工序。在本实施方式中，使用多灰度级掩模形成抗蚀剂掩模来进行蚀刻。因此，能够抑制光掩模的使用个数，从而能够减少工序个数。就是说，可以解决抑制半导体装置的制造成本的课题。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式3在本实施方式中，参照图18至图21说明半导体装置的另一例子。另外，根据本实施方式的半导体装置的大多部分与根据实施方式1的半导体装置相同。因此，以下省略重复的结构、重复的附图标记等的说明。图18示出根据本实施方式的半导体装置的结构的一个例子。该结构特别适合应用于电致发光显示装置(EL显示装置)，但是公开的发明不局限于此。另外，图18A是平面图，而图18B是沿图18A的E-F线的截面图。图18A所示的半导体装置具备如下像素部，该像素部包括用作源极布线的导电层112；用作电源布线的导电层162，该导电层162与导电层112同样地形成；用作栅极布线的导电层132a，该导电层132a与导电层112及导电层162交叉；位于导电层132a与导电层112的交叉部附近的晶体管150；电连接于导电层162的晶体管154；以及电连接于导电层162的存储电容156(参照图18A和18B)。另外，虽然在图18A中导电层112及导电层162与导电层132a以90°的角度交叉，但是公开的发明不局限于该结构。晶体管150由用作源电极的导电层106a、用作漏电极的导电层106b、半导体层118a、栅极绝缘层120和用作栅电极的导电层126a构成，该晶体管150是所谓的顶栅型晶体管(参照图18A和18B)。与此同样，晶体管154由用作源电极的导电层106c、用作漏电极的导电层106d、半导体层118c、栅极绝缘层120和用作栅电极的导电层126c构成。另外，存储电容156由导电层106e、栅极绝缘层120和导电层126c构成。注意，上述源电极及漏电极的名称也只是为了方便起见而使用的。这里，导电层112与导电层106a电连接，而导电层106b与导电层126c在连接部158中通过导电层142电连接(参照图18A和18B)。另外，导电层162与导电层106c电连接，导电层106d与导电层140电连接，并且导电层162与导电层106e电连接。另外，能够在同一工序中制造用作像素电极的导电层140与导电层142。另外，能够在同一工序中制造用来连接导电层106d与导电层140的接触孔、用来连接导电层106b与导电层142的接触孔和用来连接导电层126c与导电层142的接触孔。构成晶体管150的导电层106a、导电层106b、半导体层118a、导电层126a、构成晶体管154的导电层106c、导电层106d、半导体层118c、导电层126c和构成存储电容156的导电层106e使用透光材料形成。由此，实现像素的开口率的提高。另外，导电层112、导电层132a和导电层162由低电阻材料构成。因此，能够降低布线电阻并降低耗电量。另外，导电层112、导电层132a和导电层162使用遮光材料形成。因此，能够实现像素之间的遮光。另外，在上述说明中说明了一个像素具有两个晶体管的情况，但是公开的发明不局限于此。还可以在一个像素中设置三个以上的晶体管。图19示出根据本实施方式的半导体装置的结构的另一个例子。该结构特别适合应用于电致发光显示装置(EL显示装置)，但是公开的发明不局限于此。另外，图19A是平面图，而图19B是沿图19A的E-F线的截面图。图19所示的结构在基本上与图18所示的结构相同。它与图18所示的结构的不同点在于连接部158，在图18中导电层106b与导电层126c通过导电层142连接，而在图19中导电层106b与导电层126c直接连接(参照图19A和19B)。在此情况下，因为不需要导电层142，所以能够进一步增大用作像素电极的导电层140，从而与图18所示的结构相比能够提高开口率。另外，为实现导电层106b与导电层126c的电连接，需要在形成导电层126c之前在栅极绝缘层120中形成接触孔。图20示出根据本实施方式的半导体装置的结构的另一个例子。该结构适合应用于显示装置，但是公开的发明不局限于此。另外，图20A是平面图，而图20B是沿图20A的A-B线的截面图。图20所示的结构在基本上与图1所示的结构相同。它与图1所示的结构的不同点在于用作源电极的导电层106a和用作漏电极的导电层106b的形状。更具体地说，在图20所示的结构中，将导电层106a和导电层106b形成为沟道形成区的形状成为U字形的形式(参照图20A和20B)。由此，即使在形成同一面积的晶体管时也能够增大沟道宽度(W)。另外，沟道形成区的形状不局限于U字形，可以根据需要的沟道宽度适当地改变该形状。图21示出根据本实施方式的半导体装置的结构的另一个例子。该结构适合应用于显示装置，但是公开的发明不局限于此。另外，图21A是平面图，而图21B是沿图21A的A-B线的截面图。图21所示的结构与图1所示的结构类似。它与图1所示的结构的不同点在于用作栅极布线的导电层132a还用作栅电极(参照图21A和21B)。就是说，在图21中，不存在对应于导电层126a的导电层。因为导电层132a可以由低电阻材料形成，所以与使用导电层126a(由透光材料构成的导电层)作为栅电极的情况相比，能够使对半导体层118a的电场均勻。因此，能够提高晶体管150的元件特性。另外，虽然在图21中示出不设置有导电层126a的结构，但是公开的发明不局限于此。还可以设置电连接于导电层132a的导电层126a。另外，虽然在图21中形成有导电层106a，但是还可以在不设置导电层106a的情况下使导电层112具有导电层106a的功能。这是因为如下缘故因为用作源电极的导电层形成在用作栅极布线的导电层的下部，所以由透光材料构成用作源电极的导电层的必要性下降。在此情况下，只要至少导电层106b及导电层126b由透光材料形成即可。另外，根据本实施方式的结构当然可以应用于使用多灰度级掩模的情况。在使用多灰度级掩模的情况下，导电层126a形成在导电层132a的下部。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式4在本实施方式中，说明如下情况制造薄膜晶体管，并将该薄膜晶体管应用于像素部和外围电路部(驱动电路等)来制造具有显示功能的半导体装置(显示装置)。通过将外围电路部的一部或全部一体形成在与像素部相同的基板上，可以形成系统化面板(systemonpanel)0显示装置包括显示元件。作为显示元件，可以使用液晶元件(也称为液晶显示元件)、发光元件(也称为发光显示元件)等。在发光元件的范围内包括利用电流或电压控制亮度的元件，具体而言，包括无机EUElectroLuminescence电致发光)元件、有机EL元件等。此外，也可以应用电子墨水等对比度因电作用而变化的显示介质。此外，显示装置包括密封有显示元件的面板和在该面板中安装有包括控制器的IC等的模块。再者，构成显示装置的元件基板在各像素中具备用于将电流供给到显示元件的单元。具体而言，元件基板既可以是形成有显示元件的像素电极的状态，又可以是形成成为像素电极的导电层之后且进行蚀刻之前的状态。以下，在本实施方式中，示出液晶显示装置的一个例子。图22是一种面板的平面图及截面图，其中使用第二基板4006和密封材料4005将形成在第一基板4001上的薄膜晶体管4010及4011和液晶元件4013密封。这里，图22A1和A2相当于平面图，而图22B相当于沿着图22A1和A2的M-N线的截面图。以围绕设置在第一基板4001上的像素部4002和扫描线驱动电路4004的方式设置有密封材料4005。此外，在像素部4002和扫描线驱动电路4004上设置有第二基板4006。就是说，像素部4002和扫描线驱动电路4004与液晶层4008—起由第一基板4001、密封材32料4005和第二基板4006密封。此外，在第一基板4001上的与由密封材料4005围绕的区域不同的区域中安装有信号线驱动电路4003，该信号线驱动电路4003使用单晶半导体或多晶半导体形成在另外准备的基板上。另外，对于另外形成的驱动电路的连接方法没有特别的限制，可以适当地采用COG方法、引线键合方法、TAB方法等。图22A1是通过COG方法安装信号线驱动电路4003的例子，而图22A2是通过TAB方法安装信号线驱动电路4003的例子。此外，设置在第一基板4001上的像素部4002和扫描线驱动电路4004包括多个薄膜晶体管。在图22B中例示像素部4002所包括的薄膜晶体管4010和扫描线驱动电路4004所包括的薄膜晶体管4011。薄膜晶体管4010及4011上设置有绝缘层4020。例如，薄膜晶体管4010及4011可以使用上述实施方式等所示的晶体管。在本实施方式中，薄膜晶体管4010及4011是n沟道型晶体管。另外，液晶元件4013具有的像素电极层4030与薄膜晶体管4010电连接。而且，液晶元件4013的对置电极层4031形成在第二基板4006上。液晶元件4013由上述像素电极层4030、对置电极层4031和液晶层4008形成。另外，像素电极层4030、对置电极层4031分别设置有用作取向膜的绝缘层4032及4033，且像素电极层4030、对置电极层4031隔着该绝缘层4032及4033夹有液晶层4008。另外，作为第一基板4001、第二基板4006，可以使用玻璃、金属(典型的是不锈钢)、陶瓷、塑料等。作为塑料，可以使用FRP(Fiberglass-ReinforcedPlastics纤维增强塑料)基板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸树脂薄膜等。此外，还可以使用具有将铝箔夹在PVF薄膜或聚酯薄膜之间的结构的薄片。此外，柱状间隔件4035是为控制像素电极层4030和对置电极层4031之间的距离(单元间隙)而设置的。柱状间隔件4035是通过对绝缘膜选择性地进行蚀刻而获得的。另外，还可以使用球状间隔件代替柱状间隔件。另外，对置电极层4031电连接于设置在与薄膜晶体管4010同一基板上的共同电位线。例如，能够隔着配置在一对基板之间的导电粒子电连接对置电极层4031和共同电位线。另外，导电粒子优选包含在密封材料4005中。另外，还可以使用不需要取向膜的显示蓝相的液晶。蓝相是液晶相的一种，是指因升温而即将从胆留相转变到均质相之前出现的相。由于蓝相只出现在较窄的温度范围内，所以优选使用混合有5wt%以上的手性试剂的液晶组成物。由此，能够改善温度范围。包含显示蓝相的液晶和手性试剂的液晶组成物具有如下特征响应时间短，即为10iis至100us；具有光学各向同性而不需要取向处理；视角依赖小。另外，虽然在本实施方式中示出透射型液晶显示装置的一个例子，但是不局限于此，既可为反射型液晶显示装置又可为半透射型液晶显示装置。另外，虽然在本实施方式所示的液晶显示装置中示出在基板的外侧(可见一侧)设置偏振片，并在内侧设置着色层、用于显示元件的电极层的例子，但是也可以在基板的内侧设置偏振片。另外，偏振片和着色层的层叠结构也不局限于本实施方式的结构，只要根据偏振片和着色层的材料或制造工序条件适当地设定即可。