可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架的制作方法

文档序号:6964439阅读:387来源:国知局
专利名称:可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种半导体封装用导线架,尤其涉及一种芯片座采用不镀银材 料、具备高焊线精度及速度的导线架。
背景技术
在半导体封装领域中,焊线制程是关键制程之一,主要是通过焊线设备将导线作 为芯片与导线架之间电线的连接。近年来,随着半导体芯片高速化及小型高效能化的发展, 使得焊线芯片内铝垫及导线架管脚间距必须设计得越来越小,这样便对焊线设备的焊线精 度要求越来越高。由于封装焊线设备是通过影响识别系统来判断物体的位置,影响系统则 是依靠黑白两种对比层次分明的颜色来判断的,若被辨认物体表面颜色对比层次不够分 明,则非常容易辨识错误或无法辨识,设备影像因而搜寻不到辨识物,导致频频报警及焊点 焊偏等问题。对高精密焊线要求的同时,半导体封装件的可靠度质量要求也越来越高,而半导 体封装中导线架是影响产品可靠度质量的重要材料之一,为提高产品的可靠度质量,导线 架芯片座采用不镀银方式已成为趋势,但导线架的主要材料是铜金属,铜在空气中易氧化, 上芯片银胶经烘烤后颜色不均勻,严重影响焊线设备辨识,造成质量及产能方面等一系列 问题。

实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种能有效解决焊线制程中焊线设备影响 识别问题、可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架。为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案一种可提高焊线精度及速 度的半导体封装用导线架,包括芯片座及排列设于芯片座周围的多个管脚,其特征在于所 述芯片座连接有支撑该芯片座的多个连杆;芯片座的四处或两处角落或者连杆的四处或两 处弯角处的较平坦区域局部对称设置有镀银区,镀银区可用于接地线。另外,也可以根据不 同的需求选择镀银区的位置,如有些产品在某一位置需接地线,则可在该位置镀银。进一步地,所述镀银区镀层的厚度为100-350微英寸。进一步地,所述镀银区的面积为8-20平方毫米。本实用新型通过在导线架的芯片座或连杆的四个或两个角落小范围局部对称镀 银,能够有效提高焊线设备的辨识度,避免影像系统因搜寻不到辨识物而报警,降低了第二 焊点焊偏的概率,从而提高了焊线的质量和速度,降低了生产成本。

图1为本实用新型实施例一平面结构示意图;图2为本实用新型实施例二平面结构示意图。图中,11为芯片座,12为管脚,13为连杆,131为镀银区,21为芯片座,211为镀银区,22为管脚,23为连杆。
具体实施方式
实施例1,参照图1,所述可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,其导线 架由铜或铜合金制成,包括芯片座11、设芯片座周围的多个管脚12、连接在芯片座11上用 以支撑芯片座11的连杆13,在连杆13的四处弯角边缘平坦处对称设有镀银区131,其中镀 银区131的面积为15平方毫米,当然也可以是8-20平方毫米之间的任意值;其镀层厚度为 200微英寸,当然也可以是100-350微英寸之间的任意值。实施例2,参照图2,所述可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,其导线 架由铜或铜合金制成,包括芯片座21、设芯片座周围的多个管脚22、连接在芯片座21上用 以支撑芯片座21的连杆23,在芯片座21的四角边缘平坦处对称设有镀银区211,其中镀银 区211的面积为10平方毫米,当然也可以是8-20平方毫米之间的任意值,其镀层厚度为 250微英寸,当然也可以是100-350微英寸之间的任意值。以上已将本实用新型做一详细说明,以上所述,仅为本实用新型之两个较佳实施 例而已,当不能限定本实用新型实施范围,即凡依本申请范围所作均等变化与修饰,皆应仍 属本实用新型涵盖范围内。
权利要求一种可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,包括芯片座及排列设于芯片座周围的多个管脚,其特征在于所述芯片座连接有支撑该芯片座的多个连杆;芯片座的四处或两处角落或者连杆的四处或两处弯角处对称设置有镀银区。
2.根据权利要求1所述的可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,其特征在 于所述镀银区镀层的厚度为100-350微英寸。
3.根据权利要求1或2所述的可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,其特征 在于所述镀银区的面积为8-20平方毫米。
专利摘要本实用新型公开了一种可提高焊线精度及速度的半导体封装用导线架,包括芯片座及排列设于芯片座周围的多个管脚,所述芯片座连接有支撑该芯片座的多个连杆;芯片座的四处或两处角落或者连杆的四处或两处弯角处的较平坦区域局部对称设置有镀银区,镀银区可用于接地线。本实用新型通过在导线架的芯片座或连杆的四个或两个角落小范围局部对称镀银,能够有效提高焊线设备的辨识度,避免影像系统因搜寻不到辨识物而报警,降低了第二焊点焊偏的概率,从而提高了焊线的质量和速度,降低了生产成本。
文档编号H01L23/495GK201623158SQ201020136740
公开日2010年11月3日 申请日期2010年3月17日 优先权日2010年3月17日
发明者刘邦振, 程新龙, 陶诗雄 申请人:东莞矽德半导体有限公司
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