另外，还可以设置用作黑掩模(黑矩阵)作为遮光膜。另外，在本实施方式中，为减少薄膜晶体管的表面凹凸，利用绝缘层4020覆盖上述实施方式中获得的薄膜晶体管，但是公开的发明不局限于此。作为绝缘层4020，可以使用具有耐热性的有机材料如聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、聚酰胺或环氧树脂等。另外，除了上述有机材料之外，还可以使用低介电常数材料(low-k材料)、硅氧烷基类树脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。另外，也可以通过层叠多个由这些材料形成的绝缘膜，来形成绝缘层4020。这里，硅氧烷基类树脂相当于以硅氧烷基类材料为起始材料而形成的包含Si-0-Si键的树脂。还可以使用有机基(如烷基或芳基)和氟基作为取代基。另外，有机基还可以具有氟基。至于绝缘层4020的形成方法并没有特别的限制，可以根据其材料利用溅射法、S0G法、旋涂法、浸渍法、喷涂法、液滴喷射法(喷墨法、丝网印刷、胶版印刷等)、刮刀法、辊涂法、帘涂法、刮刀涂布法等来形成。另外，像素电极层4030和对置电极层4031可以使用具有透光性的导电材料诸如包含氧化钨的氧化铟、包含氧化钨的氧化铟锌、包含氧化钛的氧化铟、包含氧化钛的氧化铟锡、氧化铟锡(也称为IT0)、氧化铟锌、添加有氧化硅的氧化铟锡等。另外，像素电极层4030和对置电极层4031还可以使用包含导电高分子(也称为导电聚合物)的导电组成物。使用导电性组成物而形成的像素电极优选薄层电阻为1.0X104Q/sq.以下，且波长为550nm时的透光率为70%以上。另外，包含在导电组成物中的导电高分子的电阻率优选为0.1Qcm以下。作为导电高分子，可以使用所谓的Ji电子共轭类导电高分子。例如，可以举出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者上述材料中的两种以上的共聚物等。另外，供给给信号线驱动电路4003、扫描线驱动电路4004、像素部4002等的各种信号是从FPC4018供给的。另外，连接端子电极4015由与液晶元件4013所具有的像素电极层4030相同的导电膜形成，并且端子电极4016由与薄膜晶体管4010及4011的源电极层及漏电极层相同的导电膜形成。连接端子电极4015隔着各向异性导电膜4019电连接到FPC4018所具有的端子。此外，虽然在图22中示出另外形成信号线驱动电路4003并将该信号线驱动电路4003安装在第一基板4001上的例子，但是本实施方式不局限于该结构。既可以另外形成扫描线驱动电路而安装，又可以另外仅形成信号线驱动电路的一部分或扫描线驱动电路的一部分而安装。图23示出将TFT基板2600应用于相当于半导体装置的一个方式的液晶显示模块的例子。在图23中，利用密封材料2602固接TFT基板2600和对置基板2601，并在其间设置包括TFT等的元件层2603、包括取向膜和液晶的液晶层2604、着色层2605等来形成显示区。在进行彩色显示时需要着色层2605，并且当采用RGB方式时，对应于各像素设置有分别对应于红色、绿色、蓝色的着色层。在TFT基板2600和对置基板2601的外侧配置有偏振片2606、偏振片2607、漫射片2613。另外，光源由冷阴极管2610和反射板2611构成。电路基板2612利用柔性线路板2609与TFT基板2600的布线电路部2608连接，由此将控制电路及电源电路等外部电路组装到液晶模块。此外，还可以在偏振片和液晶层之间夹有相位差34板。作为液晶的驱动方式，可以采用TN(TwistedNematic扭转向列)模式、IPS(In-Plane-Switching平面内切换)模式、FFS(FringeFieldSwitching边缘场切换)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment多象限垂直配向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment垂直取向构型)模式、ASM(AxiallySymmetricalignedMicro-cell车由对称W歹lj微胞)模式、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence光学补偿弯曲)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal铁电性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal反铁电性液晶)模式等。通过上述工序，可以制造高性能的液晶显示装置。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式5在本实施方式中，参照图24说明作为半导体装置的一例的有源矩阵型电子纸。能够与上述实施方式所示的薄膜晶体管同样地制造用于半导体装置的薄膜晶体管650。图24所示的电子纸是采用旋转球显示方式的电子纸的一例。旋转球显示方式是指一种方法，其中将一个半球表面为黑色而另一个半球表面为白色的球形粒子配置在第一电极层与第二电极层之间，并且在第一电极层与第二电极层之间产生电位差来控制球形粒子的方向，以进行显示。设置在基板600上的薄膜晶体管650是公开的发明的薄膜晶体管，其中半导体层被该半导体层上方的栅电极层与该半导体层下方的源电极层或漏电极层夹持。另外，源电极层或漏电极层通过形成在绝缘层中的接触孔电连接于第一电极层660。将第二电极层670设置于基板602，并且在第一电极层660和第二电极层670之间设置有球形粒子680，该球形粒子680具有黑色区680a和白色区680b。另外，在球形粒子680的周围充满有树脂等的填料682(参照图24)。在图24中，第一电极层660相当于像素电极，并且第二电极层670相当于公共电极。第二电极层670与设置在与薄膜晶体管650同一个基板上的公共电位线电连接。还可以使用电泳显示元件而代替旋转球。在此情况下，例如使用直径为10iim至200ym左右的微胶囊，该微胶囊封入有透明液体、带正电的白色微粒和带负电的黑色微粒。当由第一电极层和第二电极层施加电场时，白色微粒和黑色微粒移动到相反方向，从而显示白色或黑色。电泳显示元件具有比液晶显示元件高的反射率，因而不需要辅助灯。此外，即使在亮度不够的地方也可以辨别显示部。另外，还有如下优点即使不向显示部供应电源，也可以保持显示过一次的图像。如上所述，通过使用公开的发明，可以制造高性能的电子纸。另外，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式6在本实施方式中，示出发光显示装置的例子作为半导体装置。在此，示出利用电致发光的发光元件作为显示装置所具有的显示元件。对利用电致发光的发光元件根据其发光材料是有机化合物还是无机化合物来进行区别，一般来说，前者被称为有机EL元件，而后者被称为无机EL元件。在有机EL元件中，通过对发光元件施加电压，电子及空穴从一对电极分别注入到包含发光有机化合物的层，以产生电流。然后，由于这些载流子(电子及空穴)重新结合，而获得发光。根据这种机理，该发光元件被称为电流激发型发光元件。根据其元件的结构，将无机EL元件分类为分散型无机EL元件和薄膜型无机EL元件。分散型无机EL元件包括在粘合剂中分散有发光材料的粒子的发光层，且其发光机理是利用供体能级和受体能级的供体_受体重新结合型发光。薄膜型无机EL元件具有由电介质层夹住发光层并还利用电极夹住该发光层的结构，且其发光机理是利用金属离子的内层电子跃迁的定域型发光。另外，在此使用有机EL元件作为发光元件而进行说明。以下，参照图25说明发光元件的结构。在此，以驱动用TFT是n型的情况为例来说明像素的截面结构。可以与上述实施方式所示的薄膜晶体管同样制造用于图25A至25C的半导体装置的TFT701、TFT711和TFT721。为了取出发光，发光元件的阳极和阴极中的至少一方为透明。这里，透明意味着至少在发光波长处的透射率十分高。作为光的取出方式，有将薄膜晶体管及发光元件形成在基板上来从与基板相反的面取出发光的顶部发射式(顶部取出式)、从基板一侧的面取出发光的底部发射式(底部取出式)、从基板一侧及与基板相反的面取出发光的双面发射式(双面取出式)等。参照图25A说明顶部发射式的发光元件。在图25A中示出当从发光元件702发射的光穿过阳极705—侧时的像素的截面图。这里，在电连接于驱动TFT701的透光导电层707上形成有发光元件702，在阴极703上按顺序层叠有发光层704、阳极705。至于阴极703，可以使用功函数低且反射光的导电膜。例如，优选采用Ca、Al、MgAg、AlLi等的材料形成阴极703。发光层704可以由单层或多层的层叠构成。在发光层704由多层构成时，优选在阴极703上按顺序层叠电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层，但是，当然不需要都设置所有这些层。使用透光导电材料形成阳极705。例如也可以使用具有透光性的导电层例如包含氧化钨的氧化铟、包含氧化钨的氧化铟锌、包含氧化钛的氧化铟、包含氧化钛的氧化铟锡、氧化铟锡(也称为IT0)、氧化铟锌、添加有氧化硅的氧化铟锡等。由阴极703及阳极705夹有发光层704的结构可以被称为发光元件702。在图25A所示的像素中，从发光元件702发射的光如箭头所示那样发射到阳极705—侧。发光元件702的结构也可以采用微腔结构。因为由此能够选择取出波长，所以能够提高颜色纯度。另外，在此情况下，根据取出波长而设定构成发光元件702的各层的厚度。另外，优选使用具有预定反射率的材料形成电极。在阳极705上，也可以形成包含氮化硅、氧化硅等的绝缘层。由此，能够抑制发光元件的劣化。接着，参照图25B说明底部发射式的发光元件。图25B示出在从发光元件712发射的光穿过阴极713—侧的情况下的像素的截面图。这里，在与驱动用TFT711电连接的具有透光性的导电层717上形成有发光元件712的阴极713，并且在阴极713上按顺序层叠有发光层714、阳极715。另外，在阳极715具有透光性的情况下，也可以覆盖在该阳极715上地设置遮光膜716。与图25A的情况同样，至于阴极713，可以使用功函数低的导电材料。但是，将其膜厚度设定为透过光的程度(优选为5nm至30nm左右)。例如，可以将膜厚度为20nm左右的铝膜用作阴极713。而且，与图25A同样，发光层714可以由单层或多层的层叠构成。阳极715不需要透过光，但是可以与图25A同样使用具有透光性的导电材料形成。并且，遮光膜716可以使用反射光的金属等，但是不局限于此。另外，通过使遮光膜716具有反射功能，可以提高光的取出效率。由阴极713及阳极715夹有发光层714的结构可以被称为发光元件712。在图25B所示的像素中，从发光元件712发射的光如箭头所示那样发射到阴极713—侧。发光元件712的结构也可以采用微腔结构。另外，还可以在阳极715上形成绝缘层。接着，参照图25C说明双面发射式的发光元件。在图25C中，在与驱动用TFT721电连接的具有透光性的导电层727上形成有发光元件722的阴极723，并且在阴极723上按顺序层叠有发光层724、阳极725。与图25A的情况同样，至于阴极723，可以使用功函数低的导电材料。但是，将其膜厚度设定为透过光的程度。例如，可以将膜厚度为20nm的铝膜用作阴极723。而且，与图25A同样，发光层724可以由单层或多层的层叠构成。阳极725可以与图25A同样使用透过光的具有透光性的导电材料形成。阴极723、发光层724和阳极725重叠的结构可以被称为发光元件722。在图25C所示的像素中，从发光元件722发射的光如箭头所示那样发射到阳极725—侧和阴极723一侧双方。发光元件722的结构也可以采用微腔结构。另外，还可以在阳极725上形成绝缘层。另外，虽然在此说明了有机EL元件作为发光元件，但是也可以设置无机EL元件作为发光元件。另外，虽然在这里示出了控制发光元件的驱动的薄膜晶体管(驱动用TFT)和发光元件电连接的例子，但是也可以采用在驱动用TFT和发光元件之间连接有电流控制用TFT的结构。另外，本实施方式所示的半导体装置不局限于图25所示的结构而可以进行各种变形。接着，参照图26说明相当于半导体装置的一个方式的发光显示面板(也称为发光面板)的外观及截面。图26是一种面板的平面图及截面图，其中使用密封材料4505和第二基板4506密封形成在第一基板4501上的的薄膜晶体管4509、4510及发光元件4511。图26A示出平面图，而图26B相当于沿着图26A的H-I线的截面图。以围绕设置在第一基板4501上的像素部4502、信号线驱动电路4503a及4503b、扫描线驱动电路4504a及4504b的方式设置有密封材料4505。另外，在像素部4502、信号线驱动电路4503a及4503b、扫描线驱动电路4504a及4504b上设置有第二基板4506。就是说，像素部4502、信号线驱动电路4503a、4503b以及扫描线驱动电路4504a、4504b与填料4507—起由第一基板4501、密封材料4505和第二基板4506密封。像这样，优选使用气密性高且脱气少的保护薄膜(贴合薄膜、紫外线固化树脂薄膜等)或覆盖材料等进行封装(封入)。此外，设置在第一基板4501上的像素部4502、信号线驱动电路4503a、4503b及扫描线驱动电路4504a、4504b包括多个薄膜晶体管，在图26B中，例示包括在像素部4502中的薄膜晶体管4510和包括在信号线驱动电路4503a中的薄膜晶体管4509。作为薄膜晶体管4509及4510，可以应用上述实施方式所示的晶体管。在本实施方式中，薄膜晶体管4509、4510是η沟道型晶体管。此外，附图标记4511相当于发光元件，发光元件4511所具有的作为像素电极的第一电极层4517与薄膜晶体管4510的源电极层或漏电极层电连接。另外，发光元件4511的结构是由第一电极层4517、第二电极4512、场致发光层4513、第三电极层4514构成的层叠结构，但是不局限于本实施方式所示的结构。可以根据从发光元件4511取出的光的方向等而适当地改变上述结构。通过使用有机树脂膜、无机绝缘膜或有机聚硅氧烷等来形成分隔壁4520。特别优选的是，使用感光材料，在第一电极层4517上形成开口部，并且将该开口部的侧壁形成为具有连续的曲率的倾斜面。场致发光层4513既可以由单层构成，又可以由多层的层叠构成。也可以在第三电极层4514及分隔壁4520上形成保护膜，以防止氧、氢、水、二氧化碳等侵入到发光元件4511中。作为保护膜，可以形成氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC膜等。另外，供给到信号线驱动电路4503a、4503b、扫描线驱动电路4504a、4504b、像素部4502等的各种信号是从FPC4518a、4518b供给的。在本实施方式中，示出如下例子连接端子电极4515由与发光元件4511的第一电极层4517相同的导电膜形成，并且端子电极4516由与薄膜晶体管4509、4510的源电极层及漏电极层相同的导电膜形成。连接端子电极4515通过各向异性导电膜4519电连接到FPC4518a所具有的端子。位于从发光元件4511取出光的方向上的基板需要具有透光性。作为具有透光性的基板，有玻璃板、塑料板、聚酯薄膜或丙烯酸树脂薄膜等。作为填料4507，除了氮、氩等的惰性气体之外，还可以使用紫外线固性树脂或热固性树脂等。例如，可以使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)等。在本实施方式中，示出使用氮作为填料的例子。若有需要，则还可以在发光元件的发射面上适当地设置诸如偏振片、圆偏振片(包括椭圆偏振片)、相位差板(λ/4片、λ/2片)、滤色片等的光学薄膜。另外，也可以对表面进行抗反射处理。例如，可以进行抗眩光处理，该处理可以通过利用表面的凹凸来扩散反射光，降低眩光。信号线驱动电路4503a、4503b及扫描线驱动电路4504a、4504b也可以由另行准备的基板上的单晶半导体或多晶半导体形成。此外，也可以另外仅形成信号线驱动电路或其一部分、或者扫描线驱动电路或其一部分而安装。本实施方式不局限于图26的结构。通过上述工序，可以制造高性能的发光显示装置(显示面板)。以下，说明能够应用数字时间灰度级驱动的像素结构及其工作。图39是示出可以应用数字时间灰度级驱动的像素结构的例子的图。这里示出了一个像素包括将氧化物半导体层(Ιη-Ga-Zn-O类非单晶膜)用于沟道形成区的两个η沟道晶体管的例子。在图39Α中，像素6400包括开关用晶体管6401、驱动用晶体管6402、发光元件6404和电容元件6403。开关用晶体管6401的栅极与扫描线6406连接，开关用晶体管6401的第一电极(源电极和漏电极之一)与信号线6405连接，而开关用晶体管6401的第二电极(源电极和漏电极中的另一个)与驱动用晶体管6402的栅极连接。驱动用晶体管6402的栅极通过电容元件6403与电源线6407连接，驱动用晶体管6402的第一电极与电源线6407连接，驱动用晶体管6402的第二电极与发光元件6404的第一电极(像素电极)连接。发光元件6404的第二电极相当于公共电极6408。另外，发光元件6404的第二电极(公共电极6408—侧)和第一电极(电源线6407一侧)的电位的关系还可以为双方中的任一方都为高电位。在发光显示装置中，将高电位与低电位之间的电位差施加到发光元件6404，并以由此产生的电流使发光元件6404发光，因此只要将各电位设定为高电位与低电位之间的电位差成为发光元件6404的阈值电压以上即可。注意，当驱动用晶体管6402的栅极电容用作电容元件6403的替代物时，可以省略电容元件6403。驱动用晶体管6402的栅极电容也可以在沟道区与栅电极之间形成。这里，在采用电压输入电压驱动方式的情况下，对驱动用晶体管6402的栅极输入使驱动用晶体管6402处于导通状态或截止状态的视频信号。即，使驱动用晶体管6402工作在线性区域。另外，通过改变输入信号，可以使用与图39A相同的像素结构进行模拟灰度级驱动。例如，通过将视频信号设定为模拟方式，可以在发光元件6404中产生根据视频信号的电流来进行模拟灰度级驱动。优选的是，视频信号为驱动用晶体管6402工作在饱和区域的信号。另外，电源线6407的电位也可以是以脉冲状变化的电位。在此情况下，优选采用图39B所示的结构。另外，在图39A的结构中，某一个像素的发光元件6404的第二电极的电位通常与另一像素的第二电极的电位共用(公共电极6408的电位)，但是还可以按照每个像素对阴极进行构图，来将它连接于各驱动晶体管。另外，公开的发明的一个方式不被解释为局限于图39所示的像素结构。例如，还可以对图39所示的像素追加开关、电阻元件、电容元件、晶体管、逻辑电路等。另外，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式7在本实施方式中，说明在显示装置中在同一基板上至少制造设置在驱动电路的一部分的薄膜晶体管以及设置在像素部的薄膜晶体管的例子。图27A示出作为显示装置的一个例子的有源矩阵型显示装置的框图的一例。图27A所示的显示装置在基板5300上包括具有多个具备显示元件的像素的像素部5301；选择各像素的扫描线驱动电路5302；以及控制对被选择了的像素的视频信号输入的信号线驱动电路5303。图27B示出作为显示装置的一个例子的有源矩阵型显示装置的框图的另一例。图27B所示的显示装置在基板5400上包括具有多个具备显示元件的像素的像素部5401；选择各像素的第一扫描线驱动电路5402及第二扫描线驱动电路5404；以及控制对被选择了的像素的视频信号输入的信号线驱动电路5303。在输入到图27B所示的显示装置的像素的视频信号为数字方式的情况下，通过切换晶体管的导通和截止来控制像素的亮度。在此情况下，例如可以采用面积灰度法或时间灰度法进行显示。面积灰度法是一种驱动法，其中通过将一个像素分割为多个子像素并根据视频信号分别驱动各子像素，来进行灰度级显示。另外，时间灰度法是一种驱动法，其中通过将一个帧期间分割为多个子帧期间等方法，控制晶体管处于导通状态的期间(或处于截止状态的期间)，来进行灰度级显示。另外，因为发光元件的响应速度比液晶元件等高，所以适合于时间灰度法。在图27B所示的发光显示装置示出如下例子在两个开关用TFT被设置于一个像素中的情况下，第一扫描线驱动电路5402生成被输入到起一个开关用TFT的栅极布线作用的第一扫描线的信号，而第二扫描线驱动电路5404生成被输入到起另一个开关用TFT的栅极布线作用的第二扫描线的信号。另外，所公开的发明的一个方式不局限于此，也可以采用在一个扫描线驱动电路中生成输入到第一扫描线的信号和输入到第二扫描线的信号双方的结构。另外，例如，用于控制开关元件的工作的扫描线的个数有可能会增加，这取决于一个像素中所包括的开关用TFT的数量，但是即使在此情况下，也可以使用一个扫描线驱动电路生成输入到多个扫描线的所有信号，或使用多个扫描线驱动电路分别生成该信号。可以根据上述实施方式而形成配置在显示装置的像素部的薄膜晶体管。另外，可以在与像素部的晶体管相同的基板上形成用于驱动电路的薄膜晶体管的一部分或全部。另外，在保护电路、栅极驱动器、源极驱动器等外围驱动电路部中不需要形成透光晶体管。因此，还可以采用在像素部透光而在外围驱动电路部中不透光的结构。图28示出上述薄膜晶体管。图28A示出在不使用多灰度级掩模的情况下形成的薄膜晶体管，而图28B示出在使用多灰度级掩模的情况下形成的薄膜晶体管。在附图中，左侧示出驱动电路部的晶体管，而右侧示出像素部的晶体管。当在不使用多灰度级掩模的情况下形成上述驱动电路部的薄膜晶体管时，在形成用作栅极布线的导电层132a时形成用作栅电极的导电层2800，并且在形成用作源极布线的导电层112时形成用作源电极(或漏电极)的导电层2802a和导电层2802b(参照图28A、图1等)。在此情况下，不需要设置对应于像素部的晶体管中的用作栅电极的导电层126a、用作源电极的导电层106a和用作漏电极的导电层106b的层，但是公开的发明的一个方式不局限于此。另外，可以一体形成源极布线和源电极(漏极布线和漏电极)。在本说明书中，区别布线和电极只是为了方便起见，因此，如果结构允许的话，既可一起形成布线和电极，又可彼此分离地形成布线和电极。当在使用多灰度级掩模的情况下形成上述薄膜晶体管时，布线或电极具有由透光材料形成的导电层和由低电阻材料形成的导电层的层叠结构。例如，栅电极具有由透光材料形成的导电层2810和由低电阻材料形成的导电层2812的层叠结构(参照图28B)。另夕卜，源电极或漏电极具有由透光材料形成的导电层2814a(或导电层2814b)和由低电阻材料形成的导电层2816a(或导电层2816b)的层叠结构(参照图28B)。另外，低电阻材料通常具有遮光性，因而形成的薄膜晶体管不透光，但是不需要完全具有遮光性(如透光率为10%以下)。像这样，通过在外围电路部形成不透光的薄膜晶体管，可以降低起因于电极等的电阻来提高薄膜晶体管的特性。由此，可以提供一种在像素部中开口率得到提高且外围电路的性能得到提高的半导体装置。就是说，可以解决半导体装置的特性提高的课题。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式8半导体装置可以应用于电子纸。电子纸可以用于用来显示信息的所有领域的电子设备。例如，可以将电子纸应用于电子图书(电子书)、海报、电车等交通工具的车厢广告、信用卡等各种卡片的显示部等。图29以及图30示出电子设备的一例。图29A示出利用电子纸而制造的海报2631。在广告介质是纸的印刷物的情况下，用人手进行广告的更换，但是如果使用电子纸，则可以在短时间内改变广告的显示内容。此夕卜，显示不会打乱而可以获得稳定的图像。另外，海报也可以采用以无线的方式收发信息的结构。此外，图29B示出电车等交通工具的车厢广告2632。在广告介质是纸的印刷物的情况下，用人手进行广告的更换，但是如果使用电子纸，则可以在短时间内不需要许多人手地改变广告的显示内容。此外，显示不会打乱而可以获得稳定的图像。另外，车厢广告也可以采用以无线的方式收发信息的结构。另外，图30示出电子书籍2700的一例。例如，电子书籍2700由两个框体，即框体2701及框体2703构成。框体2701及框体2703由轴部2711形成为一体，并且可以以该轴部2711为轴进行开闭动作。通过采用这种结构，可以进行如纸的书籍那样的动作。框体2701组装有显示部2705，并且框体2703组装有显示部2707。显示部2705及显示部2707的结构既可以是显示连续画面的结构，又可以是显示不同的画面的结构。通过采用显示不同的画面的结构，例如可以在右边的显示部(图30中的显示部2705)上显示文章，并且在左边的显示部(图30中的显示部2707)上显示图像。此外，在图30中示出框体2701具备操作部等的例子。例如，在框体2701中，具备电源2721、操作键2723、扬声器2725等。通过利用操作键2723，可以翻页。另外，也可以采用在与框体的显示部同一个的面上具备键盘、定位装置等的结构。另外，也可以采用在框体的背面或侧面具备外部连接用端子(耳机端子、USB端子或可与AC适配器及USB电缆等各种电缆连接的端子等)、记录介质插入部等的结构。再者，电子书籍2700也可以具有作为电子词典的功能。此外，电子书籍2700也可以采用以无线的方式收发信息的结构。还可以采用以无线的方式从电子书籍服务器购买所希望的书籍数据等，然后下载的结构。本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。实施方式9在本实施方式中，说明可应用于液晶显示装置的像素的结构及像素的工作。另外，本实施方式中的作为液晶元件的工作模式，可以采用TNCTwistedNematic扭转向列)模式、IPS(In-Plane-Switching平面内切换)模式、FFS(FringeFieldSwitching边缘场切换)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment多象限垂直配向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment垂直取向构型)模式、(AxialIySymmetricalignedMicro-cell轴对称排列微胞)模式、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence光学补偿弯曲)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal铁电性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal反铁电性液晶)模式等。图40A是示出可以应用于液晶显示装置的像素结构的一例的图。像素5080具有晶体管5081、液晶元件5082及电容元件5083。晶体管5081的栅极电连接到布线5085。晶体管5081的第一端子电连接到布线5084。晶体管5081的第二端子电连接到液晶元件5082的第一端子。液晶元件5082的第二端子电连接到布线5087。电容元件5083的第一端子电连接到液晶元件5082的第一端子。电容元件5083的第二端子电连接到布线5086。此外，晶体管的第一端子是源极和漏极中的一方，晶体管的第二端子是源极和漏极中的另一方。就是说，在晶体管的第一端子是源极的情况下，晶体管的第二端子成为漏极。与此相同，在晶体管的第一端子是漏极的情况下，晶体管的第二端子成为源极。布线5084可以用作信号线。信号线是用来将从像素的外部输入的信号电压传送到像素5080的布线。布线5085可以用作扫描线。扫描线是用来控制晶体管5081的导通截止的布线。布线5086可以用作电容线。电容线是用来对电容元件5083的第二端子施加预定电压的布线。晶体管5081可以用作开关。电容元件5083可以用作保持电容。保持电容是用来在开关为截止的状态下也使信号电压继续施加到液晶元件5082的电容元件。布线5087可以用作对置电极。对置电极是用来对液晶元件5082的第二端子施加预定电压的布线。此外，每个布线可以具有的功能不局限于此，可以具有各种功能。例如，通过使施加到电容线的电压变化，可以调整施加到液晶元件的电压。此外，晶体管5081只要用作开关即可，因此晶体管5081的极性既可以为P沟道型，也可以为N沟道型。图40B是可以应用于液晶显示装置的像素结构的一例的图。与图40A所示的像素结构例子相比，图40B所示的像素结构例子除了如下点之外具有与图40A所示的像素结构例子同样的结构省略布线5087，并且液晶元件5082的第二端子和电容元件5083的第二端子电连接。图40B所示的像素结构例可以尤其在液晶元件为横向电场模式(包括IPS模式和FFS模式)的情况下应用。这是因为，在液晶元件为横向电场模式的情况下，可以在同一个基板上形成液晶元件5082的第二端子及电容元件5083的第二端子，因此容易电连接液晶元件5082的第二端子及电容元件5083的第二端子的缘故。通过采用图40B所示的像素结构，可以省略布线5087，因此可以使制造工序简单，降低制造成本。图40A或40B所示的多个像素结构可以布置为矩阵状。通过这样，可以形成液晶显示装置的显示部，并显示各种图像。图40C是表示当图40A所示的多个像素结构布置为矩阵状时的电路结构的图。图40C所示的电路结构是从显示部所具有的多个像素中取出四个像素并示出的图。再者，位于i列j行(i、j是自然数)的像素表示为像素5080」，j，布线5084_i、布线5085_j、布线5086_j分别电连接到像素5080_i，j。与此同样，像素5080_i+1,j电连接到布线5084」+1、布线5085_j、布线5086_j。与此同样，像素5080」，j+Ι电连接到布线5084_i、布线5085_j+l、布线5086_j+l。与此同样，像素5080_i+l，j+Ι电连接到布线5084_i+l、布线5085_j+l、布线5086J+1。此外，每个布线可以由属于同一个列或行的多个像素共同使用。此外，在图40C所示的像素结构中，布线5087是对置电极，对置电极是在所有的像素中共同使用的，因此对于布线5087，不使用自然数i或j的表记。此外，也可以使用图40B所示的像素结构，因此即使采用记载有布线5087的结构，也并不一定需要布线5087，可以通过与其它布线共同使用等而省略。图40C所示的像素结构可以通过各种方法驱动。尤其是，通过称为交流驱动的方法驱动，可以抑制液晶元件的劣化(残影)。图40D是表示在进行交流驱动之一的点反转驱动时的对图40C所示的像素结构中的每个布线施加的电压的时序图。通过进行点反转驱动，可以抑制当进行交流驱动时看到的闪烁(flicker)。在图40C所示的像素结构中，电连接到布线5085_j的像素中的开关在1帧期间中的第j栅极选择期间处于选择状态(导通状态)，在除此之外的期间处于非选择状态(截止状态)。并且，在第j栅极选择期间之后设置第j+1栅极选择期间。通过这样依次进行扫描，在1帧期间内，所有的像素按顺序成为选择状态。在图40D所示的时序图中，通过使电压处于高的状态(高电平)，从而使该像素中的开关处于选择状态，通过使电压处于低的状态(低电平)而处于非选择状态。此外，这是指每个像素中的晶体管为N沟道型的情况，而在使用P沟道型晶体管的情况下，电压和选择状态的关系成为与采用N沟道型的情况相反。在第40D所示的时序图中，在第k帧(k是自然数)中的第j栅极选择期间，对用作信号线的布线5084_i施加正的信号电压，对布线5084_i+l施加负的信号电压。再者，在第k帧中的第j+Ι栅极选择期间，对布线5084_i施加负的信号电压，并且对布线5084_i+l施加正的信号电压。然后，对每个信号线交替施加在每个栅极选择期间极性反转了的信号。其结果，在第k帧中对像素5080」，j施加正的信号电压、对像素5080」+1，j施加负的信号电压、对像素5080_i，j+1施加负的信号电压、对像素5080_i+l，j+1施加正的信号电压。并且，在第k+Ι帧中，在每个像素中被写入与在第k帧中写入的信号电压相反的极性的信号电压。其结果，在第k+Ι帧中，对像素5080_i，j施加负的信号电压、对像素5080_i+l，j施加正的信号电压、对像素5080」，j+Ι施加正的信号电压、对像素5080」+1，j+Ι施加负的信号电压。如此，在同一个帧中对相邻的像素施加不同极性的信号电压，并且在每个像素中针对每1帧反转信号电压的极性的驱动方法是点反转驱动。通过点反转驱动，可以抑制液晶元件的劣化并减少在所显示的图像整体或一部分均勻的情况下看到的闪烁。此外，可以将施加到包括布线5086_j、5086_j+l的所有的布线5086的电压设为恒定的电压。此外，布线5084的时序图中的信号电压仅标记极性，但是实际上在所显示的极性中可以取各种信号电压的值。此外，虽然在此说明针对每1点(一个像素)反转极性的情况，但是不局限于此，可以针对每多个像素反转极性。例如，通过在每2个栅极选择期间使写入的信号电压的极性反转，可以减少信号电压的写入所需要的功耗。除此之外，可以针对每1列使极性反转(源极线反转)，也可以针对每1行使极性反转(栅极线反转)。此外，对像素5080中的电容元件5083的第二端子，在1帧期间施加恒定的电压即可。在此，在1帧期间的大部分中，施加到用作扫描线的布线5085的电压为低电平，由于施加有大致恒定的电压，因此像素5080中的电容元件5083的第二端子的连接目的地也可以是布线5085。图40E是可以应用于液晶显示装置的像素结构的一例的图。与图40C所示的像素结构相比，图40E所示的像素结构的特征在于省略布线5086，并且像素5080内的电容元件5083的第二端子和前1行中的布线5085电连接。具体而言，在图40E中示出的范围内，像素5080」，j+Ι及像素5080」+1，j+Ι中的电容元件5083的第二端子电连接到布线5085_j。如此，通过将像素5080内的电容元件5083的第二端子和前1行中的布线5085电连接，可以省略布线5086，因此可以提高像素的开口率。此外，电容元件5083的第二端子的连接位置也可以不是前1行中的布线5085，而是其它行中的布线5085。此外，图40E所示的像素结构的驱动方法可以使用与图40C所示的像素结构的驱动方法同样的方法。此外，使用电容元件5083及电连接到电容元件5083的第二端子的布线，可以减少施加到用作信号线的布线5084的电压。参照图40F及40G说明此时的像素结构及驱动方法。与图40A所示的像素结构相比，图40F所示的像素结构的特征在于每1个像素列具有两条布线5086，并且在相邻的像素中交替进行与像素5080中的电容元件5083的第二端子的电连接。此外，采用两条的布线5086分别称为布线5086-1及布线5086-2。具体而言，在图40F中示出的范围内，像素5080」，j中的电容元件5083的第二端子电连接到布线5086_1_j，像素5080」+1，j中的电容元件5083的第二端子电连接到布线5086_2_j，像素5080」，j+Ι中的电容元件5083的第二端子电连接到布线5086-2_j+l，像素5080」+1，j+Ι中的电容元件5083的第二端子电连接到布线5086-l_j+l。并且，例如，如图40G所示那样，在第k帧中对像素5080」，j写入正的极性的信号电压的情况下，在第j栅极选择期间，布线5086-l_j为低电平，在第j栅极选择期间结束之后，转变为高电平。然后，在1帧期间中一直维持高电平，并且在第k+Ι帧中的第j栅极选择期间被写入负的极性的信号电压之后，转变为低电平。如此，在正的极性的信号电压写入到像素之后，将电连接到电容元件5083的第二端子上的布线的电压转变为正方向，从而可以使施加到液晶元件上的电压向正方向变化预定量。就是说，可以相应地减少写入到像素的信号电压，因此可以减少信号写入所需要的功耗。此外，在第j栅极选择期间被写入负的极性的信号电压的情况下，在负的极性的信号电压写入到像素之后，将电连接到电容元件5083的第二端子上的布线的电压转变为负方向，从而可以使施加到液晶元件的电压向负方向变化预定量，因此与正的极性的情况同样地可以减少写入到像素的信号电压。就是说，关于电连接到电容元件5083的第二端子上的布线，在同一帧的同一行中被施加正的极性的信号电压的像素和被施加负的极性的信号电压的像素之间优选分别为不同的布线。图40F是对在第k帧中被写入正的极性的信号电压的像素电连接布线5086-1，对在第k帧中被写入负的极性的信号电压的像素电连接布线5086-2的例子。但是，这是一个例子，例如在每两个像素中呈现被写入正的极性的信号电压的像素和被写入负的极性的信号电压的像素这样的驱动方法的情况下，优选布线5086-1及布线5086-2的电连接也与其相应地在每两个像素中交替进行。再说，虽然可以考虑在1行的所有的像素中被写入相同极性的信号电压的情况(栅极线反转)，但是在此情况下在每1行中有一条布线5086即可。就是说，在图40C所示的像素结构中也可以采用如参照图40F及40G说明那样的减少写入到像素的信号电压的驱动方法。接下来，说明在液晶元件是以MVA模式或PVA模式等为代表的垂直取向(VA)模式的情况下特别优选的像素结构及其驱动方法。VA模式具有如下优良特征制造时不需要研磨工序；黑色显示时的光泄露少；驱动电压低，等等，但是也具有在从斜方向看画面时图像质量劣化的(视角狭窄)的问题。为了扩大VA的视角，如图41A及41B所示，采用一个像素中具有多个子像素(subpixel)的像素结构是有效的。图41A及41B所示的像素结构是表示像素5080包括两个子像素(子像素5080-1、子像素5080-2)的情况的一例。此外，一个像素中的子像素的数量不局限于两个，也可以使用各种个数的子像素。子像素的个数越多，可以使视角越大。多个子像素可以设为彼此相同的电路结构，在此设定为所有的子像素与图40A所示的电路结构同样并进行说明。此外，第一子像素5080-1具有晶体管5080-1、液晶元件5082-1、电容元件5083-1，每个连接关系依照图40A所示的电路结构。与此相同，第二子像素5080-2具有晶体管5081-2、液晶元件5082-2、电容元件5083-2，每个连接关系依照图40A所示的电路结构。图41A所示的像素结构表示如下结构相对于构成一个像素的两个子像素，具有两条用作扫描线的布线5085(布线5085-1、5085-2)，具有用作信号线的一条布线5084，具有用作电容线的一条布线5086。如此，在两个子像素中共同使用信号线及电容线，可以提高开口率，而且，可以将信号线驱动电路设得简单，因此可以降低制造成本且能够减少液晶面板和驱动电路IC的连接点的个数，因此可以提高成品率。图41B所示的像素结构表示如下结构相对于构成一个像素的两个子像素具有一条用作扫描线的布线5085，具有用作信号线的两条布线5084(布线5084-1、5084-2)，具有用作电容线的一条布线5086。如此，在两个子像素中共同使用扫描线及电容线，可以提高开口率，而且，可以减少整体的扫描线的个数，因此即使在高精细的液晶面板中也可以充分地延长每一个的栅极线选择期间，并且可以对每个像素写入合适的信号电压。图41C及41D是在图41B所示的像素结构中，将液晶元件置换为像素电极的形状后示意地表示每个元件的电连接状态的例子。图41C及41D中，电极5088-1表示第一像素电极，电极5088-2表示第二像素电极。在图41C中，第一像素电极5088-1相当于图41B中的液晶元件5082-1的第一端子，第二像素电极5088-2相当于图41B中的液晶元件5082-2的第一端子。就是说，第一像素电极5088-1电连接到晶体管5081-1的源极或漏极，第二像素电极5088-2电连接到晶体管5081-2的源极或漏极。另一方面，在图41D中，将像素电极和晶体管的连接关系颠倒。就是说，第一像素电极5088-1电连接到晶体管5081-2的源极或漏极，第二像素电极5088-2电连接到晶体管5081-1的源极或漏极。通过以矩阵状交替地布置如图41C及41D所示的像素结构，可以获得特别的效果。图41E及41F示出这种像素结构及其驱动方法的一例。图41E所示的像素结构采用如下结构将与像素5080」，j及像素5080」+1，j+Ι相当的部分设为图41C中所示的结构，将与像素5080_i+l，j及像素5080_i，j+1相当的部分设为图41D中所示的结构。在该结构中，当如图41F所示的时序图那样进行驱动时，在第k帧的第j栅极选择期间，对像素5080」，j的第一像素电极及像素5080」+1，j的第二像素电极写入正的极性的信号电压，对像素5080_i,j的第二像素电极及像素5080_i+l，j的第一像素电极写入负的极性的信号电压。再者，在第k帧的第j+Ι栅极选择期间，对像素5080」，j+Ι的第二像素电极及像素5080_i+l，j+l的第一像素电极写入正的极性的信号电压，对像素5080」，j+Ι的第一像素电极及像素5080_i+l，j+l的第二像素电极写入负的极性的信号电压。在第k+Ι帧中，在每个像素中反转信号电压的极性。通过这样，在包括子像素的像素结构中，实现相当于点反转驱动的驱动，并且可以在1帧期间内使施加到信号线的电压的极性相同，因此，可以大幅度地减少像素的信号电压写入所需要的功耗。此外，可以将施加到包括布线5086_j、布线5086_j+l的所有的布线5086上的电压设为恒定的电压。而且，通过图41G及41H所示的像素结构及其驱动方法，可以减少写入到像素的信号电压的大小。这是使电连接到每个像素具有的多个子像素上的电容线针对每个子像素不同。就是说，通过图41G及41H所示的像素结构及其驱动方法，关于在同一帧内被写入同一极性的子像素，在同一行内共同使用电容线，关于在同一帧内被写入不同极性的子像素，在同一行内使电容线不同。然后，在每个行的写入结束的时刻，在写入有正的极性的信号电压的子像素中使每个电容线的电压转变为正方向，在写入有负的极性的信号电压的子像素中使每个电容线的电压转变为负方向，从而可以减少写入到像素的信号电压的大小。具体而言，在每个行中使用两条用作电容线的布线5086(布线5086-1、布线5086-2)，像素5080」，j的第一像素电极和布线5086-l_j通过电容元件电连接，像素5080」，j的第二像素电极和布线5086-2_j通过电容元件电连接，像素5080」+1，j的第一像素电极和布线5086_2_j通过电容元件电连接，像素5080」+1，j的第二像素电极和布线5086-l_j通过电容元件电连接，像素5080」，j+Ι的第一像素电极和布线5086-2_j+l通过电容元件电连接，像素5080_i，j+1的第二像素电极和布线5086-l_j+l通过电容元件电连接，像素5080」+1，j+Ι的第一像素电极和布线5086-l_j+l通过电容元件电连接，像素5080」+1，j+Ι的第二像素电极和布线5086-2_j+l通过电容元件电连接。但是，这是一个例子，例如在采用每两个像素中呈现被写入正的极性的信号电压的像素和被写入负的极性的信号电压的像素这样的驱动方法的情况下，优选布线5086-1及布线5086-2的电连接也与其相应地在每两个像素中交替地进行。再说，虽然可以考虑到在1行的所有的像素中被写入相同极性的信号电压的情况(栅极线反转)，但是在此情况下在每1行中使用一条布线5086即可。就是说，在图41E所示的像素结构中也可以采用如参照图41G及41H说明那样的减少写入到像素的信号电压的驱动方法。实施方式10接下来，说明显示装置的其它结构例及其驱动方法。在本实施方式中，说明使用对于信号写入的亮度的响应慢(响应时间长)的显示元件的显示装置的情况。在本实施方式中，作为响应时间长的显示元件，以液晶元件为例进行说明，但是，本实施方式中的显示元件不局限于此，可以使用对于信号写入的亮度的响应慢的各种显示元件。在一般的液晶显示装置的情况下，对于信号写入的亮度的响应慢，即使对液晶元件持续施加信号电压的情况下，有时直到响应完成为止需要1帧期间以上的时间。使用这种显示元件显示运动图像，也不能如实地再现运动图像。再者，当以有源矩阵方式驱动时，对于一个液晶元件的信号写入的时间通常只是将信号写入周期(1帧期间或1子帧期间)除以扫描线的个数而得到的时间(1扫描线选择期间)，在很多情况下，液晶元件在该短时间内不能完成响应。因此，大多的液晶元件的响应在不进行信号写入的期间内进行。在此，液晶元件的介电常数根据该液晶元件的透射率而变化，但是在不进行信号写入的期间液晶元件进行响应是指，在不与液晶元件的外部交接电荷的状态(恒电荷状态)下液晶元件的介电常数变化。就是说，在(电荷)=(电容)·(电压)的公式中，在电荷一定的状态下电容变化，因此，根据液晶元件的响应，施加到液晶元件的电压从信号写入时的电压发生变化。因此，在以有源矩阵方式驱动对于信号写入的亮度的响应慢的液晶元件的情况下，施加到液晶元件的电压在原理上不能达到信号写入时的电压。本实施方式中的显示装置为了在信号写入周期内使显示元件响应到所希望的亮度，将信号写入时的信号电平设为预先校正的信号(校正信号)，从而可以解决上述问题。再者，信号电平越大液晶元件的响应时间越短，因此通过写入校正信号，可以使液晶元件的响应时间缩短。如这种加上校正信号的驱动方法还被称为过驱动。本实施方式中的过驱动即使在信号写入周期比输入到显示装置的像素信号的周期(输入图像信号周期Tin)短的情况下，也对照信号写入周期而校正信号电平，从而可以在信号写入周期内使显示元件响应到所希望的亮度。作为信号写入周期比输入图像信号周期Tin短的情况，可以举出例如将一个元图像分割为多个子图像，并且使该多个子图像在1帧期间内依次显示的情况。接着，参照图42A和42B说明在以有源矩阵方式驱动的显示装置中对信号写入时的信号电平进行校正的方法的例子。图42A是示出如下的图表横轴表示时间，纵轴表示信号写入时的信号电平，并且示意性地表示在某一个显示元件中的信号写入时的信号电平的随时间变化。图42B是示出如下的图表横轴表示时间，纵轴表示显示电平，并且示意性地表示在某一个显示元件中的显示电平的随时间变化。此外，在显示元件为液晶元件的情况下，可以将信号写入时的信号电平设为电压，将显示电平设为液晶元件的透射率。下面，将图42A中的纵轴设为电压、将图42B中的纵轴为透射率进行说明。此外，本实施方式中的过驱动还包括信号电平为电压以外(占空比、电流等)的情况。此外，本实施方式中的过驱动也包括显示电平为透射率以外(亮度、电流等)的情况。此外，液晶元件具有在电压为O时成为黑色显示的常黑型(例如VA模式、IPS模式等)和在电压为O时成为白色显示的常白型(例如TN模式、OCB模式等)，但是图42B所示的图表对应于上述双方，可以设为在常黑型的情况下，越向图表的上方透射率越大，并且在常白型的情况下，越向图表的下方透射率越大。就是说，本实施方式中的液晶模式既可以为常黑型，又可以为常白型。此外，在时间轴中以虚线表示信号写入定时，将从进行了信号写入后到进行下一次信号写入为止的期间称为保持期间F”在本实施方式中，i为整数，设为表示每个保持期间的指标(index)。在图42A及42B中，i为0至2，但i也可以为这些之外的整数(未图示0至2之外的情况)。此外，在保持期间Fi中，将实现对应于图像信号的亮度的透射率设为Ti,将在稳定状态下提供透射率Ti的电压设为\。此外，图42A中的虚线5101表示不进行过驱动时的施加到液晶元件的电压的随时间变化，实线5102表示本实施方式中的进行过驱动时的施加到液晶元件的电压的随时间变化。与此相同，图42B中的虚线5103表示不进行过驱动时的液晶元件的透射率的随时间变化，并且实线5104表示本实施方式中的进行过驱动时的液晶元件的透射率的随时间变化。此外，将在保持期间Fi的末尾中的所希望的透射率Ti和实际上的透射率的差异表示为误差α”在图42Α所示的图表中，在保持期间F。设在虚线5101和实线5102中均施加有所希望的电压Vtl，在图42Β所示的图表中，设在虚线5103和实线5104中均获得所希望的透射率Ttl。再者，在不进行过驱动的情况下，如虚线5101所示在保持期间F1的初期中对液晶元件施加有所希望的电压V1，但是如已所述，信号被写入的期间与保持期间相比极短，并且保持期间中的大部分的期间成为恒电荷状态，因此在保持期间随着透射率的变化，施加到液晶元件的电压发生变化，在保持期间F1的末尾中成为与所希望的电压V1的差异较大的电压。此时，图42Β所示的图表中的虚线5103也与所希望的透射率T1的差异较大。因此，不能进行忠实于图像信号的显示，导致图像质量降低。另一方面，在进行本实施方式中的过驱动的情况下，如实线5102所示，设为在保持期间&的初期中，对液晶元件施加比所希望的电压V1大的电压V/。就是说，预测在保持期间F1中施加到液晶元件的电压逐渐变化的情形，以在保持期间F1的末尾中使施加到液晶元件的电压成为所希望的电压V1附近的电压的方式，在保持期间F1的初期中，将从所希望的电压V1校正后的电压V/施加到液晶元件，从而可以对液晶元件正确地施加所希望的电压义。此时，如图42Β的图表中的实线5104所示，在保持期间F1的末尾中获得所希望的透射率1\。就是说，尽管在保持期间中的大部分的期间中成为恒电荷状态，也可以实现信号写入周期内的液晶元件的响应。接着，在保持期间F2中，表示所希望的电压V2小于V1的情况，但是这种情况也与保持期间F1同样，预测在保持期间F2中施加到液晶元件的电压逐渐变化的情形，以在保持期间F2的末尾中使施加到液晶元件的电压成为所希望的电压V2附近的电压的方式，在保持期间F2的初期中，将从所希望的电压V2校正后的电压V2’施加到液晶元件即可。由此，如图42Β的图表中的实线5104所示，在保持期间F2的末尾中获得所希望的透射率T2。此外，如保持期间F1那样，在Vi大于Vg的情况下，将校正了的电压V/优选校正为大于所希望的电压V”再者，如保持期间F2那样，在Vi小于Vp1的情况下，将校正了的电压V/优选校正为小于所希望的电压\。此外，可以通过预先测量液晶元件的响应特性来导出具体的校正值。作为组装到装置的方法，有如下方法将校正式公式化并嵌入到逻辑电路的方法；将校正值作为查找表(lookuptable)存储在存储器中，并且根据需要读出校正值的方法，等等。此外，在实际上作为装置实现本实施方式中的过驱动的情况下，有各种限定。例如，电压的校正必须在源极驱动器的额定电压的范围内进行。就是说，在所希望的电压原来就是大的数值且理想的校正电压超过源极驱动器的额定电压的情况下，不能完成校正。参照图42C及42D说明这种情况的问题。与图42A同样，图42C示出是如下的图表横轴表示时间，纵轴表示电压，并且示意性地表示某一个液晶元件中的电压的随时间变化作为实线5105。与图42B同样，图42D是示出如下的图表横轴表示时间，纵轴表示透射率，并且示意性地表示某一个液晶元件中的透射率的随时间变化作为实线5106。此外，关于其它表示方法，与图42A和42B同样，因此省略说明。在图42C及42D中表示如下状态用来实现保持期间F1中的所希望的透射率T1的校正电压V/超过源极驱动器的额定电压，因此不得不使V/=V1，不能进行充分的校正。此时，保持期间F1的末尾中的透射率成为与所希望的透射率T1偏离误差Ci1的值。但是，因为误差Ci1增大时局限于当所希望的电压原来是较大的值时，所以在很多的情况下，由于误差Ci1的发生导致的图像质量降低本身在容许的范围内。然而，由于误差Q1增大，电压校正的算法内的误差也增大。就是说，在电压校正的算法中假设在保持期间的末尾中获得所希望的透射率的情况下，尽管实际上误差α工增大，但是由于设为误差Q1较小而进行电压的校正，所以其次的保持期间F2中的校正中包含误差，其结果，导致误差α2也增大。再者，若误差Ci2增大，则导致其次的误差Ci3进一步增大，这样误差连锁地增大，其结果导致图像质量明显降低。在本实施方式中的过驱动中，为了抑制误差这样连锁地增大的情形，在保持期间Fi中校正电压V/超过源极驱动器的额定电压时，预测保持期间Fi的末尾中的误差αi，并且考虑该误差αi的大小，可以调整保持期间Fi+1中的校正电压。这样，即使误差、增大，也可以尽量减小误差αi+1受到的影响，因此可以抑制误差连锁地增大的情形。参照图42E及42F说明在本实施方式中的过驱动中尽量减小误差α2的例子。在图42Ε所示的图表中，进一步调整图42C所示的图表的校正电压V2’并将设为校正电压V2”时的电压的随时间变化表示为实线5107。图42F所示的图表表示由图42E所示的图表进行电压的校正时的透射率的随时间变化。在图42D所示的图表中的实线5106中，由于校正电压V2’而产生过校正(是指误差大的情况下的校正)，但是在图42F所示的图表中的实线5108中，根据考虑误差Ci1并调整的校正电压V2”抑制过校正，使误差％最小。此外，通过预先测量液晶元件的响应特性可以导出具体的校正值。作为组装到装置的方法，有如下方法将校正式公式化并嵌入到逻辑电路的方法；将校正值作为查找表(lookuptable)存储到存储器中，并根据需要读出校正值的方法，等等。再者，可以与计算校正电压V/的部分另行地追加这些方法，或者将这些方法嵌入到计算校正电压V的部分。此夕卜，考虑误差αη进行了调整的校正电压V/’的校正量(与所希望的电压Vi的差异)优选小于V/的校正量。就是说，优选设为If-ViI<Ivi'-ViU此外，信号写入周期越短，由于理想的校正电压超过源极驱动器的额定电压而产生的误差CIi越大。这是因为信号写入周期越短，需要使液晶元件的响应时间也越短，其结果需要更大的校正电压的缘故。再者，所需要的校正电压增大的结果，校正电压超过源极驱动器的额定电压的频度也变高，因此产生较大的误差CIi的频度也变高。因此，可以说信号写入周期越短，本实施方式中的过驱动越有效。具体而言，在使用如下驱动方法的情况下利用本实施方式中的过驱动时发挥特别的效果，即在将一个元图像分成为多个子图像，并在1帧期间内依次显示该多个子图像的情况；从多个图像检测出图像所包括的运动，生成该多个图像的中间状态的图像，并插入到该多个图像之间而进行驱动(所谓的运动补偿倍速驱动)的情况；或者组合上述的情况，等等。此外，源极驱动器的额定电压除了上述的上限之外还存在下限。例如，可以举出不能施加小于电压0的电压的情况。此时，与上述的上限的情况同样，不能施加理想的校正电压，因此误差、增大。但是，在此情况下，也与上述方法同样，可以预测保持期间Fi的末尾中的误差αi，考虑该误差αi的大小来调整保持期间Fi+1中的校正电压。此外，在可以施加小于电压0的电压(负的电压)作为源极驱动器的额定电压的情况下，也可以对液晶元件施加负的电压作为校正电压。这样，可以预测恒电荷状态的电位的变动，并调整为保持期间Fi的末尾中施加到液晶元件的电压成为所希望的电压Vi附近的电压。此外，为了抑制液晶元件的劣化，可以与过驱动组合而实施将施加到液晶元件的电压的极性定期反转的所谓的反转驱动。就是说，本实施方式中的过驱动包括与反转驱动同时进行的情况。例如，在信号写入周期为输入图像信号周期Tin的1/2的情况下，若使极性反转的周期和输入图像信号周期Tin为相同程度，则每两次交替地进行正极性的信号的写入和负极性的信号的写入。如此，使极性反转的周期长于信号写入周期，从而可以减少像素的充放电的频度，因此减少功耗。但是，如果使极性反转的周期过长，有时产生由于极性的不同而导致的亮度差被观察为闪烁的问题，因此使极性反转的周期优选与输入图像信号周期Tin相同的程度或比输入图像信号周期Tin短。实施方式11接着，说明显示装置的其它结构例及其驱动方法。在本实施方式中，说明如下方法，即在显示装置的内部基于多个输入图像而生成对从显示装置的外部输入的图像(输入图像)的运动进行插值的图像，并且依次显示该生成的图像(生成图像)和输入图像。此外，通过将生成图像作为对输入图像的运动进行插值这样的图像，可以使运动图像的运动平滑，而且可以改善由于保持驱动引起的残影等导致的运动图像的质量降低的问题。在此，下面说明运动图像的插值。关于运动图像的显示，理想的是通过实时控制每个像素的亮度来实现，但是像素的实时单独控制很难实现，有如下问题控制电路的个数变得庞大的问题；布线空间的问题；以及输入图像的数据量变庞大的问题，等等。因此，通过以一定的周期依次显示多个静止图像使得显示看起来像运动图像，来进行显示装置的运动图像的显示。该周期(在本实施方式中称为输入图像信号周期，表示为Tin)被标准化，例如根据NTSC标准为1/60秒，根据PAL标准为1/50秒。采用这种程度的周期也不会在作为脉冲型显示装置的CRT中发生运动图像显示的问题。但是，在保持型显示装置中，当原样地显示依照这些标准的运动图像时，发生由于是保持型而引起的残影等而使显示不清楚的问题(保持模糊；holdblur)。保持模糊是由于人眼的追随引起的无意识的运动的插值与保持型的显示的不一致(discr印ancy)而被观察的，因此能够通过使输入图像信号周期比以往的标准短(近似于像素的实时单独控制)，来减少保持模糊，但是缩短输入图像信号周期带来标准的改变，而且数据量也增大，所以很困难。但是，基于标准化了的输入图像信号，在显示装置内部生成对输入图像的运动进行插值这样的图像，并且利用该生成图像对输入图像进行插值而进行显示，从而可以减少保持模糊，而不用改变标准或增大数据量。如此，将基于输入图像信号在显示装置内部生成图像信号、并对输入图像的运动进行插值的处理称为运动图像的插值。通过本实施方式中的运动图像的插值方法，可以减少运动图像的模糊。本实施方式中的运动图像的插值方法可以分为图像生成方法和图像显示方法。再者，关于特定模式的运动，通过使用其它的图像生成方法及/或图像显示方法，可以有效地减少运动图像的模糊。图43A和43B是用来说明本实施方式中的运动图像的插值方法的一例的示意图。在图43A和43B中，横轴表示时间，并且根据横方向的位置表示每个图像被处理的定时。记载有“输入”的部分表示输入图像信号被输入的定时。在此，作为在时间上相邻的两个图像，关注图像5121及图像5122。输入图像以周期Tin的间隔被输入。此外，有时将一个周期Tin的长度记为1帧或1帧期间。记载有“生成”的部分表示基于输入图像信号新生成图像的定时。在此，关注作为基于图像5121及图像5122而生成的生成图像的图像5123。记载有“显示”的部分表示在显示装置上显示图像的定时。此外，虽然关于关注的图像之外的图像只用虚线记载，但是与关注的图像同样地处理，从而可以实现本实施方式中的运动图像的插值方法的一例。如图43A所示，在本实施方式中的运动图像的插值方法的一例中，使基于在时间上相邻的两个输入图像生成的生成图像显示在显示该两个输入图像的定时的间隙，从而可以进行运动图像的插值。此时，显示图像的显示周期优选为输入图像的输入周期的1/2。但是，不局限于此，可以采用各种显示周期。例如，使显示周期比输入周期的1/2短，从而可以进一步平滑地显示运动图像。或者，使显示周期比输入周期的1/2长，从而可以减少功耗。此外，在此，基于在时间上相邻的两个输入图像而生成了图像，但是作为基础的输入图像不局限于两个，可以使用各种个数。例如，当基于在时间上相邻的三个(也可以是三个以上)输入图像生成图像时，与基于两个输入图像的情况相比，可以获得精确度更高的生成图像。另外，将图像5121的显示定时设定为与图像5122的输入定时相同时刻，就是说使相对于输入定时的显示定时延迟1帧，但是本实施方式中的运动图像的插值方法中的显示定时不局限于此，可以使用各种显示定时。例如，可以使相对于输入定时的显示定时延迟1帧以上。这样，可以使作为生成图像的图像5123的显示定时延迟，因此可以使生成图像5123所需的时间中有余量，减少功耗且降低制造成本。此外，当使相对于输入定时的显示定时过迟时，保持输入图像的期间延长，保持所需要的存储器容量增大，因此相对于输入定时的显示定时优选延迟1帧至延迟2帧程度。在此说明基于图像5121及图像5122生成的图像5123的具体生成方法的一例。为了对运动图像进行插值，需要检测出输入图像的运动，但是在本实施方式中，为了检测出输入图像的运动，可以采用称为块匹配法的方法。但是，不局限于此，可以采用各种方法(取图像数据的差分的方法、利用傅里叶变换的方法等)。在块匹配法中，首先将1张输入图像的图像数据(在此是图像5121的图像数据)存储在数据存储单元(半导体存储器、RAM等的存储电路等)。并且，将其次的帧中的图像(在此是图像5122)分割为多个区域。此外，如图43A那样，分割了的区域是相同形状的矩形，但是不局限于此，可以采用各种方式(根据图像改变形状或大小等)。然后，按分割了的每个区域，与存储在数据存储单元中的前一个帧的图像数据(在此是图像5121的图像数据)进行数据的比较，搜索图像数据相似的区域。在图43A的例子中示出从图像5121中搜索与图像5122中的区域5124的数据相似的区域，并搜索出区域5126。此外，当在图像5121中进行搜索时，优选限定搜索范围。在图43A的例子中，作为搜索范围设定区域5125，其大小为区域5124的面积的四倍左右。此夕卜，通过使搜索范围比它还大，可以在运动快的运动图像中也提高检测精度。但是，当过宽地进行搜索时，搜索时间变得极长，难以实现运动的检测，因此区域5125优选为区域5124的面积的两倍至六倍程度。然后，作为运动矢量5127求得被搜索的区域5126和图像5122中的区域5124的位置的差异。运动矢量5127表示区域5124中的图像数据的1帧期间的运动。再者，为了生成表示运动的中间状态的图像，作成不改变运动矢量的方向而改变大小的图像生成用矢量5128，并且根据图像生成用矢量5128使图像5121中的区域5126所包括的图像数据移动，从而形成图像5123中的区域5129内的图像数据。在图像5122中的所有的区域中进行上述一系列的处理，从而可以生成图像5123。再者，通过依次显示输入图像5121、生成图像5123、输入图像5122，可以对运动图像进行插值。此外，图像中的物体5130在图像5121及图像5122中位置不同(就是会移动)，但是生成的图像5123成为图像5121及图像5122中的物体的中间点。通过显示这种图像，可以使运动图像的运动平滑，改善由于残影等引起的运动图像的不清楚。此外，图像生成用矢量5128的大小可以根据图像5123的显示定时来决定。在图43A的例子中，图像5123的显示定时为图像5121及图像5122的显示定时的中间点(1/2)，因此图像生成用矢量5128的大小为运动矢量5127的1/2，但是除此之外，例如也可以在显示定时为1/3的时刻将大小设为1/3，在显示定时为2/3的时刻将大小设为2/3。此外，这样，在使具有各种运动矢量的多个区域分别移动而形成新的图像的情况下，有时在移动目的地的区域内产生其它区域已经移动的部分(重复)、没有从任何区域移动过来的部分(空白)。关于这些部分，可以校正数据。作为重复部分的校正方法，例如可以采用如下方法取重复数据的平均的方法；以运动矢量的方向等决定优先级且将优先级高的数据作为生成图像内的数据的方法；关于颜色(或亮度)使某一方优先但是关于亮度(或颜色)取平均的方法，等等。作为空白部分的校正方法，可以使用如下方法将图像5121或图像5122的该位置中的图像数据原样地作为生成图像内的数据的方法；取图像5121或图像5122的该位置中的图像数据的平均的方法，等等。再者，通过以按照图像生成用矢量5128的大小的定时显示所生成的图像5123，可以使运动图像的运动平滑，并且能够改善由于保持驱动的残影等导致的运动图像的质量降低的问题。如图43B所示，在本实施方式中的运动图像的插值方法的另一例中，在基于在时间上相邻的两个输入图像而生成的生成图像显示在显示该两个输入图像的定时的间隙的情况下，将每个显示图像进一步分割成多个子图像并显示，从而可以进行运动图像的插值。在此情况下，除了由于图像显示周期变短带来的优点之外，还可以获得由于暗的图像被定期显示(显示方法近似于脉冲型)带来的优点。就是说，与只将图像显示周期设为图像输入周期的1/2的长度的情况相比，可以进一步改善由于残影等引起的运动图像的不清楚。在图43B的例子中，“输入”及“生成”可以进行与图43A的例子同样的处理，因此省略说明。图43B的例子中的“显示”可以将一个输入图像或/及生成图像分割成多个子图像进行显示。具体而言，如图43B所示，通过将图像5121分割为子图像5121a及5121b并依次显示，从而使人眼感觉显示了图像5121，通过将图像5123分割为子图像5123a及5123b并依次显示，从而使人眼感觉显示了图像5123，通过将图像5122分割为子图像5122a及5122b并依次显示，从而使人眼感觉显示了图像5122。就是说，作为被人眼感觉的图像，与图43A的例子同样，并且能够使显示方法近似于脉冲型，因此可以进一步改善由于残影等造成的运动图像的不清楚。此外，在图43B中子图像的分割数为两个，但是不局限于此，可以使用各种分割数。另外，虽然在图43B中显示子图像的定时为等间隔(1/2)，但是不局限于此，可以使用各种显示定时。例如通过使暗的子图像(5121b、5122b、5123b)的显示定时变早(具体而言从1/4至1/2的定时)，可以使显示方法进一步近似于脉冲型，因此可以进一步改善由于残影等造成的运动图像的不清楚。或者，通过使暗的子图像的显示定时延迟(具体而言，从1/2至3/4的定时)，可以延长明亮的图像的显示期间，因此可以提高显示效率并减少功耗。本实施方式中的运动图像的插值方法的另一例是检测出图像内运动的物体的形状并根据运动的物体的形状进行不同的处理的例子。图43C所示的例子与图43B的例子同样表示显示的定时，并表示所显示的内容为运动的字符(也称为卷动文本(scrolltext)、字幕(telop)等)的情况。此外，关于“输入”及“生成”，可以与图43B同样，因此未图示。有时根据运动的物体的性质，保持驱动中的运动图像的不清楚的程度不同。尤其在很多的情况下，当字符运动时显著地被识别。这是因为，当读运动的字符时视线务必要追随字符，因此容易发生保持模糊。而且，因为在很多情况下字符的轮廓清楚，所以有时由于保持模糊造成的不清楚被进一步强调。就是说，判断在图像内运动的物体是否是字符，当是字符时还进行特别的处理，这对于减少保持模糊是有效的。具体而言，对于在图像内运动的物体进行轮廓检测或/及模式检测等，当判断为该物体是字符时，对从相同的图像分割出的子图像之间也进行运动插值，并显示运动的中间状态，从而使运动平滑。当判断为该物体不是字符时，如图43B所示，若是从相同的图像分割出的子图像，就可以不改变运动的物体的位置而进行显示。在图43C的例子中示出判断为字符的区域5131向上方向运动的情况，其中在图像5121a和图像5121b之间使区域5131的位置不同。关于图像5123a和图像5123b、图像5122a和图像5122b也同样。通过上述，关于特别容易观察保持模糊的运动的字符，与通常的运动补偿倍速驱动相比可以更平滑地运动，因此可以进一步改善由于残影等造成的运动图像的不清楚。实施方式I2半导体装置可以被应用于各种电子设备(包括游戏机)。作为电子设备，可以举出电视装置(也称为电视或电视接收机)、用于计算机等的监视器、数字照相机、数字摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。图3IA示出电视装置9600的一例。在电视装置9600中，框体9601嵌入有显示部9603。利用显示部9603可以显示影像。此外，在此示出利用支架9605支撑框体9601的结构。可以通过利用框体9601所具备的操作开关、另外提供的遥控操作机9610进行电视装置9600的操作。通过利用遥控操作机9610所具备的操作键9609，可以进行频道及音量的操作，并可以对在显示部9603上显示的影像进行操作。此外，也可以采用在遥控操作机9610中设置显示从该遥控操作机9610输出的信息的显示部9607的结构。注意，电视装置9600采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以利用接收器来接收通常的电视广播。另外，当通过调制解调器将电视机9600有线或无线地连接到通信网络时，可以进行单向的(从发射者到接收者)或者双向的(发射者和接收者之间、或接收者彼此之间)数据通信。图31B示出数码相框9700的一例。例如，在数码相框9700中，框体9701嵌入有显示部9703。显示部9703可以显示各种图像，例如通过显示使用数码相机等拍摄的图像数据，可以发挥与一般的相框同样的功能。注意，数码相框9700采用具备操作部、外部连接用端子(USB端子、可以与USB电缆等各种电缆连接的端子等)、记录介质插入部等的结构。这些结构也可以嵌入到与显示部同一个面，但是通过将它设置在侧面或背面上可以提高设计性，所以是优选的。例如，可以对数码相框的记录介质插入部插入储存有由数码相机拍摄的图像数据的存储器并提取图像数据，然后可以将所提取的图像数据显示于显示部9703。另外，数字相框9700可以采用无线地发送和接收数据的结构。也可以采用以无线的方式提取所希望的图像数据并进行显示的结构。图32A示出了便携式游戏机，其包括利用连接部9893结合从而可打开和关闭的框体9881和框体9891。框体9881安装有显示部9882，并且框体9891安装有显示部9883。另夕卜，图32A所示的便携式游戏机还具备扬声器部9884、记录介质插入部9886、LED灯9890、输入单元(操作键9885、连接端子9887、传感器9888(即，具有测定如下因素的功能的器件力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、功率、射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、以及麦克风9889)等。当然，便携式游戏机的结构不限于以上所述结构，便携式游戏机可以具有适当地配置了额外的附属设备的结构，只要至少配置了本发明所述的半导体装置即可。图32A所示的便携式游戏机具有如下功能读出存储在记录介质中的程序或数据并将它显示在显示部上；以及通过与其他便携式游戏机进行无线通信而共享信息。注意，图32A所示的便携式游戏机可以具有各种功能，而不局限于这些功能。图32B示出大型游戏机的一种的投币机9900的一个例子。在投币机9900的框体9901中安装有显示部9903。另外，投币机9900还具备如起动杆或停止开关等操作单元、投币孔、扬声器等。当然，投币机9900不局限于上述结构，可以具有适当地配置了额外的附属设备的结构，只要至少配置了本发明所述的半导体装置即可。图33A示出移动电话机1000的一例。移动电话机1000除了安装在框体1001的显示部1002之外还具备操作按钮1003、外部连接端口1004、扬声器1005、麦克风1006等。图33A所示的移动电话机1000可以用手指等触摸显示部1002来输入信息。此外，可以用手指等触摸显示部1002来打电话或进行电子邮件的输入等的操作。显示部1002的画面主要有三个模式。第一模式为显示模式，其主要用于显示图像，第二模式为输入模式，其主要用于输入文字等信息。第三模式为显示并输入模式，其为两种模式的组合，即，显示模式和输入模式的组合。例如，在打电话或写电子邮件的情况下，将显示部1002设定为以文字输入为主的文字输入模式，并进行在画面上显示的文字的输入操作，即可。在此情况下，优选的是，在显示部1002的画面的大部分中显示键盘或号码按钮。此外，在移动电话机1000的内部设置具有陀螺仪或加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，判断移动电话机1000的方向(竖向还是横向)，从而可以对显示部1002的画面显示进行自动切换。通过触摸显示部1002或对框体1001的操作按钮1003进行操作，切换画面模式。还可以根据显示在显示部1002上的图像种类切换画面模式。例如，若在显示部上显示的图像信号为运动图像的数据，则切换成显示模式，若为文本数据，则切换成输入模式。另外，当在输入模式中通过检测出显示部1002的光传感器所检测的信号得知在一定期间中没有显示部1002的触摸操作输入时，可以以将画面模式从输入模式切换成显示模式的方式进行控制。还可以将显示部1002用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部1002，来拍摄掌纹、指纹等，从而可以进行个人识别。此外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光灯或发射近红外光的感测用光源，还可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。图33B也例示了移动电话机的例子。图33B中的移动电话手机包括显示装置9410和通信装置9400；显示装置9410具有包括显示部9412和操作键9413的框架9411；通信装置9400具有包括操作按钮9402、外部输入端子9403、麦克风9404、扬声器9405、和当收到来电时发光的发光部9406的框架9401；具有显示功能的显示装置9410可以在箭头所示的两个方向上从通信装置9400上分离或安装到通信装置9400上。因此，显示装置9410和通信装置9400可以沿其短轴或长轴彼此附着。当只需要显示功能时，可以将显示装置9410从通信装置9400上分离，以单独使用显示装置9410。通信装置9400和显示装置9410的每个都能通过无线通信或有线通信发射和接收图像或输入信息，并且每个都具有可充电电池。另外，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。本说明书根据2009年3月5日在日本专利局受理的日本专利申请编号2009-051857而制作，所述申请内容包括在本说明书中。权利要求一种半导体装置，包括基板，该基板具有绝缘面；第一电极，该第一电极具有透光性并设置在所述基板上；第二电极，该第二电极具有透光性并设置在所述基板上；半导体层，该半导体层具有透光性并设置为电连接于所述第一电极及所述第二电极；第一布线，该第一布线电连接于所述第一电极；绝缘层，该绝缘层至少覆盖所述半导体层而设置；第三电极，该第三电极具有透光性并设置在与所述半导体层重叠的所述绝缘层的一部分上；以及第二布线，该第二布线电连接于所述第三电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括第四电极，该第四电极具有透光性并电连接于所述第二电极。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括第五电极，该第五电极设置为在所述第五电极与所述第二电极的一部分之间夹着所述绝缘层重叠于所述第二电极的一部分并由与所述第三电极相同的层形成；以及第三布线，该第三布线电连接于所述第五电极并由与所述第二布线相同的层形成。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的每一个由铟锡氧化物、包含氧化硅的铟锡氧化物、有机铟、有机锡、氧化锌、氮化钛、包含氧化锌的铟锌氧化物、在氧化锌中添加有镓的材料、氧化锡、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物和包含氧化钛的铟锡氧化物中的任何一种形成。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一布线和所述第二布线具有遮光性。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一布线与所述第二布线的交叉部分设置有由与所述半导体层相同的层形成的层。8.一种半导体装置的制造方法，包括在具有绝缘面的基板上层叠形成具有透光性的第一导电层、和第二导电层；在所述第二导电层上形成第一掩模；使用所述第一掩模蚀刻所述第一导电层来形成第一电极及第二电极，并蚀刻所述第二导电层来形成第三导电层；使所述第一掩模缩小，以形成第二掩模；使用所述第二掩模蚀刻所述第三导电层来形成第一布线；形成具有透光性并电连接于所述第一电极及所述第二电极的半导体层；覆盖所述半导体层地形成绝缘层；在所述绝缘层上层叠形成具有透光性的第四导电层、和第五导电层；在所述第五导电层上形成第三掩模；使用所述第三掩模蚀刻所述第四导电层来形成第三电极，并蚀刻所述第五导电层来形成第六导电层；使所述第三掩模缩小，以形成第四掩模；以及使用所述第四掩模蚀刻所述第六导电层来形成第二布线。全文摘要一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括具有绝缘面的基板；设置在基板上的透光第一电极；设置在基板上的透光第二电极；设置为电连接于第一电极及第二电极的透光半导体层；电连接于第一电极的第一布线；至少覆盖半导体层而设置的绝缘层；设置在与半导体层重叠的区域的绝缘层上的透光第三电极；以及电连接于第三电极的第二布线。文档编号H01L21/84GK101826534SQ201010134288公开日2010年9月8日申请日期2010年3月4日优先权日2009年3月5日发明者木村肇申请人:株式会社半导体能源研究所